NL9302030A - Vluchtige yttrium-organische verbindingen en werkwijze voor de bereiding van yttrium-bevattende gelaagde materialen uit deze verbindingen. - Google Patents
Vluchtige yttrium-organische verbindingen en werkwijze voor de bereiding van yttrium-bevattende gelaagde materialen uit deze verbindingen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9302030A NL9302030A NL9302030A NL9302030A NL9302030A NL 9302030 A NL9302030 A NL 9302030A NL 9302030 A NL9302030 A NL 9302030A NL 9302030 A NL9302030 A NL 9302030A NL 9302030 A NL9302030 A NL 9302030A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- yttrium
- organic compounds
- compounds
- oxide
- tmhd
- Prior art date
Links
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- -1 yttrium organic compounds Chemical class 0.000 title claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 14
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title description 36
- QSLPNSWXUQHVLP-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-sulfanylmethane Chemical compound [S]C QSLPNSWXUQHVLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 33
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 33
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 26
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 16
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- ILVXOBCQQYKLDS-UHFFFAOYSA-N pyridine N-oxide Chemical compound [O-][N+]1=CC=CC=C1 ILVXOBCQQYKLDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical group CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 3
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- XSFVQEHUVOVFOW-UHFFFAOYSA-N 1,10-phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 XSFVQEHUVOVFOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 102000005720 Glutathione transferase Human genes 0.000 claims 1
- 108010070675 Glutathione transferase Proteins 0.000 claims 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 38
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 37
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 8
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 8
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 5
- IIVWHGMLFGNMOW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane Chemical compound C[C](C)C IIVWHGMLFGNMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004005 formimidoyl group Chemical group [H]\N=C(/[H])* 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VFJRXOXKSUBBMR-UHFFFAOYSA-N 4-ethyl-1-oxidopyridin-1-ium Chemical compound CCC1=CC=[N+]([O-])C=C1 VFJRXOXKSUBBMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- GLGNXYJARSMNGJ-VKTIVEEGSA-N (1s,2s,3r,4r)-3-[[5-chloro-2-[(1-ethyl-6-methoxy-2-oxo-4,5-dihydro-3h-1-benzazepin-7-yl)amino]pyrimidin-4-yl]amino]bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxamide Chemical compound CCN1C(=O)CCCC2=C(OC)C(NC=3N=C(C(=CN=3)Cl)N[C@H]3[C@H]([C@@]4([H])C[C@@]3(C=C4)[H])C(N)=O)=CC=C21 GLGNXYJARSMNGJ-VKTIVEEGSA-N 0.000 description 2
- 125000000339 4-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC Chemical compound COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N benzene-d6 Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C1[2H] UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 229940125758 compound 15 Drugs 0.000 description 2
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 150000003748 yttrium compounds Chemical class 0.000 description 2
- PPQJCISYYXZCAE-UHFFFAOYSA-N 1,10-phenanthroline;hydrate Chemical compound O.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 PPQJCISYYXZCAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSSWXNPRLJLCDU-UHFFFAOYSA-N 1-diethylphosphorylethane Chemical compound CCP(=O)(CC)CC ZSSWXNPRLJLCDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMCIKMLQXFLKAX-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-[2-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethane Chemical compound COCCOCCOCCOCCOCCOCCOC VMCIKMLQXFLKAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMFQXPIZAKBRCG-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-1-oxidopyridin-1-ium Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=[N+]([O-])C=C1 CMFQXPIZAKBRCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100054466 Arabidopsis thaliana CCR3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100221959 Arabidopsis thaliana CRR3 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100032957 C5a anaphylatoxin chemotactic receptor 1 Human genes 0.000 description 1
- 101000867983 Homo sapiens C5a anaphylatoxin chemotactic receptor 1 Proteins 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002001 electrolyte material Substances 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- TUEYHEWXYWCDHA-UHFFFAOYSA-N ethyl 5-methylthiadiazole-4-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C=1N=NSC=1C TUEYHEWXYWCDHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- DWFKOMDBEKIATP-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-(dimethylamino)ethyl-methylamino]ethyl]-n,n,n'-trimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)CCN(C)C DWFKOMDBEKIATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylenedisulfotetramine Chemical compound C1N(S2(=O)=O)CN3S(=O)(=O)N1CN2C3 AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYPYRKYUKCHHIB-UHFFFAOYSA-N trimethylamine N-oxide Chemical compound C[N+](C)(C)[O-] UYPYRKYUKCHHIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/003—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Description
Vluchtige yttrium-organische verbindingen en werkwijze voor de berei¬ding van yttrium-bevattende gelaagde Materialen uit deze verbindin¬gen.
De uitvinding heeft betrekking op vluchtige yttrium-organischeverbindingen.
Dergelijke verbindingen zijn bekend en vooral van belang alsuitgangsstof ('precursor') voor zogenoemde 'metal-organic chemicalvapour deposition' (MOCVD) van yttrium bevattende materialen, met alsbelangrijke voorbeelden de depositie van bij relatief hoge tempera¬tuur supergeleidende gemengde metaaloxydes, van bufferlagen, van ano¬de- en elektrolytmaterialen voor brandstofcellen en van magnetischeoxydemater ia1en.
Bijvoorbeeld beschrijven P.Lu, J.Zhao, C.S.Chern, Y.Q.Li, G.A.Kulesha, B.Gallois, P.Norris, B.Kear en F.Cosandey in J.Mater. Res.,7 (1992) 1993, het gebruik van de 2,2,6,6-tetramethyl~3,5-heptaandion(tmhd) verbinding van Y [Y(tmhd)3] als uitgangsstof voor yttrium tij¬dens de MOCVD van bij 90° K supergeleidend YBa2Cuj0y.x. Echter, inJ.Phys., 50sC5 (1989( 981 (L.G.Hubert-Pfalzgraf, M.C.Massiani, R.Pa-piernik en O.Poncelet), en in Applied Organometal1ic Chemistry, 6(1992) 627 (L.G. Hubert-Pfalzgraf) wordt beschreven hoe het, ook indeze (commercieel verkrijgbare) verbinding, altijd aanwezige water inprecursors aanleiding kan geven tot hydrolyse tijdens de verdampingin een MOCVD-proces, met als gevolg dat het massatransport niet con¬stant is gedurende het gehele proces. Bovendien heeft Y(tmhd)3 eennogal hoog smeltpunt (± 170°C), wat betekent dat het vanuit de vastefase verdampt wordt. Als gevolg van het optreden van verschillen inkristalvorm en kristalgrootte kunnen hierbij wisselende verdampings-snelheden optreden.
Incidenteel zijn ook andere vluchtige, doch fluorhoudende yt-trium-B-diketonaten gebruikt, zoals yttrium-6,6,7,7,8,8,8-heptafluor-2,2-dimethyl-3,5-octaandionaat monohydraat - Y(fod)3 .^0 - , bijvoor¬beeld in J.Mater.Res., 5 (1990) 2706 (D.J.Larkin, L.V.Interrante enA.Bose). Ook deze verbinding bevat evenwel water en geeft bovendiendepositielagen van een mindere kwaliteit t.g.v. de aanwezigheid vanfluor.
Gevonden werd nu, dat de tot nu toe ondervonden problemen met bekende vluchtige verbindingen overwonnen kunnen worden door toepas¬sing van bepaalde combinaties van yttrium-8-diketonaten en coördine¬rende neutrale donor liganden.
In Coll.Phys., C5 (1989) 981 (L.G.Hubert-Pfalzgraf, M.C.Massia-ni, R.Papiemik en O.Poncelet), wordt de gemakkelijke vorming van eencoördinatie-complex tussen een Y(8-diketonaat)3 en b.v. dimethylforma-mide, pyridine of dimethylsulfoxyde wel gesuggereerd, maar concretevoorbeelden met Y(tmhd)3 worden niet gegeven. Het bestaan van een aan¬tal Ln(tmhd)j.DMF (Ln is een lanthanide-metaal) -verbindingen wordtgemeld in Inorg.Synth., 11 (1968) 94 (K.J. Eisentraut en R.E.Sievers)en in Inorg.Chem., 6 (1967) 1933 (J.E.Schwarberg, D.R.Gere, R.E.Sie¬vers en K.J.Eisentraut), maar de verbinding Y(tmhd)^ .DMF wordt nietbeschreven.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op vluchtige yttri-um-organische verbindingen, met als kenmerk dat deze bestaan uit hetcomplex van een yttrium-8-diketonaat en een of meer coördinerendeneutrale donor liganden.
De algemene structuurformule van een verbinding volgens de uit¬vinding is gegeven op het formuleblad. In deze structuurformule stel¬len R'en R" de zijketens van het diketonaat voor, L het coördinerendneutrale donor ligand en m het aantal coördinerende neutrale donorliganden.
De complexen van yttrium-B-diketonaten volgens de uitvindingbezitten een veel hogere stabiliteit dan de overeenkomstige yttrium-β-diketonaten zonder complexerend neutraal donor ligand, doordat ertengevolge van de coördinatie van het neutrale donor ligand geenplaats meer is voor water; het yttrium is coördinatief verzadigd.Hydrolyse tijdens de verdamping in een MOCVD-proces kan niet meeroptreden.
Zoals hiervoor aangegeven, heeft de Y(β-diketonaat)3 verbindingY(tmhd)j zonder complexerend neutraal donor ligand een relatief hoogsmeltpunt. Met enkele voorbeelden van complexen volgens de uitvin¬ding, welke een veel lager smeltpunt hebben dan Y(tmhd)^ zelf, kunnencondities worden gerealiseerd onder welke, bijvoorbeeld in een MOCVD-proces, gedurende een langere periode (verscheidene dagen) een trans¬port van een constante massa yttrium verbinding per tijdseenheid instand kan worden gehouden.
Geschikte neutrale donor liganden in uitvoeringsvoorbeelden vanverbindingen volgens de uitvinding zijns amines, RR1RZN, waarin R, R1, R2 = H en/of Cj-C^ groep(en);di- en poly-amines, RR!N (CH2CH2NR2)„CHjCHjNrV, waarin R, R1, R2,R3, R^ = (gesubstitueerd)-alkyl, n = 0-5, bijvoorbeeld tetramethyl-ethyleendiamine, pentamethyldiethyleentriamine, hexamethyltriethy- leentetramine en andere; pyridines, Ο^Η^Ν, waarin R = Cj-C^ groep, n - 0-5, bijvoor¬beeld pyridine en andere; dipyridines, bijvoorbeeld 2,2'-dipyridine en andere;phenanthrolines, bijvoorbeeld 1,10-phenanthroline (4,5-diaza-phenanthreen) en andere; amides, RR^CiO)!!, waarin R, R1 = (gesubstitueerd)-alkyl, bij¬voorbeeld dimethylformamide (DMF) en andere; sulfoxydes, RSCOJR1, waarbij R en R1 een Cj-C^ groep voorstellen,bijvoorbeeld dimethylsulfoxyde (DMSO) en andere; amine-N-oxydes, RR3R‘N0, waarin R, R3, R2 = H en/of CpC^ groep(en), bijvoorbeeld trimethylamine-N-oxyde en andere; pyridine-N-oxydes, Ο^Ηι^ΝΟ, waarin R = Cj-C^ groep, n = 0-5,bijvoorbeeld 4-ethylpyridine-N-oxyde, 4-tert-butylpyridine-N-oxyde enandere; dipyridine-N,N-dioxydes, 2,2'-(C5R1]Hi|.nNO)2, waarin R = C}-C4 groep, n = 0-4; phosphineoxydes, RR3R2PO, waarin R, R3, R2 = H en/of Cj-C4 groep(en) en/of (gesubstitueerd)-aryl groep(en), bijvoorbeeld trie-thylphosphineoxyde, triphenylphosphineoxyde en andere; acyclische ethers, ROR3, waarbij R en R3 een Cj-C^ groep voor¬stellen, bijvoorbeeld diethylether, dibutylether en andere; cyclische ethers, (CRR3)n0 en [CRR1)n0]I, waarin R,R3 = H en/ofCj-C^ groep(en), n,m = 1-6, bijvoorbeeld tetrahydrofuraan, dioxaan,kroonethers als 18-crown-6 en andere; glycolethers, R1 -(OCHRCHj) n-OH, bijvoorbeeld tetraethyleenglycolmonomethyl ether en R3- (OCHRCHj)n~0R2, waarin R = H,Me en R3,R2 = (ge- 1 fy substitueerd)-alkyl, n = 1-6, bijvoorbeeld R =H, R = R - Me, glyme(n = 1, dimethoxyethaan, DME), diglyme (n = 2), triglyme (n = 3),tetraglyme (n = 4), hexaglyme (n * 6) en andere; polyethers, R0[(CR3R2)nO]BH en R0[ (CR3R2)nO]BR3, waarin R,R3 = (ge- 1 Λ substitueerd)-alkyl en R ,R = H, (gesubstitueerd)-alkyl, n = 1-4, in = 1-6.
De synthese van de yttrium-B-diketonaat-ligand complexen vol¬gens de uitvinding, verloopt via een reactie van de vereiste hoeveel¬heid complexerend ligand met het betreffende yttrium-β-diketonaat ineen inert oplosmiddel, zoals dichloormethaan, of bijvoorbeeld viakristallisatie van het betreffende yttrium-fl-diketonaat uit het com¬plexerend ligand.
De stabiliteit van de verbindingen volgens de uitvinding is hethoogst, wanneer het neutrale donor ligand een dipyridine, een phe-nanthroline, een pyridine-N-oxyde, een amine-N-oxyde of een phosphi-neoxyde is; bij voorkeur is het neutrale donor ligand een dipyridineof een pyridine-N-oxyde.
Gevonden is dat het smeltpunt van de verbindingen volgens deuitvinding wordt verlaagd, wanneer het complexerende neutrale donorligand tenminste één (gesubstitueerde) alkylgroep bevat.
In een voorkeursuitvoering van de uitvinding is de Y(B-diketo-naat), verbinding Y(tmhd)3 en het neutrale donor ligand pyridine-N-oxyde, dat tenminste één van de alkylgroepen Cdlj of tert-C4Hg bevat.
Met verbindingen volgens deze voorkeursuitvoering worden de bijverhoogde temperatuur en/of verlaagde druk meest stabiele vluchtigeyttrium-B-diketonaat-ligand complexen gevormd, welke ook luchtstabielen laagsmeltend zijn .
De volgende structuurformules geven een aantal representatievevoorbeelden van yttrium verbindingen volgens de uitvinding: 1. Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)2>3 . {o-(2-C5H4N)C5H4N>.
2. Y{ (CH3) 3CC(0)CHC(0)C(CH3)3)-3 . {1,10-phenanthrol ine>.
3. Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)G(CH3)3>3 . { (CH3)2NCH2CH2N(CH3)2}.
4. y{(ch3)3cc(0)chc(0)C(ch3)3>3 . {(ch3)2nch2ch2n(ch3)ch2ch2n(ch3)2>.
5. Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {(CH3)2N[CH2CH2N(CH3) ]2CH2CH2N(CH3)2}.
6. Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {CH3S(0)CH3>.
7. Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3}3 . {CgHjNO}.
8. Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {4-(tert-C4H9)C5H4NO>.
£. Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . <4-(C2H5)C5H4NO>.
10. Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {(CH3)3NO>.n. Y{ (CH3)3GC(0)CHC(0>C(CH3)3>3 . {(C6H5)3PO>.
12. Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {(C2H5)3PO>.
13. Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 · (CgHjN).
14. YUCH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3}3 . {(CH3)2NC(0)H>.
15. Y{CF3CF2CF2C(0)CHC(0)C(CH3)3}3 . {(CH3)2NCH2CH2N(CH3)CH2CH2N(CH3)2>.
De thermische stabiliteit van de verbindingen 1.2.7,10-12 en 15volgens de uitvinding (bepaald m.b.v. Simultane Thermische Analyse(STA)) is weergegeven in tabel 1. Zoals uit de tabel blijkt, verdam¬pen deze verbindingen intact onder atmospherische druk en bij tempe¬raturen tussen 102eC en 353°C. De grootste hoeveelheid residu dieachterblijft is 2,06% (complex 9), hetgeen beduidend minder is danbij commercieel Y(tmhd)3 (4,40%). De smeltpieken, gevonden in de STAspectra, komen goed overeen met de feitelijke smeltpunten, evenals dewaargenomen vluchtigheden.
De vluchtigheid en de smeltpunten van de verbindingen 1-15,alsmede die van de overeenkomende niet-gecomplexeerde yttrium-B-dike-tonaten, zijn weergegeven in tabel 2. Zoals uit de tabel blijkt, su¬blimeren deze verbindingen onder een verlaagde druk (0,01-0,05 mm Hg)bij temperaturen tussen 90°C en 200°C. De verbindingen 1,2,7-12 en 15zijn onder deze omstandigheden thermisch stabiel en verdampen zonderte dissociëren. Dit betekent dat ze bijzonder geschikt zijn als uit¬gangsstof ('precursor') voor bovengenoemde 'metal-organic chemicalvapour deposition' (M0CVD) van yttrium bevattende materialen. De ver¬bindingen 3-6, 13 en 14 dissociëren in Y(tmhd)3 en vrij neutraal donorligand. Dit betekent dat deze verbindingen geschikt zijn als MOCVD-precursors in een zogenoemd co-evaporatie-proces, waarbij extra neu¬traal donor ligand aan het drijfgas wordt toegevoegd. De laagsmelten-de complexen 4 en 5 zijn bovendien geschikt in een proces waarbijgebruik gemaakt wordt van vloeistof-verdamp systemen.
De dampspanningen als functie van de temperatuur van de verbin¬dingen 1,7-9 en 15, alsmede die van Y(tmhd)3, zijn uitgezet in figuur1, en weergeven in tabel 3. Zoals uit figuur 1 en tabel 3 blijkt isde volgorde van vluchtigheid: verbinding 15 » 8, 9 > Y(tmhd)3, 7 > 1_.Dit betekent dat de yttrium verbindingen volgens de uitvinding, on¬danks hun veel zwaardere massa vergeleken met Y(tmhd)3, een vluchtig¬heid hebben die in dezelfde orde grootte ligt en in het geval vanverbindingen 8-9 is de vluchtigheid zelfs iets hoger. Verbinding 15heeft een vele malen hogere vluchtigheid dan de verbindingen 1 en 7- 9.
De verbindingen 8 en 9 volgens de uitvinding zijn van bijzonderbelang. Deze complexen van het niet fluor-bevattende Y(tmhd)^ hebbeneen beduidend lager smeltpunt dan Y(tmhd)j zelf, waardoor ze in hetMOCVD-proces vanuit de vloeibare fase verdampt kunnen worden. Boven¬dien zijn ze iets vluchtiger dan Y(tmhd)^. Dit biedt bijzondere voor¬delen met name m.b.t. het realiseren van een constant massatransportvan Y-verbinding in het MOCVD-proces.
De uitvinding heeft tevens betrekking op een werkwijze voor debereiding van gelaagde materialen die yttriumoxyde bevatten, doormiddel van een depositie-techniek.
Een dergelijke werkwijze is bekend, bijvoorbeeld uit de hierbo¬ven aangehaalde publicaties van Lu en Hubert-Pfalzgraf en mede¬auteurs .
Met de bekende werkwijzen, in het bijzonder MOCVD, stuit menbij de depositie van yttrium bevattende gelaagde structuren soms opproblemen, als gevolg van de aanwezigheid van water in - en de daar¬uit resulterende hydrolyse van het uitgangsmateriaal (de precursor)van waaruit de depositie plaats moet vinden.
De uitvinding heft deze problemen op en verschaft daartoe eenwerkwijze, die wordt gekenmerkt doordat bij de depositie-techniekwordt uitgegaan van vluchtige yttrium-organische verbindingen alshierboven beschreven.
Zonder andere depositie-technieken, zoals metaal-organischesproei-pvrolyse, uit te sluiten, is de werkwijze volgens de uitvin¬ding in het bijzonder geschikt wanneer deze wordt toegepast bij deMOCVD.
Door bij de MOCVD als uitgangsmateriaal ('precursor') vluchtigeen stabiele verbindingen volgens de uitvinding te gebruiken, kunnenmet de MOCVD-techniek op eenvoudige wijze bijvoorbeeld yttrium bevat¬tende materialen worden bereid. De toepasbaarheid van MOCVD voor der¬gelijke materialen is met name van belang bij bereiding van - en on¬derzoek aan, recentelijk ontdekte, bij relatief hoge temperaturen su¬pergeleidende gemengde metaaloxyden, bufferlagen, anode- en elektro-lvtmaterialen voor brandstofcellen en magnetische oxydematerialen.
In een alternatieve uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens deuitvinding, worden de yttrium-organische verbindingen tijdens hetMOCVD proces gevormd door toevoeging van coördinerend ligand in vloeistof- dan wel dampfase aan het yttrium-fl-diketonaat (co-evapora-tie proces). Ook met deze methode kan een verhoogd en meer constantmassatransport van het yttrium-B-diketonaat verkregen worden.
UITVOERINGS VOORBEELDEN
De volgende voorbeelden dienen ter illustratie van de werkwij¬zen en de chemische bereiding van de verbindingen volgens de uitvin¬ding. Alle reacties zijn uitgevoerd in een droge atmosfeer en bijkamertemperatuur, tenzij anders vermeld.
Voorbeeld 1 Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . <o-(2-C5H4N)C5H4N>. (1) 0,64 g (1,0 mmol) Y(tmhd)3 en 0,16 g (1,0 mmol) bipy (2,2'-di.py-ridine) worden opgelost in 15 ml CH^Clj. De ontstane oplossing wordt0,5 uur geroerd en dan ingedampt en drooggedampt. Het residu wordtgesublimeerd bij 160°-170eC/0,05 mm Hg.
Opbrengst: 0,63 g kleurloos 1 (80,0%).
Smeltpunt: 1850-1880C.
1H-NMR in CDClj: óiBu*1) 1,03 (s); 6(CH) 5,45 (s); 6(C5H4) 7,73, 7,79, 7,91 en 9,42 (m).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 65,02 (65,00); H 8,31 (8,19); N 3,63 (3,53).
STA: smeltpiek bij 188°C; verdamping van 155°-293°C; er blijft 0,55%residu achter.
Voorbeeld 2 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {1,10-phenanthro 1 ine>. (2)
Bereid als beschreven voor lj. uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,20 g (1,0 mmol) phen.^O (1,10-phenanthroline monohydra-te). Het residu, verkregen na verdamping van het oplosmiddel, wordtnu gesublimeerd bij 180°-200°C/0,03 mm Hg.
Opbrengst: 0,61 g bijna kleurloos 2 (75,3%).
Smeltpunt: verweking bij 235°C, smelten bij 260°-262°C.
^-NMR in CDC13: óiBu1) 0,95 (s); 6(CH) 5,42 (s); 6(phen) 7,65 (m), 7,75 (s), 8,23 en 9,72 (m).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 65,71 (66,02); H 7,96 (7,95); N 3,55 (3,42).
STA: fase-overgangspiek bij 233eC; smeltpiek bij 269°C; verdampingvan 166°-353°C; er blijft 1,22% residu achter.
Voorbeeld 3 Y{(CHj)jCC(0)CHC(0)C(CHj)j}3 . { (CH3)2NCH2CH2N(CH3)2>. (3)
Bereid als beschreven voor 1, uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,12 g (1,0 mmol) (CH3)2NCH2CH2N(CH3)2. Het residu, verkre¬gen na verdamping van het oplosmiddel, wordt niet gesublimeerd maargedroogd in vacuüm gedurende 2 uur.
Opbrengst: 0,67 g kleurloos 3 (89,3%).
Smeltpunt: verweking bij 110°C, smelten bij 145°-150°C.
^H-NMR in CDCl3: δ(Β^) 1,08 (s) ; 6(CH) 5,67 (s) ; 6(NCH3) 2,29 (s); 6(CH2N) 2,53 (s).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 61,22 (62,08); H 9,11 (9,68); N 3,55 (3,71).
Sublimatie: het complex sublimeert niet als zodanig; bij 150°C/0,03mm Hg treedt snelle dissociatie op, met verdamping van het diamine;het sublimaat bestaat uit Y(tmhd)3 en een spoor diamine ^H-NME).
Voorbeeld 4 Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {(CH3)2NCH2CH2N(CH3)CH2CH2N(CH3)2>. (4)
Bereid als beschreven voor 1, uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,17 g (1,0 mmol) triamine. Het residu, verkregen na ver¬damping van het oplosmiddel, wordt niet gesublimeerd maar gedroogd invacuüm gedurende 8 uur.
Opbrengst: 0,73 g kleurloos 4 (90,1%).
Smeltpunt: verweking bij 55°C, smelten bij 60°-63°C.
]H-NMR in CDClj: δίΒ^) 1,10 (s); δ(0Η) 5,71 (s); δ(Ν(ΟΗ3)2) 2,29 (s); 6(NCH3) 2,24 (s); 6(CH2N) 2,49 en 2,54 (m).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 60,95 (62,15); H 9,84 (9,87); N 5,06 (5,18).
Sublimatie: het complex sublimeert niet als zodanig; bij 90°- 160°C/0,04 mm Hg treedt dissociatie op, met verdamping van het tria- mine; het sublimaat bestaat uit Y(tmhd)3 en O,4 eq triamine (%-NMR).STA: smeltpiek bij 62°C; verdamping van 61°-290°C (verschillende ver-dampingssnelheden worden waargenomen); er blijft 1,3% residu achter.
Voorbeeld 5 Y{(CHj)jCC(0)CHC(0)C(CHj). { (CH^NfC^CH^CHj) ^CH^CH^CH^}. (5)
Bereid als beschreven voor 1, uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,23 g (1,0 mmol) tetraamine. Het residu, verkregen naverdamping van het oplosmiddel, wordt niet gesublimeerd maar gedroogdin vacuüm gedurende 1 uur.
Opbrengst: 0,86 g kleurloos 5 (100%); gedeeltelijk vast.
Smeltpunt: 55°-60eC.
1H-NMR in CDClj: 6(Bul) 1,10 (s) ; 6(CH) 5,72 (s); 5(N(CH3);) 2,29 (s); 6(NCH3) 2,26 (s) ; 6(CH,N) 2,46 en 2,54 (m).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 60,57 (62,22); H 10,81 (10,02); N 10,18 (6,45); inhomogeen.Sublimatie: het complex sublimeert niet als zodanig; bij 90°-130°C/0,04 mm Hg treedt dissociatie op, met gelijktijdige verdamping encondensatie van het tetra-amine; het sublimaat bestaat uit Y(tmhd), en2,4 eq tetra-amine (*H-NMR).
Voorbeeld 6 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3}3 . {CH3S(0)CH3>. (6)
Bereid als beschreven voor 1, uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,16 g (2,0 mmol) DMS0. Het residu, verkregen na verdam¬ping van het oplosmiddel, wordt niet gesublimeerd, maar gedroogd invacuüm gedurende 8 uur.
Opbrengst: 0,66 g kleurloos 6 (93,0%).
Smeltpunt: 156e-158eC.
^-NMR in CDC13: ó^u1) 1,04 (s) 5 6(CH) 5,63 (s); 6(GH3) 2,64.Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 57,74 (58,66); H 8,71 (8,80); S 4,41 (4,48).
Sublimatie: het complex sublimeert niet als zodanig; bij 135°-160°C/0,04 mm Hg treedt dissociatie op, met verdamping van DMS0; het subli- maat bestaat uit Y(tmhd)3 en 0,3 eq DMSO (%-NMR).
Voorbeeld 7 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3}3 . {C5H5NO>. (7)
Bereid als beschreven voor 1, uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,19 g (2,0 mmol) pyNO (pyridine-N-oxyde). Het residu,verkregen na verdamping van het oplosmiddel, wordt gedurende 15 mingeroerd met 100 ml pentaan. De troebele oplossing wordt gefiltreerden ingedampt en drooggedampt. Het residu wordt nu gesublimeerd bij150e-160°C/0,04 mm Hg.
Opbrengst: 0,56 g kleurloos T_ (76,7%).
Smeltpunt: 175*-177°C.
]Η-ΝΜΗ in CDClj: 6(BuC) 1,05 (s); 6(CH) 5,62 (s); 6(pyN0) 7,32 (t), 7,45 (t), 8,55 (d).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 62,02 (62,22); H 8,30 (8,46); N 1,89 (1,91).
STA: smeltpiek bij 179eC; verdamping van 146°-288°C; er blijft 0,71%residu achter.
Voorbeeld 8 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {4-(tert-C4H9)C5H4NO>. (8)
Bereid als beschreven voor 2> uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,17 g (1,1 mmol) A-Bu^pyNO (4-teri:-butylpyridine-N-oxy-de). Het residu, verkregen na verdamping van de pentaan, wordt nugesublimeerd bij ± 140eC/0,03 mm Hg.
Opbrengst: 0,6 g kleurloos 8 (76,1%).
Smeltpunt: 970-100°0.
]H-NMR in C6D6: ófBu^tmhd) 1,27 (s); 6(CH) 5,94 (s) $ ótBu^pyNO) 0,76 (s); 6(pyN0) 6,46 en 8,17 (d).Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 64,47 (63,89); H 8,50 (8,87); N 1,99 (1,78).
Voorbeeld 9 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3}3 . <4-(C2H5)C5H4NO>. (9)
Bereid als beschreven voor 7, uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,13 g (1,05) mmol 4-Et-pyN0 (4-ethylpyridine-N-oxyde).Het residu, verkregen na verdamping van de pentaan, wordt nu gesubli¬meerd bij 140°-150°C/0,03 mm Hg.
Opbrengst: 0,51 g kleurloos 9 (67,1%).
Smeltpunt: verweking bij ± 80°C, smelten bij 93°-98°C.
1H-NMR in C6Dfi: óiBu1) 1,28 (s); 6(CH) 5,93 (s); 6(Et) 0,64 (t) en 1,83 (q); 6(pyN0) 6,17 en 8,10 (d).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 63,03 (63,08); H 8,80 (8,67); N 1,67 (1,84).
Voorbeeld 10 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {(CH3)3N0>. (10)
Bereid als beschreven voor 7, (in een Q^Clg/EtOH 1:1 mengsel),uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol) Y(tmhd)3 en 0,22 g (2,0 mmol) Me3N0.2^0. Het residu, verkregen na verdamping van de pentaan, wordt nugesublimeerd bij 180°-200°C/0,05 mm Hg.
Opbrengst: 0,41 g kleurloos 10 (57,7%).
Smeltpunt: 199°-202eC.
1H-NME in CDC13: 6(BuC) 1,06 (s); 6(CH) 5,58 (s); 6(CH3N) 3,33 (s).Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 60,48 (60,60); H 9,31 (9,26); N 2,24 (1,96).
STA: smeltpiek bij 196°C; verdamping van 114°-316°C; er blijft 1,05%residu achter.
Voorbeeld 11 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {(C6H5)3P0>. (11)
Bereid als beschreven voor 1, uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,28 g (1,0 mmol) Ph3P0. Het residu, verkregen na verdam¬ping van het oplosmiddel, wordt nu gesublimeerd bij 140ο-180°0/0,04mm Hg.
Opbrengst: 0,84 g kleurloos 11 (92,3%).
Smeltpunt: 263°-265°C.
!H-NMR in CDC13: ifBu1) 0,98 (s) ; 6(CH) 5,58 (s); ö(Ph) 7,42, 7,52 en 7,70 (m).
Elementanalysess gevonden (berekend) (%) C 66,39 (66,82); H 7,92 (7,86); P 3,26 (3,39).
STA: fase-overgangspieken bij 110° en 166°C$ smeltpiek bij 278°C;verdamping van 186°-343°C; er blijft 1,01% residu achter.
Voorbeeld 12 Y<(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {(C2H5)3PO}. (12)
Bereid als beschreven voor 1, uitgaande van 0,64 g (1,0 mmol)Y(tmhd)3 en 0,134 g (1,0 mmol) Et,P0. Het residu, verkregen na verdam¬ping van het oplosmiddel, wordt nu gesublimeerd bij 150o-180°C/0,25mm Hg.
Opbrengst: 0,63 g kleurloos 12 (82,1%).
Smeltpunt: 267°-270°C.
]H-NMR in CDC13: ó^u1) 1,01 (s) ; Ó(CH) 5,57 (s); 6(EtP) 1,0-1,2 en 1,65-1,77 (m).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 60,66 (60,63); H 9,51 (9,33); P 3,88 (4,02).
STA: fase-overgangspiek bij 116CC; smeltpiek bij 273°C; verdampingvan 169°-316°C; er blijft 0,60% residu achter.
Voorbeeld 13 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {C5H5N>. (13) 0,64 g (1,0 mmol) Y(tmhd)3 wordt gekristalliseerd uit 3 ml pyri¬dine. Het produkt wordt gedroogd aan de lucht gedurende 6 uur.Opbrengst: 0,56 kleurloos g 13 (78,9%).
Smeltpunt: 129e-131°C.
1H-NMR in CDCljï óiBu1) 1,07 (s) $ 6(CH) 5,70 (s); 6(py) 7,64, 7,75 en 8,78 (m).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 63,55 (63,61); H 8,69 (8,65); N 2,02 (1,95).
Sublimatie: het complex sublimeert niet als zodanig; bij 130°-150°C/0,01 mm Hg treedt dissociatie op, met verdamping van de pyridine; hetsublimaat bestaat alleen uit Y(tmhd)3 (^H-NMR).
Voorbeeld 14 Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . <(CH3)2NC(0)H>. (14) 0,5 g (0,78 mmol) Y(tmhd)3 wordt gekristalliseerd uit 3 ml DMF.Het produkt wordt gedroogd aan de lucht gedurende 4 uur.
Opbrengst: 0,45 g kleurloos 14 (80,8%).
Smeltpunt: 151°-153°C.
^l-NMR in CDC13: óiBu1) 1,05 (s); 6(CH) 5,66 (s); 6(MeN) 2,88 en 2,95 (s); 6(CH0) 8,73 (s).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 60,51 (60,77); H 9,03 (9,00); N 2,11 (1,97).
Sublimatie: het complex sublimeert niet als zodanig; bij 130°-160°C/0,02 mm Hg treedt dissociatie op, met verdamping van de DMF; het su¬blimaat bestaat uit Y(tmhd)3 en 0,2 eq DMF (*H-NMR).
Voorbeeld 15 Y<CF3CF2CF2C(0)CHC(0)C(CH3)3>3 . {(CH3)2NCH2CH2N(CH3)CH,CH2N (CH3),}. (15)
Bereid als beschreven voor 1., uitgaande van 1,22 g (1,25 mmol)Y(fod)3 en 0,22 g (1,25 mmol) triamine. Het beige residu, verkregen naverdamping van het oplosmiddel, wordt nu gesublimeerd bij 120°-150°C/0,05 mm Hg.
Opbrengst: 1,42 g beige 1J5 (99,3%).
Smeltpunt: 85°-88°G.
^i-NMR in CDC13: δ(Βυι) 1,07 (s); 6(CH) 5,95 (s); <5(NMe2) 2,29 (s,br); 6(NMe) 2,23 (s,br); 6(CH2N) 2,54 en 2,72(m,br).
Elementanalyses: gevonden (berekend) (%) C 40,37 (40,81); H 4,42 (4,62); N 3,60 (3,66).
STA: smeltpiek bij 90°C; verdamping van 102Ö-273°C; er blijft 0,22%residu achter.
Voorbeeld 16
Simultane Thermische Analyse (STA) van Y(8-diketonaat)3-ligand com¬plexen.
Simultane Thermische Analyse (STA) van diverse Y(B-diketonaat)3~ ligand complexen is uitgevoerd onder een stikstof flow van 40 scan enbij atmosferische druk; de opwarmsnelheid was 20°C/min van kamertem¬peratuur tot 600°C. Resultaten worden gepresenteerd in tabel 1.
Voorbeeld 17
Sublimatie van Y(β-diketonaat) 3 -1 igand complexen.
Sublimatie van diverse Y(B-diketonaat)3-ligand complexen is uit¬gevoerd bij verminderde druk (0,01-0,05 mm Hg) en temperaturen van90°-200°C. Resultaten worden gepresenteerd in tabel 2.
Voorbeeld 18
Dampdrukmetineen aan Y(B-diketonaat)3~ ligand complexen.
Dampdrukmetingen aan diverse Y(B-diketonaat)3-ligand complexenzijn uitgevoerd bij temperaturen van 90-180°C en met een stikstofachtergronddruk, kleiner dan 0.01 Torr. Eventuele vluchtige veront¬reinigingen worden verwijderd door voorafgaand aan een meting eenaantal malen 30 sec bij verlaagde druk (<0.01 Torr) aan de te metenverbinding te pompen. Resultaten worden gepresenteerd in figuur 1 entabel 3.
Voorbeeld 19 M0CVD depositie van Yj03 uit Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3>3 · {4-( tert- C4H9)C5H4NO>. (8)
In een hete-wand MOCVD apparaat werd een flow (83 sccm) ge¬leid over Y{(CH3)3CC(0)CHC(0)C(CH3)3}3 · {4-( tert-C4H9)C5H4N0} bij 160°C.Deze flow werd voor de reactor gemengd met flows van (83 sccm) enO2 (100 sccm). De depositie werd uitgevoerd op een MgO substraat, datvia een kwartsdraad bevestigd is aan een massabalans. Deze balanswerd beschermd met een flow van N.> (17 sccm). De depositie is uitge¬voerd bij een substraattemperatuur van 850°C en een reactordruk van 2
O
torr. De groeisnelheid was 3.3 mg/cm -uur.
De uitvinding wordt nader toegelicht aan de hand van 3 tabel¬len, waarvan:
Tabel 1 geselecteerde resultaten van simultane Thermische Analyses van enkele verbindingen volgens de uitvinding en van verbindingenvolgens de uitvinding en van Y(tmhd)3 weergeeft. De nummers verwijzennaar de nummers van de structuurformules in de gedetailleerde be¬schrijving.
Tabel 1.
Tabel 2 vluchtigheden en smeltpunten van enkele verbindingen volgensde uitvinding weergeeft, alsmede van commercieel Y(tmhd)^ en vanYtfodJj.I^O. De nummers verwijzen naar de nummers van de structuurfor-mules in de gedetailleerde beschrijving.
Tabel 2.
Tabel 3 temperatuurafhankelijkheden van de dampdrukken van enkeleverbindingen volgens de uitvinding weergeeft, alsmede van commercieelYitmhd)^. De nummers verwijzen naar de nummers van de structuurformu-les in de gedetailleerde beschrijving. De dampdruk gegevens zijn ge-tabelleerd volgens de volgende vergelijking: Logj0(P(T)/Pfl) = A -ÏOOOB/T, waarbij P de temperatuur is in Torr en T de temperatuur ingraden Kelvin, Pq=1. Dit B is de verdampingsenthalpie AHg (kJ/mol)berekend.
Tabel 3.
Voorts geeft de grafiek volgens Figuur 1 de temperatuurafhanke¬lijkheden van de dampspanningen van enkele verbindingen volgens deuitvinding, alsmede van commercieel Y(tmhd)3. De nummers verwijzennaar de nummers van de structuurformules in de gedetailleerde be¬schrijving en Figuur 2 geeft de structuurformule van de verbindingvolgens de uitvinding, als gedefinieerd in Conclusie 1.
Claims (11)
1. Vluchtige yttrium-organische verbindingen, met het kenmerk, dat deze bestaan uit het complex van een yttrium-β-diketonaat en een of meer coördinerende neutrale donor liganden.
2. Yttrium-organische verbindingen volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het neutrale donor ligand een amine, een diami¬ne, een polyamine, een pyridine, een dipyridine, een phenanthroline,een amide, een sulfoxyde, een amine-N-oxyde, een pyridine-N-oxyde,een dipyridine-N,N-dioxyde, een phosphineoxyde, een acyclische ether,een cyclische ether, een glycolether of een polyether is.
3. Yttrium-organische verbindingen volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het diamine (CH3)2NCH2CH2N(CH3) 2 is, het polyamine(CH3)2NCH2CH2N(CH3)CH2CH2N(CH3)2 of(CH3)2NCH2CH2N(CH3)CH2CH2N(CH3)CH2CH2N(CH3)2 is, de pyridine C5H5N is, dedipyridine 0-(2-0^11^)0^11^ is, het phenanthroline 1,10-phenanthroline(4,5-diazaphenanthreen) is, het amide (CH3)2NC(0)H is, het sulfoxydeCH3S(0)CH3 is, het amine-N-oxyde (CH3)3NO is en het phosphineoxyde(C6H5)3PO of (C2H5)3PO is.
4. Yttrium-organische verbindingen volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het pyridine-N-oxyde al dan niet een al dan nietgesubstitueerde alkylgroep bevat.
5. Yttrium-organische verbindingen volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat een gesubstitueerde alkylgroep C(CH3)3 dan welC2Hj is·
6. Yttrium-organische verbindingen volgens een der conclusies 1 t/m 5, met het kenmerk, dat het β-diketonaat een al dan niet gesubstitueerdealkylgroep en/of een al dan niet gesubstitueerde arylgroep bevat.
7. Yttrium-organische verbindingen volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat een gesubstitueerde alkylgroep C(CH3)3 dan wel n-CjFj is.
8. Werkwijze voor de bereiding van gelaagde materialen die yt-triumoxyde bevatten, door middel van een depositie-techniek, met het kenmerk. dat bij de depositie-techniek wordt uitgegaan vanvluchtige yttrium-organische verbindingen volgens een der conclusies1 t/m 7.
9. Werkwijze voor de bereiding van gelaagde materialen volgensconclusie 8, met het kenmerk, dat de depositie-techniek de zogenoemde 'metal-orga-nic chemical vapour deposition' (MOCVD) is.
10. Werkwijze voor de bereiding van gelaagde materialen volgensconclusie 9, met het kenmerk, dat de yttrium-organische verbindingen tijdens hetMOCVD-proces worden gevormd door toevoeging van coördinerend ligandin vloeistof-, dan wel dampfase aan het yttrium-8-diketonaat.
11. Werkwijze voor de bereiding van gelaagde materialen volgensconclusie 9, met het kenmerk, dat de yttrium-organische verbindingen tijdens hetMOCVD-proces in de reactor worden gebracht via een vloeistof-verdampsysteem.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9302030A NL9302030A (nl) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Vluchtige yttrium-organische verbindingen en werkwijze voor de bereiding van yttrium-bevattende gelaagde materialen uit deze verbindingen. |
| PCT/GB1994/002576 WO1995014698A1 (en) | 1993-11-24 | 1994-11-24 | Volatile organic lanthanide compounds and methods for the preparation of lanthanide-containing layered materials from these compounds |
| GB9608975A GB2298203B (en) | 1993-11-24 | 1994-11-24 | Volatile organic lanthanide compounds and methods for the preparation of lanthanide-containing layered materials from these compounds |
| AU10737/95A AU1073795A (en) | 1993-11-24 | 1994-11-24 | Volatile organic lanthanide compounds and methods for the preparation of lanthanide-containing layered materials from these compounds |
| US08/640,902 US5837321A (en) | 1993-11-24 | 1994-11-24 | Volatile organic lanthanide compounds and methods for the preparation of lanthanide-containing layered materials form these compounds |
| DE4499144T DE4499144T1 (de) | 1993-11-24 | 1994-11-24 | Flüchtige organische Lanthanidverbindungen und Verfahren zur Herstellung von lanthanidhaltigen Schichtmaterialien aus diesen Verbindungen |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9302030 | 1993-11-24 | ||
| NL9302030A NL9302030A (nl) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Vluchtige yttrium-organische verbindingen en werkwijze voor de bereiding van yttrium-bevattende gelaagde materialen uit deze verbindingen. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL9302030A true NL9302030A (nl) | 1995-06-16 |
Family
ID=19863176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL9302030A NL9302030A (nl) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Vluchtige yttrium-organische verbindingen en werkwijze voor de bereiding van yttrium-bevattende gelaagde materialen uit deze verbindingen. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5837321A (nl) |
| AU (1) | AU1073795A (nl) |
| DE (1) | DE4499144T1 (nl) |
| GB (1) | GB2298203B (nl) |
| NL (1) | NL9302030A (nl) |
| WO (1) | WO1995014698A1 (nl) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1533395A (zh) | 2001-07-18 | 2004-09-29 | E.I.���¶��Ű˾ | 含亚胺配体的发光镧系配合物和用这种配合物制备的器件 |
| DE02772548T1 (de) * | 2001-10-26 | 2004-11-11 | Epichem Ltd., Wirral | Vorlaeuferverbindungen für chemische dampfphasenabscheidung |
| JP4738775B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2011-08-03 | 株式会社豊島製作所 | ランタニド系金属含有薄膜製造に用いるｃｖｄ用原料溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
| US8517103B1 (en) * | 2012-12-04 | 2013-08-27 | Halliburton Energy Services, Inc. | Oil or gas treatment fluid containing a chelate or coordination complex that sets |
| RU2621346C2 (ru) * | 2014-12-12 | 2017-06-02 | Акционерное общество "Производственное объединение"Электрохимический завод" (АО "ПО ЭХЗ") | Способ повышения летучести комплексов лантаноидов |
| JP6643804B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2020-02-12 | 国立大学法人北海道大学 | 希土類金属錯体及びそれを用いる発光装置 |
| JPWO2022059571A1 (nl) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989007666A1 (en) * | 1988-02-19 | 1989-08-24 | Northwestern University | Method of forming superconducting materials |
| US5028724A (en) * | 1990-03-30 | 1991-07-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Synthesis of volatile fluorinated and non-fluorinated metal-beta-ketonate and metal-beta-ketoiminato complexes |
| EP0527661A1 (en) * | 1991-08-14 | 1993-02-17 | The Associated Octel Company Limited | Metal beta-diketonates |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200388A (en) * | 1988-05-13 | 1993-04-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Metalorganic chemical vapor deposition of superconducting films |
| US5453494A (en) * | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
| GB2274456A (en) * | 1993-01-22 | 1994-07-27 | Timothy John Leedham | Volatile rare earth beta-diketone complexes |
-
1993
- 1993-11-24 NL NL9302030A patent/NL9302030A/nl active Search and Examination
-
1994
- 1994-11-24 US US08/640,902 patent/US5837321A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-24 DE DE4499144T patent/DE4499144T1/de not_active Withdrawn
- 1994-11-24 GB GB9608975A patent/GB2298203B/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-24 AU AU10737/95A patent/AU1073795A/en not_active Abandoned
- 1994-11-24 WO PCT/GB1994/002576 patent/WO1995014698A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989007666A1 (en) * | 1988-02-19 | 1989-08-24 | Northwestern University | Method of forming superconducting materials |
| US5028724A (en) * | 1990-03-30 | 1991-07-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Synthesis of volatile fluorinated and non-fluorinated metal-beta-ketonate and metal-beta-ketoiminato complexes |
| EP0527661A1 (en) * | 1991-08-14 | 1993-02-17 | The Associated Octel Company Limited | Metal beta-diketonates |
Non-Patent Citations (23)
| Title |
|---|
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 101, no. 20, 12 November 1984, Columbus, Ohio, US; abstract no. 180535p, GAVRISHCHUK, E.M. ET AL.: "STUDY OF VOLATILE CHELATES OF RARE EARTH ELEMENTS BY ELECTRON-IMPACT MASS SPECTROMETRY" page 686; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 102, no. 2, 14 January 1985, Columbus, Ohio, US; abstract no. 16524j, TREMBOVETSKII, G.V.: "SYNTHESIS AND STUDY OF ADDUCTS OF TRIS(ACETYLACETONATOS) OF RARE EARTH ELEMENTS WITH ACETYLACETONIMINE" page 664; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 105, no. 22, 1 December 1986, Columbus, Ohio, US; abstract no. 202067z, DZUBENKO, N.G. ET AL.: "PROPERTIES AND STRUCTURE OF TRIS(ACETYLACETONATO)RARE EARTH ADDUCTS WITH O-PHENANTHROLINE" page 745; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 109, no. 20, 14 November 1988, Columbus, Ohio, US; abstract no. 182505t, KUZ'MINA, N.P. ET AL.: "ADDITIONAL LIGAND INFLUENCE ON THE SELECTIVITY OF VACUUM SUBLIMATION OF ADDUCTS OF ACETYLACETONATES OF RARE-EARTH ELEMENTS" page 837; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 113, no. 10, 3 September 1990, Columbus, Ohio, US; abstract no. 90325p, PONCELET, O. ET AL.: "SOLUBLE AND VOLATILE YTTRIUM AND COPPER ALKOXO-ACETYLACETONATO DERIVATIVES: SYNTHESIS AND CRYSTAL STRUCTURE OF Y3(.MU.3,.ETA.2-OC2H4OME)2(.MU.2,.ETA.2-OC2H4OME)2(.MU.2,.ETA.1-OC2H4OME)(ACAC)4" page 817; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 119, no. 14, 4 October 1993, Columbus, Ohio, US; abstract no. 151111p, TRIKHA, A.K. ET AL.: "STUDIES ON THE 1-METHYLPIPERAZINE ADDUCTS OF LANTHANIDE TRIS-6,6,7,7,8,8,8,8-HEPTAFLUOR-2,2-DIMETHYL-3,5-OCTANEDIONATES" page 851; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 119, no. 18, 1 November 1993, Columbus, Ohio, US; abstract no. 194408h, DRAKE, S.R. ET AL.: "OXYGEN OR NITROGEN CHELATES STABILIZING BARIUM AND YTTRIUM .BETA.-DIKETONATES" page 993; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 119, no. 22, 29 November 1993, Columbus, Ohio, US; abstract no. 240398e, DRAKE, S.R. ET AL.: "LANTHANIDE .BETA.-DIKETONATE GLYME COMPLEXES EXHIBITING UNUSUAL COORDINATION MODES" page 1062; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 119, no. 24, 13 December 1993, Columbus, Ohio, US; abstract no. 261508f, GLEIZES, A. ET AL.: "YTTRIUM TETRAMETHYLHEPTANEDIONATES: SYNTHESES, CRYSTAL AND MOLECULAR STRUCTURES AND THERMAL BEHAVIORS OF TRIS(DIPIVALOYLMETHANATO)YTTRIUM AND ITS MONOHYDRATE" page 881; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 93, no. 22, 1 December 1980, Columbus, Ohio, US; abstract no. 214661k, KHAN, B.T. ET A.: "COMPLEXES OF RARE EARTHS 2,4-PENTANEDIONATES WITH TRIPHENYLPHOSPHINE OXIDE AND TRIPHENYLARSINE OXIDE" page 695; * |
| CHEMICAL ABSTRACTS, vol. 99, no. 4, 25 July 1983, Columbus, Ohio, US; abstract no. 30325w, GAVRISHCHUK, E.M. ET AL.: "MASS-SPECTROMETRIC STUDY OF RARE EARTH ELEMENT DIPIVALOYLMETHANATES AND THEIR ADDUCTS" page 486; * |
| DEPOSITED DOC. 1982 VINITI 3676-83, 249-253 * |
| DEPOSITED DOC. 1983 VINITI 7085-83, PT. 2, 303-306 * |
| IFTIKHAR, K. ET AL.: "MIXED-LIGAND COMPLEXES OF TRIVALENT LANTHANIDE IONS WITH .BETA.-DIKETONES AND HETEROCYCLIC AMINES", INORGANIC CHEMISTRY, vol. 21, no. 1, 1982, pages 80 - 84 * |
| INDIAN J. CHEM., SECT. A, vol. 19A, no. 7, 1980, pages 701 - 702 * |
| INORG. CHEM., vol. 29, no. 16, 1990, pages 2883 - 2885 * |
| INORG. CHEM., vol. 32, no. 20, 1993, pages 4464 - 4471 * |
| INORG. CHIM. ACTA, vol. 209, no. 1, 1993, pages 47 - 53 * |
| J. CHEM. SOC., DALTON TRANS., no. 15, 1993, pages 2379 - 2386 * |
| J. FLUORINE CHEM., vol. 62, no. 2-3, 1993, pages 139 - 143 * |
| METALLOORG. KHIM., vol. 1, no. 3, 1988, pages 575 - 579 * |
| ZH. NEORG KHIM., vol. 31, no. 7, 1986, pages 1699 - 1705 * |
| ZH. NEORG. KHIM., vol. 28, no. 4, 1983, pages 871 - 875 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2298203B (en) | 1998-06-17 |
| AU1073795A (en) | 1995-06-13 |
| WO1995014698A1 (en) | 1995-06-01 |
| GB2298203A (en) | 1996-08-28 |
| DE4499144T1 (de) | 1996-12-05 |
| US5837321A (en) | 1998-11-17 |
| GB9608975D0 (en) | 1996-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100466944B1 (ko) | 화학 증착용 금속 착물 공급원 시약 | |
| Edleman et al. | Synthesis and characterization of volatile, fluorine-free β-ketoiminate lanthanide MOCVD precursors and their implementation in low-temperature growth of epitaxial CeO2 buffer layers for superconducting electronics | |
| Pollard et al. | Chemical vapor deposition of cerium oxide using the precursors [Ce (hfac) 3 (glyme)] | |
| EP1849789A1 (en) | Metal complexes of polydentate beta-ketoiminates | |
| EP1068214B1 (en) | Lewis base adducts of anhydrous mononuclear tris(beta-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same | |
| KR20060111694A (ko) | 알콕시드 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조방법 | |
| KR101953721B1 (ko) | 알콕시드 화합물 및 박막 형성용 원료 | |
| US20020132048A1 (en) | Source reagent composition for CVD formation of Zr/Hf doped gate dielectric and high dielectric constant metal oxide thin films and method of using same | |
| NL9302030A (nl) | Vluchtige yttrium-organische verbindingen en werkwijze voor de bereiding van yttrium-bevattende gelaagde materialen uit deze verbindingen. | |
| Zherikova et al. | Thermodynamic study of sublimation, melting and vaporization of scandium (III) dipivaloylmethanate derivatives | |
| CN113943321A (zh) | 用于薄膜沉积的第5族金属化合物和使用该化合物形成含第5族金属的薄膜的方法 | |
| KR100807947B1 (ko) | 비대칭형 β-케토이미네이트 리간드 화합물의 제조방법 | |
| JP5255029B2 (ja) | 金属含有フィルムの現像用のアミノエーテル含有液体組成物 | |
| WO2021153640A1 (ja) | 有機ルテニウム化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 | |
| JP2002145836A (ja) | 新規なｉｖ族金属前駆体及びこれを使用した化学蒸着法 | |
| Fleeting et al. | Developing the Chemistry of Novel Scandium β‐Diketonates for the MOCVD of Scandium‐Containing Oxides | |
| JPH06298714A (ja) | 新規な有機金属錯体とその配位子 | |
| EP1091965A1 (en) | Precursors for growth of heterometal-oxide films by mocvd | |
| KR102557277B1 (ko) | 희토류 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 | |
| NL9400279A (nl) | Werkwijze voor het deponeren van nikkel en/of nikkeloxide vanuit de gasfase, alsmede nieuwe nikkelverbindingen met stabiel verdampingsgedrag. | |
| KR100367346B1 (ko) | 신규한 ｉｖ족 금속 전구체 및 이를 사용한 화학기상 증착법 | |
| US6987197B2 (en) | Organozirconium composite and method of synthesizing the same, raw material solution containing the same, and method of forming lead zirconate titanate thin film | |
| US20220145461A1 (en) | Rare earth precursor, method of preparing the same, and method of forming thin film using the same | |
| KR102621779B1 (ko) | 박막 증착을 위한 니오비움 전구체 화합물 및 이를 이용한 니오비움 함유 박막의 형성 방법 | |
| Zherikova et al. | Towards the MOCVD’s paradise: Thermodynamics of phase transitions of new scandium precursors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| BN | A decision not to publish the application has become irrevocable |