NL9200725A - Raam van electrische geleiders, geschikt voor gebruik bij halfgeleider-elementen, en werkwijze voor de bewerking daarvan. - Google Patents
Raam van electrische geleiders, geschikt voor gebruik bij halfgeleider-elementen, en werkwijze voor de bewerking daarvan. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9200725A NL9200725A NL9200725A NL9200725A NL9200725A NL 9200725 A NL9200725 A NL 9200725A NL 9200725 A NL9200725 A NL 9200725A NL 9200725 A NL9200725 A NL 9200725A NL 9200725 A NL9200725 A NL 9200725A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- conductors
- window
- mounting location
- frame
- plating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
Korte aanduiding: Raam van eiectrische geleiders, geschikt voor gebruik bij halfgeleider-elementen, en werkwijze voor de bewerking daarvan.
De uitvinding heeft betrekking op een raam van eiectrische geleiders ("lead frame"), geschikt voor gebruik bij halfgeleider-elementen zoals geïntegreerde schakelingen (IC), dat een montageplaats, waarop een halfgeleider-element monteerbaar is, bevat en geleiders, die zich vanaf de montageplaats naar buiten toe uitstrekken en met hun naar de montageplaats gekeerde einden electrisch verbindbaar zijn met aansluitcontacten van het halfgeleider-element. Verder heeft de uitvinding betrekking op een werkwijze voor het bewerken van een dergelijk raam van eiectrische geleiders.
Beschrijving van de stand van de techniek.
Bij de montage van halfgeleider-elementen zoals IC1 s is gewoonlijk vereist dat de montagemethode zeer betrouwbaar en goedkoop is. Ten gevolge van de recente tendens naar vergroting van de schaal waarop schakelingen in een halfgeleider-IC worden geïntegreerd, bevat de IC-com-ponent een groot aantal pennen en is er dientengevolge sprake van een zeer geringe afstand tussen de pennen. Zelfs de geavanceerde precisie-sol-deertechniek kan echter een dergelijke versnelde tendens naar schaalvergroting van de halfgeleider-IC niet bijhouden.
Kort gezegd is het bij het solderen van de aansluitcontacten van de IC met het grote aantal pennen en de geringe afstand tussen de pennen buitengewoon moeilijk om constant de vooraf bepaalde hoeveelheid sol-deermiddel aan de kleine soldeerplaats van de IC toe te voeren. Gewoonlijk worden deze IC's door werklieden voornamelijk met de hand gesoldeerd.
Wanneer bij dergelijk solderen met de hand het soldeermiddel aan de kleine soldeerplaats wordt toegevoerd, doet zich het bezwaar voor dat de toegevoerde hoeveelheid soldeermiddel niet kan worden bepaald. Wanneer zodoende de toegevoerde hoeveelheid soldeermiddel kleiner is dan de vereiste hoeveelheid, kan het de gesoldeerde verbindingsplaats ontbreken aan sol deersterkte. Wanneer aan de andere kant de toegevoerde hoeveelheid te groot is, ontstaat er een brug-verbinding met naburige aansluitcontacten die wordt gevormd door overmatig soldeermiddel, waardoor er kortsluiting optreedt.
Dergelijke bezwaren kunnen worden ondervangen met een andere montagemethode om de bovengenoemde soort halfgeleider-elementen op het substraat te monteren. Bij deze methode worden de aansluitcontacten van de IC vooraf met een soldeermiddel geplateerd. Vervolgens wordt bij het monteren van de IC op het substraat en het electrisch verbinden van de IC met het circuit op het substraat het soldeeraidéel vanuit de uitwendige apparatuur aan de verbindingsplaats toegevoerd.
Bij de bovengenoemde methode wordt het vooraf met solde©?-middel plateren van de aansluitcontacten van het halfgeleider-element esbrui kt om een betere lekvrije verbinding roet het door de uitwendige apparatuur geleverde soldeermiddel te verkrijgen. Hierbij wordt een plateer-laag van soldeermiddel gemaakt met een dikte van enkele micrometers. Ern dergelijke dunne plateerlaag van soldeer kan echter niet voldoende sterkte van de verbinding leveren. Om het gebrek aan sterkte van de verbinding; te compenseren wordt daarom soldeermiddel uit de uitwendige apparatuur toegevoerd en wel volgens een van de volgende methoden.
Als methode voor het toevoeren van het soldeermiddel zijn ée volgende vier methoden beschikbaar. Bij de eerste methode wordt het soldeermiddel toegevoerd door gebruik te maken van soldeerdraad. Bij de tweede methode wordt soldeerpasta vooraf op het contactvlak van het substraat aangebracht door middel van zeefdrukken. Bij de. derde methode wordt soldeerpasta op het contactvlak varr het substraat aangebracht door gebruik te maken van een doseerinrichting. Bij de vierde methode wordt het substraat in een soldeermiddelbad gedompeld.
Bij IC-componenten van het zogenoemde QFP-type met hun vale pennen en geringe afstand tussen de aansluiitcontacten, bedraagt een dergelijke afstand bijvoorbeeld 0,65 ros of mindere. Zelfs wanneer in dit geval de bovengenoemde methoden worden gebruikt, wordt, indien de hoeveelheid toegevoerd soldeermiddel enigszins te groot is, de eerder genoemde ferag van het overtollige soldeermiddel tussen de aansluitcontacten gevormd. Indien anderzijds de toegevoerde hoeveelheid enigszins kleiner is dan. de vereiste hoeveelheid, kan er geen voldoend grote sterkte van de verbindings worden verkregen. Het is daarom dan ook teel moeilijk om de juiste hoeveelheid soldeermiddel aan de kleine soldeerplaats toe te voeren.
Met het oog op bovengenoemde omstandigheden hebben de mfi-vinders van de onderhavige uitvinding een nieuwe methode voorgesteld* waarbij de juiste hoeveelheid soldeer®!dde1 op het aansluitcontact wordit aangebracht door dit contact met soldeer te plateren, waarbij een plateer- laag van relatief grote dikte op het aansluitcontact van de IC wordt verkregen.
In fig. 1 is gereedschap 1 weergegeven dat wordt gebruikt bij het met soldeermiddel galvaniseren van een groot aantal aansluitcon-tacten 6 waarover een IC-component van het type QFP beschikt. Dit gereedschap bestaat uit een bovenste lijst 3, een onderste lijst 2 en schroeven 4. De beide lijsten 2 en 3 zijn rechthoekig van vorm en de bovenste lijst 3 is gemaakt van messing terwijl de onderste lijst 2 is gemaakt van een niet-geleidend materiaal.
Zoals in fig. 2 is getoond, is het grootste gedeelte 5 van de IC-component van het QFP-type met een groot aantal pennen tussen de onderste lijst 2 en de bovenste lijst 3 aangebracht. Deze lijsten 2 en 3 worden aan elkaar vastgemaakt met behulp van de schroeven 4 zodat de aan-sluitcontacten 6 van het hoofdgedeelte 5 er tussen zitten. Het gereedschap 1 wordt met de aansluitcontacten 6 in een galvaniseerbad A gedompeld. Door het gereedschap 1 met een kathode te verbinden en een soldeerstaaf 7 in het bad A met een anode te verbinden, vindt het galvaniseren met soldeermiddel plaats.
Bij het met soldeermiddel galvaniseren van de aansluitcontacten van de IC van het type QFP is het mogelijk dat de opstelling van de aansluitcontacten bij de vier hoeken van de IC niet correct is. Dit kan ertoe leiden dat de dikte van de plateerlaag van de in de buurt van de vier hoeken gelegen aansluitcontacten groter is dan die van de andere aansluitcontacten. Wanneer de IC van het type QFP dan op het substraat wordt gemonteerd, doet zich het bezwaar voor dat er kortsluiting kan optreden tussen de aansluitcontacten die in de nabijheid van de vier hoeken van de IC zijn gelegen en wel doordat er een brugverbinding tussen deze aansluit-contacten wordt gevormd. Vanwege de niet-constante dikte van de plateer-la&g van de aansluitcontacten treedt er nog een bezwaar op en wel dat de sterkte van de montage van de IC van het type QFP niet stabiel is. Bij andere IC-componenten dan de bovengenoemde IC van het type QFP kan de dikte van de plateerlaag bij de aansluitcontacten variëren indien de afstand tussen deze contacten niet constant is.
Met verwijzing naar de figuren 3 en 4 zal er nu een beschrijving worden gegeven van een ander voorbeeld van een conventioneel raam van electrische geleiders. Fig. 3 toont in een bovenaanzicht de alge- mene uitvoering van hit hoekc-daalte van een conventioneel raam van elec-trische geleiders» Hierbij zijn geleiders 22 gerangschikt rondom een mcrnr·-tageplaats 21 voor een halfgeleider-element. De buitenwaarts gelegen- ern-den van de geleiders 22 zijn met elkaar verbonden via verbindingsstrippem 23. Verder zijn de binnenwaarts gelegen einden van de geleiders 22 mefc dfe respectieve zijkanten van de montageplaats 21 verbonden via dammen 24» Hfedt niet weergegeven halfgeleider-element wordt op de montageplaats 21 geamai*-teerd. Vervolgens wordt het halfgeleider-element door middel van drasscfr-hechten {"wire-bonding") verbonden met de binnenwaarts gelegen einden* vierde geleiders 22. Daarna vindt het gieten plaats.
Fig. 4a is een perspectivisch zij-aanzicht dat het rasss electrische geleiders weergeeft dat aan het gietproces is onderworpst!,* waarbij met het verwijzingscijfer 25 giethars is aangeduid waarin tót halfgeleider-element is gegoten. Zoals in deze tekening is weergegeven worden er verscheidene ramen van electrische geleiders opeenvolgend ge-maakt. In dê2e toestand wordt het hars-druppelprocédë toegepast teneïndte onnodig gietmateriaal van het raam van electrische geleiders te verwijderen en een sni jbewerking wordt toegepast om de dammen 24 door te snfjjdbr.. Zo gaat de toestand van het raam van electrische geleiders zoals getaand: in fig. 4a over naar de volgende toestand zoals getoond in fig. 4b. E® dfer-ze toestand vindt het plateren plaats onder gebruikmaking van soldeenrftfc-del, tin, zeldzaam aardmetaal enzovoorts. Zoals in fig. 4c is weergegeusn worden de geleiders 22 vervolgens gebogen. Daarna wordt het raam van elec-trische geleiders eruit gehaald, waarmee het gehele vervaard!gingspreisDess van het raam is voltooid.
Bij het bovengenoemde procédé worden de geleiders 22 gelasten· na het plateren met metaal. Daarom kan bij het buigen van de geleiders- Ήί het geplateerde oppervlak daarvan in contact komen met en geschuurd wsrcfesr door het oppervlak van'de mal zodat'er scheurtjes en barstjes incfë p.l&-teêrlaag van de geleiders 22 kunnen ontstaan. Een dergelijk mankement: schaadt het uiter!ijk van het raam van electrische geleiders en het teefrfe ook een nadelige invloed op het solderen tijdens het monteren, vaans ftet. halfgeleider-element.
Om aan een dergelijk ongemak het hoofd te bieden srfceTfem dfe uitvinders een nieuwe bewerkingsmethode voor, waarbij het plateren n® het: buigen wordt uitgevoerd. Het conventionele raam van electrische geleiders· wordt echter geproduceerd onder de aanname dat het buigen na het plateren plaatsvindt. Daarom moet ook bij de bovengenoemde nieuwe bewerkingsmethode bij het buigen elke geleider worden gescheiden of moet elke kant van de omhulling van giethars electrisch worden gescheiden van de andere kanten. Het zou derhalve vereist zijn dat de stroomtoevoer aan elke geleider of geleiders aan elke kant plaatsvindt, hetgeen het plateerproces ingewikkeld maakt. Wanneer bijvoorbeeld het buigen bij het raam van electrische geleiders zoals getoond in fig. 3 plaatsvindt, moet de arm "a" van de geleiders 22 worden gescheiden opdat elke kant van de montageplaats 21 electrisch onafhankelijk wordt van de andere kanten. Dit betekent dat indien de arm "a", die zich vanaf een raam-omtreksdeel 26 uitstrekt, niet wordt afgesneden het buigen van de geleiders 22 niet kan worden uitgevoerd.
Samenvatting van de uitvinding
Doel van de onderhavige uitvinding is een raam van electrische geleiders te verschaffen waarop een soldeerlaag kan worden gegalvaniseerd met een voor alle geleiders gelijke laagdikte.
Een verder doel van de uitvinding is om een raam van electrische geleiders te verschaffen waarbij scheuren en barsten in de geleiders op gemakkelijke wijze worden voorkomen.
Ter verwezenlijking van het beoogde doel is het raam van electrische geleiders van de in de inleiding aangeduide soort volgens de uitvinding gekenmerkt doordat er hulpgeleiders aanwezig zijn, die elk naast een vooraf bepaalde geleider zijn gelegen, waarbij de afstand tussen naburige geleiders en die tussen geleiders en naburige hulpgeleiders dezelfde is.
Bij de bovengenoemde constructie bevinden alle geleiders zich onderling op dezelfde afstand. Bij het met soldeermiddel galvaniseren van het raam van electrische geleiders is het zodoende mogelijk om op elk van de geleiders electrisch een soldeer-plateerlaag aan te brengen, welke laag bij alle geleiders dezelfde dikte heeft.
Een gunstige uitvoeringsvorm van het raam van electrische geleiders, waarbij de montageplaats de vorm van een rechthoek heeft, is volgens de uitvinding gekenmerkt doordat de hulpgeleiders in de nabijheid van de hoekpunten van de montageplaats zijn gelegen.
De uitvinding heeft verder betrekking op een raam van electrische geleiders, bevattende “ een montageplaai. waarop een halfgeleider-element monteer- baar is; - geleiders die zich vanaf de montageplaats naar buiten toe uitstrekken.
Dit raam van electrische geleiders is volgens de uitvinding gekenmerkt doordat het is voorzien van raam-omtreksdelen die rondom de montageplaats 2ijn gelegen en ongeveer in hetzelfde vlak met elkaar zijn verbonden en tussen de raam-omtreksdelen en de vlak bij de montageplaats gelegen einden van de geleiders verbindingselementen zijn aangebracht om de raam-omtreksdelen en de geleiders electrisch met elkaar te verbinden.
Bij het buigen van de bovengenoemde geleiders worden slechts de ver van de montageplaats, buitenwaarts gelegen geleiderdelen gebogen. Aangezien de geleiders, de raam-omtreksdslen en de verbindingselementen ongeveer in hetzelfde vlak liggen, kunnen de ertussen bestaande verbindingen na het buigen behouden blijven* Daarom kan er na het buigen aan het raam van electrische geleiders stroom worden toegevoerd via de raam-omtreksdelen. Zodoende kan het plateren genakkelijk worden uitgevoerd.
Een voorkeursuitvoeringsvorm' van het raam van electrische geleiders volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat elk verbindings-element bij een hoekpunt van de, in de vorm van een rechthoek uitgevoerde, montagepl aats is gelegen en 1$ verbonden met de aan beide zijden van het hoekpunt gelegen geleiders.
De uitvinding heeft verder betrekking op een werkwijze voor het bewerken van een raam van electrisehe geleiders, waarbij een geïntegreerde schakeling van halfgeleider-materiaal op een montageplaats van het raam wordt gemonteerd. Deze werkwijze is volgens de uitvinding gekenmerkt doordat het raam vervolgens wordt bedekt met isolatiemateriaal, de uit de bedekking stekende geleiders worden gebogen, en de geleiders worden geplateerd. Bij voorkeur- wordt er geplateerd met soideermiddel5 dat Sn en Pb bevat.
Bij de bovengenoemde methode wordt er geplateerd na het buigen van de geleiders. De plateer!aa§ wordt zodoende volgens de gebogen vorm van de geleider aangebracht.
Korte beschrijving van de tekeningen
Verdere doelen en voordelen van de onderhavige uitvinding zullen duidelijk worden uit de volgende beschrijving onder verwijzing naar de bijgevoegde tekeningen waarin de voorkeursuitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding duidelijk zijn getoond.
In de tekeningen is het volgende getoond: fig. 1 is een perspectivisch aanzicht van gereedschap dat bij het met soldeermiddel galvaniseren van een conventioneel raam van electrische geleiders wordt gebruikt; fig. 2 is een tekening als toelichting op de methode van het met soldeermiddel galvaniseren onder gebruikmaking van het in fig. 1 getoonde conventionele gereedschap; fig. 3 is een bovenaanzicht van een ander voorbeeld van een conventioneel raam van electrische geleiders; fig. 4 toont bewerkingsstadia bij het bewerken van een conventioneel raam van electrische geleiders; fig. 5 toont in bovenaanzicht een halfgeleider-IC onder gebruikmaking van een raam van electrische geleiders volgens een eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; fig. 6 is een perspectivisch aanzicht van de halfgeleider-IC, waarbij de bewerking van de geleiders heeft plaatsgevonden; fig. 7 is een perspectivisch aanzicht van een raam van electrische geleiders volgens een tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; fig. δ toont in dwarsdoorsnede een gedeelte van het raam van electrische geleiders volgens de tweede uitvoeringsvorm; fig. 9a tot 9e tonen bewerkingsstadia van een halfgeleider-IC onder gebruikmaking van het raam van electrische geleiders volgens de tweede uitvoeringsvorm; fig. 10 is een zij-aanzicht dat de onderlinge ligging van gietharsgedeelte en raam-omtreksgedeelte bij het plateren weergeeft; fig. 11 en 12 tonen varianten op het raam van electrische geleiders volgens de tweede uitvoeringsvorm; fig. 13 is een zij-aanzicht dat een gedeelte van een variant op het raam van electrische geleiders volgens de tweede uitvoeringsvorm bij het plateren toont.
Beschrijving van de voorkeursuitvoeringsvormen (A) Eerste uitvoeringsvorm
Fig. 5 is een bovenaanzicht van een halfgeleider-IC, waarbij gebruik wordt gemaakt van een raam 10 van electrische geleiders van het type QFP volgens de eerste uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. In fig. 5 ia een halfgeleider-chip op het niet getoonde eiland (d.w.z. montageplaats) van het raam 10 gemonteerd; de geleiders 6 en de aansluit-contacten van de halfgeleider-chip zijn aan elkaar bevestigd door middel van draadhechten ("wire-bonding"5; het centrale bovengedeelte 5 bestaat uit giethars. Bij de acht geleiders 6, die bij elk van de vier hoeken van de IC-component van het type QFP zijn gelegen, zijn in totaal acht hulpgeleiders 6a tot 6h aanwezig, die niet met de aansluitcontacten van de halfgeleider-chip zijn verbonden. De afstand tussen elke hulpgeleider 6a tot 6h en zijn naburige geleider 6 is gelijk aan de afstand tussen twee naburige geleiders 6. Voor wat betreft de geleiders 6 die in de nabijheid van de vier hoeken liggen, is, net als bij de andere geleiders 6, de afstand tussen twee naburige geleiders dezelfde. Van de hulpgeleiders 6a, 6b en de geleiders 6 die aan de onderkant van het rechthoekige centrale deel 5 zijn gelegen zijn de buitenwaarts gelegen einden met elkaar verbonden. Dezelfde verbinding bestaat met betrekking tot de andere hulpgeleiders en geleiders die aan de andere kanten van het centrale gedeelte 5 zijn gelegen. Kortom, aan elke kant van het centrale gedeelte 5 zijn twee hulpgeleiders verbonden met de ertussen!iggende geleiders ter plaatse van hun buitenwaarts gelegen einden, zodat de hulpgeleiders niet los staan van de geleiders 6. Verder 2ijn de binnenwaarts gelegen einden van de hulpgeleiders 6b en 6c via een verbindingselement Π verbonden met een omtreksgedeelte 10b van het raam 10, terwijl de binnenwaarts gelegen einden van de hulpgeleiders 6d en 6e via een verbindingselement 12 zijn verbonden met een ander om-treksgedeelte 10a van het raam 10. Evenzo zijn de binnenwaarts gelegen einden van de hulpgeleiders 6f en 6g via een verbindingselement 13 verbonden met het raam-omtreksgedeelte 10a terwijl de binnenwaarts gelegen einden van-de hulpgeleiders.-6a en 6h via een element 14 van giethars met het raam-omtreksgedeelte 10b zijn verbonden. Kortom, alle geleiders 6 en hulpgeleiders 6a-5h zijn elektrisch ®et elkaar verbonden zodat ze onderling kortgesloten zijn.
Alvorens het plateren met soldeer plaatsvindt, waarbij er een plateer!aag van soldeer met een relatief grote dikte wordt gevormd, worden de geleiders vervormd zodat de geleiders 6 en hulpgeleiders 6a-6h in de vooraf bepaalde vorm worden gebogen zoals getoond in fig. 6. In verband met het elektro-plateren (galvaniseren) wordt vervolgens het raam 10 verbonden met de kathode terwijl de anode tegenover de geleiders 6 en de hulpgeleiders 6a-6h wordt geplaatst. In deze toestand wordt het raam 10 in het galvaniseerbad gedompeld om het galvaniseren te doen plaatsvinden. Daarbij wordt op de geleiders 6 en hulpgeleiders 6a-6h elektrisch een plateer!aag van soldeer aangebracht. In dit geval is de dikte van de plateerlaag van de hulpgeleiders 6a-6h, die bij de hoeken van het centrale gedeelte 5 zijn gelegen, groter dan de dikte van de plateerlaag van de geleiders 6. Behalve bij de hulpgeleiders 6a-6h wordt echter bij alle geleiders 6 dezelfde dikte van de plateerlaag verkregen.
Na voltooiing van het galvaniseren met soldeer worden de buitenwaarts gelegen einden van de geleiders 6 en hulpgeleiders 6a-6h afgesneden zodat alle geleiders 6, 6a-6h bij hun genoemde einden van elkaar worden gescheiden. Vervolgens worden de verbindingselementen 11-13 en het element 14 van giethars afgesneden zodat ze worden gescheiden van het centrale gedeelte 5. Dientengevolge wordt de halfgeleider-IC gescheiden van het raam 10, waarbij deze halfgeleider-IC alleen de geleiders 6 aan de vier kanten van het centrale gedeelte overhoudt. Aldus is het mogelijk om een halfgeleider-IC te verkrijgen met op alle geleiders een plateerlaag van soldeer van dezelfde, relatief grote dikte.
[B] Tweede uitvoeringsvorm (1) Constructie
Fig. 7 is een perspectivisch aanzicht van het raam van elektrische geleiders volgens de tweede uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding, terwijl fig. 8 in een dwarsdoorsnede een gedeelte van dit raam toont. Deze figuren komen overeen met de situatie waarbij het buigen van de geleiders heeft plaatsgevonden.
In fig. 7 is met het verwijzingscijfer 30 een verbindingselement aangeduid waarvan het binnenwaarts gelegen einde de vorm van een V heeft (zie het met een stippellijn omgeven gedeelte "X" van fig. 7). De linkerarm van de V is verbonden met het binnenwaarts gelegen einde van de uiterst rechts gelegen geleider van de langs de kant XI opgestelde geleiders 22. De rechterarm van de V is verbonden met het binnenwaarts gelegen einde van de uiterst linkse geleider van de langs de kant X2 opgestelde geleiders 22. Een dergelijke verbinding kan zelfs bij het voorafgaande buigen worden behouden. Zoals in fig. 8 is weergegeven wordt elke geleider 22 gebogen op £%n cis* : afstand ligt van het binnenwaartse einde daarvan. Daarom .orct ige gedeelte van het verbindingselement 30 bij de2Ê bewerking niet v . . ,-u Hierdoor wordt het verbindingselement 3® niet van de geleioer; 2·· caiden.
Verder zijn c;e langs elke kant van het gedeelte 2£ «©$ giethars gelegen geleiders 22 met elkaar verbonden via een verbindin§s-strip 23. Daardoor is het mogelijk om via het raam-omtreksgedeeUe 26 doosr alle geleiders een stroom te voeren. Zodoende is de stroomvoering bij te galvaniseren gemakkelijk.
(2) Bewerkingsmethode
Fig. 9(a) tot 9(e) zijn perspectivische aanzichten die ds bewerkingsmethode van het raam van elektrische geleiders volgens de tweede uitvoeringsvorm illustreren.
De fig. 9(a) tot 9(c) komen overeen met respectievelijk 4(a) tot 4(c), waarbij zich respectievelijk het hars-druppelprocédë, tet doorsnijden van de dammen en het buigen van de geleiders afspeelt. Fig„ 9(b) verschilt hierbij enigszins van fig. 4{b) en wel hierin dat de geleiders 22 niet worden geplateerd. Bij de tweede uitvoeringsvorm heeft het plateren plaats uitgaande van de situatie van fig. 9 (c) waarin het bui ge# is voltooid.
Fig. 10 laat in een zij-aanzicht de onderlinge ligging va» het gietharsgedeelte 25 en het raam-omtreksgedeeUe 26 zien op het moment dat het plateren moet beginnen. Het binnenwaarts gelegen einde van te verbindingselement 30 ligt hierbij ongeveer in hetzelfde vlak aTs fef raam-omtreksgedeelte 26.
Zoals getoond in fig. 9(d) wordt na het plateren de verbfn-dingsstrip 23 evenals het verbindingselement 30 afgesneden en wordt de halfgeleider-IC eruit gehaald (zie fig. 9(e)).
Met- dê bovengenoemde bewerkingsstappen is het magelijk om. die volgende effecten te verkrijgen.
1. De plateerlaag wordt overeenkomstig de gebogen vorm; v» de geleider gevormd zodat wordt voorkomen dat er in het oppervlak van te gebogen gedeelte van de geleider scheurtjes en barstjes ontstaan.
2. Het is mogelijk om de dikte van de plateerlaag op dte geleider naar keuze te regelen. Zodoende kan de dikte van de platering oei; zodanig worden geregeld dat de plateerlaag op het buitenwaarts geTefKB
einde van de geleider dikker is dan die op het binnenwaarts gelegen einde van de geleider.
3. Het is mogelijk om naar keuze de verhouding van de bestanddelen van het Sn en Pb bevattende soldeermiddel te regelen. ' 4. Bij de bovengenoemde bewerkingsmethode is het moge!ijk om behalve met soldeer te plateren met goud, zeldzaam aardmetaal en dergelijke.
(3) Modificaties
De tweede uitvoeringsvorm kan verder worden gewijzigd zoals in fig. 11 en 12 is weergegeven.
In fig. Π liggen verbindingselementen 35 langs geleiders 22 die op een hoek van het gietharsgedeelte 25 zijn gelegen. Het binnenwaarts gelegen einde van een verbindingselement 35 is verbonden met het binnenwaarts gelegen einde van de naburige geleider 22 op een plaats die dichterbij het gietharsgedeelte 25 ligt dan de dam 24. Bij deze gewijzigde versie kan, net zoals bij de voorgaande constructie van de tweede uitvoeringsvorm, de verbinding tussen het verbindingselement 35 en de geleider 22 na het buigen worden behouden. Fig. 13 toont van deze modificatie de onderlinge ligging van het raam-omtreksgedeelte en het binnenwaarts gelegen einde van de geleider 22 na het buigen. Ze liggen ongeveer in hetzelfde vlak en zijn niet van elkaar gescheiden. Zodoende is het mogelijk om via het raam-omtreksgedeelte door alle geleiders 22 een stroom te voeren.
Zoals bij de constructie van fig. 7 heeft in fig. 12 het binnenwaarts gelegen einde van het verbindingselement 40 de vorm van een V. Het middengedeelte van dit verbindingselement is echter verschillend.
Opgemerkt wordt dat de uitvinding ook op andere wijzen kan worden toegepast of belichaamd zonder buiten de uitvindingsgedachte of het wezenlijke karakter van de uitvinding, zoals hierboven beschreven, te komen. Daarom zijn de hier beschreven voorkeursuitvoeringsvormen illustratief en niet-beperkend. De omvang van de uitvinding is aangegeven door de bijliggende conclusies en alle variaties die binnen de betekenis van de conclusies vallen worden geacht daardoor te zijn omvat.
Claims (6)
1. Raam van elektrische geleiders* geschikt voor gebruik bij een halfgeleider-element zoals een IC, bevattende - een montageplaats waarop een halfgeleider-element msn- teerbaar is, * geleiders, die zich vanaf de montageplaats naar buiten toe uitstrekken en met hun naar de montageplaats gekeerde einden elektrisch verbindbaar zijn met aansluitcontacten van het halfgeleider-element, mei het kenmerk, dat er hulpgeleiders aanwezig zijn die elk naast een vooraf bepaalde geleider zijn gelegen, waarbij de afstand tussen naburige geleiders en die tussen een geleider en een naburige hulpgeleider dezelfde is.
2. Raam van elektrische geleiders volgens conclusie 1, waarbij de montageplaats de vorm van een rechthoek heeft, met het kenmerk, dat ds hulpgeleiders in de nabijheid van de hoekpunten van de montagepl aats zijn gelegen.
3. Raam van elektrische geleiders, bevattende - een montageplaats waarop een halfgeleider-element monteer- baar is, - geleiders, die zich vanaf de montageplaats naar buiten toe uitstrekken, met het kenmerk, dat het raam is voorzien van raam-omtreksde-len, die rondom de montageplaats zijn gelegen en ongeveer in hetzelfde vlak met elkaar zijn verbonden en tussen de raam-omtreksdelen en de nabij de montageplaats gelegen einden van de geleiders verbindingselementen zijn aangebracht om de raam-omtreksdelen en de geleiders elektrisch met elkaar te verbinden.
4. Raam van elektrische geleiders volgens conclusie 3S met het kenmerk, dat elk verbindingselement bij een hoekpunt van de, in de vorm van een rechthoek uitgevoerde, montageplaats ligt eri is verbonden met de aan beide zijden van het hoekpunt gelegen geleiders.
5. Werkwijze voor het bewerken van een raam van elektrische geleiders, waarbij een geïntegreerde schakeling van halfgeleidermateriaal op een montageplaats van het raam wordt gemonteerd, met het kenmerk, dat - het raam vervolgens wordt bedekt met isolatiemateriaal, - de uit de bedekking stekende geleiders worden gebogen, en - de geleiders worden geplateerd.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat het plateren bestaat uit plateren met een soldeermiddel dat Sn en Pb bevat.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9200725A NL195026C (nl) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Werkwijze voor het bewerken van een raam van elektrische geleiders voor een halfgeleiderelement. |
US08/074,044 US5347709A (en) | 1992-04-22 | 1993-06-08 | Method of making lead frame |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9200725A NL195026C (nl) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Werkwijze voor het bewerken van een raam van elektrische geleiders voor een halfgeleiderelement. |
NL9200725 | 1992-04-22 | ||
US7404493 | 1993-06-08 | ||
US08/074,044 US5347709A (en) | 1992-04-22 | 1993-06-08 | Method of making lead frame |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL9200725A true NL9200725A (nl) | 1993-11-16 |
NL195026C NL195026C (nl) | 2003-06-18 |
Family
ID=26646964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL9200725A NL195026C (nl) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Werkwijze voor het bewerken van een raam van elektrische geleiders voor een halfgeleiderelement. |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5347709A (nl) |
NL (1) | NL195026C (nl) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5281851A (en) * | 1992-10-02 | 1994-01-25 | Hewlett-Packard Company | Integrated circuit packaging with reinforced leads |
KR0145768B1 (ko) * | 1994-08-16 | 1998-08-01 | 김광호 | 리드 프레임과 그를 이용한 반도체 패키지 제조방법 |
JP3475557B2 (ja) * | 1995-03-08 | 2003-12-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5826328A (en) * | 1996-03-25 | 1998-10-27 | International Business Machines | Method of making a thin radio frequency transponder |
US6720642B1 (en) * | 1999-12-16 | 2004-04-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flip chip in leaded molded package and method of manufacture thereof |
US7109064B2 (en) * | 2003-12-08 | 2006-09-19 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor |
CN108666851B (zh) * | 2017-10-13 | 2019-10-08 | 深圳安博电子有限公司 | 一种分段式送线设备及送线方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2027990A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-27 | Hitachi Ltd | Lead-frame for a semiconductor device |
EP0330512A2 (en) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fujitsu Limited | Producing electronic components with the aid of lead frames |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3524249A (en) * | 1966-10-08 | 1970-08-18 | Nippon Electric Co | Method of manufacturing a semiconductor container |
US4079511A (en) * | 1976-07-30 | 1978-03-21 | Amp Incorporated | Method for packaging hermetically sealed integrated circuit chips on lead frames |
US4214364A (en) * | 1979-05-21 | 1980-07-29 | Northern Telecom Limited | Hermetic and non-hermetic packaging of devices |
US4396140A (en) * | 1981-01-27 | 1983-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of bonding electronic components |
US4466183A (en) * | 1982-05-03 | 1984-08-21 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit packaging process |
US4490902A (en) * | 1982-09-03 | 1985-01-01 | General Motors Corporation | Lead frame for molded integrated circuit package |
US4657172A (en) * | 1985-10-31 | 1987-04-14 | American Microsystems, Inc. | Apparatus and method of solder coating integrated circuit leads |
US4720034A (en) * | 1985-10-31 | 1988-01-19 | American Microsystems, Inc. | Apparatus and method of solder coating integrated circuit leads |
US4803540A (en) * | 1986-11-24 | 1989-02-07 | American Telephone And Telegraph Co., At&T Bell Labs | Semiconductor integrated circuit packages |
US4722470A (en) * | 1986-12-01 | 1988-02-02 | International Business Machines Corporation | Method and transfer plate for applying solder to component leads |
US4761880A (en) * | 1986-12-08 | 1988-08-09 | International Business Machines Corporation | Method of obtaining surface mount component planarity |
US4759491A (en) * | 1987-05-18 | 1988-07-26 | American Telephone And Telegraph Company | Method and apparatus for applying bonding material to component leads |
US5070039A (en) * | 1989-04-13 | 1991-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Method of making an integrated circuit using a pre-served dam bar to reduce mold flash and to facilitate flash removal |
US5254500A (en) * | 1991-02-05 | 1993-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for making an integrally molded semiconductor device heat sink |
-
1992
- 1992-04-22 NL NL9200725A patent/NL195026C/nl not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-06-08 US US08/074,044 patent/US5347709A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2027990A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-27 | Hitachi Ltd | Lead-frame for a semiconductor device |
EP0330512A2 (en) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fujitsu Limited | Producing electronic components with the aid of lead frames |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5347709A (en) | 1994-09-20 |
NL195026C (nl) | 2003-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100750012B1 (ko) | 반도체 집적 회로 장치 | |
EP0509262B1 (en) | Solder-coated printed circuit board and method of manufacturing the same | |
KR20000005939A (ko) | 반도체장치및그제조방법 | |
JPH11277290A (ja) | Pbフリ―半田および半田付け物品 | |
KR101224935B1 (ko) | 반도체 장치용 리드프레임 | |
US20110165729A1 (en) | Method of packaging semiconductor device | |
NL9200725A (nl) | Raam van electrische geleiders, geschikt voor gebruik bij halfgeleider-elementen, en werkwijze voor de bewerking daarvan. | |
US20020088845A1 (en) | Method for producing tin-silver alloy plating film, the tin-silver alloy plating film and lead frame for elecronic parts having the film | |
JPH1093004A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
TWI243006B (en) | A structure comprising a printed circuit board with electronic components mounted thereon and a method for manufacturing the same | |
JPH0787234B2 (ja) | リードフレーム | |
US6518099B2 (en) | Plated leadframes with cantilevered leads | |
CN207868194U (zh) | 电子部件封装 | |
US5962151A (en) | Method for controlling solderability of a conductor and conductor formed thereby | |
JP2549996B2 (ja) | リードフレームおよびこれを用いた集積回路パッケージの製造方法 | |
EP4387403A1 (en) | Soldering a surface mount device to an application board | |
US11227820B2 (en) | Through hole side wettable flank | |
JPH05315517A (ja) | 半導体装置 | |
WO2021205773A1 (ja) | 電子部品 | |
EP0751555A2 (en) | Method for making semiconductor devices having electroplated leads | |
JP2868943B2 (ja) | 半導体素子電極とリードとの接続構造および実装方法 | |
EP0380176A1 (en) | method for producing a solderable finish on metal frames for semiconductors | |
JP2616571B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3540249B2 (ja) | 半導体デバイスパッケージの外部リードを外部電極に接続する方法 | |
JPH0513011Y2 (nl) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1C | A request for examination has been filed | ||
NP1 | Patent granted (not automatically) | ||
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20071101 |