NL9301071A - Werkwijze voor het vervaardigen van scherpe golfgeleidervertakkingen in geintegreerde optische componenten. - Google Patents

Description

Werkwijze voor het vervaardigen van scherpe golfgeleidervertakkingen in geïntegreerde optische componenten A. Achtergrond van de uitvinding 1. Gebied van de uitvinding

De uitvinding ligt op het gebied van de vervaardiging van geïntegreerde optische componenten. Meer in het bijzonder betreft zij een werkwijze voor het vervaardigen van zich Y-vormig vertakkende, kanaalvormige golf-geleiders in dunne lichtgeieidende lagen met scherpe vertices onder toepassing van elkaar overlappende maskermaterialen aangebracht in verschillende stadia van fotolithografische bewerkingen.

2. Stand van de techniek Y-vormige vertakkingen, ook wel Y-juncties genoemd, van kanaalvormige golfgeleiders worden zeer veel toegepast in de geïntegreerde optica. In symmetrische vorm maken zij bijvoorbeeld deel uit van 3-dB koppelaars, terwijl de asymmetrische vorm wel de basis vormt voor modus-splitsende of -filterende elementen. Zij treden vanzelfsprekend eveneens op bij elkaar onder een scherpe hoek kruisende geleiders. Een in dit verband bekend probleem is, dat als de vertex tussen de twee vertakkende geleiders in een dergelijke Y-junctie niet scherp genoeg is vervaardigd, onaanvaardbare verliezen in lichtsignaal en verslechtering van de functie van de Y-junctie optreden. De scherpte, waarmee de vertex van de Y-junctie kan worden vervaar digd, is evenwel afhankelijk van de kwaliteit van de bij de vervaardiging toegepaste fotolithografische bewerkingen en de daarbij gebruikte maskers. Uit referentie [1] is een werkwijze bekend voor het realiseren van Y-juncties met scherpe vertices op basis van indiumfosfide (InP), waarbij door tweemaal selectief etsen met nat-chemische etsmiddelen onder gebruikmaking van elkaar overlappende maskers de beide golfgeleidertakken van de Y-junc-tie na elkaar worden gedefinieerd. In een lagenpakket dat een substraat en twee paren lagen omvat, elk paar met een ets-laag en een ets-stop laag, wordt daartoe in een eerste etsstap met behulp van een eerste masker in een fotolak (eng.: photoresist) een eerste deel van een golfgeleiderpatroon definiërend maskerpatroon in het bovenste lagenpaar geëtst. Dan wordt de fotolak van het eerste masker verwijderd. Vervolgens wordt een tweede masker van fotolak aangebracht althans gedeeltelijk over het eerste deel van genoemd maskerpatroon heen. Door de maskers twee rechte banen te laten definiëren terplaatse van de overlapping, ontstaat na een tweede etsstap met dezelfde nat-chemische etsmiddelen een zich vertakkend golfgeleiderpatroon met een scherpe vertex in het onderliggende lagenpaar. Een nadeel van deze bekende vervaardigingstechniek is het gebruik van selectieve nat-chemische etsmiddelen. Dergelijke etsmiddelen etsen het te etsen materiaal ofwel isotroop, ofwel volgens kristalvlakken. In het eerste geval treedt, zoals bekend, onder-etsing op met als bezwaren verlies van nauwkeurigheid en ongewenste profilering van de golfgeleiders. In het tweede geval kunnen golfgeleiders alleen goed worden geëtst, welke de oriëntatie van het materiaal volgen. In kristallijne materialen zijn derhalve nat-chemische etsmiddelen ongeschikt voor het etsen van gekromde golfgeleiders. Gekromde geleiders vereisen namelijk een loodrechte anisotrope ets, welke wel realiseerbaar is met droge etstechnieken zoals die bekend als het reactieve ionen etsen. Aangezien in geïntegreerde optische componenten gekromde golfgeleiders vaak nodig zijn als aansluitende geleiders op de vertakkingen van Y-juncties, zijn dergelijke componenten met deze bekende techniek niet goed te vervaardigen. Bovendien vereist deze bekende techniek een gecompliceerd lagenpatroon voor het realiseren van in het bijzonder het patroon in het bovenste lagenpaar, dat in de tweede etsstap als masker dient, maar tegelijk wordt weggeëtst behalve terplaatse van de overlapping. Daar blijft een rest achter, die niet verder te verwijderen is zonder de overige structuur aan te tasten.

B. Samenvatting van de uitvinding

Met de uitvinding wordt beoogd te voorzien in een werkwijze voor de vervaardiging van Y-vormig vertakkende kanaalvormige golfgeleiders met scherpe vertices in lichtgeleidende lagen op een substraat onder toepassing van elkaar overlappende maskers toegepast in verschillende stadia van fot-olithografische bewerkingen, welke werkwijze de hierboven beschreven nadelen niet bezit. Zij past daarbij slechts èèn hulpmaskerlaag toe van geschikt gekozen materiaal dat in een eerste etsstap etsbaar is, maar onder een tweede etsstap van droog etsen resistent is. De werkwijze volgens de aanhef van conclusie 1 heeft daartoe volgens de uitvinding het kenmerk van conclusie 1.

De werkwijze volgens de uitvinding is vooral geschikt voor het realiseren asymmetrische vertakkingen met scherpe vertices, echter niet alleen ten gevolge van geschikt gekozen verschillen in breedte van de golfgeleider-takken. Ook dikte- of hoogte-verschillen zijn eenvoudig realiseerbaar. Daartoe heeft de werkwijze bij voorkeur het kenmerk van conclusie 2.

De werkwijze is volledig compatibel met de vervaardiging van golfge- leidercomponenten op basis van lll-V halfgeleidende materialen met behulp van een 'reactive ion etching'-proces, als voor de hulpmaskerlaag een silici-um-houdend diëlectrisch materiaal wordt toegepast. In een voorkeursuitvoering heeft de werkwijze volgens de uitvinding het kenmerk volgens conclusie 5.

Samenvatting van de voordelen van de uitvinding: - de werkwijze bevordert de integreerbaarheid met andere componenten - eenvoudig toepasbaar; - zeer geschikt voor de vervaardiging van vooral asymmetrische vertakkingen, waarbij de gewenste asymmetrie eenvoudig realiseerbaar is zowel door breedte- als door hoogte-verschillen in de golfgeleider-profielen; - bruikbaar voor alle lll-V halfgeleidermaterialen; - de vertices of vertakkingspunten zijn van hoge kwaliteit; - er zijn geen extra epitaxiale lagen nodig.

C. Referenties [1] Y. Shani et al., "Buried rib passive waveguide Y junctions with sharp vertex on InP", IEEE Photonics Technol. Letters, vol. 3, No. 3, March 1991, pp. 210-212; [2] H. Nishihara, et al., "Optical integrated circuits', McGraw-Hill Book Company, 1989, New York, cpt. 7 "Microfabrication techniques in optical integrated circuits", more particularly sections 7.2 and 7.3; [3] H. Lehman and R. Widmer, "Profile control by reactive sputter etching", J. Vac Sci. Technol., vol. 15, no. 22, 1978, pp. 319-326; [4] U. Niggebrugge and G. Garus, "A novel process for reactive ion et- ching on InP, using CH4/H2"( Inst. Phys. conf., symp. GaAs and related compounds, vol. 79, pp. 367-372, 1985.

D. Korte beschrijving van de tekening

De uitvinding zal hierna worden toegelicht aan de hand van een tekening bestaande uit de volgende figuren: FIG. 1 toont in doorsnede een lagenpakket, dat overeenkomstig de werkwijze volgens de uitvinding wordt bewerkt voor het realiseren van een Y-vormig golfgeleiderpatroon met een scherpe vertex: FIG. 2 omvat deelfiguren FIG. 2.1 t/m 2.4 welke achtereenvol gens het lagenpakket volgens FIG. 1 in een bovenaanzicht tonen in vier verschillende stadia van bewerking; FIG. 3 omvat deelfiguren FIG. 3.1 t/m 3.4 welke achtereenvol gens het lagenpakket volgens de in de deelfiguren FIG. 2.1 t/m 2.4 aangegeven lijnen III. 1 —111.1 t/m III.4-III.4 in een doorsnede tonen; FIG. 4 toont in een variant van de werkwijze volgens de uitvin ding een doorsnede van het lagenpakket in een stadium volgend op het stadium getoond in FIG. 3.2; FIG. 5 toont in de werkwijze-variant van FIG. 4 een doorsnede van het lagenpakket in een stadium overeenkomstig FIG. 3.3: FIG. 6 toont in de werkwijze-variant van FIG. 4 een doorsnede van het lagenpakket in een stadium overeenkomstig FIG. 3.4.

E. Beschrijving van een uitvoerinqsvoorbeeld

Kanaalvormige golfgeleiders op substraten van lll-V halfgeleidermate-rialen zoals indiumfosfide (InP) worden veelal vervaardigd door middel van het etsen van dijk-vormige patronen in een geschikt lagenpakket. Als ets-processen zijn daarbij ondermeer bekend het nat-chemisch etsen en het droog etsen. Aangezien dergelijke materialen kristallijn zijn en nat-chemisch etsen isotroop of via kristalvlakken verloopt, is het nat-chemisch etsen niet geschikt voor de realisatie van zich vertakkende kanaalvormige golfgeleiders op substraten van genoemde haifgeleidermaterialen. Voor het uitvoeren van het droog etsen is een viertal technieken bekend uit bijvoorbeeld referentie [2], te weten het plasma-etsen, het sputter-etsen, het ionen-bundel-etsen en het etsen met reactieve ionen (eng.: Reactive Ion Etching (RIE)). Al deze droge etstechnieken zijn in principe bruikbaar voor het realiseren van gebruikelijke golfgeleiderpatronen zoals 'ridge type', 'buried type' of 'strip loaded type' op dan wel in substraten van genoemde haifgeleidermaterialen. Het RIE-proces is echter het meest geschikte. Hierna zal bijwijze van voorbeeld de vervaardiging van een 'ridge type' golfgeleidende Y-junctie worden beschreven op basis van een InP-substraat, waarbij het RIE-proces wordt toegepast.

FIG. 1 toont in doorsnede een te bewerken lagenpakket omvattende een op InP gebaseerd substraat 1, waarop een dunne hulpmaskerlaag 2 van Si02 is aangebracht. Het substraat 1 omvat een basislaag 3 van InP, een lichtgeleidende laag 4 van InGaAsP, en een bovenlaag 5 van InP. De bovenlaag 5 is de laag welke moet worden voorzien van een patroon van dijken, dat het gewenste golfgeleiderpatroon, i.c. een golfgeleidende Y-junctie, in de lichtgeleidende laag 4 definiëert.

FIG. 2 met deelfiguren FIG. 2.1 t/m 2.4 en FIG. 3 met deelfiguren FIG. 3.1 t/m 3.4 tonen achtereenvolgens verschillende stadia van bewerking van het lagenpakket. Iedere deelfiguur FIG. 2.i (i = 1,-,4) toont het lagenpakket in een bovenaanzicht, terwijl de corresponderende deelfiguur FIG. 3.i het lagenpakket in een doorsnede weergeeft volgens de lijn lll.i-lll.i.. Op de dunne hulpmaskerlaag 2 wordt door middel van een fotolithografisch proces een eerste maskerpatroon 6 in foto lak aangebracht. Dit maskerpatroon 6 omvat een deel van een Y-vormig patroon, in dit voorbeeld de stam 6.1 en een zijtak 6.2 ervan, welke samen een patroon vormen voor een kanaalvormige golfgeleider met een knik in punt P. Dit stadium is weergegeven in FIG. 2.1 en FIG. 3.1. Vervolgens wordt in een eerste etsstap het eerste maskerpatroon 6 door middel van het droogetsen van de hulpmaskerlaag 2 in de hulpmaskerlaag 2 overgebracht. Daarna wordt de fotolak van het eerste maskerpatroon verwijderd. Van de hulpmaskerlaag 2 resteren slechts een stam 2.1 en een zijtak 2.2 van een Y-vormige patroon. Dit stadium is weergegeven in FIG. 2.2 en FIG. 3.2. Als volgende stap wordt op het substraat 1 door middel van een tweede fotolithografisch proces een tweede maskerpatroon van fotolak aangebracht, dat gedeeltelijk het in de hulpmaskerlaag 2 overgebrachte eerste maskerpatroon overlapt. Het tweede maskerpatroon omvat een rechte strook 7 voor een rechte kanaalvormige geleider, welke nabij de knik P de zijtak 2.2 van het Y-vormige patroon in de hulpmaskerlaag 2 overlappend snijdt onder een scherpe hoek. Dit stadium is weergegeven in FIG. 2.3 en FIG. 3.3. Het gecombineerde patroon van de resterende hulpmaskerlaag 2 en het tweede maskerpatroon van fotolak, i.c. rechte strook 7, wordt vervolgens gebruikt als masker in een tweede etsstap onder een proces van droogetsen van de InP-bovenlaag van het substraat met een RIE-proces, bijvoorbeeld met een CH4/H2-mengsel. Daarna wordt eerst de fotolak van het tweede maskerpatroon verwijderd; en ten- slotte de restanten van de hulpmaskerlaag 2. Dit laatste stadium is weergegeven in FIG. 2.4 en FIG. 3.4. Hierin is de dijk van de stam van het Y-vormige golfgeleiderpatroon met 1.1 aangeduid, de dijk van de eerste zijtak met 1.2, de dijk van de tweede zijtak met 1.3, en het geëtste bovenoppervlak van het substraat met 1.4. Tussen de eerste zijtak 1.2 en de tweede zijtak 1.3 is een scherpe vertex V ontstaan.

Het fotolithografische proces waarbij maskerpatronen in fotolak worden aangebracht en weer verwijderd is ondermeer bekend uit referentie [2] (meer in het bijzonder sectie 7.2 "Pattern techniques"). De fotolak kan bijvoorbeeld worden verwijderd met aceton of 02-plasma. Het droogetsen van een laag van siliciumdioxyde (Si02) geschiedt bijvoorkeur in een RIE-proces met fluorhoudende gassen zoals CHF3, waarbij echter indiumfosfide nauw-lijks of niet wordt aangetast; dit is bijvoorbeeld bekend uit referentie [3]. Het droogetsen van indiumfosfide in een RIE-proces met een CH4/H2-gasmengsel is op zich bekend uit referentie [4]. Uit referentie [4] is eveneens bekend dat niet alleen een materiaal als fotolak maar ook een materiaal als siliciumdioxyde daaronder resistent is. Beide materialen zijn derhalve onder een en hetzelfde droogetsproces met een CH4/H2-gasmengsel als maskermaterialen bruikbaar. De restanten siliciumdioxyde laten zich goed verwijderen met bijvoorbeeld een HF-oplossing of een CHF3-etsproces.

De hierboven beschreven werkwijze moet voldoen aan een drietal eisen: - de hulpmaskerlaag moet in een voldoend dunne laag kunnen worden gerealiseerd om de patronen van het tweede masker in fotolak niet te verstoren; - de materialen van de hulpmaskerlaag en het tweede masker moeten voldoende resistent zijn tegen de etsmiddelen van het tweede etspro-ces; - het in de hulpmaskerlaag overgebrachte eerste masker en het tweede masker vereisen uitlijnkenmerken ten opzichte van elkaar. Bij asymmetrische Y-vormige vertakkingen heeft dit vooral betrekking op de hoek tussen de twee rechte vertakkende armen; de relatieve positie van de vertakkende armen ten opzichte van elkaar is veel minder kritisch.

Het materiaal siliciumdioxyde blijkt aan de beide eerste eisen zeer goed te voldoen.

De hulpmaskerlaag siliciumdioxyde kan op het substraat worden aan gebracht met verschillende technieken, zoals door opdampen, door sputteren, of met een PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition)-pro-ces.

In plaats van siliciumdioxyde kunnen ook andere dielectrische materialen worden gebruikt, die gangbaar als maskermaterialen worden toegepast bij integratie-technieken voor de vervaardiging van componenten op basis van lll-V halfgeleidende materialen, zoals siliciumnitride (Si3N4) en silicium-oxynitride, een mengvorm van siliciumnitride en siliciumdioxyde.

Voorbeeld:

Uitgegaan is van een InP-substraat voorzien van een siliciumdioxyde laag van 70±5nm. Zowel voor het eerste als tweede fotolak masker is een positieve omkeerlak gebruikt (AZ5206E, fabrikaat Hoechst) met een laagdik-te van ca 600nm. Het verwijderen van het fotolak materiaal van het eerste en het tweede masker geschiedde in aceton en een nareiniging in buisvormige reactor plasma etser (eng: barrel etcher) met een zuurstof plasma van 65SCCM (Standard Cubic Centimeters per Minute) bij een RF-vermogen van 80-100W. De beide etsprocessen werden uitgevoerd met een Nextral Reac- tive lonen Etser model 110A.

Gegevens van het eerste etsproces: CHF3-plasma van 20SCCM bij 1,95Pa reactiekamerdruk en een RF-vermogen 55W (0,4W/cm2), en een Si02 ets-snelheid van 10±2nm/min.

Gegevens van het tweede etsproces: een mengsel van H2-plasma (35 SCCM) en CH4-plasma (7 SCCM) bij 6,65Pa reactiekamerdruk en een RF-vermogen 70W (0,6W/cm2), en een InP etssnelheid van 29±2nm/min.

Het verwijderen van de restanten van de siliciumdioxyde-laag geschiedde in een 10% HF-oplossing gedurende ca. 1min. bij omgevingstemperatuur, waarna het geëtste substraat nog chemisch werd gepolijst door onderdompeling in een 10% H3P04-oplossing gedurende 5min.

Bij de genoemde dikte (70nm) van de hulpmaskerlaag van siliciumdioxyde bleken op de hierboven beschreven wijze golfgeleidervertakkingen te realiseren met scherpe vertices met een afrondingsdiameter <s10nm.

Omdat de hulpmaskerlaag van Si02 in verhouding tot de fotolaklaag zeer dun kan worden uitgevoerd, kan de eerste etsstap toch nat-chemisch worden uitgevoerd, zonder noemenswaardige last te hebben van de hierboven genoemde bezwaren. Hiervoor kan een proces worden toegepast als hierboven aangeduid voor de verwijdering van de restanten van de silicium-oxyde-laag.

In het aan de hand van de FIG. 2.1 t/m 2.4 en FIG. 3.1 t/m 3.4 beschreven proces wordt het Y-vormige golfgeleider patroon in twee verschillende etsstappen gerealiseerd. Dit maakt de werkwijze volgens de uitvinding zeer geschikt voor de vervaardiging van in het bijzonder asymmetrische vertakkingen. Het beschreven proces resulteert in zijtakken 1.2 en 1.3 met dijkvormige patronen van gelijke dijkhoogte. Een gewenste asymmetrie in de zijtakken 1.2 en 1.3 kan eenvoudig worden bereikt door een verschil in dijkbreedte. In sommige gevallen is evenwel de mate van op deze wijze te verkrijgen asymmetrie niet voldoende. Een gewenste asymmetrie ontstaat eveneens, dan wel wordt nog versterkt, door een verschil in dijkhoogte tussen de vertakkingen. Een dergelijk verschil in dijkhoogte wordt bereikt door voorafgaande aan de stap van het aanbrengen van het tweede maskerpa-troon 7 van fotolak het niet door resten 2.1 en 2.2 van de hulpmaskerlaag 2 (met daarop eventueel nog aanwezige resten 6.1 en 6.2 van het eerste maskerpatroon) bedekte delen van het substraat 1 reeds te etsen over een eerste etsdiepte d1 in een intermediaire etsstap. FIG. 4 toont, op overeenkomstige wijze als FIG. 3.2 en bij eenzelfde bovenaanzicht als weergegeven in FIG. 2.2, een beeld van de doorsnede van het lagenpakket in dit stadium, dus onmiddellijk na het het uitvoeren van de intermediaire etsstap. Vervolgens wordt het tweede maskerpatroon 7 aangebracht in de gedeeltelijk de resten van de hulpmaskerlaag 2 overlappende positie. FIG. 5 toont van dit stadium een met deelfiguur FIG. 3.3 overeenkomend doorsnedebeeld. Daarna wordt het etsen van de InP-bovenlaag van het substraat 1 voortgezet in de tweede etsstap over een etsdiepte d2. Na verwijdering van de fotolak van het tweede maskerpatroon 7 en de restanten van de hulpmasker 2 blijft weer een Y-vormig golfgeleiderpatroon over, waarvan de dijken van de stam 1.1 en de eerste zijtak 1.2 een hoogte d1+d2 hebben en de dijk van de zijtak 1.3 een hoogte d2 heeft. FIG. 6 toont van dit laatste stadium een met deelfiguur FIG. 3.4 overeenkomend doorsnedebeeld.

Het etsen van de InP-bovenlaag van het substraat over een diepte d·, in de intermediaire etsstap kan worden uitgevoerd als voortzetting van het etsproces in de eerste etsstap, waarmee het eerste maskerpatroon 6 in de hulpmaskerlaag 2 wordt overgebracht. In dat geval moet de eerste etsstap worden uitgevoerd met etsmiddelen, die tevens de InP-bovenlaag kunnen etsen. Hiervoor kunnen bijvoorbeeld de fluorhoudende gassen zoals CHF3 van de eerste stap worden gebruikt, zij het dat de etssnelheid voor InP zeer laag is en derhalve zo'n voorzetting van het eerste etsproces lang zal duren. Een tweede mogelijkheid is, dat de intermediaire etsstap wordt gerealiseerd door de tweede etsstap in twee deelstappen uit te voeren, waarbij het droogetsen van de InP-bovenlaag met het genoemde RIE-proces al wordt begonnen vóór het aanbrengen van het tweede maskerpatroon 7 van foto-lak, en wordt voortgezet na het aanbrengen ervan. Een derde mogelijkheid is door de eerste etsstap en de tweede etsstap met dezelfde droge etsmiddelen uit te voeren, en tijdens de eerste etsstap al de bovenlaag van het substraat tot een diepte d, te etsen. De tweede en derde mogelijkheid voor het realiseren van de intermediaire etsstap vereisen vanzelfsprekend een nauwkeurige timing van etsduur om de gewenste etsdiepten d, en d2 te bereiken met voldoende nauwkeurigheid.

Claims (9)

1. Werkwijze voor de vervaardiging van vertakkende of elkaar kruisende kanaalvormige golfgeleiders op een substraat insluitende een lichtgeleidende laag, op welk substraat tenminste één hulpmaskerlaag is aangebracht, welke werkwijze de volgende stappen omvat: - het aanbrengen van een eerste maskerpatroon van fotogevoelig materiaal op de hulpmaskerlaag, welk eerste maskerpatroon een deelpatroon voor een eerste kanaalvormige golfgeleider insluit, - een eerste etsstap voor het met eerste etsmiddelen etsen van de hulpmaskerlaag niet bedekt door het eerste maskerpatroon, - het verwijderen van het fotogevoelige materiaal van het eerste maskerpatroon, waarbij restanten van de hulpmaskerlaag achterblijven overeenkomstig het eerste maskerpatroon, - het aanbrengen van een tweede maskerpatroon van fotogevoelig materiaal gedeeltelijk over de restanten van de hulpmaskerlaag, welk tweede maskerpatroon een deelpatroon voor een tweede kanaalvormige golfgeleider insluit, welke een scherpe hoek maakt met de eerste golfgeleider, - een tweede etsstap voor het met tweede etsmiddelen etsen van niet door het tweede maskerpatroon bedekte delen, - het verwijderen van het fotogevoelige materiaal van het tweede maskerpatroon, met het kenmerk, dat de tweede etsstap wordt uitgevoerd met droge etsmiddelen, waarbij het substraat voorzien is van slechts één hulpmaskerlaag van een materiaal resistent onder de tweede etsstap.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat na de eerste etsstap en vóór de stap van het aanbrengen van het tweede maskerpatroon een intermediaire etsstap wordt uitgevoerd met droge etsmiddelen, voor het etsen van niet door de restanten van de hulpmaskerlaag bedekte delen van het substraat.

3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat in de eerste etsstap etsmiddelen worden toegepast, waarmee het substraat etsbaar is, en de intermediaire etsstap wordt uitgevoerd met dezelfde etsmiddelen als toegepast in de eerste etsstap, waarbij de eerste etsstap wordt voortgezet ook nadat de niet door het eerste maskerpatroon bedekte delen van de hulpmaskerlaag zijn weggeëtst.

4. Werkwijze volgens conclusie 2 of 3, met het kenmerk, dat de intermediaire etsstap wordt uitgevoerd met dezelfde etsmiddelen als toegepast in de tweede etsstap.

5. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de tweede etsstap wordt uitgevoerd met een 'reactive ion et-ching'-proces, waarbij het van de lichtgeleidende laag voorziene substraat uit lll-V halfgeleidermateriaal en de hulpmaskerlaag uit diëlektrisch materiaal is vervaardigd.

6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de eerste etsstap wordt uitgevoerd met een 'reactive ion etching'-proces.

7. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste etsstap nat-chemisch wordt uitgevoerd.

8. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat, dat de restanten van de hulpmaskerlaag worden verwijderd in een derde etsstap.

9. Werkwijze volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de derde etsstap wordt uitgevoerd met dezelfde etsmiddelen als gebruikt in de eerste etsstap.