NL8007051A - Vaste-toestandsinrichting. - Google Patents

Vaste-toestandsinrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8007051A
NL8007051A NL8007051A NL8007051A NL8007051A NL 8007051 A NL8007051 A NL 8007051A NL 8007051 A NL8007051 A NL 8007051A NL 8007051 A NL8007051 A NL 8007051A NL 8007051 A NL8007051 A NL 8007051A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
region
regions
semiconductor
type
gate
Prior art date
Application number
NL8007051A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL8007051A publication Critical patent/NL8007051A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76297—Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7391—Gated diode structures
    • H01L29/7392—Gated diode structures with PN junction gate, e.g. field controlled thyristors (FCTh), static induction thyristors (SITh)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

'V'1 VO 1191
Vaste-toestandsinri dating.
De uitvinding heeft betrekking op een vaste-toe-stands-inrichting en meer in het bijzonder op een vaste-toestandsinrich-ting voor hoge spanning, welke kan worden toegepast bij telefoon-schakelstelsels- en in vele andere gevallen.
5 In een artikel, getiteld "Development of Integrated
Semiconductor Crosspoint Switches and a Fully Electronic Switching System" van Michio Tokunaga e.a., International Switching Symposium, 26 oktober 1976 in Kyoto, Japan, paper 221-^, vindt men een dielek-trisch geïsoleerde vaste-toestandsschakelaar voor hoge spanning met 10 een halfgeleiderlichaam van het n-type. Een anodegebied met een -· geleiding van het p+type is slechts door gedeelten van de massa van het lichaam van een eerste poortgebied van het p+type gescheiden.
Het eerste poortgebied omgeeft en contacteert een kathodegebied met een geleiding van n+type. Een tweede poortgebied met een geleiding 15 van het p+type in het halfgeleiderlichaam bevindt zich in een gedeelte van het halfgeleiderlichaam, dat verschilt van het gebied tussen de anode- en eerste poortgebieden. De schakelaar wordt ingeschakeld door stroom aan een van de poortgebieden toe te voeren of daaruit af te nemen. Wanneer de stroom tussen de anode en de kathode eenmaal 20 ophoudt, keert de schakelaar naar de normaal blokkerende uit-toestand terug. Een tekortkoming van deze inrichting is, dat de inrichting niet in staat is om op een geschikte wijze een bestaande grote stroom tussen de anode en de kathode (de uitgangsklemmen} te onderbreken.
Het is gewenst te beschikken over een vaste-toestands-25 schakelaar, welke sterk gelijkt op de bovenbeschreven schakelaar, doch waarbij het op een eenvoudige wijze mogelijk is een bestaande grote stroom tussen de uitgangsklemmen daarvan te onderbreken (af te snijden).
Bij een illustratieve uitvoeringsvorm van een vaste-toe-30 standsschakelaar voor hoge spanning volgens de uitvinding wordt ge bruik gemaakt van een iets gedoteerd monokristallijn halfgeleiderlichaam van het n-type met een sterk gedoteerd anodegebied van het p+type, een sterk gedoteerd eerste poortgebied van het n+type, een matig gedoteerd tweede poortgebied van het p-type en een sterk gedo-35 teerd type van het n+type. Het tweede poortgebied omgeeft het kathode- 8 0 07 0 5 1 -2- gebied. Het eerste poortgebied bevindt zich direkt tussen het anode-gebied en het tweede poortgebied. Bij een voorkeursuitvoeringsvorm is het halfgeleiderlichaam dielektrisch geïsoleerd ten opzichte van een polykristallijn halfgeleidend steunonderdeel.
5 Bij een bepaalde uitvoeringsvorm is de schakelaar zodanig ontworpen, dat deze is ingeschakeld en geleid wanneer de anode positief ten opzichte van de kathode is voorgespannen. De geleiding vanuit de anode naar de kathode wordt belemmerd of onderbroken door de potentiaal van het eerste poortgebied te verhogen tot een waarde, 10 waarbij onttrekkingsgebieden in het halfgeleiderlichaam worden gevormd, waarbij de potentiaal van het gedeelte van de massa van het halfgeleiderlichaam onder het poortgebied en boven de elektrische laag meer positief is dan die van de anode, de kathode en/of het tweede poortgebied.
15 De plaats van het eerste poortgebied tussen de anode- en kathodegebieden is een primaire faktor, welke de stroomverbrekings-karakteristiek van de vaste-toestandsschakelaar volgens de uitvinding vereenvoudigt.
De uitvinding zal onderstaand nader worden toegelicht 20 onder verwijzing naar de tekening, waarin voorkeursuitvoeringsvormen van een hoogspanningsschakelaar volgens de uitvinding is weergegeven.
Deze figuur toont een perspectivisch aanzicht van een stelsel 10 met een planair oppervlak 11, voorzien van een polykristallijn halfgeleideronderdeel 12, dat een monokristallijn halfgeleider-25 lichaam 16 ondersteunt, waarvan de massa een geleiding van het n-type bezit, en dat door een dielektrische laag 1¼ van het steunonderdeel 12 is gescheiden.
Een gelocaliseerd eerste anodegebied 18, dat een geleiding van het p+type bezit, is in het lichaam 16 aanwezig en omvat een 30 gedeelte, dat een deel van het oppervlak 11 vormt. Een gelocaliseerd poortgebied 20, dat een geleiding van het n+type heeft, is eveneens in het lichaam 16 aanwezig en een gedeelte van dit gebied vormfceen deel van het oppervlak 11. Een gelocaliseerde derde kathodegebied 2k, dat een geleiding van het n+type heeft, is in het lichaam 16 aanwezig 35 en omvat een gedeelte, dat een deel van het oppervlak 11 vormt. Een gebied 22, dat een geleiding van het p-type heeft, omsluit het gebied 2k dicht en werkt als een onttrekkingslaag-doorstootscherm. Bo- 8007051 •r . -% -3- vendien dient dit gebied om een inversie van de gedeelten van het i -i nhflAin 16 aan of hij het oppervlak 11 tussen de gebieden 20 en 2k te belemmeren. Het poortgebied 20 bevindt zich tussen het anodegebied 13 en het gebied 22 en is door zaassagedeelten van het lichaam 5 16 van het n-type van deze. beide gebieden gescheiden. De specifieke weerstanden van de gebieden 18, 20 en 2k zijn gering vergeleken met die van de massagedeelten van het lichaam 16. De specifieke weerstand van het gebied 22 ligt tussen die van het kathodegebied 2k en die van het massagedeelte van het lichaam 16.
10 De elektroden 28, 30 en 32 zijn geleiders, welke een contact met kleine weerstand met de oppervlaktegedèelten van de resp. gebieden 18, 20 en 2^ maken. Een geperforeerd dielektricum bedekt het hoofdvlak 11 om de elektroden 28, 30 en 32 ten opzichte van alle gebieden te isoleren, welke verschillen van die, waarvan 15 is beoogd, dat deze elektrisch worden gecontacteerd. Een elektrode 36 vormt een contact met een kleine weerstand met de steun 12 via een sterk gedoteerd gebied 3^, dat van hetzelfde n-geleidingstype is als de steun 12.
Bij voorkeur bestaan de steun 12 en het lichaam 16 elk 20 uit silicium, waarbij de steun 12 een geleiding van het n- of p- type bezit. Zoals aangegeven, overlappen de elektroden 28, 30 en 32 bij voorkeur de halfgeleidergebieden, waarmee zij een contact met kleine weerstand maken ofschoon zij ten opzichte daarvan elektrisch zijn geïsoleerd door gedeelten van de laag 26. De elektrode 32 over-25 lapt verder volledig het gebied 22. Deze overlapping, welke bekend staat als "field plating" vereenvoudigt een hoogspanningswerking omdat hierdoor de spanning waarbij doorslag optreedt, wordt verhoogd.
Bij de illustratieve uitvoeringsvorm bestaan de steun 12, het lichaam 16 en de gebieden 18, 20, 22, 2k en 3¼ alle uit silicium 30 en hebben deze respectieirelijk een geleiding van het n-, n-, p+, n+, p, n+ en n+type, waarbij het "+" teken een relatief geringe specifieke weerstand aanduidt en het "-"-teken een rela:ief grote specifieke weerstand aanduidt. De dielektrische laag ih bestaat uit siliciumdioxyde en de elektroden 28, 30, 32 en 36 bestaan alle uit 35 aluminiumlagen.
Men kan een aantal gescheiden lichamen 16 in een gemeenschappelijke steun 12 vormen om in een geïntegreerd stelsel een aantal schakelaars te verschaffen.
qη Π7η ς 1 -1+-
De inrichting 10 wordt meer in het bijzonder bedreven als een schakelaar met een baan met kleine impedantie tussen het ano-de-gebied 18 en het kathodegebied 2k wanneer de schakelaar zich in de IN-(geleidende)toestand bevindt en een baan met grote impedantie 5 tussen deze twee gebieden wanneer de schakelaar zich in de UIT- (blokkerings)toestand bevindt. De potentiaal, welke aan het poortgebied 20 wordt aangelegd, bepaalt de toestand van de schakelaar, vanneer op de andere elektroden geschikte bedrijfs spanningen worden onderhouden. De geleiding tussen het anodegebied 18 en het kathode-10 gebied 2k treedt op, indien de potentiaal van het anodegebied 18 vddoende groter is dan die van het kathodegebied 2k en indien de potentiaal van het poortgebied 20 lager ligt dan de potentiaal van het anodegebied 18. Tijdens de IH-toestand worden vanuit het anodegebied 18 gaten in het lichaam 16 geïnjecteerd en worden vanuit het 15 kathodegebied 2k elektronen in het lichaam 16 geïnjecteerd.
Deze gaten en elektronen zijn in een voldoend aantal aanwezig om een plasma te vormen, dat het lichaam 16 wat geleiding betreft moduleert. Hierdoor wordt de weerstand van het lichaam 16 zodanig verlaagd, dat de weerstand tussen het anodegebied 18 en het kathode— 20 gebied 2k betrekkelijk gering is wanneer de inrichting 10 in de IN— toestand werkt. Dit type werking wordt aangeduid als een dubbele dra-gerinjectie.
Het gebied 22 draagt ertoe bij de doorslag van een ont-trekkingslaag, die tijdens het bedrijf tussen het poortgebied 20 en 25 het kathodegebied 2k wordt gevormd, te begrenzen en draagt bij tot het belemmeren van de vorming van een oppervlakteinversielaag tussen deze twee gebieden. Bovendien kunnen het poortgebied 20 en het kathodegebied 2k hierdoor gemakkelijker dicht bij elkaar worden gebracht. Hierdoor wordt een betrekkelijk geringe weerstand tussen het anode-30 gebied 18 en het kathodegebied 2k tijdens de IN-toestand vereenvou digd.
De steun 12 wordt meer in het bijzonder op het meest positieve potentiaalniveau, dat beschikbaar is, gehouden. De geleiding tussen het anodegebied 18 en het kathodegebied 2b wordt belemmerd of 35 afgesneden indien de potentiaal van het poortgebied 20 voldoende meer positief is dan die van het anodegebied 18, het kathodegebied 2k en het gebied 22. De hoeveelheid extra positieve potentiaal, welke 8007051 & --. -5- nodig is om de geleiding te "beletten, of. af te snijden, is een funktie van de geometrie en de verontreinigingsconcentratie-(doteer}-niveaus van de inrichting. Deze positieve poortpotentiaal veroorzaakt, dat een dwarsdoorsnedegedeelte van het lichaam 16 tussen het poortgehied 5 20 en de dielektrische laag 14 een meer positieve potentiaal heeft dan het anodegebied 18, het kathodegebied 2k en/of het gebied 22.
Deze positieve potentiaalbarrière belemmert de geleiding van gaten vanuit het anodegebied 18 naar het kathodegebied 2k. Bovendien worden bij de overgangen van de anodegebieden 18 en het lichaam l6 en bij 10 het gebied 22 en het lichaam 16 onttrekkingsgebieden gevormd. Het elektrische veld in de gevormde onttrekkingsgebieden dient om de gaten in het anodegebied 18 en het gebied 22 vast te houden en beperkt derhalve de stroom tussen de anode- en kathodegebieden (18 en 2h). Het poortgebied 20 zamelt de elektronen op, die bij het kathode-15 gebied 2k worden geemitteerd, voordat deze het anodegebied 18 kunnen bereiken.
Tijdens de IW-toestand van de inrichting 10 wordt de overgangsdiode, welke het anodegebied l8 en het halfgeleiderlichaam 16 omvat, in de doorlaatrichting voorgespannen. Er zijn normaliter 20 stroombegrenzingsorganen, zoals een belasting (niet afgebeeld] aan wezig om de geleiding over de in de doorlaatrichting voorgespannen diode te begrenzen. Wanneer de inrichting 10 zich in de IH-toestand bevindt, kan de potentiaal van het poortgehied 20 boven de potentiaal van het anodegebied 18 worden verhoogd en zal een stroom tussen 25 het anodegebied 18 en het kathodegebied 2k blijven vloeien totdat het gedeelte van het halfgeleiderlichaam 16 onder het poortgehied 20 en naar beneden naar de dielektrische laag I1»· een meer positieve potentiaal heeft dan het anodegebied 18, het kathodegebied 2k en het gebied. 22.
30 Een bepaalde uitvoeringsvorm kan de volgende constructie hebben. Het steunonderdeel 12. bestaat uit een siliciumsubstraat van het n-type met een dikte van 0;^6-0,56 mm voor het verschaffen van een mechanische ondersteuning, met een verontreinigingsconcentratie . . U ... 3 van bij benadering 2x10 J verontremigmgen-cm , overeenkomende met 35 een specifieke weerstand, welke groter is dan 100 ohm-cm. De andere afmetingen worden bepaald door de afmeting en het aantal lichamen 16 dat aanwezig moet zijn. De dielektrische laag lU bestaat uit een 8007051 -6- siliciumdioxydelaag met een dikte.Tan 2-4 micron. Eet lichaam 16 heeft meer in het bijzonder een dikte van 30-55 micron, een lengte van ongeveer 430 micron, een breedte van 300 micron en bezit een geleiding van het n-type met een verontreinigingsconcentratie in het ge-5 bied van bij benadering 5-9x10 verontreinigingen/cm . Het anode- gebied 18 heeft een geleiding van p+type, heeft een dikte van meer in het bijzonder 2-4 micron, een breedte van 44 micron, een lengte van 52 micron en een verontreinigingsconcentratie van bij benadering 10 7 verontreinigingen/cm of meer. De elektrode 28 bestaat meer in 10 het bijzonder uit aluminium met een dikte van 1,5 micron, een breedte van 84 micron en een lengte van 105 micron. Het gebied 20 heeft een geleiding van het n+type en heeft een dikte van meer in het bijzonder 2-20 micron, een breedte van 15 micron, een lengte van 300 micron een een verontreinigings concentratie van bij benadering 15 1019 verontreinigingen/cm^ of meer. De elektrode 30 bestaat uit aluminium, heeft een dikte van 1,5 micron, een breedte, van 50 micron en een lengte van 340 micron. De afstand tussen naast elkaar gelegen randen van de elektroden 28 en 30 en tussen naast elkaar gelegen randen van de elektroden 30 en 32 bedraagt in beide gevallen meer in 20 het bijzonder 40 micron. Het gebied 22 heeft een geleiding van het p-type en heeft meer in het bijzonder een dikte van 3-6 micron, een breedte van 64 micron, een lengte van 60 micron en een veront- 1T 18 reinigingsconcentratie van bij benadering 10J tot 10 verontrei-
O
nigingen/cm . Het kathodegebied 24 heeft een geleiding van het n+ 25 type en heeft meer in het bijzonder een dikte van 2 micron, een breedte van 48 micron, een lengte van 44 micron en een verontrei-nigingsconcentratie van bij benadering 10^ verontreinigingen/cm^ of meer. De elektrode 32 bestaat uit aluminium, bezit een dikte van 1,5 micron, een breedte van 104 micron en een lengte van 104 micron.
30 De afstand tussen de uiteinden van de gebieden 18. en 22 en de respectieve uiteinden van het lichaam 16 bedraagt meer in het bijzonder 55 micron. De afstand tussen de anodegebieden 18 en het poortgebied 20 bedraagt meer in het bijzonder 74 micron evenals de afstand tussen het poortgebied 20 en het gebied 22. Het gebied 34 heeft een gelei-35 ding van het n+type en heeft meer in het bijzonder een gebied van 2 micron, een breedte van 26 micron, een lengte van 26 micron en 19 3 een verontreinigingsconcentratie van 10 verontreinigingen/cm of 8007051 -7- meer. De elektrode 36 bestaat uit aluminium met een dikte van 1,5 micron, een breedte van 26 micron en een lengte van 26 micron.
De bovenbeschreven uitvoeringsvormen zijn slechts ter illustratie van het algemene principe van de uitvinding gegeven.
5 Binnen het kader van de uitvinding zijn verschillende varianten mogelijk. Zo kan het steunonderdeel 12 ook bestaan uit p-type silicium, galliumarsenide, saffier, een geleider of een elektrische inactief materiaal. Indien het gebied 12 een elektrisch... inactief materiaal is, kan de dielektrische laag 14 worden geelimineerd. Voorts kan 10 het lichaam 16 als een inrichting met luchtisolatie worden uitgevoerd. Hierdoor kan het. steunonderdeel 12 worden geelimineerd. Voorts kunnen de elektroden bestaan uit gedoteerde polysilicium, gouden, titaan- of andere type geleiders. Verder kunnen de verontreinigings-concentratieniveau's, de afstanden tussen de verschillende gebieden 15 en andere dimensies van gebieden zodanig worden ingesteld, dat geheel andere bedrijfsspanningen en stromen, dan beschreven, mogelijk zijn. Verder kan het siliciumdioxyde worden vervangen door andere di-elektrische materialen, zoals siliciumnitride. Voorts kan het gelei dings type van alle gebieden in de dielektrische laag worden omge-20 keerd mits de spanningspolariteiten op een geschikte wijze worden veranderd. Verder kan met het gebied 22 een elektrisch contact tot stand worden gebracht. Afhankelijk van de specifieke weerstand van het gebied 22 kan het elektrische contact daarmede direkt met het gebied 22 of via een halfgeleidercontactgebied van het p+type, 25 dan in een gedeelte van het gebied 22 aanwezig is, tot stand worden gebracht. Het gebied 22 kan dan als een tweede poort gebied van de inrichting worden gebruikt. Het is duidelijk, dat het gebruik van twee inrichtingen volgens de uitvinding, waarbij de kathode van de ene met de anode van de andere is gekoppeld, en de eerste poortgebieden 30 20 gemeenschappelijk zijn, voorziet in een bidirektionele schakelaar, waarbij een wisselstroom en gelijkstroomwerking mogelijk is.
8007051

Claims (8)

1. Schakelinrichting voorzien van een half gelei derli chaam, waarvan een massagedeelte een eerste geleidingstype bezit, een in het lichaam aanwezig eerste gebied met een tweede geleidingstype, 5 tegengesteld aan dat van het eerste type, een tweede gebied, dat zich in het lichaam.bevindt en van het eerste geleidingstype is, een derde gebied met het tweede geleidingstype, waarbij dit derde gebied het tweede gebied omgeeft en daarmede in aanraking is, een poortgebied, dat zich in het lichaam bevindt en van het eerste geleidingstype is 10 waarbij de eerste, derde en poortgebieden onderling zijn gescheiden door gedeelten van de massa van het halfgeleiderlichaam en aan een eerste hoofdvlak van het lichaam aanwezig zijn, waarbij de specifieke weerstand van de massa van het lichaam groter is dan de specifieke weerstand van de eerste, tweede, derde en poortgebieden, waarbij de 15 parameters van de inrichting zodanig zijn, dat wanneer een,aars te spanning aan het pocrtgebied wordt aangelegd, in het lichaam onttrek-kingsgebieden worden gevormd en de potentiaal van het gedeelte van de massa onder het poortgebied en boven de dielektrische laag meer positief is dan die van de eerste, tweede en derde gebieden, zodat 20 een stroom tussen de eerste en tweede gebieden in hoofdzaak wordt belemmerd, en dat wanneer aan het poortgebied een tweede spanning wordt aangelegd en aan de eerste en tweede gebieden geschikte spanningen aangelegd, een stroombaan met relatief geringe weerstand tussen de eerste en tweede gebieden tot stand wordt gebracht door dubbele 25 dragerinjectie, met het kenmerk, dat het poortgebied (20) zich in wezen direkt tussen het eerste gebied (18) en het derde gebied (22) bevindt.
2. Schakelinridating volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het halfgeleiderlichaam (16) door een dielektrische laag (ik) 30 van een halfgeleidend steunonderdeel (12) is gescheiden.
3. Stelsel voorzien van een aantal schakelinrichtingen volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat elke schakelinrichting aanwezig is in een halfgeleidersteunonderdeel (12) en dielektrisch (lU) van een andere inrichting is gescheiden.
35 Inrichting volgens conclusie 2 of 3, met het kenmerk, dat het half geleidende steunonderdeel bestemd is om met een afzonderlijke elektrode te worden gekoppeld.
5. Inrichting volgens conclusie 2 of 3, met het kenmerk, 8007051 V ; -9- » dat het halfgeleidende steunonderdeel een geleiding ran het n- of p-type bezit, het halfgeleiderlichaam, het tweede en het derde gebied een geleiding van het n-type bezitten, de eerste en vierde gebieden een geleiding van het p-type hebben, de specifieke weerstand 5 van de eerste, tweede en derde gebieden kleiner is dan die van het massagedeelte van het halfgeleiderlichaam, en de specifieke weerstand van het vierde gebied is gelegen tussen die van het eerste gebied en het massagedeelte van het halfgeleiderlichaam.
6. Inrichting volgens conclusie 5» met het kenmerk, dat 10 het halfgeleidersteunonderdeel bestemd is om met een afzonderlijke elektrode te worden gekoppeld.
7· Inrichting volgens conclusies 2 of 3, met het kenmerk, dat het halfgeleidende steunonderdeel een geleiding van het n- of p— type heeft, het halfgeleiderlichaam en de tweede en derde gebiedenu 15 een geleiding van het p-type hebben, de eerste en vierde gebieden een geleiding van het n-type hebben, de specifieke weerstand van de eerste, tweede en derde gebieden kleiner is dan die van het massagedeelte van het halfgeleiderlichaam, en de specifieke weerstand van een vierde gebied is gelegen tussen die van het eerste gebied en het 20 massagedeelte van het halfgeleiderlichaam.
8. Inrichting volgens conclusie 7» met het kenmerk, dat het halfgeleidende steunonderdeel bestemd is om te worden gekoppeld met een afzonderlijke elektrode. 25 8007051
NL8007051A 1979-12-28 1980-12-24 Vaste-toestandsinrichting. NL8007051A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10777579A 1979-12-28 1979-12-28
US10777579 1979-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8007051A true NL8007051A (nl) 1981-07-16

Family

ID=22318408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8007051A NL8007051A (nl) 1979-12-28 1980-12-24 Vaste-toestandsinrichting.

Country Status (21)

Country Link
JP (1) JPS56103467A (nl)
KR (1) KR840002413B1 (nl)
AU (1) AU534874B2 (nl)
BE (1) BE886821A (nl)
CA (1) CA1145057A (nl)
CH (1) CH652863A5 (nl)
DD (1) DD156039A5 (nl)
DE (1) DE3048702A1 (nl)
DK (1) DK549780A (nl)
ES (1) ES8201376A1 (nl)
FR (1) FR2473790A1 (nl)
GB (1) GB2066569B (nl)
HK (1) HK69684A (nl)
HU (1) HU181246B (nl)
IE (1) IE50697B1 (nl)
IL (1) IL61780A (nl)
IT (1) IT1134896B (nl)
NL (1) NL8007051A (nl)
PL (1) PL228665A1 (nl)
SE (1) SE453621B (nl)
SG (1) SG35184G (nl)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4467344A (en) * 1981-12-23 1984-08-21 At&T Bell Telephone Laboratories, Incorporated Bidirectional switch using two gated diode switches in a single dielectrically isolated tub
US4573065A (en) * 1982-12-10 1986-02-25 At&T Bell Laboratories Radial high voltage switch structure

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1039915A (en) * 1964-05-25 1966-08-24 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
US3417393A (en) * 1967-10-18 1968-12-17 Texas Instruments Inc Integrated circuit modular radar antenna
DE2102103A1 (de) * 1970-01-22 1971-07-29 Rca Corp Durch Feldeffekt gesteuerte Diode
JPS5135114B1 (nl) * 1970-12-28 1976-09-30
US3725683A (en) * 1971-02-03 1973-04-03 Wescom Discrete and integrated-type circuit
DE2133430A1 (de) * 1971-07-05 1973-01-18 Siemens Ag Planar-vierschichtdiode
DE2241600A1 (de) * 1971-08-26 1973-03-01 Dionics Inc Hochspannungs-p-n-uebergang und seine anwendung in halbleiterschaltelementen, sowie verfahren zu seiner herstellung
JPS5032942U (nl) * 1973-07-23 1975-04-10
JPS5210061A (en) * 1975-07-15 1977-01-26 Hitachi Ltd Thyristor circuit
US4130827A (en) * 1976-12-03 1978-12-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Integrated circuit switching network using low substrate leakage current thyristor construction
JPS5412682A (en) * 1977-06-30 1979-01-30 Nec Corp Thyristor
GB1587540A (en) * 1977-12-20 1981-04-08 Philips Electronic Associated Gate turn-off diodes and arrangements including such diodes
CH659151A5 (de) * 1978-12-20 1986-12-31 Western Electric Co Festkoerperschalter mit einem halbleiterkoerper und schaltungsanordnung mit wenigstens zwei festkoerperschaltern.

Also Published As

Publication number Publication date
IT8026947A0 (it) 1980-12-24
DD156039A5 (de) 1982-07-21
IE50697B1 (en) 1986-06-25
KR830004678A (ko) 1983-07-16
PL228665A1 (nl) 1981-09-04
BE886821A (fr) 1981-04-16
GB2066569B (en) 1983-09-14
IT1134896B (it) 1986-08-20
ES498097A0 (es) 1981-12-16
SG35184G (en) 1985-02-08
AU534874B2 (en) 1984-02-16
SE8008851L (sv) 1981-06-29
GB2066569A (en) 1981-07-08
CA1145057A (en) 1983-04-19
FR2473790A1 (fr) 1981-07-17
AU6544980A (en) 1981-07-02
KR840002413B1 (ko) 1984-12-27
HU181246B (en) 1983-06-28
DK549780A (da) 1981-06-29
IL61780A (en) 1983-07-31
SE453621B (sv) 1988-02-15
JPS56103467A (en) 1981-08-18
CH652863A5 (de) 1985-11-29
FR2473790B1 (nl) 1985-03-08
IE802604L (en) 1981-06-28
IL61780A0 (en) 1981-01-30
DE3048702A1 (de) 1981-09-10
HK69684A (en) 1984-09-14
ES8201376A1 (es) 1981-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6034385A (en) Current-limiting semiconductor configuration
EP0492558B1 (en) Semiconductor device comprising a high speed switching bipolar transistor
US20010050375A1 (en) Semiconductor device
EP0414499A2 (en) Semiconductor structure with closely coupled substrate temperature sense element
US3728591A (en) Gate protective device for insulated gate field-effect transistors
US4963970A (en) Vertical MOSFET device having protector
US6943408B2 (en) Semiconductor bidirectional switching device
US4562454A (en) Electronic fuse for semiconductor devices
EP0915508A1 (en) Integrated circuit with highly efficient junction insulation
US20070075367A1 (en) SOI semiconductor component with increased dielectric strength
EP0084050B1 (en) Controlled breakover bidirectional semiconductor switch
US4587656A (en) High voltage solid-state switch
NL8007051A (nl) Vaste-toestandsinrichting.
US4063277A (en) Semiconductor thyristor devices having breakover protection
EP0278093B1 (en) Semiconductor structure with a multilayer contact
US4587545A (en) High voltage dielectrically isolated remote gate solid-state switch
US4641163A (en) MIS-field effect transistor with charge carrier injection
EP0099926B1 (en) Field-effect controlled bi-directional lateral thyristor
CA1190327A (en) Gated diode switching devices
US4214255A (en) Gate turn-off triac with dual low conductivity regions contacting central gate region
KR830002293B1 (ko) 고압용 게이트 다이오드 스위치
KR830000497B1 (ko) 고전압 접합 솔리드 스테이트 스위치
EP0948050A1 (en) Electronic semiconductor power device with polycrystalline silicon components
CA1123122A (en) High voltage dielectrically isolated dual gate solid-state switch
JPH10163503A (ja) 集積化された垂直形半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed