NL8004472A - Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode. - Google Patents

Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode. Download PDF

Info

Publication number
NL8004472A
NL8004472A NL8004472A NL8004472A NL8004472A NL 8004472 A NL8004472 A NL 8004472A NL 8004472 A NL8004472 A NL 8004472A NL 8004472 A NL8004472 A NL 8004472A NL 8004472 A NL8004472 A NL 8004472A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
fiber
laser diode
semiconductor laser
laser
optical
Prior art date
Application number
NL8004472A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8004472A priority Critical patent/NL8004472A/nl
Priority to US06/282,618 priority patent/US4427261A/en
Priority to CA000382925A priority patent/CA1157930A/en
Priority to FR8114947A priority patent/FR2488455B1/fr
Priority to SE8104647A priority patent/SE457037B/sv
Priority to GB8123659A priority patent/GB2081964B/en
Priority to DE19813131024 priority patent/DE3131024A1/de
Priority to JP56122916A priority patent/JPS6342873B2/ja
Publication of NL8004472A publication Critical patent/NL8004472A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/146External cavity lasers using a fiber as external cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

F"----- Τ PHN 9819 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode.
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode.
Wanneer een halfgeleiderlaserdiode, welke een grote coherentielengte heeft, met een glasfiber, welke een gegra-5 deerd brekingsinzed profiel heeft, of in het algemeen met een multimode fiber gekoppeld wordt en er bevinden zich êên of meer niet ideale fiberkoppelingen of in het algemeen verbindingen met een ruimtelijk filterende werking in de trans-missieweg, dan treedt aan de ontvangzijde van de fiber zoge-10 naamde mode ruis op.
Het verschijnsel van mode ruis is beschreven in de Proceedings of the Fourth European Conference on Optical Communication, September 12-15, 1978, Genova, pp 492-501. Hierin is tevens aangegeven dat door toepassing van een laser 15 welke een grotere spectrale lijnbreedte van êên longitudinale mode en dus een kleinere coherentielengte heeft, de mode ruis sterk kan worden verminderd.
De uitvinding beoogt een inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode aan te geven, waardoor uitgaande 20 van een laser welke op zich een kleine spectrale lijnbreedte van êên longitudinale mode heeft een optisch spectrum van de laser wordt verkregen, welke geschikt is voor het verminderen van mode ruis in fibertransmissiesystemen.
De inrichting voorzien van een halfgeleiderlaser-25 diode volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat êên van de eindvlakken van de halfgeleiderlaserdiode optisch is gekoppeld met een uiteinde van een sectie van een monomode optische golfgeleider waarvan het andere uiteinde reflecterend is afgesloten.
30 In Figuur 1 is een halfgeleiderlaserdiode 1 van het meerlagentype weergegeven, welke is gemonteerd op een koel-blok 2, welke is gevat in een houder 3. De actieve laag 4 bevindt zich tussen de spiegelende eindvlakken 5 en 6, welke 800 4 4 72 JTs S.
PHN 9819 2 laatsten de laserresonator vormen. De eindvlakken 5 en 6 zijn gedeeltelijk doorlatende spiegels, welke een deel van het opvallende licht doorlaten.
Het licht dat door het eindvlak 6 wordt doorgelaten, 5 wordt middels een koppeling 7 gekoppeld met de kern van een transmissiefiber 8, bijvoorbeeld een fiber met een gegradeerd brekingsindex profiel, welke het begin vormt van een (lange-afstand) transmissiesysteem.
Het optische vermogen P van de laser als functie van 10 de golflengte Λ , kan voor een laser van goede kwaliteit een vorm hebben zoals is weergegeven in figuur 2. In de praktijk is gebleken dat bij toepassing van dergelijke lasers, aan de ontvangzijde van het optische transmissiesysteem een ruis optreedt van een bepaald type, welke mode ruis wordt genoemd.
15 Een laser met een kleine spectrale lijnbreedte B en dus een grote coherentielengte kan in de transmissiefiber tot op grote afstanden van de laser tijdvariërende intensiteitsverdelingen over de fiberdoorsnede veroorzaken, welke bijvoorbeeld achter een niet ideale fiberkoppeling aanleiding kunnen 2o geven tot intensiteitsmodulatie van het optische signaal. Deze intensiteitsverdelingen worden vanwege hun vorm aangeduid als spikkelpatronen.
Ter reductie van de mode ruis in het transmissiesysteem, wordt het eindvlak 6 van de laser middels een optische 25 koppeling 9 optisch gekoppeld met een uiteinde van een sectie van een monomode fiber 10, waarvan het andere uiteinde reflecterend is afgesloten door een spiegel 11.
Een deel van het laserlicht, dat door het eindvlak 6 van de laser wordt doorgelaten, wordt middels koppeling 9 30 in de monomode fiber 10 gekoppeld en keert na reflectie aan spiegel 11 in de laser terug. De monomode fiber 10 vormt dus een externe optische terugkoppelweg voor de laser. Hierdoor neemt de spectrale lijnbreedte B' van de laser toe en blijkt de fijnstructuur van een mode te bestaan uit een aantal reso-35 nanties op een onderlinge afstand Af waarvoor bij benadering geldt
Af = Vg/2L, waarin Vg de groepsnelheid in de fiber 10 en L de lengte van 800 4 4 72 >· -<i PHN 9819 3 9 - - de fiber 10 voorstelt. Het optische vermogen P als functie van de golflengte \ , bij toepassing van de externe optische terugkoppeling, zal een vorm hebben zoals is weergegeven in figuur 3.
5 Uit onderzoekingen is gebleken, dat het essentieel is dat in fiber 10 het licht zich slechts in één mode kan voortplanten, aangezien anders phasefluctuaties in het door de fiber 10 naar de laser gereflecteerde licht kunnen optreden, welke extra ruis in de optische uitgang van de laserdiode 10 kunnen veroorzaken.
In een alternatieve uitvoering kan de spiegel 11 vervangen worden door een reflecterende laag 12 op het uiteinde van de fiber 10. Het is ook mogelijk het uiteinde van de fiber te koppelen met een silicium fotodiode, welke als moni-15 tor kan fungeren, waarbij reflectie optreedt bij de fiber-diode overgang. De beide maatregelen kunnen ook gecombineerd worden toegepast wanneer de reflecterende laag 12 voor een deel doorlatend wordt gemaakt.
Koppelingen tussen een laser en een monomode fiber 20 voor het realiseren van de koppeling 9 zijn uit de literatuur bekend, bijvoorbeeld uit de Proceedings of the First European Conference on Optical Fiber Communication, 16-18 September 1975, London, pp 114-6 (Khoe).
In een verdere alternatieve uitvoering, welke niet 25 in de figuren is weergegeven, kan in de plaats van monomode fiber 10, een geïntegreerde plenaire monomode optische golf-geleider worden toegepast. Een koppeling van een laser diode met een dergelijke golfgeleider is bijvoorbeeld beschreven in Applied Opties, Vol. 19, June 1980, pp 1847-52.
30 De grotere spectrale lijnbreedte van êén longitudi nale mode van de laserdiode gaat vergezeld van een kleinere coherentielengte, zoals bijvoorbeeld is aangetoond in IEEE Journal of Quantum Electronics, Volume QE-15, August 1979, pp. 782-6 (Velzel et al).Hierdoor blijft het optreden van 35 spikkelpatronen beperkt tot een kleine afstand van de laser. Zonder toepassing van de externe optische terugkoppeling kan deze afstand voor een gegradeerde index fiber enkele kilometers bedragen.Door toepassing van de uitvinding kan 300 4 4 72 PHN 9819 4 r - ' v de afstand waarbinnen in de transmissiefiber spikkels kunnen optreden, worden teruggebracht tot één of enkele meters afhankelijk van de toename van de dispersie welke nog juist toelaatbaar is. Het moet dan worden vermeden dat binnen deze 5 korte afstand niet ideale fiberkoppelingen of andere verbindingen met een ruimtelijk filtereffect worden toegepast.
Het optreden van mode ruis verderop in de transmissiefiber wordt dan voorkomen. In een praktisch geval werd een mono-mode fiber 10 met een kerndiameter van 6 microns, een V-nummer 10 van 2.2 en een lengte L = 50 mm toegepast en bedroeg het koppelrendement van koppeling 9 ongeveer 15%. Geen van de genoemde parameters bleek echter een kritsche waarde te hebben.
15 20 25 30 35 800 4 4 72

Claims (2)

1. Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaser-diode, met het kenmerk, dat één van de eindvlakken van de halfgeleiderlaserdiode optisch is gekoppeld met een uiteinde van een sectie van een monomode optische golfgeleider, 5 waarvan het andere uiteinde tenminste gedeeltelijk reflecterend is afgesloten.
2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat op het genoemde andere uiteinde van de monomode optische golfgeleider een tenminste gedeeltelijk reflecterende laag 10 is aangebracht. 15 20 25 30 35 800 44 72
NL8004472A 1980-08-06 1980-08-06 Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode. NL8004472A (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8004472A NL8004472A (nl) 1980-08-06 1980-08-06 Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode.
US06/282,618 US4427261A (en) 1980-08-06 1981-07-13 Optical transmission system having reduced modal noise
CA000382925A CA1157930A (en) 1980-08-06 1981-07-30 Arrangement comprising a semiconductor laser diode
FR8114947A FR2488455B1 (fr) 1980-08-06 1981-07-31 Dispositif muni d'une diode laser semi-conductrice
SE8104647A SE457037B (sv) 1980-08-06 1981-08-03 Optisk transmissionsanlaeggning
GB8123659A GB2081964B (en) 1980-08-06 1981-08-03 Fibre optic system comprising a semiconductor laser
DE19813131024 DE3131024A1 (de) 1980-08-06 1981-08-05 "anordnung mit einer halbleiterlaserdiode"
JP56122916A JPS6342873B2 (nl) 1980-08-06 1981-08-05

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8004472 1980-08-06
NL8004472A NL8004472A (nl) 1980-08-06 1980-08-06 Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8004472A true NL8004472A (nl) 1982-03-01

Family

ID=19835712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8004472A NL8004472A (nl) 1980-08-06 1980-08-06 Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4427261A (nl)
JP (1) JPS6342873B2 (nl)
CA (1) CA1157930A (nl)
DE (1) DE3131024A1 (nl)
FR (1) FR2488455B1 (nl)
GB (1) GB2081964B (nl)
NL (1) NL8004472A (nl)
SE (1) SE457037B (nl)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8005134A (nl) * 1980-09-12 1982-04-01 Philips Nv Optisch transmissiesysteem.
JPS6164182A (ja) * 1984-09-05 1986-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光帰還型半導体レ−ザ装置
JPS6179286A (ja) * 1984-09-24 1986-04-22 ゼロツクス コーポレーシヨン レーザダイオード及びそのモードホツピング防止方法
FR2577077B1 (fr) * 1985-02-05 1987-02-27 Favre Francois Laser a semi-conducteur a largeur spectrale reduite
EP0220455A1 (de) * 1985-09-24 1987-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zur Kopplung einer Laserdiode und eines Monomode-Lichtwellenleiters
NL8502625A (nl) * 1985-09-26 1987-04-16 Philips Nv Optisch transmissiesysteem bevattende een stralingsbron en een meervoudig beklede monomode optische transmissievezel met een negatieve stap in het brekingsindexprofiel.
US4817109A (en) * 1985-12-10 1989-03-28 501 Sharp Kabushiki Kaisha External resonator type semiconductor laser apparatus
US4787086A (en) * 1986-05-19 1988-11-22 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories High-power, fundamental transverse mode laser
DE3719868A1 (de) * 1987-06-13 1988-12-22 Messerschmitt Boelkow Blohm Laserdiode
JPH0325987A (ja) * 1989-06-23 1991-02-04 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 半導体レーザ光源装置
US5309542A (en) * 1991-09-18 1994-05-03 International Business Machines Corporation Fiber optic transmitter modification for improved extinction ratio
JPH0614063U (ja) * 1992-02-19 1994-02-22 冨士シール工業株式会社 開封部を有する熱収縮性フィルム包装体
DE4340025A1 (de) * 1992-12-23 1994-06-30 Kommunikations Elektronik Übertragungssystem zur Übertragung optischer Signale
US5359447A (en) * 1993-06-25 1994-10-25 Hewlett-Packard Company Optical communication with vertical-cavity surface-emitting laser operating in multiple transverse modes
US6081381A (en) * 1998-10-26 2000-06-27 Polametrics, Inc. Apparatus and method for reducing spatial coherence and for improving uniformity of a light beam emitted from a coherent light source
JP3940504B2 (ja) * 1998-10-30 2007-07-04 株式会社東芝 光ファイバ伝送式レーザ装置、パルスレーザ発振器および光ファイバ導光装置
CN103940456B (zh) * 2014-04-11 2016-08-17 北京理工大学 一种干涉型反射探针式光纤微传感器及其制作方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4079339A (en) * 1975-05-17 1978-03-14 Nippon Electric Company, Ltd. Light self-injecting semiconductor laser device
JPS5941316B2 (ja) * 1975-05-17 1984-10-05 日本電気株式会社 高速変調が可能な半導体レ−ザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
CA1157930A (en) 1983-11-29
FR2488455B1 (fr) 1986-11-14
US4427261A (en) 1984-01-24
SE457037B (sv) 1988-11-21
SE8104647L (sv) 1982-02-07
FR2488455A1 (fr) 1982-02-12
DE3131024A1 (de) 1982-03-25
JPS6342873B2 (nl) 1988-08-25
JPS5754384A (nl) 1982-03-31
GB2081964A (en) 1982-02-24
GB2081964B (en) 1983-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8004472A (nl) Inrichting voorzien van een halfgeleiderlaserdiode.
US4947134A (en) Lightwave systems using optical amplifiers
JP3464804B2 (ja) 縦モード選択レーザー
US6233259B1 (en) Fiber grating stabilized diode laser
JP3296562B2 (ja) ファイバ回折格子安定化ダイオードレーザ
CN110459956B (zh) 一种窄线宽可调谐激光器
JP3346570B2 (ja) レーザ
JP2514392B2 (ja) 光共振素子
JP2007523387A (ja) 光ビームの出力カプラを提供する方法および装置
US20170310084A1 (en) Laser device with optical isolator
CN109716599A (zh) 具有波分复用器、隔离器、抽头滤波器和光电探测器的光纤耦合激光源泵
JP6044311B2 (ja) 増幅装置および通信システム
JPH10215017A (ja) 光源装置、光増幅器及び光通信システム
EP0150214A1 (en) COUPLED CAVITY LASER.
US6404539B1 (en) Light source for optical data transmission
JPS628761B2 (nl)
JPH01196189A (ja) 波長可変光ファイバラマンレーザ
JP4215948B2 (ja) 波長安定な可変調レーザ源を有する光送信器
JPH1168233A (ja) 可変波長レーザ光源
JPH01143380A (ja) ファイバレーザ用光ファイバ
CN218275502U (zh) 一种可调谐双波长随机光纤激光器
JP2701611B2 (ja) 同一波長双方向送受信モジュール
CN215934862U (zh) 面向10gpon应用的cml光组件及其olt光组件
SATO et al. Linearity in Fiber-Optic Analog Transmission System Using Laser Diodes
US20230089696A1 (en) Optical filter and wavelength tunable laser element

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BC A request for examination has been filed
BI The patent application has been withdrawn