NO317574B1 - Fremgangsmate for paforing av belegg med getterfunksjon tilpasset for dannelse av meget hoyt vakuum. - Google Patents
Fremgangsmate for paforing av belegg med getterfunksjon tilpasset for dannelse av meget hoyt vakuum. Download PDFInfo
- Publication number
- NO317574B1 NO317574B1 NO19994080A NO994080A NO317574B1 NO 317574 B1 NO317574 B1 NO 317574B1 NO 19994080 A NO19994080 A NO 19994080A NO 994080 A NO994080 A NO 994080A NO 317574 B1 NO317574 B1 NO 317574B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- chamber
- getter
- vacuum
- layer
- catalyst
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 229910000986 non-evaporable getter Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 claims description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical group [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J7/00—Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J7/14—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J7/18—Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
- H01J7/183—Composition or manufacture of getters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Hooks, Suction Cups, And Attachment By Adhesive Means (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Jet Pumps And Other Pumps (AREA)
Description
Den foreliggende oppfinnelsen vedrører en fremgangsmåte for påføring av et belegg med getterfunksjon tilpasset for dannelse av meget høyt vakuum (ultrahøyt vakuum) i et kammer avgrenset av en metallvegg som er i stand til å frigi gass fra dens overflate.
I et metallsystem anvendt som et oppvarmingskammer i hvilket meget høyt vakuum genereres (f.eks. et vakuum på minst 10" Torr 10" Pa), enda i størrelsesorden av 10" til 10*14 (10"n til IO"<12>Pa)), bidrar metallveggene til kammeret med en ny uttømmelig kilde av gass. Hydrogenet inneholdt i metallstrukturen (f.eks. rustfri stål, kobber, aluminiumlegering) er fritt dispergert i tykkelsen av metallet og blir frigitt fra overflaten utgjørende kammeret. Tilsvarende når veggene i vakuumkammeret bombarderes med partikler (synkrotron, elektron eller ion stråling) som i tilfellet med partikkelakseleratorer blir tyngre molekyltyper støtt ut, slik som CO, CO2, CH4, fremstilt på overflaten etter dissosiasjon av hydrokarboner, karbider eller oksider.
Vakuumnivået oppnådd i kammeret er derfor definert av den dynamiske likevekten mellom frigivningen av gass ved overflaten utgjørende kammeret og pumpehastigheten til pumpene som anvendes. Produserende høy vakuum involverer et dobbelt behov for sikring av at overflaten til kammeret er ekstrem ren for således å redusere emisjonen av gass og påføring av en høy pumpehastighet. I tilfellet med vakuumsystemer til partikkelakseleratorer, hvori kamrene generelt er lite i tverrsnitt, må pumpene enten anordnes tett til hverandre eller pumping må påføres kontinuerlig for å overkomme konduktansbegrensningen.
Under disse betingelser er en kjent måte til oppnåelse av et så høyt vakuum som mulig å supplere vakuumet produsert ved mekaniske pumper med påføring av komplimen-terende pumping, spesielt ved hjelp av en getter anordnet inne i kammeret: dette materialet er i stand til å produsere kjemisk stabile forbindelser ved en reaksjon med gasser tilstede i vakuumkammeret (spesielt H2, O2, CO, CO2, N2) og denne reaksjon forårsaker at de berørte molekylære stoffene forsvinner, hvilket er ensbetydende med en pumpeeffekt.
Imidlertid uansett den anvendte pumpefremgangsmåten og uten hensyn til distribusjons-effektiviteten som kan oppnås ved anvendelse av en ikke-fordampende getter, er vakuumet som høyst sannsynlig kan oppnås i kammeret stadig begrenset av den dynamiske likevekten mellom pumpehastighet (uansett den anvendte fremgangsmåten) og hastigheten med hvilken gass frigis fra metalloverflaten til kammeret (uten hensyn til årsaken), med andre ord vakuumnivået forblir avhengig av hastigheten av frigivning av gass inn i kammeret for en hvilken som helst gitt pumpehastighet.
For å forbedre kvaliteten av det ultrahøye vakuumet inn i kammeret er det derfor ønskelig å forsøke å signifikant redusere hastigheten med hvilken gasser frigis fra overflaten av metallveggen til kammeret og mens dette gjøres å signifikant øke effektiviteten av pumpeanordningene.
Følgelig er formålet med oppfinnelsen å foreslå en forbedret løsning som vil muliggjøre en overkommelse av disse problemene og som vil redusere hastigheten med hvilken gass frigis inne i kammeret og betydelig øke effektiviten av pumpeanordningene som anvendes, mens der oppnås meget høyt eller ultrahøye vakuumer (i størrelsesorden av IO"10 til IO"<13>Torr (IO 8 til 10"" Pa) for eksempel) mer økonomisk.
JP 3247778 beskriver vakuumutstyr med flere-sjiktsbelegg, hvor et indre lag har nedsatt gasstransmisjonskoeffesient mens et ytre lag har nedsatt absorpsjon.
Til de ovennevnte formål foreslår oppfinnelsen en fremgangsmåte for påføring av et belegg med en getterfunksjon tilpasset til generering, på grunn av en gettereffekt, et meget høyt (ultrahøyt) vakuum i et kammer avgrenset av en metallvegg som kan frigi gass fra dens overflate, nevnte belegg med en getterfunksjon er avleiret på minst nesten hele overflaten av kammerveggen, kjennetegnet ved de følgende trinn i rekkefølge: minst et tynt metallsjikt av ikke-fordampbar getter avleires ved katodeforstøvning på minst nesten hele overflaten av kammerveggen, nevnte getter er tilpasset til å absorbere hydrogen og isotoper derav og er valgt blant titan og/eller zirkonium og/eller hafnium og/eller vanadium og/eller scandium og/eller en legering eller metallkompositt omfattende minst en av disse,
deretter avleires minst et tynt sjikt av minste en katalysator ved katodeforstøvning på nevnte ikke-fordampbare gettersjikt, katalysatoren er valgt blant ruthenium og/eller rhodium og/eller palladium og/eller osmium og/eller iridium og/eller platina og/eller en legering omfattende minst en av disse,
elektrode som anvendes for katodeforstøvning fjernes etter avslutning av sjiktavleiringen,
vakuumkammeret samles, og
vakuum genereres med et pumpesystem,
hvor nevnte belegg stopper gassfrigivning fra kammerveggen, og på den annen side pumper hydrogen og isotoper derav som er til stede i kammeret når vakuum genereres.
Anvendelse av en fremgangsmåte av denne type gir en stor fordel i forbindelse med oppfinnelsen fordi katalysatoremnene som kan anvendes og dette kan tilskrives til deres lave oksidasjon: når disse katalysatorer utsettes for luft, reagerer de kun litt med oksygenen ved deres overflate og der er ikke lengre noe behov for å utføre et aktiveringstrinn ved oppvarming for å eliminere passiviseringssjiktet.
Der er en ytterligere fordel, som kan tilskrives til levetiden av katalysatorsjiktet, som er prinsipielt ubegrenset, siden gassabsorpsjonen er termisk reversibel.
Dette sjikt av katalysator utgjør en skjerm som inhiberer frigivningen av gass fra metallet i kammerveggen, uten å fremstille noe selv. Videre, i kamrene til partikkelakseleratorer er det dette sjikt som utsettes for sammenstøtet med partiklene eller synkrotronstrålingen og som danner en skjerm som hindre frigivningen av molekyltyper som sannsynligvis ville forurense vakuumet i kammeret. Følgelig med denne fremgangsmåten blir i det minte i stor grad frigivningen av gass på grunn av en hvilken som helst årsak hindret i kammeret.
Endelig har en katalysator av typen nevnt ovenfor sannsynlighet for å fremstille en overflate pumpeeffekt med hensyn til molekyltypene tilstede i kammeret.
De mest interessante resultatene er blitt oppnådd anvendende legeringer av palladium og mer spesifikt en palladium-sølvlegering.
Det bør imidlertid bemerkes at katalysatoren har en ufordelaktig egenskap, som ligger i det faktumet at, motsatt en ikke-fordampbar getter vil katalysatoren kun frembringe en selektiv pumpeeffekt: med andre ord, den er i stand til å pumpe bestemte molekyltyper: H2og CO, men ikke alltid andre molekyltyper: N2og CO2. Imidlertid i noen av de mer spesifikke anvendelsene overveid her (vakuumkammer til partikkelakseleratorer), bør denne selektivitet ikke nødvendigvis være skadelig på grunn av det faktum at største delen av molekyltypene tilstede er H2og CO.
Imidlertid bør det også poengteres at katalysatorer utvisende en pumpeeffekt med hensyn til H2typene, og der er noen av disse, er begrenset ved lavtrykk. Imidlertid kvantiteten av H2pumpet kan forbedres ved redusering av temperaturen: med kun en fraksjon av molekylsjikt ved omgivelsenes temperatur på omkring 20°C, blir denne mengde øket idet temperaturen senkes. Med f.eks. palladium, hvilket nu er en foretrukket katalysator på grunn av resultatene oppnådd, er likevekttrykket for et enkelt sjikt av overflate-absorbert hydrogen IO"<7>Torr (IO"<5>Pa) ved omgivelsenes temperatur, men blir fullstendig neglisjerbar ved koketemperaturen til flytende nitrogen (77°K).
Det er for å avhjelpe den utilstrekkelige pumpekapasitet til katalysatoren med hensyn til bestemte molekyltyper, slik som H2og dens isotroper, at oppfinnelsen omfatter påføring av et ikke-fordampbart gettermateriale direkte på kammerveggen. Alle av de ovenfor nevnte molekyltypene, slik som hydrogen og dets isotoper, blir derfor overført fra overflaten utsatt for vakuumet, gjennom sjiktet av katalysatoren, så langt som til det ikke-fordampbare gettersjikt enten over en lengre periode ved omgivelsenes temperatur eller på en mer akselerert måte over en kortere periode, i noen tilfeller meget kort, ved oppvarming til en temperatur på omkring 50 til 70°C. Følgelig mens sjikt av palladium mettet med H2muliggjør fremstilling av et vakuum på kun IO"<7>Torr (10"<5>Pa) å bli fremstilt ved omgivelsenes temperatur på omkring 20°C vil den samme katalysatoren produsere et vakuum på IO"<13>Torr (10"" Pa) hvis oppvarmet til 70°C.
Med hensyn til sjiktet av ikke-fordampbar getter er valget av bestanddelmaterialet eller materialer og hvordan det fremstilles basert på en hvilken som helst løsning kjent for fagmenn på området og som vil imøtekomme kravene til denne oppfinnelsen. Imidlertid foretrukket og spesielt fordelaktig er fremgangsmåtene beskrevet i dokument FR-A-2 750 248 inngitt av søkeren til denne søker, til hvilken referanse gjøres for mer detaljert informasjon.
Det vil kun bli gjentatt at det ikke-fordampbare gettermaterialet (NEG) spesifikt må ha en høy absorpsjonskapasitet og en høy diffusjonskapasitet med hensyn til hydrogen og hvis mulig evnen til å danne en hydrid fase, videre må det utvise et dissosiasjonstrykk fra hydridfasen på mindre enn 10" It Torr (10" II Pa) ved omkring 20°C. Materialet må også en å lav aktiveringstemperatur som mulig, sammenlignet med oppvarmings-betingelsene til vakuumsystemer (omkring 400°C i tilfelle med rustfrie kamre, 200-250°C i tilfellet med kopper og aluminiumlegeringskamre) og kompatibilitet med stabiliteten til materialet ved utsettelse for luft ved omkring 20°C, under disse betingelser, mer generelt uttrykt må aktiveringstemperaturen være minst lik med 400°C og ikke mindre enn 150°C.
Titan, zirkonium, hafnium, vanadium og scandium, som utviser en oppløselighetsgrense for oksygen på mer enn 2% ved omgivelsenes temperatur, anvendelse som ikke-fordampbar getterer som en anordning til dannelse av en tynn sjiktbelegning for formålene ifølge oppfinnelsen. Det vil klart være mulig å anvende en hvilken som helst legering eller forbindelse av disse stoffer med andre, for å kombinere de produserte effektene, eller enda for å produsere nye effekter som ikke direkte er et resultat av summen av de individuelle effektene.
I det foretrukne tilfellet for avleiring ved dobbelt katode forstøvning, oppnås en NEG sjikt referert til fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen ved hjelp av minst en første elektrode egnet til deponering av getteren ved katodeforstøvning som beskrevet i dokument FR-A-2 750 248. Deretter, når deponeringen er fullført, blir den første elektroden fjernet fra kammeret og før påbegynnelse av det andre av trinnene i fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen, erstattet med minst en annen elektrode egnet til deponering av katalysatoren ved katodeforstøvning. Siden sjiktet av getter utsettes for omgivelsenes luft sluppet inn mens skiftning av elektrode, vil det være nødvendig å pumpe og deretter termisk aktivere sjiktet av getter før påbegynnelse av deponeringen av katalysatorsjiktet ved katodeforstøvning.
Som et eksempel kan denne fremgangsmåte praktisk implementeres ved utføring av de følgende trinnene: kammeret renses, en anordning for deponering av et tynnsjikt av getter anbringes inn i kammeret, et relativt vakuum dannes inne i kammeret, kammeret oppvarmes for å evakuere så mye av vanndampen som mulig, getteren blir deretter deponert i et tynnsjikt over i det minste størstedelen av overflaten av veggen avgrensende kammeret, kammeret bringes tilbake til atmosfærisk trykk, og anordningen anvendt til å deponere getteren fjernes fra kammeret og en anordning til deponering av katalysatoren anbringes i kammeret,
et relativt vakuum dannes i kammeret, installasjonen oppvarmes til den ønskede temperaturen mens kammeret opprettholdes ved en temperatur lavere enn aktiveringstemperaturen til getteren,
oppvarming av installasjonen stoppes og temperaturen til kammeret økes simultant til aktiveringstemperaturen til getteren ved hvilken den opprettholdes for en forutbestemt tidsperiode (f.eks. 1 til 2 timer), og endelig blir temperaturen til kammeret brakt ned på omgivelsenes temperatur, ved avslutningen av denne fremgangsmåten er overflaten til det tynne sjiktet ren og dens termiske frigivning av gass kraftig redusert,
endelig blir minst et sjikt av katalysator deponert på NEG sjiktet.
For å hindre restriksjonene forårsaket av ombyttingen av elektroder (utsettelse av gettersjiktet for omgivelsesluften), vil det være mulig å installere fra begynnelsen en dobbelt elektrode inkorporerende samtidig både den ikke-fordampbare getteren og katalysatormaterialene som deretter vil kunne bli eksitert i sekvens slik at getteren og deretter katalysatoren kan deponeres i rekkefølge uten noen som helst intermediære bearbeidninger av getteren, for å produsere homogene belegninger over hele veggen til kammeret, kunne en elektrode av denne type bli rotert.
Når det ferdige vakuumsystemet først er installert, er overflaten til katalysatorsjiktet belagt med prinsipielt atskillige vinkelsjikter av vanndamp, som må fjernes ved pumping. Fjernelsesfremgangsmåten vil være hurtigere hvis pumpingen kombineres med oppvarming av vakuumsystemet, bringende det opp på en temperatur på minst 120°C og opptil 300°C hvis mulig.
En katalysator anvendt på formen av et sjikt som beskrevet ovenfor strekker seg ut over hele lengden av kammeret og opprettholder derfor fordelen ved en distribuert pumpevirkning på en ensartet måte. Videre et sjikt av katalysator som fremstilt ifølge oppfinnelsen opptar ikke en betydelig mengde volumen og bringer med seg fordelen av å produsere en pumpeeffekt uten noen som helst ytterligere plasskrav, hvilket betyr at den kan anvendes selv i situasjoner hvor geometriske begrensninger normalt ikke ville tillate anvendelsen av et pumpemateriale på båndform.
Claims (6)
1.
Fremgangsmåte for påføring av et belegg med en getterfunksjon tilpasset til generering, på grunn av en gettereffekt, et meget høyt (ultrahøyt) vakuum i et kammer avgrenset av en metallvegg som kan frigi gass fra dens overflate, nevnte belegg med en getterfunksjon er avleiret på minst nesten hele overflaten av kammerveggen,karakterisert vedde følgende trinn i rekkefølge: minst et tynt metallsjikt av ikke-fordampbar getter avleires ved katodeforstøvning på minst nesten hele overflaten av kammerveggen, nevnte getter er tilpasset til å absorbere hydrogen og isotoper derav og er valgt blant titan og/eller zirkonium og/eller hafnium og/eller vanadium og/eller scandium og/eller en legering eller metallkompositt omfattende minst en av disse, deretter avleires minst et tynt sjikt av minste en katalysator ved katodeforstøvning på nevnte ikke-fordampbare gettersjikt, katalysatoren er valgt blant ruthenium og/eller rhodium og/eller palladium og/eller osmium og/eller iridium og/eller platina og/eller en legering omfattende minst en av disse, elektrode som anvendes for katodeforstøvning fjernes etter avslutning av sjiktavleiringen, vakuumkammeret samles, og vakuum genereres med et pumpesystem, hvor nevnte belegg stopper gassfrigivning fra kammerveggen, og på den annen side pumper hydrogen og isotoper derav som er til stede i kammeret når vakuum genereres.
2.
Fremgangsmåte ifølge krav 1,karakterisert vedat katalysatoren blir deponert på sjiktet av ikke-fordampbar getter, som er blitt deponert på forhånd uten noen som helst utsettelse av sistnevnte for omgivelsenes luft mellom de to deponeringstrinn.
3.
Fremgangsmåte ifølge krav 1,karakterisert vedat sjiktet av ikke-fordampbar getter, som er blitt utsatt for omgivelsesluften etter å ha blitt deponert, deretter pumpes og termisk aktiveres før deponeringen av sjiktet av katalysator derpå.
4.
Fremgangsmåte ifølge krav 1,karakterisert vedat samtidig som vakuumet dannes ved hjelp av pumpesystemet blir vakuumsystemet tørket ved å bli oppvarmet til en temperatur på minst 120°C.
5.
Fremgangsmåte ifølge krav 1 til 4,karakterisert vedat katalysatoren er en legering av palladium.
6.
Fremgangsmåte ifølge krav 5,karakterisert vedat katalysatoren er en palladium-sølv legering.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9702305A FR2760089B1 (fr) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Agencement et procede pour ameliorer le vide dans un systeme a vide tres pousse |
PCT/EP1998/000978 WO1998037958A1 (fr) | 1997-02-26 | 1998-02-20 | Agencement et procede pour ameliorer le vide dans un systeme a vide tres pousse |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO994080D0 NO994080D0 (no) | 1999-08-24 |
NO994080L NO994080L (no) | 1999-08-24 |
NO317574B1 true NO317574B1 (no) | 2004-11-15 |
Family
ID=9504208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO19994080A NO317574B1 (no) | 1997-02-26 | 1999-08-24 | Fremgangsmate for paforing av belegg med getterfunksjon tilpasset for dannelse av meget hoyt vakuum. |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6554970B1 (no) |
EP (1) | EP0964741B1 (no) |
JP (1) | JP4451498B2 (no) |
AT (1) | ATE248645T1 (no) |
AU (1) | AU6722898A (no) |
CA (1) | CA2282664C (no) |
DE (1) | DE69817775T2 (no) |
DK (1) | DK0964741T3 (no) |
ES (1) | ES2206905T3 (no) |
FR (1) | FR2760089B1 (no) |
NO (1) | NO317574B1 (no) |
PT (1) | PT964741E (no) |
RU (1) | RU2192302C2 (no) |
WO (1) | WO1998037958A1 (no) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE20023858U1 (de) | 1999-06-02 | 2007-03-01 | Saes Getters S.P.A., Lainate | Unabhängig von Aktivierungsbehandlungen zur Wasserstoffsorption befähigte Verbundmaterialien |
IT1318937B1 (it) * | 2000-09-27 | 2003-09-19 | Getters Spa | Metodo per la produzione di dispositivi getter porosi con ridottaperdita di particelle e dispositivi cosi' prodotti |
US7315115B1 (en) | 2000-10-27 | 2008-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting and electron-emitting devices having getter regions |
DE10209423A1 (de) | 2002-03-05 | 2003-09-18 | Schwerionenforsch Gmbh | Beschichtung aus einer Gettermetall-Legierung sowie Anordnung und Verfahren zur Herstellung derselben |
ITMI20031178A1 (it) * | 2003-06-11 | 2004-12-12 | Getters Spa | Depositi multistrato getter non evaporabili ottenuti per |
KR20070120499A (ko) * | 2005-02-17 | 2007-12-24 | 세스 게터스 에스.피.에이 | 플렉시블 다층 게터 |
DE102005042809B4 (de) * | 2005-09-08 | 2008-12-11 | Geoforschungszentrum Potsdam | Aktive Messeinrichtung, insbesondere Sekundärionen-Massenspektrometer |
GB0523838D0 (en) * | 2005-11-23 | 2006-01-04 | Oxford Instr Analytical Ltd | X-Ray detector and method |
JP4820783B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2011-11-24 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
JP4794514B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2011-10-19 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
EP2071188A1 (en) | 2007-12-10 | 2009-06-17 | VARIAN S.p.A. | Device for the deposition of non-evaporable getters (NEGs) and method of deposition using said device |
RU2555283C2 (ru) * | 2013-10-18 | 2015-07-10 | Общество с Ограниченной Ответственностью "Мембраны-НЦ" | Способ нанесения палладиевого покрытия на подложку |
KR102154893B1 (ko) | 2014-06-26 | 2020-09-11 | 사에스 게터스 에스.페.아. | 게터 펌핑 시스템 |
DE102016123146A1 (de) | 2016-06-03 | 2017-12-07 | Movatec Gmbh | Vakuumgerät und Verfahren zur Beschichtung von Bauteilen |
US20200149519A1 (en) * | 2016-11-28 | 2020-05-14 | Inter-University Research Institute Corporation High Energy Accelerator Research Organization | Non-evaporable getter coated component and chamber, manufacturing method and manufacturing apparatus |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3630690A (en) * | 1969-04-21 | 1971-12-28 | Gen Electric | Hydrogen-pumping apparatus of laminated construction |
US4000335A (en) * | 1974-09-20 | 1976-12-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making photocathodes |
DE3225751C1 (de) * | 1982-07-09 | 1984-01-26 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Vorrichtung zum Abtrennen der gasfoermigen Wasserstoffisotope |
JPH01242134A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Hitachi Ltd | 真空排気装置 |
JP2895554B2 (ja) * | 1990-02-22 | 1999-05-24 | 日本真空技術株式会社 | 多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品 |
-
1997
- 1997-02-26 FR FR9702305A patent/FR2760089B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-20 CA CA2282664A patent/CA2282664C/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 ES ES98912350T patent/ES2206905T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 RU RU99120179/12A patent/RU2192302C2/ru active
- 1998-02-20 WO PCT/EP1998/000978 patent/WO1998037958A1/fr active IP Right Grant
- 1998-02-20 DK DK98912350T patent/DK0964741T3/da active
- 1998-02-20 US US09/367,930 patent/US6554970B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 JP JP53727298A patent/JP4451498B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 EP EP98912350A patent/EP0964741B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 PT PT98912350T patent/PT964741E/pt unknown
- 1998-02-20 DE DE69817775T patent/DE69817775T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 AU AU67228/98A patent/AU6722898A/en not_active Abandoned
- 1998-02-20 AT AT98912350T patent/ATE248645T1/de active
-
1999
- 1999-08-24 NO NO19994080A patent/NO317574B1/no not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0964741A1 (fr) | 1999-12-22 |
AU6722898A (en) | 1998-09-18 |
EP0964741B1 (fr) | 2003-09-03 |
NO994080D0 (no) | 1999-08-24 |
NO994080L (no) | 1999-08-24 |
DE69817775T2 (de) | 2004-07-15 |
DE69817775D1 (de) | 2003-10-09 |
US6554970B1 (en) | 2003-04-29 |
RU2192302C2 (ru) | 2002-11-10 |
JP4451498B2 (ja) | 2010-04-14 |
CA2282664C (fr) | 2010-08-24 |
CA2282664A1 (fr) | 1998-09-03 |
ES2206905T3 (es) | 2004-05-16 |
DK0964741T3 (da) | 2004-01-12 |
ATE248645T1 (de) | 2003-09-15 |
FR2760089A1 (fr) | 1998-08-28 |
FR2760089B1 (fr) | 1999-04-30 |
PT964741E (pt) | 2004-01-30 |
JP2001513017A (ja) | 2001-08-28 |
WO1998037958A1 (fr) | 1998-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO317574B1 (no) | Fremgangsmate for paforing av belegg med getterfunksjon tilpasset for dannelse av meget hoyt vakuum. | |
NO317454B1 (no) | Fremgangsmate for anvendelse av en ikke-fordampbar getter. | |
US5365742A (en) | Device and process for the removal of hydrogen from a vacuum enclosure at cryogenic temperatures and especially high energy particle accelerators | |
KR100702710B1 (ko) | 활성화 처리와 무관하게 수소를 흡착할 수 있는 복합 물질 및 이의 제조 방법 | |
KR102279327B1 (ko) | 비증발형 게터 코팅 부품, 용기, 제법, 장치 | |
EP1791151A1 (en) | Metallic gas sorbents on the basis of lithium alloys | |
Manini et al. | NEG pumps: Sorption mechanisms and applications | |
Young | Palladium‐Diaphragm Hydrogen Pump | |
Chuntonov et al. | New lithium gas sorbents: I. The evaporable variant | |
US20110217491A1 (en) | Lithium or barium based film getters | |
JP2010194393A (ja) | 水素貯蔵複合材料 | |
CN114182205A (zh) | 一种纳米多层结构金属吸氢薄膜及其制备方法和应用 | |
Iaquaniello et al. | Hydrogen palladium selective membranes: an economic perspective | |
JPS5912332B2 (ja) | 水素の排気方法およびその排気装置 | |
JP2005279484A (ja) | 水素透過膜およびその製造方法 | |
Mura et al. | Use of getter-catalyst thin films for enhancing ion pump vacuum performances | |
JP3717546B2 (ja) | 真空用材料 | |
JPH03247778A (ja) | 多層被膜を有する真空容器及び真空機器用部品 | |
Manini | Non Evaporable Getter (NEG) Pumps: a Route to UHV‐XHV | |
JP2005206918A (ja) | マグネシウム系水素吸蔵材料 | |
GB2594314A (en) | High vacuum pumps their method of manufacture and use | |
JP2009291742A (ja) | 水素透過部材及びこれを用いた水素生成反応器 | |
JP2000001702A (ja) | 複合化ゲッター材および密閉空間の真空化方法 | |
JP2001181820A (ja) | 薄膜作製装置及び薄膜作製装置の使用方法 | |
CN113209838A (zh) | 一种用于氢气分离用高温金属型复合膜及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK1K | Patent expired |