NL8001295A - Combinatie van een halfgeleider en glas. - Google Patents

Combinatie van een halfgeleider en glas. Download PDF

Info

Publication number
NL8001295A
NL8001295A NL8001295A NL8001295A NL8001295A NL 8001295 A NL8001295 A NL 8001295A NL 8001295 A NL8001295 A NL 8001295A NL 8001295 A NL8001295 A NL 8001295A NL 8001295 A NL8001295 A NL 8001295A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
layer
semiconductor layer
glass
combination
Prior art date
Application number
NL8001295A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Licentia Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Gmbh filed Critical Licentia Gmbh
Publication of NL8001295A publication Critical patent/NL8001295A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8389—Bonding techniques using an inorganic non metallic glass type adhesive, e.g. solder glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/936—Graded energy gap

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

* Λ L Η.Ο. 28.703 -1-
Combinatie van een halfgeleider en glas.
De uitvinding heeft betrekking op een combinatie van een halfgeleider en glas, waarbij ten minste één halfgeleiderlaag duurzaam is verbonden met een plaatvormig glassubstraat.
De uitvinding heeft ten doel een combinatie van een halfgelei-3 der en glas te verschaffen, waarbij in het grensgebied tussen de glascomponent en de halfgeleidercomponent de recombinatie van minder-heidsladingsdragers verminderd is.
Dit doel wordt bereikt met een combinatie van een halfgeleider en glas van de in aan de aanhef aangegeven soort, welke combinatie 10 hierdoor is gekenmerkt, dat de halfgeleiderlaag in een van het glassubstraat afgekeerd laaggebied een homogene doping N = NQ bezit, dat de doping in de richting van de normaal op het vlak van de halfgeleiderlaag, uitgaande van de waarde N = NQ,met afnemende afstand tot het grensvlak tussen de halfgeleider en het glas, in een deellaag van de 13 halfgeleiderlaag continu toeneemt tot een waarde N = N bij het te- s gen het glassubstraat aanliggende oppervlak van de halfgeleiderlaag, en dat W > 30 N . s o
Bij een voorkeurs-uitvoering van de uitvinding ligt de dikte van de deellaag tussen ongeveer 10 en 100 nm. Voorts verdient het aanbe-20 veling de genoemde laag door ionenimplantatie of diffusie te vormen.
Als de genoemde laag door diffusie wordt gevormd verdient het de voorkeur dat tijdens de diffusie het buitenste oppervlak van de halfgeleiderlaag,dat grenst aan de deellaag van de halfgeleiderlaag, bedekt is met een bekleding van siliciumdioxide dat met een doopstof 25 is verrijkt.
De uitvinding zal nu nader worden verklaard aan de hand van de tekening, waarin: fig. 1 een schematisch zijaanzicht is van een combinatie van een halfgeleider en glas,bestaande uit een halfgeleiderlaag en een 30 glassubstraat, fig. 2 een schema is van de energieband van de halfgeleiderlaag, en fig. 3 in de vorm van een diagram de doopstofverdeling in de halfgeleiderlaag weergeeft als een funktie van de afstand tussen de 35 halfgeleiderlaag en het glassubstraat.
In fig. 1 ziet men het glassubstraat 21 en een halfgeleiderlaag 25, die de componenten vormen van een combinatie van een halfgeleider en glas. De halfgeleiderlaag 25 en het glassubstraat 27 worden 800 1 2 95 -2- met hun grensvlakken 23» cq 22rop elkaar gelegd en, zoals bijvoorbeeld in de Nederlandse octrooiaanvrage 79.072^-5 is beschreven, door toepassing van druk en warmte duurzaam met elkaar verbonden. Zulk een combinatie van een halfgeleider en glas wordt bijvoorbeeld gebruikt 5 als een fotokathode in een beeldomvorm- of beeldversterkingsbuis. Ter verbetering van de optoëlektrische eigenschappen van zulke kathoden wordt gestreefd naar een vermindering van de recombinatie van minderheidsladingsdragers aan het grensvlak tussen de halfgeleiderlaag en het glassubstraat.
10 Dit wordt volgens de uitvinding verkregen, doordat de halfgelei derlaag 25 laaggebieden 2b, 26 bevat, die zich onderscheiden door verschillende hoeveelheden doopstof. In het laaggebied 26 van de halfgeleiderlaag 25» welk laaggebied is afgekeerd van het grensvlak tussen de halfgeleiderlaag en het glassubstraat, is de concentratie 15 van de doopstof constant en bezit de waarde N = Nq. Uitgaande van deze waarde neemt de hoeveelheid doopstof continu toe in de richting' van de normaal op het vlak van de halfgeleiderlaag 25» enjwel met afnemende afstand tot het grensvlak 22, 23 tussen de halfgeleider en het glas, in een deellaag 2b van de halfgeleiderlaag 25» totdat een 20 waarde N = N wordt bereikt bij het oppervlak 23 van de halfgeleider-s laag 25, dat grenst aan het glassubstraat 21, Dit verloop van de hoeveelheid doopmiddel N in afhankelijkheid van de afstand z tot het grensvlak tussen de halfgeleiderlaag 25 en het glassubstraat 21 is weergegeven in fig. 3.
25 Bijzonder goede eigenschappen van de combinatie van de halfge leider en het glas verkrijgt men, als de concentratie N van de doop-
O
stof bij het buitenste oppervlak 23 van de halfgeleiderlaag 25, welk oppervlak grenst aan het glassubstraat, meer dan ongeveer het 30-voudige bedraagt van de doopstofconcentratie Nq in het gebied 26 van 30 de halfgeleiderlaag 25.
Met de in fig. 3 weergegeven verdeling van de doopstof bereikt men, dat de minderheidsladingsdragers (elektronen) door de laag 2b van de halfgeleider 25 worden gereflecteerd. Dit wordt verduidelijkt door het in fig, 2 weergegeven schema van de energieband van de half-35 geleiderlaag. In deze figuur wordt met 30 het ferminiveau aangegeven. De referentiegetallen 31 en 32 geven aan de kant van de valentieband, cq de kant van de geleidingsband. Zulk een opstelling van de energie-niveau's leidt er derhalve in een p-gedoopte halfgeleider toe, dat de minderheidsladingsdragers (elektronen) door de laag 2b worden gere-JfO flecteerd, waardoor in het grensgebied tussen de halfgeleiderlaag 2b 800 1 2 95 « * -. -3- en het glassubstraat 21 een vermindering wordt verkregen van de re- combinatie van minderheidsladingsdragers.
Het biedt bijzondere voordelen de doopstof door middel van ionenimplantatie in de laag 2k aan te brengen.
5 Het verloop van de concentratie van de doopstof in de halfgelei- derlaag 25 kan ook door diffusieprocessen worden beïnvloed. Het blijkt doeltreffend de diffusie hierbij zodanig uit te voeren, dat ten minste tijdens de diffusie het buitenvlak dat de laag 2k van de halfgeleiderlaag 25 begrenst, bedekt is met een laag van siliciumdi-10 oxide dat verrijkt is met doopstof. Deze laag van siliciumdioxide wordt na beëindiging van het diffusieproces op een op zichzelf bekende wijze verwijderd.
800 1 2 95

Claims (4)

1. Combinatie van een halfgeleider en glas, waarbij ten minste één halfgeleiderlaag duurzaam met een plaatvormig glassubstraat is verbonden, met het kenmerk, dat de halfgeleiderlaag 5 (25) in één van het glassubstraat (21) afgekeerd laaggebied (26) een homogene doping N = Nq bezit, dat de doping in de richting van de normaal op het vlak van de halfgeleiderlaag (25), uitgaande van de waarde N = Nq, met afnemende afstand tot het grensvlak (22, 23) tussen de halfgeleider en het glas, in een deellaag (2*0 van de halfge-10 leiderlaag (25) continu toeneemt tot een waarde N = N bij het opper- O vlak (23) van de halfgeleiderlaag (25), dat grenst aan het glassubstraat (21), en dat N > 30 N . s o
2. Combinatie van een halfgeleider en glas volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de dikte van de deellaag (2*0 ligt 15 tussen 10 en 100 nm.
3. Werkwijze voor de vervaardiging van een combinatie volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de deellaag (2*0 door ionenimplantatie wordt gevormd. *t. Werkwijze voor de vervaardiging van een combinatie volgens 20 conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de deellaag (2*0 door diffusie wordt gevormd.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat tijdens de diffusie het buitenste oppervlak (23) van de halfgeleiderlaag (25), dat grenst aan de deellaag (2*0 van de halfgeleider-25 laag (25),18 bedekt met een bekleding van siliciumdioxide dat met een doopstof is verrijkt. ****** 800 1 2 95
NL8001295A 1979-03-14 1980-03-04 Combinatie van een halfgeleider en glas. NL8001295A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792909956 DE2909956A1 (de) 1979-03-14 1979-03-14 Halbleiter-glas-verbundwerkstoff
DE2909956 1979-03-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8001295A true NL8001295A (nl) 1980-09-16

Family

ID=6065332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8001295A NL8001295A (nl) 1979-03-14 1980-03-04 Combinatie van een halfgeleider en glas.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4344803A (nl)
DE (1) DE2909956A1 (nl)
FR (1) FR2451635B1 (nl)
GB (1) GB2045524B (nl)
NL (1) NL8001295A (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2507386A1 (fr) * 1981-06-03 1982-12-10 Labo Electronique Physique Dispositif semi-conducteur, emetteur d'electrons, dont la couche active possede un gradient de dopage
DE3242737A1 (de) * 1982-11-19 1984-05-24 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen einer halbleiter-photokathode
US5315126A (en) * 1992-10-13 1994-05-24 Itt Corporation Highly doped surface layer for negative electron affinity devices
US5512375A (en) * 1993-10-14 1996-04-30 Intevac, Inc. Pseudomorphic substrates
JP2009258055A (ja) * 2008-04-21 2009-11-05 Hamamatsu Photonics Kk 放射線像変換パネル

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3287611A (en) * 1961-08-17 1966-11-22 Gen Motors Corp Controlled conducting region geometry in semiconductor devices
NL290121A (nl) * 1963-03-12
US3460240A (en) * 1965-08-24 1969-08-12 Westinghouse Electric Corp Manufacture of semiconductor solar cells
US3502884A (en) * 1966-12-19 1970-03-24 Rca Corp Method and apparatus for detecting light by capacitance change using semiconductor material with depletion layer
US3458782A (en) * 1967-10-18 1969-07-29 Bell Telephone Labor Inc Electron beam charge storage device employing diode array and establishing an impurity gradient in order to reduce the surface recombination velocity in a region of electron-hole pair production
US3575628A (en) * 1968-11-26 1971-04-20 Westinghouse Electric Corp Transmissive photocathode and devices utilizing the same
US3548233A (en) * 1968-11-29 1970-12-15 Rca Corp Charge storage device with pn junction diode array target having semiconductor contact pads
US3631303A (en) * 1970-01-19 1971-12-28 Varian Associates Iii-v cathodes having a built-in gradient of potential energy for increasing the emission efficiency
US3769536A (en) * 1972-01-28 1973-10-30 Varian Associates Iii-v photocathode bonded to a foreign transparent substrate
US3959038A (en) * 1975-04-30 1976-05-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Electron emitter and method of fabrication
GB1536412A (en) * 1975-05-14 1978-12-20 English Electric Valve Co Ltd Photocathodes
US4086102A (en) * 1976-12-13 1978-04-25 King William J Inexpensive solar cell and method therefor
DE2842492C2 (de) * 1978-09-29 1986-04-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung einer aus einem Halbleiter-Glas-Verbundwerkstoff bestehenden Photokathode

Also Published As

Publication number Publication date
US4344803A (en) 1982-08-17
FR2451635A1 (fr) 1980-10-10
GB2045524A (en) 1980-10-29
FR2451635B1 (fr) 1985-07-26
GB2045524B (en) 1983-06-15
DE2909956A1 (de) 1980-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4056879A (en) Method of forming silicon solar energy cell having improved back contact
SE8705016L (sv) Sett att belegga glas
Schroder et al. The semiconductor field-emission photocathode
WO1996028851A1 (de) Solarzelle mit back-surface-field und verfahren zur herstellung
DE19634617B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Siliziumsolarzelle mit verringerter Rekombination nahe der Solarzellenoberfläche
DE59309018D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Metalloxidschicht, Vakuumbehandlungsanlage hierfür sowie mit mindestens einer Metalloxidschicht beschichteter Teil
US4349395A (en) Method for producing MOS semiconductor device
NL8001295A (nl) Combinatie van een halfgeleider en glas.
US4276137A (en) Control of surface recombination loss in solar cells
GB2077996A (en) Method of manufacturing solar cells
US4096511A (en) Photocathodes
US4999841A (en) Semiconductor lasers
US4476154A (en) Method of manufacturing a glass passivation semiconductor device
JPS63175431A (ja) ホウケイ酸ガラスを有する半導体装置の製造方法
DE11791014T1 (de) Verfahren zur behandlung eines substrats und substrat
DE2411517A1 (de) Verfahren zum herstellen einer lichtempfindlichen heterogendiode
US4156622A (en) Tantalum oxide antireflective coating and method of forming same
US3421056A (en) Thin window drifted silicon,charged particle detector
DE1444521A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
US3145126A (en) Method of making diffused junctions
DE2152733C3 (de) Halbleiterspeicherelektrode für eine Bildaufnahmeröhre und Verfahren zur Herstellung einer solchen Elektrode
US3303069A (en) Method of manufacturing semiconductor devices
US4347263A (en) Method of applying an antireflective and/or dielectric coating
DE2818237A1 (de) Infrarot-detektorzelle
JPH042119A (ja) 不純物拡散方法

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed