NL8103629A - Inrichting met dunne lagen. - Google Patents

Inrichting met dunne lagen. Download PDF

Info

Publication number
NL8103629A
NL8103629A NL8103629A NL8103629A NL8103629A NL 8103629 A NL8103629 A NL 8103629A NL 8103629 A NL8103629 A NL 8103629A NL 8103629 A NL8103629 A NL 8103629A NL 8103629 A NL8103629 A NL 8103629A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
temperature
layer
thin
temperature coefficient
resistor
Prior art date
Application number
NL8103629A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Bosch Gmbh Robert
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bosch Gmbh Robert filed Critical Bosch Gmbh Robert
Publication of NL8103629A publication Critical patent/NL8103629A/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/183Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/232Adjusting the temperature coefficient; Adjusting value of resistance by adjusting temperature coefficient of resistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/06Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

ΪΓ.0.30.272 » *·. =-' #
Inrichting met dunne lagen
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting met dunne lagen, meer in het bijzonder een hybride inrichting of een temperatuur sensor , met ten minste twee in de vorm van vlakkea. op een substraat aangebrachte afzonderlijke lagen die gedurende lange tijd stabiel 5 zijn en met behulp van de etstechniek kunnen worden bewerkt.
Zulk een inrichting is reeds vroeger voorgesteld, waarbij een werkwijze werd beschreven voor de vervaardiging van een uit dunne lagen bestaande temperatuursensor voor het snel meten van temperaturen in vloeistoffen en gassen. De sensor bevat als temperatuur-10 gevoelig element een nikkellaag, die direct.offvia een als hechting dienende tussenlaag van hoog-ohmig materiaal^indirect op een isolerende substraatplaat is aangebracht en bij voorkeur een meandervormig vlak patroon op de substraatplaat vormt. De nikkellaag en eventueel de tussenlaag worden bij de oudere inrichtingen op het gehele 15 oppervlak van de substraatplaat opgestoven. Aansluitend hieraan wordt het vlakke patroon gevormd door structurering met behulp van de foto-etstechniek.
De inrichting met dunne lagen die volgens de uitvinding hierdoor is gekenmerkt, dat de temperatuurcoëfficiënt (TC) van de weer-20 standen die worden gevormd door het totale laagsysteem (Ui + Ta) op een van te voren bepaalde waarde kan worden ingesteld door het aan elkaar schakelen van ten minste twee uit dunne lagen bestaande weerstandselementen (B^^., E^a) met verschillende temperatuur-coëff iciënten, heeft ten opzichte van de oudere inrichting het 25 voordeel, dat het mogelijk wordt met de laag zelf zonder extra aangebrachte onderdelen de temperatuurcoëfficiënt van de door de uit dunne lagen bestaande inrichting gevormde weerstanden op een van te voren bepaalde waarde in te stellen. De inrichting met dunne lagen volgens de uitvinding kan zowel worden toegepast voor uit dunne 30 lagen bestaande hybridejsohakelingen als voor uit dunne lagen bestaande temperatuursensors, waarbij door het combineren van weerstands-delen met verschillende temperatuurcoëfficiënten de resulterende temperatuurcoëfficiënt· van de verkregen weerstanden instelbaar is.
De uit dunne lagen bestaande inrichting volgens de uitvinding kan 55 worden toegepast voor het zodanig instellen van een temperatuurcoëfficiënt van een totale weerstand, dat de strooiing van de karakteristieken van een industrieel vervaardigde weerstand kan worden 8103629 .2-.- if * gecompenseerd, of dat door de resulterende temperatuurcoëfficiënt yan de weerstand een tegengesteld gerichte temperatuurcoëfficiënt, bijvoorbeeld van een condensator, wordt gecompenseerd, of dat de resulterende temperatuurcoëfficiënt zodanig op een aanwezige schake-5 ling inwerkt, dat door de temperatuurcoëfficiënt van de ingestelde weerstand alleen^of door de resulterende temperatuurcoëfficiënt · van een BG-takjde afwijkende temperatuurcoëfficiënt van de rest van de schakeling compenseerbaar is, ïïitvoeringsvoorbeelden van de uitvinding zijn in de tekening 10 weergegeven en worden in de hierna volgende beschrijving nader verklaard.
Hg. 1 geeft een inrichting weer met een eraan geschakelde serie-weerstand, fig. 2 geeft een inrichting weer met een eraan geschakelde parallel-15 .weerstand, fig. 3 toont een inrichting met een serie- en een parallel-weerstand, waarbij de eraan geschakelde weerstand dient voor het instellen van de temperatuurcoëfficiënt van de meetweerstand;en fig. 4 geeft een hybride inrichting weer met twee uit dunne lagen 20 bestaande weerstanden en een condensator, waarbij de têmperatuur-coëfficiënt bij het aan elkaar schakelen Van deze onderdelen kan worden ingesteld op een van te voren bepaalde waarde,
In fig. 1 is een uit dunne lagen bestaande TaUi-temperatuur-sensor weergegeven, die bestaat uit een serieschakeling van een 25 temperatuursafhankelijke weerstand 10 (B^^.) en een temperatuursonafhankelijke weerstand 11 (E^, ). Het gebied onder de stippellijn met de aansluitvanen 12 en 13 is, met uitzondering van de uit tan-talium bestaande weerstand 11, zeer sterk geleidend, bijvoorbeeld vertind in een soldeerbad, aangezien tantalium niet wordt bevochtigd 30 door de tinlaag. De termen tantalium, tantaliumlaag, tantalium-weerstand en dergelijke worden hierna eenvoudigheidshalve gebruikt voor een laag die behalve uit tantalium bijvoorbeeld ook uit tanta-liumnitride of uit tant aliumoxyni tri de kan bestaan. ïn de rechter helft van fig. 1 is de schakeling symbolisch weergegeven. ïïit deze 35 weergave blijkt, dat de temperatuursonafhankelijke tantaliumweerstand 11 eerst op de plaats I4 is overbrugd.
..... De uit dunne lagen bestaande inrichtingen volgens de fig. 2 en 3 zijn op overeenkomstige wijze geconstrueerd, waarbij dezelfde onderdelen van dezelfde referentie getallen zijn voorzien. In fig. 2 40 is echter een temperatuursonafhankelijke weerstand 15 (E^a) parallel 8103629 . * — * 5 geschakeld met de temperatuursafhankelijke weerstand 10 (R^^); hij de inrichting volgens fig. 3 zijn zowel een serieweerstand 11 alsook een parallelweerstand 15 in een temperatuursonafhankelijke uitvoering (R^) aanwezig. In de fig. 2 en 3 is telkens een extra 5 aansluitvaar 16 aanwezig voor de parallelweerstand 15· Ook hij de inrichtingen volgens de fig. 2 en 3 is het gebied onder de stippellijnen sterk geleidend, hijvoorbeeld vertind in een soldeerhad voor het aansluiten van de inrichting.
Bij de uit dunne lagen bestaande Taïïi-temperatuurweerstanden 10 wordt voor de temperatuurcoëfficiënt van de weerstanden de grootste onafhankelijkheid van de laagdikte verkregen tot een laagdikte van ongeveer 250 nm, en wel door de vervaardigingsmethoden voor de lagen. Uit deze lagen vervaardigde temperatuurse'nsors hehhen een weerstand-temperatuurcoëfficiënt (TCR) van 5,5 · 10”V°C hij een oppervlakte-15 weerstand van 0,5 ohm. Het hlijkt echter, dat hij de vervaardiging van grote aantallen van deze temperatuursafhankelijke weerstanden een strooiing van de weerstand van + 10 % van de gewenste waarde en een strooiing van de temperatuurcoëfficiënt van + 4 % van de gewenste waarde optrad, welke strooiing werd veroorzaakt door onnauwkeurig-20 heden hij de vervaardiging. Be strooiing van de weerstand kan door justering met behulp van een laser worden gecompenseerd tot bijvoorbeeld + 0,1 %, maar tot nu toe was het niet mogelijk de temperatuur-coefficient bij uit dunne lagen bestaande inrichtingen te justeren.
Als men een uit nikkel bestaande thermometer,- bijvoorbeeld als ther-25 mometer voor de buitenlucht wil toepassen in combinatie met een boordcomputer van een motorvoertuig, is echter de vereiste meet-nauwkeurigheid bij verwisselbaarheid van de TaHi-sensor slechts te bereiken, als niet alleen de weerstand, maar ook de temperatuurcoëfficiënt kan worden gejusteerd.
50 Yoor de uit dunne lagen bestaande inrichtingen volgens de uit vinding, die meer in het bijzonder bij uit dunne lagen bestaande hybrideschakelingen en bij uit dunne lagen bestaande temperatuur-sensors worden toegepast, wordt een laagsysteem gebruikt waarbij zich een tantaliumlaag onder een nikkellaag bevindt. ïïit de tanta-55 liumlaag kunnen in hoofdzaak temperatuursonafhankelijke weerstanden worden gevormd die gedurende lange tijd stabiel zijn, als in een selectief etsprocédé de nikkellaag van de tantaliumlaag wordt weg-geëtst. Be tantaliumlaag heeft een dikte van ongeveer 50 nm, de oppervlakteweerstand van de tantaliumlaag is ten minste een factor 40 100 groter dan de oppervlakteweerstand van de nikkellaag. Be invloed 8103629 . " V * '
V
.. 4 van de tantaliumlaag op het temperatuurgedrag van de nikkellaag is praktisch zonder betekeniswaar de hechting van de nikkellaag op het substraat wordt door de tantaliumlaag aanzienlijk verbeterd.
Bij de uit dunne lagen bestaande inrichting volgens de uit-5 vinding, zoals weergegeven in de fig. 1-3 voor een temperatuur-sensor, zijn derhalve twee op het oppervlak van een substraat aangebrachte afzonderlijke lagen aanwezig die gedurende lange tijd stabiel zijn en met behulp van een etstechniek, meer in het bijzonder een foto-etstechniek, kunnen worden bewerkt. Met deze foto-10 etstechniek wordt aan de ene kant uit de combinatie van de tantaliumlaag en de nikkellaag de meandervormige temperatuursafhankeli jke weerstand 10 gevormd en aan de andere kant wordt door het wegetsen van de nikkellaag in het gebied van de temperatuursonafhankelijke weerstand 11 deze laatste uit het totaal van lagen gevormd.
15 Het feit dat uit het systeem van tantalium-nikkellagen zowel temperatuursonafhankelijke weerstanden 11 als ook temperatuurs-afhankelijke weerstanden 10 kunnen worden gevormd, leidt tot een justeermogelijkheid van de temperatuurcoëfficiëri; van de nikkel-tantaliumlaag en tot een mogelijkheid tot het justeren van de 20 temperatuurcoëfficiënt van de tantaliumlaag door het in serie- en/of parallelschakelen van de beide weerstandsoorten. Op deze wijze kan de temp er a tuur c o ë f f i c i ën t van de uit het totale lagensysteem (Ui +
Ta) gevormde weerstanden op een van te voren bepaalde waarde worden ingesteld door het aan elkaar schakelen van ten minste twee uit 25 dunne lagen bestaande weerstandselementen , Rq,a) met ver schillende temperatuurcoëfficiënten. Uit het totale lagensysteem van nikkel en tantalium worden temperataurs4*afhankelijke weerstanden , E^aUi en uit het tantaliumdeel van het lagensysteem temperatuursonafhankelijke weerstanden R^ gevormd. Op deze manier kan de tem-50 peratuurcoëfficiënt van de totale weerstandsinrichting worden ingesteld door het in serie schakelen (fig. 1), het parallel schakelen (fig. 2) of het in serie en parallel schakelen (fig. 5) van de afzonderlijke temperatuursafhankelijke weerstanden 10 en de temperatuursonafhankelijke weerstanden 11. Hierbij kan de temperatuur-55 coëfficiënt van de totale inrichting door de toegepaste combinatie worden veranderd tussen de grenzen van de temperatuureoëfficiënten van de afzonderlijke weerstanden.
Bij toepassing van de uit dunne lagen bestaande inrichting voor de vervaardiging van een temperatuursensor vindt een justering plaats 40 van de temperatuurcoëfficiënt van de temperatuursafhankeli jke, uit 8103629 t * 5 een dunne laag "bestaande weerstand 10 op een van te voren bepaalde lage waarde, door het aanschakelen van een in verregaande mate temperatuursonafhankelijke dunne-laag-weerstand 11,respectievelijk 15· De temperatuurcoëfficiënt van de TaHi-laag wordt ingesteld op 5 de "benedengrens van de tolerantieband van de vervaardigingsstrooiing, dat wil zeggen dat een justering van de temperatuurcoëfficiënt van een temperatuursensor 10,voor het compenseren van de strooiing van de karakteristieken, op een van te voren bepaalde lage waarde plaatsvindt door het in serie- en/of parallelljschakelen van een 10 tantaliumweerstand 11. In het gebied van de meandervormige sensor blijft de laagcombinatie van tantalium en nikkel behouden, in het gebied van de temperatuursonafhankelijke justeerweerstand 11 wordt slechts de bovenliggende nikkellaag weggd^st, in de daartussen liggende gebieden worden de beide lagen verwijderd.
15 Voorbeeld :
Er moet een temperatuursensor worden vervaardig.met een weerstand van 1000 ohm, gemeten bij een justeertemperatuur van 20°C.
33e weerstand E = 1000 ohm wordt bij de inrichting volgens fig. 1 goTosma uit y + S^,.
20 Hiervoor gelden de formules : B (l) = E (ïo) x (1 + T0Egew_ JU)
Bja(ï) = (lo) x'(1 + TCE^ x Δ I) BTaHi ® = ^DaHi (1°) z (1 + ICRTaHl Σ Δ Hierbij is 25 = - 8,0 x 10-5/° 8 ± 10%, als tantaliumoxynitride als een praktisch temperatuursonafhankelijke weerstand wórdt toegepast.
I0STaEi “ “^wrk. " 5’2 ··· 5>6 Σ 10'5/° 0 = 5,4 x 10-5/° 0 + 4%
Ej^WsiECl) x TCB^ 50 De temperatuurcoëfficient van de sensor bestaande uit een Q?aM- laag bezit een door de vervaardiging bepaalde strooiing van 5,2 ... 5,6 x 10“5/° c.
ICEqjajji moet worden gejusteerd op de laagste waarde van het stroomgebied van 5j2 x 10~5/° c, hetgeen mogelijk is met de in de fig. 1-3 35 aan gegeven schakelvarianten. Bij de weergegeven inrichting is vanwege de verregaande temperatuursonafhankelijkheid van de tantaliumweerstand 11 een justering van de resulterende temperatuurcoëfficiënt slechts mogelijk op de laagste waarde van het stroomgebied. Bij de aanwezige lagen bedraagt : 40 Eqjgjft = 928,6 ohm ... 1000 ohm 8103629 ' 6 E^a = 71 ,4 ohm ... 0 ohm.
Deze waarden gelden evenals de hierboven genoemde waarde R = 1000 ohm voor de justeertemperatuur van 20°C. Bij het justeren is de temperatuursonafhankelijke weerstand 11 eerst overbrugd.
5 Ha een voorveroudering van de weerstand ter verhoging van de stabiliteit van de laagweerstanden gedurende lange tijd wordt de temperatuursafhankelijke. weerstand 10 bij twee verschillende temperaturen gemeten, bijvoorbeeld bij 0°C en 100°C. Hieruit kan de temperatuureoëfficiënt TCR ^ = TCR^^. worden bepaald. De aanwe-10 zige temperatuureoëfficiënt TCR moet bij de benedengrens van -.3 o sew* , het strooigebied 5,2 ς 1O”''/ C bedragen.
Bij een serieschakeling volgens fig. 1 is R = Rfpa + 5 hieruit volgt bij benadering TCR_ R_ λ* Ώ γ -geW»,.
15 TiaNi ^ hierbij is gesteld dat TCR^a =0, omdat de waarde ervan te verwaarlozen is.
Uit deze formules kan men, als men de temperatuurcoëfficiënten en de bij de justeertemperatuur optredende totale weerstand kent, 20 de weerstanden 10 en 11 eveneens bij de justeertemperatuur berekenen. Hierna volgt bij de bepaalde justeertemperatuur, hier 20°C, het justeren van de weerstand 10 op de berekende waarde. Daarna wordt de brug 14 in fig. 1 verbroken én de weerstand 11 op zijn berekende waarde ingesteld, zodat de totale weerstand + R^^^ = R 25 de van te voren bepaalde waarde van 1000 ohm verkrijgt.
Bij een parallelschakeling volgens fig. 2 vindt een soortgelijke bewerking plaats. Yoor het gescheiden meten en justeren zijn de beide aansluitvanen 12 en 16 bij de vervaardiging van de uit dunne lagen bestaande schakeling eerst gescheiden. Ha het meten van de 50 weerstand 10 bij twee verschillende temperaturen, bijvoorbeeld weer bij 0°C en 100°0, en een hierop aansluitende berekening van de temperatuurcoëfficiënt van de weerstand 10 (TCR^a^) worden de weerstanden met de volgende formules berekend : TCRm x (1 + TCRM,r x Δ ï) _ p TaHr * gew. ' 55 Σ T0Esew_ * (1> TCRTalK lil)
I0EM1 E X TOK
gew.
Rm w. X R •d _ TaHi ®l ETaNi “ 8103629 V T ^ 7
Alle hierboven genoemde weerstanden zijn een f untie van de temperatuur 3?, overeenkomstige verdere indices s zijn in de vergelijkingen weggelaten.
Tolgens de fig. 1 en 2 kan ook de gecombineerde serie-parallel-5 schakeling volgens fig. 3 worden berekend en gejusteerd. Een inrichting volgens fig. 3 kan slechts gunstig zijn voor speciale toepassingen» bijvoorbeeld als de weerstand 10 gelijk moet zijn aan de totale weerstand; in dit geval moet de weerstandsverhoging door de serieschakeling van een weerstand worden ingesteld door een extra 10 parallelweerstand.
Bij de voltooide inrichting is het in de figuren met stippellijnen aangegeven vertinde gebied ingekapseld, zodat slechts een vrijstaande voelerweerstand 10 uit de ingekapselde inrichting steekt.
Be aansluitingen 12 en 16 zijn bij de voltooide inrichting door het 15 vertinhingsprocédé kortgesloten.
Eig. 4 geeft een hybride inrichting weer, zoals bijvoorbeeld wordt toegepast bij een voor de temperatuur gecompenseerde E.C-schakelinrichting, bijvoorbeeld bij EC-oscillatoren in microcomputer-stuurinrichtingen. Eig. 4a is een bovenaanzicht, fig. 4¾ een doorsne-20 de voor het vertinnen, fig. 4c een doorsnede na het vertinnen, fig. 44 een weergave van de schakeling van de afzonderlijke elementen en fig. 4e toont de schakelsymbolen voor de totale inrichting.
In fig. 4 zijn met 20, 21 en 22 aansluitvanen aangegeven die dienen voor de uitwendige aansluiting van de inrichting, 23 en 24 25 zijn twee extra aansluitvanen voor het verbinden van een in verregaande mate temperatuursonafhankelijke weerstand 25 (H^) en een temperatuursafhankelijke weerstand 26 (5^^). üiussen de aansluitvanen 21 en 22 is een condensatorelement C opgesteld, dat na het aanbrengen van de soldeerlaag 27 op de aansluitvanen 21 en 22 is 30 gemonteerd. Be soldeerlaag 27 bedekt niet de temperatuursonafhankelijke weerstand 25, aangezien tantalium niet door tin wordt bevochtigd. Ook de temperatuursafhankelijke weerstand 26 is ondanks zijn nikkelen oppervlak niet met soldeer bedekt, aangezien hier tijdens het aanbrengen van het soldeer een masker aanwezig was.
35 De inrichting volgens fig. 4 geeft wederom een serieschakeling weer van een temperatuursonafhankelijke weerstand 25 van tantalium en eèn temperatuursafhankelijke weerstand 26 van tantalium en nikkel.
Be aansluitvanen 23 en 24 zijn voor het vertinnen gescheiden en worden bij het aanbrengen van de tinnen bekleding kortgesloten.
40 Be weerstanden 25 en 26 vormen samen de totale weerstand E. in fig.4e.
8103629 v.' 4? 8
Bijvoorbeeld bij microcomput er-s tuurinrichtingen in motorvoertuigen werden tot nu. toe voor het verkrijgen van hoge basisfrequenties kwarts-oscillatoren toegepast, die tengevolge van een groot uitvalspercentage en hoge kosten,voor deze toepassing slechts be-5 perkt geschikt zijn. Aan de andere kant konden slechts bij lage frequenties en lage nauwkeurigheidseisen kwartskristallen door RC-o scillatóren worden vervangen omdat de laatste vanwege hun temperatuurcoëfficiënt van het RC-produkt slechts onder bepaalde omstandigheden geschikt zijn. Met de uit dunne lagen bestaande into richting volgens de uitvinding verkrijgt men een compensatie van de temperatuurcoëfficiënt van het RC-produkt. Het is echter ook mogelijk de temperatuurcoëfficiënt van het RC-produkt zo te bepalen, dat in het raam van een schakeling een totale compensatie van de temperatuurcoëfficiënt plaatsvindt met inachtneming van het temperatuurverloop 15 van de schakeling; hierbij is het meer in het bijzonder mogelijk de temperatuurcoëfficiënt van het RC-produkt in een functie-justering aan te passen aan de transistorkarakteristieken van de RC-netwerken. Be uitvinding opent derhalve de mogelijkheid de temperatuurcoëffici-ent van een condensator 0 van een hybride schakeling te compenseren 20 door het bijschakelen van een uit dunne lagen bestaande totale weerstand RTa + R^^^ = R met een tegengestelde temperatuurcoëffici-ent. Voorts is het echter ook mogelijk dat de temperatuurcoëfficiënt van een elektrische schakelinrichting wordt gecompenseerd doordat de resulterende temperatuurcoëfficiënt van het RC-produkt niet nul 25 wordt gemaakt, maar een waarde wordt gegeven die de temperatuurcoëfficiënt van de schakelinrichting compenseert. Bit bereikt men door het bijschakelen van een RC-inrichting met een tegengestelde temperatuurcoëfficiënt,bestaande uit een apart capacitief bouwelement en een weerstandsinrichting bestaande uit de weerstanden 25 30 en 26 voor het bepalen van de temperatuurcoëfficiënt. In plaats van een RC-inrichting kan ook een RL-inrichting worden gebruikt.
Voor de in fig. 4 weergegeven inrichting geldt ·: 3?CR = - ICC (TCR = - 3?CL) en/of TOR - ICC = a, waarbij a é ÏCR 35 bij een inductie geldt
TCR - TCL = b, waarbij b = TCR
Het instellen van de temperatuurcoëfficiënt vindt bij de inrichting volgens fig. 4 weer plaats door het in serie schakelen van een temperatuursonafhankelijke weerstand 25 en een temperatuurs-40 afhankelijke weerstand 26, maar ook hier kunnen, evenals bij de 8103629 9 & hierboven beschreven inrichtingen, een parallelschakeling of ook een serie-parallelschakeling worden toegepast. In plaats van een temperatuursafhankelijke weerstand van\tantalium kan bijvoorbeeld ook nikkelchroom (HiCr), tantaliumnitride (ïaH,,) of tantalium-5 oxynitride (TaO U ) worden gebruikt, lis alternatief voor de opeen- ^ y volging van lagen van tantalium en nikkel kunnen als materialen met een grote positieve temperatuurcoefficient bijvoorbeeld ook platina, goud of zuiver nikkel toepas'sing vinden. Dit geldt ook voor de inrichtingen volgens de fig. 1 - 3 · 10 Voorbeeld.
3?ig. 4 toont een in zijn totaal temperatuursonafhankelijke RC-tak; de temperatuurseompensatie is verkregen door instelling van de temperatuurcoëfficiënten TCR = - ICC, waarbij als temperatuurs-onafhanfcelijk deel een zuivere tantaliumweerstand dient, terwijl 15 het temperatuursafhankelijke deel bestaat uit een uit dunne lagen opgebouwde TaNi-weerstand. Hiervoor gelden de formules : E = ^a + ^aHi H = 10kohm wordt aangenomen ICR - TCR™ v -b t gew. ra 20 " ÏCSn!aHi - ÏCE!Da
De temperatuurcoëfficiënt van tantalium kan in dit geval niet meer worden verwaarloosd, aangezien de tantaliumweerstand wel op noemenswaardige^ optreedt bij de resulterende temperatuurcoëffioiënt (zie hieronder).
25 TGR^a = - 8,0 x 10”^/°C voor tantaliumoxynitride als wesrstandslaag van tantalium = + 5.5 x 10-5/=0
zo verkrijgt men de in de 'onderstaande tabel vermelde waarden afhankelijk van de waarden van ICC
30 RMi[ohm] 143,4 412,2 537,6 734,8 9U,0 1487,5 ICC [10"6/°C] 0 -150 -220 -330 -470 -750
Bij de vervaardiging van de uit dunne lagen bestaande inrichting volgens fig, 4 zijn de uit tantalium bestaande weerstand 25 35 en de uit tantalium en nikkel bestaande weerstand 26 eerst gescheiden» Ha een voorveroudering van de weerstanden,ter verhoging van de stabiliteit gedurende lange tijd van de laagweerstanden en van de temperatuurooëfficiënten,worden eerst weer R^,a en bij twee verschillende temperaturen gemeten, bijvoorbeeld weer bij 0°C en 40 100°C, teneinde hieruit de temperatuurcoëfficiënten TCR^ en ICR^^.
8103629 10 , 9= te berekenen. Ha vergroting van het stealings , vermogen van de baan en het kortsluiten van RTa en B^., bijvoorbeeld door vertinnen, vindt met behulp van een laser het justeren van de weerstanden op een zodanige wijze plaats, dat E = E^,a + E^^^ = 10 kohm bij de 5 justeertemperatuur van 20°C. Tengevolge van mogelijke veranderingen, meer in het bijzonder van de overgangsweerstanden,bij het vertinnen door indompelen, vindt de justering plaats na het verbinden van de weerstanden met inachtneming van de eerder gemeten afzonderlijk weerstanden. De weerstanden E^a en E^a^ zijn met behulp van de 10 hierboven gegeven formules berekend. Hierdoor verkrijgt men TOE = - TCC.
Met de uit dunne lagen bestaande inrichting volgens de uitvin-, ding wordt het mogelijk EC-oscillatoren bij hoge frequenties te laten werken met een aanzienlijke toeneming van de nauwkeurigheid.
15 Er kunnen goedkope chip-condensators met eventueel hogere capaciteiten in hybride schakelingen worden toegepast.
8103629

Claims (2)

  1. - --dB GOSCIUSIES 1. ïïit dunne lagen bestaande inrichting, meer in het bijzonder een hybride inrichting of een temperatuursensor, met ten minste twee op het vlak van een substraat aangebrachte^afzonderlijke lagen die 5 gedurende lange tijd stabiel zijn en met behulp van een etstechniek kunnen -worden bewerkt, met het kenmerk, dat de temperatuur-coëffieiënt (TC) van de uit het totale lagensysteem (Ui + Ta) gevormde weerstanden op een van te voren bepaalde waarde kan worden ingesteld door het aan elkaar schakelen van ten minste twee uit 10 dunne lagen bestaande weerstandselementen (E^^, 2^a) met verschillende temperatuurcoëffieiënten.
  2. 2. ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat uit het totale lagensysteem (Ui 4- Ta) temperatuursafhankelijke weerstanden en uit een 15 deel (Ta) van het totale lagensysteem temperatuursonafhankelijke weerstanden (E^a) worden gevormd. 5. ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de temperatuurcoëfficiënt van een totale weerstand (E^,a + kan worden ingesteld door 20 serie- en/of parallelschakeling van weerstanden uit de totale laag (R^JaUi) en een enkele laag (Rrpa), waarbij de temperatuurcoëfficiënt door deze combinatie kan worden veranderd binnen de grenzen van de temperatuurcoëffieiënten van de afzonderlijke weerstanden. 4. ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens een van de 25 voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat een jus-tering van de temperatuurcoëfficiënt van een als temperatuursensor toegepaste, temperatuursafhankelijke, uit dunne lagen bestaande weerstand (R,^-^.) op een van tevoren bepaalde lage waarde plaats vindt door het bijschakelen van een in verregaande mate temperatuurs- 50 onafhankelijke, uit dunne lagen bestaande weerstand (R^&). 5. ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het justeren van de temperatuurcoëfficiënt van een nikkelsensor ) i voor het compenseren van de strooiing van de karakteristieken,op een 55 van tevoren bepaalde lage waarde plaatsvindt door het in serie- en/of paralle]|schakelen van een tantaliumweerstand (R^a). 6. ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de temperatuursensor (10) en de justeerweerstand (11) door selectief etsen 00X1 ' 40 kunnen worden vervaardigd uit een*aantal lagen bestaande inrichting 8103629 aangetracht op een elektrisch niet-geleidend substraat. 7· ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens een van de -v voorgaande conclusies, m/e t h et k e n m e r k, dat het totale lagensysteem (Ta + Hi) de temperatuursafhankelijke weerstand (R^^.) 5 vormt, terwijl de temperatuursonafhankelijke weerstand (R^) bestaat · uit een door et sing blootgelegd deel (Ta) van de uit dunne lagen bestaande inrichting. . 8 . ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, g e k e n m e r k t door de toepassing ervan 1Q bij een voor de temperatuur gecompenseerde RC en/of 1C hybride schakeling, bij voorkeur^RC-oscillatoren in microcomputer-stuurinrichtingen. 9* ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens een van de voorgaande conclusies, met het k e n m e r k,- dat de tempe-15 ratuurcoëfficiënt (TCC) van een condensator (c) van een hybride schakeling wordt gecompenseerd door het bij schakelen Van een uit dunne lagen bestaande totale weerstand (E) met tegengestelde tempera tuurcoëfficiënt (TCR). 10. ïïit dunne lagen bestaande inrichting volgens een van de 20 voorgaande conclusies, m e t h e t k e n m e r k, dat de temperatuurcoëfficient van een elektrische schakelinrichting is gecompenseerd door het bijschakelen van een RC- of RL-inrichting met een tegengestelde temperatuurcoëfficiënt bestaande uit een afzonderlijk capacitief of inductief bouwelement en een weerstands-25 inrichting (R^, R^^^; 25, 26) die de temperatuurcoëfficiënt bepaalt. 8103629
NL8103629A 1980-08-02 1981-07-31 Inrichting met dunne lagen. NL8103629A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3029446A DE3029446A1 (de) 1980-08-02 1980-08-02 Duennschichtanordnung
DE3029446 1980-08-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8103629A true NL8103629A (nl) 1982-03-01

Family

ID=6108804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8103629A NL8103629A (nl) 1980-08-02 1981-07-31 Inrichting met dunne lagen.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4464646A (nl)
JP (1) JPS5753970A (nl)
DE (1) DE3029446A1 (nl)
NL (1) NL8103629A (nl)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0132374B1 (en) * 1983-07-20 1988-01-20 Tokyo Tatsuno Company Limited Device for measuring liquid flow volume with temperature compensating
EP0193015A3 (de) * 1985-02-26 1990-05-09 Novasina AG Sensor zur Messung der elektrischen Leitfähigkeit
GB2179748B (en) * 1985-08-20 1989-09-06 Sharp Kk Thermal flow sensor
JPS6244971A (ja) * 1985-08-23 1987-02-26 日本特殊陶業株式会社 セラミツク基板ヒ−タ−
US4792782A (en) * 1985-09-23 1988-12-20 Hammond Robert W Apparatus and method for providing improved resistive ratio stability of a resistive divider network
DE3733192C1 (de) * 1987-10-01 1988-10-06 Bosch Gmbh Robert PTC-Temperaturfuehler sowie Verfahren zur Herstellung von PTC-Temperaturfuehlerelementen fuer den PTC-Temperaturfuehler
US4907341A (en) * 1987-02-27 1990-03-13 John Fluke Mfg. Co., Inc. Compound resistor manufacturing method
US4803457A (en) * 1987-02-27 1989-02-07 Chapel Jr Roy W Compound resistor and manufacturing method therefore
US4920329A (en) * 1989-09-13 1990-04-24 Motorola, Inc. Impedance-compensated thick-film resistor
US5041809A (en) * 1990-01-08 1991-08-20 General Electric Company Glass-ceramic temperature sensor for heating ovens
DE4025715C1 (nl) * 1990-08-14 1992-04-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US5444219A (en) * 1990-09-24 1995-08-22 U.S. Philips Corporation Temperature sensing device and a temperature sensing circuit using such a device
DE4104674A1 (de) * 1991-02-15 1992-08-20 Ludwig Schneider Messtechnik G Sensor, insbesondere temperatursensor
US5161541A (en) * 1991-03-05 1992-11-10 Edentec Flow sensor system
JP2968111B2 (ja) * 1991-11-22 1999-10-25 日本特殊陶業株式会社 マイグレーション防止パターンを備えた抵抗体物理量センサ
JPH0653417A (ja) * 1992-05-19 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> 抵抗器回路およびそれを形成する方法
CH684614A5 (de) * 1993-02-16 1994-10-31 Landis & Gyr Business Support Abgeglichener Drahtwiderstand zur Erfassung der Temperatur und Verfahren zur Herstellung von abgeglichenen Drahtwiderständen.
JP3196395B2 (ja) * 1993-02-18 2001-08-06 株式会社村田製作所 抵抗温度センサ
DE4312394A1 (de) * 1993-04-16 1994-10-20 Gsf Forschungszentrum Umwelt Widerstandsthermometer
JP3175890B2 (ja) * 1993-12-27 2001-06-11 日本碍子株式会社 温度センサ
JPH08219900A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Murata Mfg Co Ltd 白金温度センサ
JPH09318594A (ja) * 1996-03-25 1997-12-12 Ngk Insulators Ltd ガスセンサおよび被測定ガス中の特定成分量の測定方法
JP2896996B2 (ja) * 1996-08-27 1999-05-31 釜屋電機株式会社 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法
CZ297066B6 (cs) * 1999-08-10 2006-08-16 Zpusob vztazného merení teplot a rozdílu teplot, asymetrický teplotní senzor a asymetrický vztazný clen pro provádení zpusobu
DE19957991C2 (de) * 1999-12-02 2002-01-31 Daimler Chrysler Ag Anordnung einer Heizschicht für einen Hochtemperaturgassensor
SE516411C2 (sv) * 2000-05-26 2002-01-15 Ericsson Telefon Ab L M Anordning för att kompensera variationer hos ett motstånds ytresistans på ett chips
DE10119928A1 (de) * 2001-04-23 2002-10-31 Behr France Sarl Heizregister mit PTC-Elementen
JP4009520B2 (ja) * 2002-11-05 2007-11-14 日東電工株式会社 温度測定用フレキシブル配線回路基板
US7012499B2 (en) * 2003-06-02 2006-03-14 International Business Machines Corporation Method of fabrication of thin film resistor with 0 TCR
DE102004034185B3 (de) * 2004-07-15 2006-01-05 Zitzmann, Heinrich, Dr. Temperaturfühler und Verfahren zu dessen Herstellung
FR2912674B1 (fr) * 2007-02-20 2009-08-28 Snecma Services Sa Procede de rechargement d'une piece en alliage d'aluminium
US8305186B1 (en) * 2010-08-24 2012-11-06 Minco Products, Inc. Resistive temperature detector assembly
WO2013112861A2 (en) * 2012-01-26 2013-08-01 Vishay Dale Electronics, Inc. Integrated circuit element and electronic circuit for light emitting diode applications
DE102014225897B3 (de) * 2014-12-15 2016-03-17 Ust Umweltsensortechnik Gmbh Hysteresefreier Hochtemperatursensor
US9595518B1 (en) 2015-12-15 2017-03-14 Globalfoundries Inc. Fin-type metal-semiconductor resistors and fabrication methods thereof
US11226244B2 (en) * 2019-01-30 2022-01-18 Sensata Technologies, Inc. Automotive exhaust gas sensor with two calibration portions

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1317558A (nl) * 1961-03-13 1963-05-08
US3513411A (en) * 1968-01-30 1970-05-19 El Rad Mfg Co Frequency stabilized tuned circuit oscillator
US3845443A (en) * 1972-06-14 1974-10-29 Bailey Meter Co Thin film resistance thermometer
DD106493A1 (nl) * 1973-08-24 1974-06-12
DE2362567A1 (de) * 1973-12-17 1975-06-19 Crl Electronic Bauelemente Temperaturstabilisierte elektronische schaltung
JPS5111161A (ja) * 1974-07-18 1976-01-29 Iwatsu Electric Co Ltd Hakumakuteikososhino teikoondokeisuchoseiho
US4019168A (en) * 1975-08-21 1977-04-19 Airco, Inc. Bilayer thin film resistor and method for manufacture
US4079349A (en) * 1976-09-29 1978-03-14 Corning Glass Works Low TCR resistor
JPS53103194A (en) * 1977-02-18 1978-09-08 Hitachi Ltd Thin film resistor unit with resistor for compensating resistance temperature coefficient
US4104607A (en) * 1977-03-14 1978-08-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Zero temperature coefficient of resistance bi-film resistor
JPS53133800A (en) * 1977-04-26 1978-11-21 Nec Corp Method of manufacturing thin film resistor element
DE2719988C2 (de) * 1977-05-04 1983-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Amorphe, Tantal enthaltende mindestens bis 300 Grad C temperaturstabile Metallschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPS548865A (en) * 1977-06-22 1979-01-23 Hitachi Ltd Method of making thin film resistance elements
JPS5434901A (en) * 1977-08-23 1979-03-14 Teijin Ltd Method of producing printing plate
FR2440618A1 (fr) * 1978-11-03 1980-05-30 Lignes Telegraph Telephon Circuit integre resistance - capacite a couches minces
EP0016263B1 (de) * 1979-03-21 1983-07-06 BBC Brown Boveri AG Dünnschichtwiderstand mit grossem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US4464646A (en) 1984-08-07
JPS5753970A (nl) 1982-03-31
DE3029446A1 (de) 1982-03-11
DE3029446C2 (nl) 1990-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8103629A (nl) Inrichting met dunne lagen.
US6097276A (en) Electric resistor having positive and negative TCR portions
US4329878A (en) Bridge circuit formed of two or more resistance strain gauges
US8581687B2 (en) Four-terminal resistor with four resistors and adjustable temperature coefficient of resistance
US4907341A (en) Compound resistor manufacturing method
US7934430B2 (en) Die scale strain gauge
US4628296A (en) Load cell
JP3342926B2 (ja) 流量センサ
US5184520A (en) Load sensor
US5057811A (en) Electrothermal sensor
GB2126350A (en) Dew-point measuring device
US4160969A (en) Transducer and method of making
US4803457A (en) Compound resistor and manufacturing method therefore
US7674038B2 (en) Arrangement for temperature monitoring and regulation
JPH0212002B2 (nl)
US5039976A (en) High-precision, high-stability resistor elements
RU2208256C2 (ru) Способ изготовления тонкопленочного резистора
US20040217844A1 (en) Thick film thermistor and method of manufacture
JPS645260B2 (nl)
JP2793615B2 (ja) 赤外線センサ
JPS6239927B2 (nl)
JPH04131721A (ja) 応力センサ
JPH0438425A (ja) 熱式流量センサ
JPH0338668Y2 (nl)
RU2028584C1 (ru) Тонкопленочный датчик давления и способ его настройки

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed