NO159099B - Vannloeselig kopolymerisat og dets fremstilling og anvendelse. - Google Patents
Vannloeselig kopolymerisat og dets fremstilling og anvendelse. Download PDFInfo
- Publication number
- NO159099B NO159099B NO802321A NO802321A NO159099B NO 159099 B NO159099 B NO 159099B NO 802321 A NO802321 A NO 802321A NO 802321 A NO802321 A NO 802321A NO 159099 B NO159099 B NO 159099B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- resistor
- contact area
- film
- metallized
- opening
- Prior art date
Links
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 title abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 abstract 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 abstract 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- ASAMIKIYIFIKFS-UHFFFAOYSA-N chromium;oxosilicon Chemical compound [Cr].[Si]=O ASAMIKIYIFIKFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 tin nitride Chemical class 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K8/00—Compositions for drilling of boreholes or wells; Compositions for treating boreholes or wells, e.g. for completion or for remedial operations
- C09K8/02—Well-drilling compositions
- C09K8/04—Aqueous well-drilling compositions
- C09K8/14—Clay-containing compositions
- C09K8/18—Clay-containing compositions characterised by the organic compounds
- C09K8/22—Synthetic organic compounds
- C09K8/24—Polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/52—Amides or imides
- C08F220/54—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide
- C08F220/58—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide containing oxygen in addition to the carbonamido oxygen, e.g. N-methylolacrylamide, N-(meth)acryloylmorpholine
- C08F220/585—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide containing oxygen in addition to the carbonamido oxygen, e.g. N-methylolacrylamide, N-(meth)acryloylmorpholine and containing other heteroatoms, e.g. 2-acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid [AMPS]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Earth Drilling (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Medicinal Preparation (AREA)
- Chemical And Physical Treatments For Wood And The Like (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
100 vektdeler vannoppløsellg copolymerisat som i statistisk fordeling til 5 til 95 vektj av rester, av formel. I. og 5 til 95 vekt/f av rester med formel II0 til 80 vekt? av rester med formel IIIidet R 1 og R 2er like eller forskjellige og betyr hydrogen, methyl eller ethyl og X ^betyr et kation, fremstilles ved at 5 til 95 vektdeler oppløst 2-acrylamido-2-methylpropansul-fonsyre-(3)nøytraliseres, deretter tilsettes 5 til 95 vektdeler av et vinylacylamid med formel Ila. og eventuelt 0 til 80 vektdeler acrylamid, og copolymerisa-sjonen startes på i og for seg kjent måte, gjennomføres ved 10 til 120°C.Det dannede copolymerisat anvendes som borespylingshjelpemiddel.
Description
Tynnfilm-motstand og fremgangsmåte for fremstilling
av denne.
Denne oppfinnelse angår generelt elektriske motstander
og er særlig rettet mot en tynnfilm-motstand og en fremgangsmåte for fremstilling av denne.
Med den økende bruk av mikrokrets-teknikken, er det funnet nye anvendelser av tynnfilm-kretselementer. Konvensjonelle tynnfilm-kretser fremstilles ved å avsette eller påføre tynnfilm-motstander og
-kondensatorer på en passiv bærer, f.eks. glass eller keramikk, og deretter sammenkobling av fullstendige, pre-fabrikerte aktive komponenter med tynnfilm-elementene. Monolittiske integrerte kretser har aktive komponenter, og av og til også passive komponenter, som er laget i et halv-ledende krystall-element, og det finnes vanligvis et passiverende oksydlag på halvlederens overflate. Tynnfilm-kompon-
enter kan avsettes på utsiden av det passiverende lag og kan for-bindes med de aktive komponenter under dette lag. Den resulter-
ende konstruksjon er kjent som de såkalte kompatible integrerte .: kretser. Konvensjonelle tynnfilm-kretser og kompatible integrerte kretser kommer begge innenfor den mer omfattende klasse innretninger som er betegnet som integrerte kretsenheter (engelsk: integral circuit packages).
Ett av de forhold som må tas i betraktning under fremstilling av tynnfilm-elementer for integrerte kretsenheter, er den høytemperaturpåkjenning som opptrer etter at elementene er full-ført. Halvlederelementer blir ofte sammenføyet med bunnen eller underdelen i enheten ved temperaturer over 400°C. Flate enheter blir av og til forseglet ved temperaturer mellom 400° og 500°C. Fullstendige enheter blir undertiden utprøvet ved temperaturer opp til 500°C for undersøkelse av påliteligheten. Slike temperaturer kan bevirke store endringer i ubeskyttede tynnfilm-komponenter. F.eks. oksyderer nikkel i en nikkel/krom-motstand hurtig nok til at disse temperaturer bevirker en betydelig endring i motstandsverdi;en. Motstander fremstilt av nitridblandinger reagerer med nitrogen i den omgivende atmosfære ved høye temperaturer, og avstedkommer en til-svarende endring.
Disse effekter kan reduseres ved å belegge motstandsfilmen med et passiveringsmiddel, så som et oksydlag . Passiveringslaget virker som forsegling for de omgivende gasser, og under høytemperatur-eldingsforsøk har det vist seg at slike passiverte komponenter er mer stabile enn upassiverte komponenter. Imidlertid har det vært vanskelig å lage god ohmsk kontakt med en passivert motstandsfilm for integrerte kretser.
Hvis det blir etset hull gjennom passiveringslaget for å tillate metallisering av den underliggende film gjennom hullene, er det en stor mulighet for at filmen vil bli etset bort ved det av-dekkede område. Det er også en mulighet for at etsningen ikke vil gå fullstendig gjennom passiveringslaget, og således vil etterlate noe:_j oksydmateriale som dekker det område hvor kontakt skal dannes med motstanden. Kontakt-metallet som deretter avsettes i hullene, kan ikke legere seg gjennom det gjenværende oksyd når det oppvarmes for å avstedkomme forbindelse eller vedheftning, og i dette tilfelle blir det ikke oppnådd god kontakt med motstanden. Selv om metallet trenger gjennom oksydet i tilstrekkelig grad til å danne en elektrisk tilfredsstillende kontakt, vil det ikke hefte godt til motstanden.
Følgelig er det et formål for denne oppfinnelse å skaffe
en tynnfilm-motstand fremstilt ved anvendelse av en fremgangsmåte for passivering og dannelse av kontakt med denne på en mer pålitelig måte enn de ovenfor beskrevne metoder.
Et annet formål for oppfinnelsen er å eliminere usikker-het ved etsning av et hull gjennom et passiveringslag på en tynnfilm-motstand, og derved å tilsikre at etsemiddelet vil fjerne hele passiveringslaget i et område hvor kontakt skal dannes, men ikke fjerne motstanden selv.
Nærmere bestemt angår således oppfinnelsen en tynnfilm-motstand som omfatter et underlagsmateriale som bærer en tynn film av resistivt ledende materiale med et metallisert kontaktområde på sin ene overflate, og de nye og særegne trekk ved tynnfilm-motstanden ifølge oppfinnelsen består i første rekke i at et beskyttende isolasjonsmateriale er anordnet på den nevnte ene overflate og ved at kontaktområdet strekker seg gjennom en åpning i det beskyttende isolasjonsmateriale, hvilket kontaktområde over og under det beskyttende isolasjonsmateriale har en diameter som er større enn diameteren av åpningen.
Oppfinnelsen omfatter også en fremgangsmåte for fremstilling av slike tynnfilm-motstander hvor et forutbestemt kontakt-
område på en tynn film av resistivt ledende materiale blir metallisert forut for befestigelse av en kontaktleder, og den nye fremgangsmåte er i hovedsaken karakterisert ved at motstandsfilmen og det metalliserte kontaktområde på denne belegges med et beskytt-
ende isolasjonsmateriale, at det etses fullstendig gjennom endel av belegget til det metalliserte kontaktområde for å danne en åpning og at motstandens kontaktområde metalliseres gjennom åpningen samt at likeledes endel av belegget nær åpningen metalliseres, slik at det blir dannet en kontakt for motstanden som strekker seg ti^ overflaten av belegget. Med andre ord skjer det derfor en dobbelt metallisering for fremstilling av kontaktene på slike passiverte tynnfilm-motstander, hvor kontaktområdene blir metallisert før passiveringsoksydet blir avsatt, hvorefter det blir etset hull gjennom oksydet til de først metalliserte områder og endelig en annen metallisering blir utført for å bringe kontaktene opp over passiveringslaget. Det innledende eller foreløpige metalliseringstrinn forbedrer kontaktene fordi metallet blir avsatt på en forholds-vis uforurenset overflate av motstanden. Etsningen kan fortsette inntil noe av metallet på motstanden er fjernet for å tilsikre positiv
åpning av hull gjennom passiveringslaget uten å fjerne motstands-materialet. Således medfører det innledende metalliseringstrinn forbedret pålitelighet under fremstilling av kontakter på passiv-
erte tynnfilm-motstander.
Det henvises nå til tegningene, hvor
fig. 1 er en rekke delvise tverrsnitt som er forstørret
i forhold til naturlig størrelse, og viser forskjellige trinn i den dobbelte metalliseringsmetode for fremstilling av kontakter, og
fig. 2 er et delvis tverrsnitt, også i stor forstørrelse,
hvor det er vist en tynnfilm-motstand på hvilken det er dannet kontakter ved hjelp av fremgangsmåten ifølge fig. 1, hvilken motstand i dette tilfelle er anordnet på oversiden av oksyd-passiveringslaget i en integrert krets.
De fleste motstandsfilmer for integrerte kretser blir for tiden fremstilt av nikkel/krom-legeringer betegnet som "nichrome",
og fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen skal beskrives som anvendt ved fremstilling av nikkel/krom-motstander. Det vil imidlertid være åpenbart at fremgangsmåten kan anvendes i forbindelse med tynnfilm-motstander av andre materialer, idet f.eks. tinnoksyd er et mulig alternativ. Eksempler på eksperimentmaterialer for tynnfilm-motstander er tantalkarbid, borsilicid, tinn-nitrid, molybden-
borid og kromsiliciummonoksyd. Disse materialer og beslektede materialer kan skaffes under betegnelsen "cermet". Den her be-
skrevne fremgangsmåte kan også anvendes ved motstander av disse blandinger.
Trinn A på fig. 1 viser en nikkel/krom-motstand 10 som er avsatt i form av en tynn film på en passiv bærer eller et underlag 11. Den passive bærer kan være glass, glasert keramikk eller uglasert keramikk. En aktiv bærer anvendes for kompatible integrerte kretser slik det senere skal beskrives i forbindelse med fig. 2. Tynnfilmer av nikkel/krom som er egnet for motstander kan avsettes ved hjelp av vakuumpådampning. Det utgangsmateriale som skal fordampes, fore-ligger i form av pellets inneholdende 75 - 80% nikkel og 20 - 25%
krom. Sammensetningen og dimensjonene av filmen bestemmer motstands-verdien. Filmtykkelser i området fra 250 - 1000 Ångstrøm er typiske.
I trinn B på fig. 1, er det avsatt en pute eller skive 12
av metall på et område av motstanden hvor det skal dannes en kontakt. Aluminium er sannsynligvis det mest tilfredsstillende kontaktmetall
for nikkel/krom-motstander på grunn av at en slik kontakt oppviser ohmske egenskaper og hefter tilfredsstillende til motstanden. Alu-
minium er kompatibelt eller kan brukes i forbindelse med de kon-
takt- og forbindelseskrav som blir stilt ved andre passive og aktive komponenter, slik at det kan brukes et fullstendig system basert på aluminium hvis det er ønskelig. Aluminiumskiven kan avsettes ved hjelp av vakuumpådampning gjennom en åpning i en maske.
Deretter blir et passiveringslag 13 dannet på den øvre
flate av konstruksjonen som vist ved C. Laget 13 kan være et enkelt oksyd, så som siliciumdioksyd eller aluminiumoksyd, eller et blandet oksyd, så som Al20.j.Si02 eller A^O^.B^^. Passi-
veringslag av disse og andre materialer kan avsettes ved hjelp av vakuumpådampning, påsprøyting eller gasspletteringsteknikk.
I trinn D på fig. 1 er det etset en åpning 14 gjennom passiveringslaget 13 ned til aluminiumsputen eller -skiven 12.
Åpningen kan lages ved hjelp av den velkjente maskerte etseteknikk,
under anvendelse av et fotoresistent materiale.
Det fotoresistente materiale kan påføres ved påbørsting, dypping, sprøyting, spinning eller en annen belegningsteknikk for å danne en film som dekker passiveringslaget 13. Denne film blir eksponert med ultrafiolett lys gjennom et negativt fotografisk mønster, og blir fremkalt for å fjerne det ueksponerte fotoresistente materi-
ale fra området 14, hvor hullet skal lages. Egnede fremkallere er methylethylketon, triklorethylen og "Kodak Photoresist" fremkaller.
Konstruksjonen blir så behandlet med en etseoppløsning som
kan være fluss-syre, en vandig oppløsning av ammoniumbifluorid, eller en blanding av ammoniumfluorid og fluss-syre. Disse etsemidler angriper oksyd-passiveringslaget 13, men fjerner ikke det fotoresistente materiale. Etsningen tillates å fortsette helt gjennom oksydet.
De ovenfor nevnte etsemidler angriper også aluminiumskiven 12, men
denne virkning er synlig og tjener i virkeligheten til å indikere når i ) etsningen bør avsluttes. Ved hjelp av denne indikasjon er det mulig å tilsikre at hullet 14 blir etset fullstendig gjennom laget 13, slik at det ikke blir noe gjenværende oksyd under kontaktmetallet som deretter blir anbragt.
Etter etsetrinnet blir det fotofølsomme eller fotoresist-
ente materiale fjernet ved å mykne dette ved hjelp av en av de oven/-
for nevnte fremkallere og deretter vasking.
Et annet metalliseringstrinn blir så utført for å bringe kontakten opp gjennom hullet 14 og over toppen av passiveringslaget,
som vist ved 15 i trinn E på fig. 1. Metalliseringen kan utføres ved vakuumpådampning og anvendelse av en annen fotoresistent film for i.
å bestemme metalliseringsmønsteret. I det sistnevnte trinn kan den maskeringsprosess som er beskrevet ovenfor anvendes.
Fordelene med den dobbelte metalliseringsmetode er
åpenbare ut fra den foregående beskrivelse. Da aluminiumskiven 12 avsettes direkte på en uforurenset overflate av motstanden 10,
blir det tilsikret god mekanisk og elektrisk kontakt med motstanden.
Ved etsning inntil etsemiddelet angriper skiven 12 vil det ikke
finnes noe avsatt oksyd der hvor den annen metallisering skjer.
Om ønskelig kan et metall anbringes over aluminiumskiven
12 før passiveringslaget 13 dannes for å avstedkomme en bedre in-
dikasjon av at hullet er ført gjennom oksydet. Det annet metall kan være et som reagerer på synlig måte med de ovenfor nevnte etse-
midler. Eksempler på egnede metaller er titan, nikkel, tinn og sink. Eventuelt kan et etsningsmotstandsyktig metall så som sølv, an-
bringes over aluminiumsskiven for å stoppe eller forsinke etse-
virkningen før denne når aluminiumsskiven.
Fig. 2 viser et eksempel på en tynnfilm-motstand og en
kompatibel integrert krets bare for å illustrere at den dobbelte metalliseringsmetode kan anvendes for fremstilling av motstander på en aktiv bærer. Tynnfilm-motstanden 21 er anbragt på toppen av et siliciumoksydlag 22 som dekker overgangssjiktene 23, 24 og 25 i en transistor i et halvleder-krystallelement 26. Motstanden er for-
bundet med basisområdet på transistoren ved hjelp av metallet 27
som er avsatt på metallet ved 28 og bringer motstandens kontakt 29
ut over passiveringslaget 30 for motstanden. Fremgangsmåten for fremstilling av kontakter til motstanden 21 er nøyaktig som beskrevet tidligere.
Claims (4)
1. Tynnfilm-motstand omfattende et underlagsmateriale som bærer en tynn film av resistivt ledende materiale (1) med et metallisert kontaktområde (12,15) på sin ene overflate, karakterisert ved at det er anordnet et beskyttende isolasjonsmateriale (13) på den nevnte ene overflate og at kontaktområdet (12,15) strekker seg gjennom en åpning (14) i det beskyttende isolasjonsmateriale (13), hvilket kontaktområde (12,15) over og under det beskyttende isolasjonsmateriale (13) har en diameter som er større enn diameteren av åpningen (14). 2. Fremgangsmåte for fremstilling av tynnfilm-motstand ifølge
krav 1,karakterisert ved at motstandsfilmen og det metalliserte kontaktområde på denne belegges med et beskyttende isolasjonsmateriale, at det etses fullstendig gjennom en del av belegget til det metalliserte kontaktområde for å danne en åpning og at motstandens kontaktområde metalliseres gjennom åpningen samt at likeledes en del av belegget nær åpningen metalliseres slik at det blir dannet en kontakt for motstanden som strekker seg til overflaten av belegget.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 2, karakterisert ved avsetning av aluminium på kontaktområdet på en filmmotstand av en nikkel/krom-legering.
4. Fremgangsmåte ifølge kravene 2 og 3, karakterisert ved belegning av film-motstanden og aluminiumbelegget eller aluminium-avsetningen med et siliciumdioksyd eller et aluminiumoksyd eller et annet blandet oksyd, f.eks. Al2°3*B2°3*
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792931897 DE2931897A1 (de) | 1979-08-06 | 1979-08-06 | Wasserloesliches copolymerisat und seine herstellung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO802321L NO802321L (no) | 1981-02-09 |
NO159099B true NO159099B (no) | 1988-08-22 |
NO159099C NO159099C (no) | 1988-11-30 |
Family
ID=6077779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO802321A NO159099C (no) | 1979-08-06 | 1980-08-01 | Vannloeselig kopolymerisat og dets fremstilling og anvendelse. |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4309523A (no) |
EP (1) | EP0023712B1 (no) |
JP (1) | JPS5624413A (no) |
AT (1) | ATE2749T1 (no) |
AU (1) | AU530385B2 (no) |
BR (1) | BR8004900A (no) |
CA (1) | CA1171597A (no) |
DD (1) | DD153879A5 (no) |
DE (2) | DE2931897A1 (no) |
DK (1) | DK337080A (no) |
ES (1) | ES494003A0 (no) |
MX (1) | MX155501A (no) |
NO (1) | NO159099C (no) |
SU (2) | SU995707A3 (no) |
YU (2) | YU197180A (no) |
ZA (1) | ZA804744B (no) |
Families Citing this family (100)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3027422A1 (de) * | 1980-07-19 | 1982-02-25 | Cassella Ag, 6000 Frankfurt | Hochmolekulare wasserloesliche copolymerisate, ihre herstellung und verwendung |
US4507440A (en) * | 1980-12-15 | 1985-03-26 | Cassella Aktiengesellschaft | Cross-linkable and cross linked macromolecular compositions wherein cross-linking is by structural bridges of the formula --NRx --CH═N--CO-- and their preparation |
CA1189237A (en) * | 1980-12-15 | 1985-06-18 | Friedrich Engelhardt | Water soluble, crosslinkable polymer compositions, their preparation and use |
BR8109019A (pt) * | 1980-12-15 | 1983-04-12 | Cassella Ag | Copolimeros hidrossoluveis estaveis face a acidos sua producao e aplicacao |
DE3124454A1 (de) * | 1981-06-22 | 1983-07-14 | Cassella Ag, 6000 Frankfurt | Wasserquellbare vernetzte copolymerisate, ihre herstellung und verwendung |
DE3144770A1 (de) * | 1981-11-11 | 1983-05-19 | Cassella Ag, 6000 Frankfurt | Wasserloesliches copolymerisat, seine herstellung und verwendung |
US4471097A (en) * | 1982-01-11 | 1984-09-11 | Klaus Uhl | Water soluble copolymers containing vinyl imidazole as drilling fluid additives |
US4536297A (en) * | 1982-01-28 | 1985-08-20 | Halliburton Company | Well drilling and completion fluid composition |
US4440649A (en) * | 1982-01-28 | 1984-04-03 | Halliburton Company | Well drilling and completion fluid composition |
US4499232A (en) * | 1982-07-19 | 1985-02-12 | Cassella Aktiengesellschaft | Water soluble, crosslinkable polymer compositions, their preparation and use |
DE3379330D1 (en) * | 1982-12-09 | 1989-04-13 | Cassella Farbwerke Mainkur Ag | Water soluble polymers, their preparation and their use |
DE3248019A1 (de) * | 1982-12-24 | 1984-06-28 | Cassella Ag, 6000 Frankfurt | Wasserloesliche copolymerisate, ihre herstellung und ihre verwendung |
JPS59135280A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-03 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 高温度地層用掘削泥水調整剤 |
DE3302168A1 (de) * | 1983-01-24 | 1984-07-26 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Zementschlaemme fuer tiefbohrungen mit einem gehalt an copolymerisaten zur verminderung des wasserverlustes |
US5186257A (en) * | 1983-01-28 | 1993-02-16 | Phillips Petroleum Company | Polymers useful in the recovery and processing of natural resources |
US5080809A (en) * | 1983-01-28 | 1992-01-14 | Phillips Petroleum Company | Polymers useful in the recovery and processing of natural resources |
FR2540098A1 (fr) * | 1983-01-28 | 1984-08-03 | Schlumberger Cie Dowell | Additif de controle du filtrat pour compositions de ciment, procede de preparation, compositions de ciment contenant cet additif, et procede de cimentation de puits correspondant |
US4599390A (en) * | 1983-03-11 | 1986-07-08 | Union Carbide Corporation | High molecular weight water-soluble polymers and flocculation method using same |
US4609476A (en) * | 1983-05-02 | 1986-09-02 | Mobil Oil Corporation | High temperature stable aqueous brine fluids |
US4619773A (en) * | 1983-05-02 | 1986-10-28 | Mobil Oil Corporation | High temperature stable aqueous brine fluids viscosified by water-soluble copolymers of acrylamidomethylpropanesulfonic acid salts |
US4526693A (en) * | 1983-05-16 | 1985-07-02 | Halliburton Co. | Shale and salt stabilizing drilling fluid |
JPS59223710A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-15 | Sanyo Chem Ind Ltd | 原油増産用添加剤 |
US4525562A (en) * | 1983-06-07 | 1985-06-25 | Dresser Industries, Inc. | Thermally stable drilling fluid additive |
US4595736A (en) * | 1983-06-07 | 1986-06-17 | Dresser Industries, Inc. | Thermally stable drilling fluid additive comprised of a copolymer of catechol-based monomer |
US4737541A (en) * | 1983-06-23 | 1988-04-12 | The Dow Chemical Company | Thickening agents for industrial formulations |
US4502965A (en) * | 1983-09-09 | 1985-03-05 | Nalco Chemical Company | Terpolymers for use as high temperature fluid loss additive and rheology stabilizer for high pressure, high temperature oil well drilling fluids |
US4502966A (en) * | 1983-09-09 | 1985-03-05 | Nalco Chemical Company | Terpolymers for use as high temperature fluid loss additive and rheology stabilizer for high pressure, high temperature oil well drilling fluids |
US4502964A (en) * | 1983-09-09 | 1985-03-05 | Nalco Chemical Company | Terpolymers for use as high temperature fluid loss additive and rheology stabilizer for high pressure, high temperature oil well drilling fluids |
US4579927A (en) * | 1983-09-26 | 1986-04-01 | Dresser Industries, Inc. | Copolymers of flavanoid tannins and acrylic monomers |
US4521578A (en) * | 1983-09-26 | 1985-06-04 | Dresser Industries, Inc. | Composition and method of preparation of novel aqueous drilling fluid additives |
DE3371790D1 (en) * | 1983-10-14 | 1987-07-02 | Halliburton Co | Well drilling and completion fluid composition |
DE3404491A1 (de) * | 1984-02-09 | 1985-08-14 | Wolff Walsrode Ag, 3030 Walsrode | Wasserloesliche polymerisate und deren verwendung als bohrspueladditive |
US4578201A (en) * | 1984-03-05 | 1986-03-25 | Phillips Petroleum Company | N-vinyl lactam/unsaturated amide copolymers in thickened acid compositions |
US4690219A (en) * | 1984-03-05 | 1987-09-01 | Phillips Petroleum Company | Acidizing using n-vinyl lactum/unsaturated amide copolymers |
US4547299A (en) * | 1984-03-15 | 1985-10-15 | Milchem Incorporated | Drilling fluid containing a copolymer filtration control agent |
US4699225A (en) * | 1984-05-10 | 1987-10-13 | Diamond Shamrock Chemicals Company | Drilling fluids containing AMPS, acrylic acid, itaconic acid polymer |
US4622373A (en) * | 1984-05-10 | 1986-11-11 | Diamond Shamrock Chemicals Company | Fluid loss control additives from AMPS polymers |
US4608182A (en) * | 1985-01-09 | 1986-08-26 | Mobil Oil Corporation | Vinyl sulfonate amide copolymer and terpolymer combinations for control of filtration in water-based drilling fluids at high temperature |
US4655942A (en) * | 1985-02-01 | 1987-04-07 | Mobil Oil Corporation | Controlled release dispersant for clay-thickened, water-based drilling fluids |
US4626362A (en) * | 1985-04-11 | 1986-12-02 | Mobil Oil Corporation | Additive systems for control of fluid loss in aqueous drilling fluids at high temperatures |
US4640942A (en) * | 1985-09-25 | 1987-02-03 | Halliburton Company | Method of reducing fluid loss in cement compositions containing substantial salt concentrations |
DE3616583A1 (de) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Nalco Chemical Co | Verfahren zur herstellung von wasserloeslichen sulfonierten polymeren |
US4703092A (en) * | 1985-11-08 | 1987-10-27 | Nalco Chemical Company | Process of making N-(2-hydroxy-3-sulfopropyl)amide containing polymers |
US4788247A (en) * | 1986-09-15 | 1988-11-29 | Exxon Research And Engineering Company | Terpolymers of acrylamide, alkyl polyetheroxyacrylate and betaine monomers |
US4741843A (en) * | 1986-09-26 | 1988-05-03 | Diamond Shamrock Chemical | Fluid loss control additives and drilling fluids containing same |
US4834180A (en) * | 1986-10-09 | 1989-05-30 | Mobil Oil Corporation | Amino resins crosslinked polymer gels for permeability profile control |
US4785028A (en) * | 1986-12-22 | 1988-11-15 | Mobil Oil Corporation | Gels for profile control in enhanced oil recovery under harsh conditions |
US5244936A (en) * | 1988-12-12 | 1993-09-14 | Mobil Oil Corporation | Enhanced oil recovery profile control with crosslinked anionic acrylamide copolymer gels |
US5079278A (en) * | 1989-12-13 | 1992-01-07 | Mobil Oil Corporation | Enhanced oil recovery profile control with crosslinked anionic acrylamide copolymer gels |
US4963632A (en) * | 1988-12-29 | 1990-10-16 | Exxon Research And Engineering Company | Mixed micellar process for preparing hydrophobically associating polymers |
EP0427107A3 (en) * | 1989-11-06 | 1992-04-08 | M-I Drilling Fluids Company | Drilling fluid additive |
DE4034642A1 (de) * | 1990-10-31 | 1992-05-07 | Hoechst Ag | Wasserloesliche mischpolymerisate und deren verwendung |
JP2592715B2 (ja) * | 1990-09-17 | 1997-03-19 | 石油公団 | 坑井の掘削流体用、仕上げまたは改修流体用増粘剤とそれを含む流体 |
US5116421A (en) * | 1990-12-12 | 1992-05-26 | The Western Company Of North America | High temperature fluid loss additive for cement slurry and method of cementing |
US5156214A (en) * | 1990-12-17 | 1992-10-20 | Mobil Oil Corporation | Method for imparting selectivity to polymeric gel systems |
US5277830A (en) * | 1990-12-17 | 1994-01-11 | Mobil Oil Corporation | pH tolerant heteropolysaccharide gels for use in profile control |
US5099922A (en) * | 1991-03-26 | 1992-03-31 | The Western Company Of North America | Control of gas flow through cement column |
DE59308707D1 (de) * | 1992-04-10 | 1998-07-30 | Clariant Gmbh | Verfahren zur Verringerung oder vollständigen Einstellung des Wasserzuflusses bei Bohrungen zur Gewinnung von Öl und/oder Kohlenwasserstoffgas |
JP2511840B2 (ja) * | 1992-10-06 | 1996-07-03 | 鐘紡株式会社 | スルホン酸基含有アクリルアミド系架橋樹脂 |
US5336316A (en) * | 1993-05-06 | 1994-08-09 | Bj Services Company | Cementing composition and method using phosphonated polymers to improve cement slurry properties |
US5538723A (en) * | 1994-03-02 | 1996-07-23 | Petrolite Corporation | Method for suppressing the viscosity of bioinsecticide slurries and related slurries |
JPH0952749A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-25 | Showa Denko Kk | 高流動コンクリート用混和剤及びそれが添加されたコンクリート材 |
US5789349A (en) * | 1996-03-13 | 1998-08-04 | M-I Drilling Fluids, L.L.C. | Water-based drilling fluids with high temperature fluid loss control additive |
SG50827A1 (en) * | 1996-05-13 | 1998-07-20 | Lubrizol Corp | Sulfonate containing copolymers as mist suppressants in soluble oil (water-based) metal working fluids |
US6169058B1 (en) | 1997-06-05 | 2001-01-02 | Bj Services Company | Compositions and methods for hydraulic fracturing |
US6235809B1 (en) | 1997-09-30 | 2001-05-22 | Bj Services Company | Multi-functional additive for use in well cementing |
US6228812B1 (en) * | 1998-12-10 | 2001-05-08 | Bj Services Company | Compositions and methods for selective modification of subterranean formation permeability |
DE19909231C2 (de) | 1999-03-03 | 2001-04-19 | Clariant Gmbh | Wasserlösliche Copolymere auf AMPS-Basis und ihre Verwendung als Bohrhilfsmittel |
AU3457700A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-23 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Regulator for digging mud |
WO2000071635A1 (en) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Cabot Corporation | Polymer compositions |
DE19926355A1 (de) | 1999-06-10 | 2000-12-14 | Clariant Gmbh | Wasserlösliche Mischpolymere und ihre Verwendung für Exploration und Förderung von Erdöl und Erdgas |
DE19931219C2 (de) * | 1999-07-06 | 2001-06-07 | Clariant Gmbh | Verwendung von Polymeren als Anti-Nebel-Additiv in wasserbasierenden Kühlschmierstoffen |
DE19931220B4 (de) | 1999-07-06 | 2005-03-10 | Clariant Gmbh | Verwendung von Polymeren als Anti-Nebel-Additiv in wasserbasierenden Kühlschmierstoffen |
EP1112982A1 (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Cement admixture and cement composition |
US6465397B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-10-15 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Synthetic crosslinked copolymer solutions and direct injection to subterranean oil and gas formations |
US6448311B1 (en) * | 2000-07-19 | 2002-09-10 | Baker Hughes Incorporated | Cement fluid loss additive |
US6608159B2 (en) * | 2001-09-18 | 2003-08-19 | Skw Polymers Gmbh | Polymeric, acrylamide-free water retention agent |
US6770604B2 (en) * | 2002-02-08 | 2004-08-03 | Halliburton Energy Services, Inc. | High temperature viscosifying and fluid loss controlling additives for well cements, well cement compositions and methods |
US7044170B2 (en) * | 2002-08-14 | 2006-05-16 | Construction Research & Technology Gmbh | Hydraulic cementitious composition with improved bleeding resistance |
US7098171B2 (en) * | 2003-05-13 | 2006-08-29 | Halliburton Energy Services, Inc. | Synthetic filtration control polymers for wellbore fluids |
DE102004032304A1 (de) | 2004-07-03 | 2006-02-16 | Construction Research & Technology Gmbh | Wasserlösliche sulfogruppenhaltige Copolymere, Verfahren zu deren Herstellung und ihre Verwendung |
CN102276769B (zh) * | 2005-04-18 | 2013-12-04 | 巴斯夫欧洲公司 | 一种呈由至少三种不同的单烯属不饱和单体构成的聚合物形式的共聚物 |
DE102005063376B4 (de) | 2005-11-26 | 2018-10-11 | Tougas Oilfield Solutions Gmbh | Pfropfcopolymere und deren Verwendung |
EP2075301A1 (en) | 2007-10-09 | 2009-07-01 | Bp Exploration Operating Company Limited | Technology useful in wellbore fluids |
EP2075300A1 (en) | 2007-10-09 | 2009-07-01 | Bp Exploration Operating Company Limited | Wellbore fluid |
DE602008002316D1 (de) * | 2008-01-28 | 2010-10-07 | Allessa Chemie Gmbh | Stabilisierte wässrige Polymerzusammensetzungen |
EP2166060B8 (en) | 2008-09-22 | 2016-09-21 | TouGas Oilfield Solutions GmbH | Stabilized aqueous polymer compositions |
US8685900B2 (en) * | 2009-04-03 | 2014-04-01 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods of using fluid loss additives comprising micro gels |
CN104179466B (zh) * | 2013-05-21 | 2016-08-24 | 金川集团股份有限公司 | 钻探中降低泥浆失水量的方法 |
US10822917B2 (en) | 2013-09-17 | 2020-11-03 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Method of cementing a well using delayed hydratable polymeric viscosifying agents |
US10767098B2 (en) | 2013-09-17 | 2020-09-08 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Method of using sized particulates as spacer fluid |
US10844270B2 (en) | 2013-09-17 | 2020-11-24 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Method of enhancing stability of cement slurries in well cementing operations |
EP3110904B1 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-12 | TouGas Oilfield Solutions GmbH | Method to reduce the water loss in slurries or solutions used in oil field and gas field operations |
MX2017006707A (es) | 2014-12-22 | 2017-08-21 | Halliburton Energy Services Inc | Polimeros reticulados que incluyen grupos de acido sulfonico o sales o esteres de estos como viscosificantes y aditivos contra la perdida de fluidos para tratamiento subterraneo. |
CA2974489A1 (en) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods of use for crosslinked polymer compositions in subterranean formation operations |
CN104910323B (zh) * | 2015-05-11 | 2017-06-16 | 中海油能源发展股份有限公司 | 一种含聚污泥解聚剂及其制备方法 |
RU2726696C2 (ru) * | 2017-12-11 | 2020-07-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Пермского федерального исследовательского центра Уральского отделения Российской академии наук (ПФИЦ УрО РАН) | Противотурбулентная присадка для буровых растворов |
US11028309B2 (en) | 2019-02-08 | 2021-06-08 | Baker Hughes Oilfield Operations Llc | Method of using resin coated sized particulates as spacer fluid |
CN110627930B (zh) * | 2019-09-27 | 2021-06-15 | 中国石油化工股份有限公司 | 稠油用聚合物降粘剂及其制备方法 |
US10858566B2 (en) | 2020-04-14 | 2020-12-08 | S.P.C.M. Sa | Drilling fluid with improved fluid loss and viscosifying properties |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2775557A (en) * | 1954-12-08 | 1956-12-25 | American Cyanamid Co | Drilling muds containing acrylic acidacrylamide copolymer salts |
GB1082016A (en) * | 1963-08-15 | 1967-09-06 | Monsanto Co | Polymers of n-vinyl-n-methylacetamide |
US3402222A (en) * | 1963-10-30 | 1968-09-17 | Union Carbide Corp | Dyeable polypropylene compositions containing alkoxyethyl acrylate copolymers |
DE1214176B (de) * | 1963-12-07 | 1966-04-14 | Kalle Ag | Wasserbasische Tonspuelung |
US3692673A (en) * | 1971-02-12 | 1972-09-19 | Lubrizol Corp | Water-soluble sulfonate polymers as flocculants |
GB1439057A (en) * | 1973-10-10 | 1976-06-09 | Allied Colloids Ltd | Flocculating agents for alkaline systems |
DE2444108C2 (de) * | 1974-09-14 | 1978-01-19 | Hoechst Ag | Wasserbasische tonspuelung fuer tiefbohrungen und verwendung eines mischpolymerisats fuer solche spuelungen |
US3929741A (en) * | 1974-07-16 | 1975-12-30 | Datascope Corp | Hydrophilic acrylamido polymers |
US4293427A (en) * | 1979-03-09 | 1981-10-06 | Milchem Incorporated | Drilling fluid containing a copolymer filtration control agent |
-
1979
- 1979-08-06 DE DE19792931897 patent/DE2931897A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-08-01 EP EP80104556A patent/EP0023712B1/de not_active Expired
- 1980-08-01 AT AT80104556T patent/ATE2749T1/de not_active IP Right Cessation
- 1980-08-01 NO NO802321A patent/NO159099C/no unknown
- 1980-08-01 US US06/174,731 patent/US4309523A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-08-01 DE DE8080104556T patent/DE3062285D1/de not_active Expired
- 1980-08-04 DD DD223100A patent/DD153879A5/de unknown
- 1980-08-04 SU SU802953015A patent/SU995707A3/ru active
- 1980-08-05 ZA ZA00804744A patent/ZA804744B/xx unknown
- 1980-08-05 BR BR8004900A patent/BR8004900A/pt not_active IP Right Cessation
- 1980-08-05 ES ES494003A patent/ES494003A0/es active Granted
- 1980-08-05 YU YU01971/80A patent/YU197180A/xx unknown
- 1980-08-05 DK DK337080A patent/DK337080A/da not_active Application Discontinuation
- 1980-08-05 JP JP10683980A patent/JPS5624413A/ja active Granted
- 1980-08-05 AU AU61099/80A patent/AU530385B2/en not_active Ceased
- 1980-08-05 CA CA000357594A patent/CA1171597A/en not_active Expired
- 1980-08-06 MX MX183470A patent/MX155501A/es unknown
-
1981
- 1981-08-28 US US06/297,237 patent/US4357245A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-06-30 SU SU823460066A patent/SU1207398A3/ru active
-
1983
- 1983-01-04 YU YU00013/83A patent/YU1383A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
YU1383A (en) | 1983-12-31 |
CA1171597A (en) | 1984-07-24 |
SU1207398A3 (ru) | 1986-01-23 |
NO159099C (no) | 1988-11-30 |
YU197180A (en) | 1983-04-30 |
MX155501A (es) | 1988-03-18 |
ATE2749T1 (de) | 1983-03-15 |
SU995707A3 (ru) | 1983-02-07 |
AU530385B2 (en) | 1983-07-14 |
JPS5624413A (en) | 1981-03-09 |
ES8107264A1 (es) | 1981-10-01 |
EP0023712A1 (de) | 1981-02-11 |
BR8004900A (pt) | 1981-02-17 |
DE3062285D1 (en) | 1983-04-14 |
ZA804744B (en) | 1981-07-29 |
DK337080A (da) | 1981-02-07 |
EP0023712B1 (de) | 1983-03-09 |
US4357245A (en) | 1982-11-02 |
AU6109980A (en) | 1981-02-12 |
DD153879A5 (de) | 1982-02-10 |
NO802321L (no) | 1981-02-09 |
JPH0223566B2 (no) | 1990-05-24 |
ES494003A0 (es) | 1981-10-01 |
US4309523A (en) | 1982-01-05 |
DE2931897A1 (de) | 1981-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO159099B (no) | Vannloeselig kopolymerisat og dets fremstilling og anvendelse. | |
NO120943B (no) | ||
US4152195A (en) | Method of improving the adherence of metallic conductive lines on polyimide layers | |
US3657029A (en) | Platinum thin-film metallization method | |
CA1238480A (en) | Method of fabricating solar cells | |
US4272561A (en) | Hybrid process for SBD metallurgies | |
US4293637A (en) | Method of making metal electrode of semiconductor device | |
US4600600A (en) | Method for the galvanic manufacture of metallic bump-like lead contacts | |
US4057659A (en) | Semiconductor device and a method of producing such device | |
US4029562A (en) | Forming feedthrough connections for multi-level interconnections metallurgy systems | |
CN109254423B (zh) | 一种铌酸锂电光器件厚膜导线电极的制作方法 | |
US3642549A (en) | Etching composition indication | |
US3689332A (en) | Method of producing semiconductor circuits with conductance paths | |
KR960702014A (ko) | 기판내의 서브마이크론 비아 충전 방법(Method for planarization of submicron vias and the manufacture of semiconductor integrated circuits) | |
US4745089A (en) | Self-aligned barrier metal and oxidation mask method | |
US4387116A (en) | Conditioner for adherence of nickel to a tin oxide surface | |
US4160691A (en) | Etch process for chromium | |
JPH0580070A (ja) | 歪ゲージ素子及びその製造方法 | |
US4040893A (en) | Method of selective etching of materials utilizing masks of binary silicate glasses | |
US4695868A (en) | Patterned metallization for integrated circuits | |
JPH03101234A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US3979238A (en) | Etchant for silicon nitride and borosilicate glasses and method of using the etchant | |
US4040892A (en) | Method of etching materials including a major constituent of tin oxide | |
CN113451127A (zh) | 一种功率器件及其制备方法 | |
US20070019911A1 (en) | Electrode forming method for a polymer optical waveguide |