NL8301187A - Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van elektromagnetische straling. - Google Patents

Description

* I , i « PEN 10.639 1 N.v. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.

Halfgeleider inrichting voor het opwekken van elektromagnetisch straling.

De uitvinding betreft een halfgeleiderinrichting voor het opwekken van elektromagnetische straling in een actief half geleider gebied van een eerste materiaal, matrixmateriaal dat op een gestructureerde wijze is voorzien van een tweede materiaal.

5 Een halfgeleiderinrichting zoals hierboven beschreven is bekend uit de op 11 november 1982 gepubliceerde internationale (PCT) octrooiaanvrage 1082-03946.

Half geleider inrichtingen voor het opwekken van elktromagnetische straling warden op verschillende gebeden van de techniek toegepast. Zij 10 kunnen onderscheiden worden in inrichtingen waarvan de straling niet coherent is en zulke, waarvan de uitgezonden straling coherent is. In het eerste geval spreekt men meestal van LED's (van "light emitting diode"), in het laatste geval van lasers. De golflengte van de uitgezonden straling kan daarbij in het zichtbare gebied van het spectrum liggen, 15 doch ook bijvoorbeeld in het infrarode of ultraviolette gebied.

De door bekende half geleider lasers opgewekte straling heeft (in lucht) doorgaans een golflengte van 800 a 900 nanometer. Qn diverse redenen is het gewenst lasers te vervaardigen die straling met een kartere golflengte uitzenden. Zo is bijvoorbeeld bij het opslaan van 20 informatie in beeld- en geluidsdragers (VLP, DOR, compact disc) de benodigde hoeveelheid oppervlakte voor één bitinformatie omgekeerd evenredig met het kwadraat van de golflengte van de laser straling. Een halvering van deze golflengte biedt hier dus de mogelijkheid van een verviervoudiging van de informatiedichtheid. Ben bijkomend voordeel is dat bij 25 kartere golflgentes met eenvoudiger optiek kan warden volstaan.

Een praktische uitvoering van een LED die groen licht uitstraalt is bekend uit het tijdschriftartikel "An Experimental Study of High Efficiency GaP:N Green-Light-Emitting Diodes", verschenen in RCA. Review, Vol.33, Sept. 1972, pagina's 517-526. Hierin warden zowel 30 LED's beschreven waarbij de diode gevormd wordt door monokristallijn half gele idermateriaal bijvoorbeeld galliumfosfide als LED's waarbij he-tero-overgangen gevormd worden tussen galliumfosfide en allurninium-gallium-fosfide, waarbij het galliumfosfide zowel p-type als n-type kan zijn.

8301187 1« * <

HfN 10.639 2

Cm de quantumefficiency van dergelijke LED's te verhogen wordt het galliumfosf jde net stikstof gedoteerd. Het blijkt dat de quantunefficiency tot op zekere hoogte toeneemt met de hoeveelheid stikstofverontreinigingen. Een te grote hoeveelheid stikstof geeft echter 5 aanleiding tot roostervervorming in het galliumfosf 1de-door cornplex-vorming en daarmee een verlaging van de quantumefficiency. Daarnaast zal stikstof / dat zich verder van de pn-overgang bevindt/ de straling sterk absorberen, zodat de hoeveelheid werkelijk uitgezonden straling nog verder afneemt. Het zonder meer in galliumfosfide oplossen van 10 stikstof tot aan de oplosbaarheidsgrens is dan ook niet zinvol.

In de eerder genoerrde PCT-aanvrage WO82-03946 wordt een laserstruktuur beschreven waarin het actieve gebied bestaat uit een relatief groot aantal actieve lagen van een halfgeleidermateriaal met directe bandgap zoals galliumarsenide/ die gelegen zijn tussen, en onderling ge-15 scheiden- zijn door barrièrelagen van een halfgeleidermateriaal met indirecte bandgap, zoals aluminiumarsenide. Deze aktieve lagen en barriêre-lagen vormen tezamen een zogenoemd superrooster dat een effectieve band-afstand tussen die van GaAs (1,35 eV) en AlAs (2,30 eV) namelijk 1,57 eV vertoont, zodat de opgewekte straling een aanmerkelijk kortere golflengte 20 heeft dan bij het gebruik van een alleen uit galliumarsenide bestaande actieve laag het geval zou zijn.

Dit effect wordt bereikt door het optreden van het zogenoemde "quantum well" effect en van het superroostereffect. Het "quantum well" effect treedt op in het aktieve gebied wanneer een zeer dunne laag van 25 een tweede halfgeleidermateriaal is opgesloten tussen twee lagen van een eerste halfgeleidermateriaal met grotere bandafstand dan het tweede materiaal. Het heeft ten gevolge dat de effectieve bandafstand in de dunne laag van het tweede materiaal groter, en derhalve de golflengte van de opgewekte straling kleiner wordt. Het superroostereffect treedt 30 op als gevolg van de superrooster-structuur en resulteert in de conversie van "indirect" halfgeleidermateriaal tot met betrekking tot de bando-vergangen van ladingsdragers effectief "direct" halfgeleidermateriaal.

Dit verhoogt de stralingsovergangswaarschijnlijkheü van de ladingsdragers, zodat een hoge stralingsdichtheid kan worden bereikt. Voor een be-35 schrijving van het "quantum well" effect wordt verwezen naar onder meer "Quantum Well Heterostructure Lasers" van N. Holonyak et al., I.E.E.E. Journal of Quantum Electronics, Vol. GE-16, No. 2, febr. 1980, pagina's 170-186.

83 0 1 1 8 7 * * '......).

EHN 10.639 3

Bij het vervaardigen van dergelijke superrooster-structuren waarbij de dikte van de actieve lagen varieert tussen 2 nanometer en 50 nanometer en de dikte van de barriêrelagen tussen 1 en 20 nanometer varieert worden strenge eisen gesteld aan net name de periodiciteit 5 van de structuur.

De uitvinding beoogt onder neer een halfgeleiderinrichting voor IED's of lasers aan te geven waarbij,met name bij kamertemperatuur een zo hoog mogelijke stralingsdichtheid optreedt bij een gegeven strcansterkte.

10 Daarnaast stelt zij zich ten doel een laser van de bovengenoende structuur te verschaffen die straling met een zo klein mogelijke golflengte uitzendt.

Volgens de uitvinding heeft een halfgeleiderinrichting van de in de aanhef beschreven soort daartoe het kenmerk dat het tweede materiaal 15 in een draadvcrm of laagvormig is aangetracht waarbij de afmetingen van de draad respectievelijk de laag, gezien in een richting loodrecht op de draad respectievelik de laag ten hoogste gelijk is aan de dikte van twee monomoleculaire lagen van het tweede halfgeleidermateriaal en de afmeting in een langsrichting van de draad respectievelijk de laag ten-2o minste honderd maal de dikte van de draad respectievelijk de laag bedraagt.

De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat de genoemde draden c.q. lagen voldoende dun zijn dat deze voor het omringende halfgeleidermateriaal als normale verontreinigingen kunnen worden be-25 schouwd, terwijl zij toch met moderne technieken als moleculaire bundel-epitaxie (M3E) of metallo-organische dampfaze-epitaxie ,op gestructureerde wijze kunnen warden aangebracht.

Daarnaast berust zij order meer op het inzicht dat in het geval de draden c.q. lagen bestaan uit halfgeleidermateriaal met een 3Q kleinere bandafstand dan het matrixmateriaaL er toch een quantum-put-achtig verstoringseffect optreedt. Bovendien kunnen hierbij zodanige materialen gekozen warden dat een goede roosteraanpsssing optreedt. De afmetingen in de langsrichting van de laag of draad zijn voldoende cm de aanwezigheid van gebonden toestanden te verzekeren.

35 Daarnaast berust de uitvinding op het inzicht dat in de ge noemde GaP :N-structuur van het bovengenoemde tijdschriftartikel goedgestructureerde lagen (draden) van stikstofatomen in het matrixmateriaal aan te brengen zijn zonder dat ccnplexvorming van het stikstof in het 8301187 PHN 10.639 4 eigenlijke matrixmateriaal optreedt. Dit wordt bereikt doordat de lagen (draden) bij betrekkelijk lage temperaturen wonden aangebracht en ook later geen warmtebehandeling plaatsvindt. In het matrixmateriaal treedt derhalve geen absorptie van de opgewekte elektromagnetische straling op.

5 Een halfgeleiderinrichthg volgens de uitvinding heeft verder het voordeel dat alleen aan de gestructureerde lagen of draden strenge eisen worden gesteld t.a.v. de afmetingen (ten hoogste 2 monomoleculaire lagen dik) terwijl de structuur niet nocdzakelijk periodiek hoeft te zijn.

Volgens een eerste voorkeursuitvoering bestaan het eerste en 10 tweede materiaal uit respectievelijk aluminiumarsenide en galliumarsenide. Een laser met een dergelijk actief halfgeleidergebied straalt rood (ca. 630 nm) licht uit (in lucht).

Volgens een tweede voorkeursuitvoering bestaan het eerste en tweede materiaal uit respectievelijk aluminiumfosfide en galliumfosfide.

15 Een laser met een dergelijk actief halfgeleidergebied straalt groen (ca. 540 nm) licht uit (in lucht).

In de beide genoemde gevallen treedt bovendien een goede roosteraanpassing van de beide.· materialen op. In de genoemde voorbeelden kcrnt de eis ten aanzien van de dikte respectievelijk de doorsnede van de 20 laag respectievelijk de draad erop neer dat deze ten hoogste 0,6 nanometer bedraagt.

Andere voorbeelden van een tweede materiaal in een matrix-materiaal met grotere bandafstand zijn bijvoorbeeld: indiumfosfide in galliumfosfide en indiumarsenide of galliumantimcon in galliumarsenide.

25 Naast lasers kunnen uit deze materialen ook LED's vervaardigd worden, die een hoge lichtopbrengst bij lage stroomsterkte hebben. Bovendien resulteert hier de vervorming van bet rooster, door een minder goede roosteraanpssing in een verhoogde bindingsenergie van de excitonen (gat-elektron-paren) zodat de overgangswaarschijnlijkheid van de elektro-30 magnetische straling wordt verhoogd.

Dit laatste (verhoging van de overgangswaarschijnlijkheid door verhoogde bindingsenergie van de excitonen) treedt ook op wanneer het tweede materiaal galliumnitride en het eerste galliumfosfide is, hoewel in dit geval het tweede materiaal een grotere bandaf stand heeft.

35 De uitvinding zal thans nader worden toegelicht aan de hand van enige uitvoeringsvoorbeelden, waarin:

Figuur 1 een schematisch aanzicht toont van een lichtemittererde diode (LED) volgens de uitvinding.

8301187 EHN 10.639 5

Figuur 2 schematisch een vergrote dwarsdoorsnede toont van een deel van de inrichting volgens Figuur 1.

Figuur 3 een variant toont van Figuur 2 gezien langs de lijn III-III in Figuur 4 waar het bovenaanzicht van een actieve laag 5 in een IED volgens de uitvinding wordt getoond.

Figuur 5 schematisch de energieniveaus toont in het actieve materiaal terwijl

Figuur 6 een laser toont volgens de uitvinding en Figuur 7 een variant toont op de inrichting van Figuur 6.

10 De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend, waar bij, ter wille van de duidelijkheid, in de dwarsdoorsneden in het bijzonder de afmetingen in de dikterichting sterk zijn overdreven.

Half gele ider zones van hetzelfde geleidingstype zijn in het algemeen in dezelfde richtng gearceerd; in de figuren zijn overeenkomstige delen 15 in de regel met dezelfde verwijzingscijfers aangeduid.

De licht emitterende diode (LED) 1 van Figuur 1 bevat een + 2 n -substraat van galliumarsenide dat gedoteerd is met bijvoorbeeld 18 3 zwavel met een concentratie van circa 10 atcmen/cm . Op dit substraat is, bijvoorbeeld door moleculaire bundelepitaxie (MBE) of iretallo-orga-20 nische dampfase-epitaxie (MOVPE) de actieve laag 3, van het n-type aangebracht. Verder is de inrichting van Figuur 1 voorzien van een ring- j· vormige p -zone 4, welke bijvoorbeeld met behulp van een tweede epitaxie-stap na etsen in de gewenste vorm wordt verkregen. De zone 4 is ten behoeve van contactering voorzien van een metaallaag 5. Bet andere dicde-25 contact wordt verkregen door middel van een metaallaag 6 die het substraat contacteert.

De actieve laag 3 bestaat uit een matrixmateriaal 7, in dit voorbeeld aluminiumarsenide van het n-type, waarbij de n-type geleiding veroorzakende verontreinigingen tijdens de epitaxiale aangroeiing aan 30 het matrixmateriaal zijn toegeveegd.

Volgens de uitvinding (zie Figuur 2) is het materiaal 7 op gestructureerde wijze voorzien van een tweede materiaal. In dit voorbeeld zijn lagen 8 van galliumarsenide aangegroeid net een dikte van één moncttoleculaire laag galliumarsenide (ca. 0,3 nanometer). De laag is 35 bovendien tenminste 100 maal (ca. 30 nanometer) zo lang of breed. In het onderhavige voorbeeld bevat het matrixmateriaal 7 diverse lagen 8 die op een afstand van circa 10 ircaicmoleculaire laagdikten (ca. 30 nm) ven het aluminiumarsenide van elkaar liggen. Deze afstand is voldoende 8301187 PHN 10.639 6 groot dat de potentiaalverstoringen (gebonden toestanden) van twee verschillende lagen 8 elkaar niet beïnvloeden.

De lagen 8 hoeven niet het gehele oppervlak van het gebied 3 te beslaan maar.mogen als deellagen op verschillende hoogte worden aange-5 bracht, zoals getoond in Figuur 3 waar de lagen 8a, δ*5, 8C, 8^ in verschillende vlakken liggen en elkaar gedeeltelijk overlappen, (zie Figuur 4).

Figuur 5 toont een schematisch energiediagram van de laag 3 gezien langs de lijn V-V in Figuur 3. Ten gevolge van de aanwezigheid 10 van de laag 8 treedt een verstoring op in de bandstructuur van het matrixmateriaal 7 die een andere gedaante heeft dan in het geval van een quantum-put, zoals aangegeven door de punt-streeplijn 9. In dit laatste geval bevinden zich binnen de quantumrput een aantal discrete energie-niveaus voor gaten en elektronen waarbij stralingsreccmbinatie in hoofd-15 zaak vóórkant tussen het laagste niveau in de geleidingsband en het hoogste niveau van de valentieband van het materiaal, dat de quantum-put veroorzaakt (zie bijvoorbeeld "Quantum-Well Heterostructure Lasers door N. Holonyak Jr. et al., verschenen in IEEE Journal, of Quantum Electronics, Vol. GE-16, No. 2, februari 1980, pagina’s 170 e.v.), in 20 het bijzonder pagina’s 170-171). De recombinatie vindt daarbij plaats met een frequentie gelegen tussen die behorende bij de bandafstanden van de samenstellende materialen.

In de uitvoering volgens de uitvinding (een verstoring met een laagdikte van ten hoogste twee moncmoleculaire lagen) geldt de laag 8 25 praktisch als een verontreiniging. Gezien in de richting langs de lijn V-V kan de hierdoor geïntroduceerde verstoring quantummechanisch worden beschouwd als een synnetrische ondiepe potentiaalkuil, waarvoor men kan aantonen dat hierin slechts één energieniveau nabij de bovenkant van de kuil beschikbaar is. (zie bijvoorbeeld Landau en Lifshitz 30 "Quantum lyfechanics", 2nd Edition, Bergamon Press, 1965, pagina's 65-67, 109-110, 156). Door een laag 8 gebonden gaten of elektronen bezetten derhalve energieniveaus direct boven respectievelijk onder de valentieband respectievelijk de geleidingsband van het matrixmateriaal en vormen met respectievelijk elektronen en gaten gebonden excitonen. De bijhe-35 horende energie-afstand die een maat is voer de frequentie van de uitgestraalde elektro-magnetische straling is in Figuur 5 weergegeven met het verwijzingscijfer 10.

De laag 8 gedraagt zich als een zogenaamd "iso-elektronisch 8301187 EEN 10.639 7 vlak" d.w.z. als een laag van verontreinigingen die zich als iso-elektro-nische stralingscentra manifesteren. Dergelijke centra worden ge voord door verontreinigingen die de karakteristieke eigenschap vertonen een elektron en een gat (een zogenaand exciton) te birden met een eindige S energie, zonder zelf een netto lading dan wel uitsluitend een elektron of een gat te kunnen birden.

Door de hoge birdingsenergie, in dit geval afkomstig uit de energieniveaus van de symmetrische potentiaalkuil is nu recombinatie mogelijk in de laag van galliumarsenide net een frequentie fcehorerd bij 10 een energie die vrijwel gelijk is aan de energie-afstand in het aluminium-arsenide. Op deze wijze wordt straling met een kleinere golflengte verkregen dan in het eigenlijke materiaal van de laag 8mogelijk is.

Door de genoemde hoge birdingsenergie vertonen de excitonen ook een grote stabiliteit, welke samen met de hoge dichtheid in één iso-15 elektronische laag de kans op stralingsrecombinatie met de frequentie behorend bij de genoemde birdingsenergie met name bij kamertemperatuur aanzienlijk verhoogt, De excitonen blijven als het ware aan de laag gebonden. Dit geeft een hoge stralingsdichtheid langs de laag die niet verstoord wordt door verliezen elders in het materiaal omdat de straling 20 hoofdzakelijk langs de laag wordt opgewekt, terwijl bovendien het aluminiumarsenide praktisch geen recombinatiecentra bevat. Ook treden in het onderhavige voorbeeld geen stralings ver liezen op aan rooster-defecten doordat aluminiumarsenide en galliumarsenide praktisch dezelfde roosterconstante bezitten. Ditzelfde voorbeeld geldt ook voor lagen of 25 draden van galliumfosfide in aluminiumfosfide. LED's met een dergelijke actieve laag-s truc tuur hebben derhalve de voordelen van een kleinere golflengte, hogere efficiency terwijl bovendien de levensduur groter is.

Bij lagen van galliumfosfide in iidiumfosfide of van galliumarsenide in indiumarsenide of in gallium-antimoon treden verschillen 30 in roosterconstanten op. Hierdoor zouden recombinatiecentra geïntroduceerd kunnen worden; hef is echter bekend dat in zeer dunne lagen (ca. 10 moncmoleculaire lagen) de roostervervorming elastisch wordt opgevangen zonder aanleiding te geven tot recombinatiecentra. (zie; Continuous 300 K-Laser operation of strained Superlattices, door M.J. Ludowise et al, 35 Appl. Phys.Lett. 42 (6), 15 maart 1983, pagina 487). Wel word: tegelijkertijd de birdingsenergie van de excitonen aanzienlijk verhoogd, zodat deze een grotere stabiliteit vertonen.

Een soortgelijk voordeel geldt bij het aanbrengen van lagen of 830 1 1 8 7 PHN 10.639 8 draden van galliumnitride in galliumfosfide, waarbij weliswaar het matrixmateriaal een kleinere bandafstand heeft dan het tweede materiaal maar door het gestructureerde aanbrengen een hogere netto-excitonen-dichtheid in galliumfosfide kan worden verkregen, nl. op iso-elektronische 5 vlakken c.q. draden, dan volgens de bekende methoden.Doordat bovendien in het matrixmateriaal zelf nu geen ongewenste recombinatiecentra aanwezig zijn is hiermee een LED verkregen met een hogere opbrengst.

De inrichting van Figuur 6 toont een halfgeleiderlaser 11 opgebouw uit een substraat 12 van hooggedoteerd n-type galliumarsenide 10 (GaAs) waarop verschillende lagen zijn aangegroeid met behulp van moleculaire bundelepitaxie of metallo-organische dampfase-epi taxie.

Het substraat 12 heeft bijvoorbeeld een dikte van 200 micrometer en 18 3 is gedoteerd met ca. 5.10 seleenatomen/cm . Hierop zijn respectievelijk een laag 13 van hooggedoteerd n-type galliumarsenide (GaAs) net een dikte 18 3 15 van ca. 0,5 micrometer en een dotering van 3.10 seleenatomen/cm , een 18 laag 14 van hooggedoteerd n-type Gan « Al As (ca. 1,5 10 seleen-

2 U f ö 0 f A

atomen/cm-3) met een dikte van ca. 0,5 micrometer en een n-type laag 15 van aluminiumarsenide met een dikte van 1,5 micrometer en een dotering 16 3 van 8.10 seleenatomen/cm aangegroeid.

20 Hierop is de actieve laag 16 aangebracht met een dikte van circa 50 nanometer. Deze laag bestaat uit een matrixmateriaal van aluminiumarsenide, waarin op gestructureerde wijze een of meer lagen van galliumarsenide zijn aangebracht analoog aan de opbouw van de actieve laag 3 van de LED zoals beschreven aan de hand van de figuren 1 t/m 4.

25 De laser 11 bevat verder een met zink gedoteerde 1,5 microneter dikke p-type laag 17 van aluminiumarsenide met een dotering van circa 17 3 3.10 atomen/cm en een hooggedoteerde p-type contactlaag 18 met een 19 3 dotering van circa 1.10 atomen/cm en een dikte van 0,1 micrometer.

Verder is de laser 11 voorzien van metaalcontacten 19 en 20 ten 30 behoeve van stroominjectie. Bij het overschrijden van een zekere drempel-stroom zal de laser 11 elektromagnetische straling uitzenden in een richting loodrecht op het vlak van de tekening.

In de inrichting van Figuur 6 wordt de breedte van het aktieve gebied beperkt tot bijvoorbeeld 6 micrometer door met de elektrode 20 als 35 masker een protonenbombardement uit te voeren dat zich uitstrekt tot het gebied begrensd door de streeplijn 21. Hierdoor wordt het gebied 16 voor een groot deel inactief gemaakt en vindt de laserwerking alleen in een smalle strook plaats.

8301187 Λ - r EHN 10.639 9

Hetzelfde kan bereikt worden door met de elektrode 20 als masker een gedeelte van de lagenstruktuur weg te etsen. In dat geval wordt een inrichting verkregen zoals schematisch is weergegeven in Figuur 7, waarbij de verwijzingscijfers dezelfde betekenis hebben 5 als in Figuur 6. De geëtste holte wordt gewoonlijk later weer opgevuld met een geschikt beschemingsmateriaal.

Het spreekt vanzelf dat de uitvinding niet beperkt is tot de hierboven getoonde voorbeelden maar dat voor de vakman binnen het kader van de uitvinding diverse variaties mogelijk zijn. Zo kan men 10 voor de actieve laag diverse andere combinaties van materialen kiezen die dan bijvoorbeeld straling met een grotere golflengte uistralen.

Voor het matrixmateriaal kan bijvoorbeeld indiumfosfide worden gekozen en voor de lagen indiumantimonide of indiumarsenide. Ook kunnen geschikt gekozen terraire of quaternaire verbindingen worden gebruikt. Daarnaast 15 kunnen zoals reeds genoemd in plaats van laagstructuren draadvormige structuren worden aangebracht.

Daarnaast kan in plaats van stroaninjectie elektroneninjectie worden toegepast, bijvoorbeeld wanneer een laag van een van de bovengenoemde samenstellingen wordt gebruikt in een inrichting zoals 20 beschreven in de Nederlandse Octrooiaanvrage No. 8300631 van Aanvraagster.

25 30 1 8301187

Claims (10)

1. Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van elektromagnetische straling in een actief gebied van een eerste halfgeleidermateriaal dat op een gestructureerde wijze voorzien is van een tweede halfgeleider-materiaal met het kenmerk dat het tweede halfgeleidermateriaal in een B draadvorm of laagvormig is aangebracht waarbij de dikte van de draad respectievelijk de laag gezien in een richting loodrecht op de draad respectievelijk de laag ten hoogste gelijk is aan de dikte van twee mono-moleculaire lagen van het tweede halfgeleidermateriaal en de afmeting in een langsrichting van de draad respectievelijk de laag tenminste honderd 10 maal de dikte van de draad respectievelijk de laag bedraagt.

2. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 1 met het kenmerk dat het eerste halfgeleidermateriaal een grotere bandafstand bezit dan het tweede materiaal.

3. Halfgeleiderinrichitng volgens conclusie 2 met het kenmerk 15 dat de structuur van het tweede halfgeleidermateriaal meerdere draden of lagen bevat met een onderlinge afstand groter dan de dikte van acht monomoleculaire lagen van het eerste halfgeleidermateriaal.

4. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 2 met het kenmerk dat het eerste halfgeleidermateriaal uit aluminiumarsenide en het 20 tweede halfgeleidermateriaal uit galliumarsenide bestaat.

5. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 2 met het kenmerk dat het eerste halfgeleidermateriaal uit aluminiumfosfide en het tweede halfgeleidermateriaal uit galliumfosfide bestaat.

6. Halfgeleiderinrichitng volgens conclusie 4 of 5 met het 25 kenmerk dat de dikte van de laag of de doorsnede van de draad ten hoogste 0,6 nanometer bedraagt.

7. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 1 met het kenmerk dat het eerste halfgeleidermateriaal uit galliumfosfide en het tweede halfgeleidermateriaal uit galliumnitride bestaat.

8. Lichtemitterende diode volgens êên der vorige conclusies met het kenmerk dat zich een emitterende pn-overgang bevindt tussen het actieve halfgeleidergebied dat een eerste geleidings-type bezit en een tweede halfgeleiderzone met een tweede aan h t eerste tegengesteld 35 geleidingstype.

9. Lichtemitterende diode volgens conclusie 8 met het kenmerk dat de actieve laag is aangebracht op een laag van het tweede geleidingstype en de pn-overgang verder wordt gevormd door een ringvormig door de actie- 830 1 1 8 7 PHN 10.639 11 ve laag heen verzonken gebied van bet tweede geleidingstype.

9 s PHN 10.639 10

10. Halfgeleiderlaser volgens één der conclusies 1 t/m 7 net het kenmerk dat het actieve half gele Mergebied laagvormig is en zich bevindt tussen enerzijds meerdeie halfgeleiderlagen van een eerste ge-5 leidingstype en anderzijds meerdere halfgeleiderlagen van een tweede aan het eerste tegengesteld geleidingstype. 10 15 20 25 30 35 8301187