NL8000830A - Halfgeleiderinrichting. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8000830A NL8000830A NL8000830A NL8000830A NL8000830A NL 8000830 A NL8000830 A NL 8000830A NL 8000830 A NL8000830 A NL 8000830A NL 8000830 A NL8000830 A NL 8000830A NL 8000830 A NL8000830 A NL 8000830A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- zone
- conductivity type
- epitaxial layer
- resistance
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
- H01L27/0823—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only including vertical bipolar transistors only
- H01L27/0825—Combination of vertical direct transistors of the same conductivity type having different characteristics,(e.g. Darlington transistors)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
- H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
- H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
- H01L27/0772—Vertical bipolar transistor in combination with resistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/8605—Resistors with PN junctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
* ψ PHF 79-508 1 N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Halfgeleiderinrichting"
De uitvinding heeft betrekking op een halfgelei-derinrichting met een halfgeleiderlichaam met een praktisch vlak oppervlak, bevattende een substraatgebied van een eerste geleidingstype, een daarop gelegen eerste epitaxiale 5 laag van het tweede, tegengestelde geleidingstype en een daarop gelegen tweede epitaxiale laag van het eerste geleidingstype, welke inrichting een halfgeleiderweerstand bevat die een zich vanaf het oppervlak tot in de eers.te epitaxiale laag uitstrekkende strookvormige weerstandszone van het 10 tweede geleidingstype bevat met een hogere doteringsconeen-tratie dan de eerste epitaxiale laag, welke weerstandszone gelegen is tussen twee evenwijdig lopende groeven die zich vanaf het oppervlak tot in het substraatgebied uitstrekken, en een in deze weerstandszone aangebrachte, aan het opper-15 vlak grenzende strookvormige oppervlaktezone van het eerste geleidingstype die binnen het halfgeleiderlichaam geheel door de weerstandszone is omgeven.
Een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderweerstand van de beschreven soort is bekend uit de gepubli-20 ceerde Franse octrooiaanvrage 2335957 van R.T.C.-compelec, met prioriteit 17 december 1975* Daarin wordt een geïnte-greerde Darlingtonschakeling beschreven, waarbij de genoemde halfgeleiderweerstand de basiszones van de ingangstran-sistor en de uitgangstransistor verbindt. Deze weerstand is 25 in zigzagvorm aangebracht; er wordt op gewezen, dat de genoemde evenwijdige groeven als evenwijdig worden beschouwd wanneer hun kortste afstand overal praktisch gelijk is. Zij behoeven daarbij echter niet volgens rechte lijnen te verlopen.
30 Het blijkt moeilijk te zijn, aan deze weerstand een nauwkeurig bepaalde en reproduceerbare waarde te géven, hetgeen met name bij dergelijke geïntegreerde Darlington-schakelingen echter beslist noodzakelijk is.
8000830 PHF 79-508 ' 2 %
De oorzaak van deze moeilijkheid ligt in het feit, dat de weerstand aan weerszijden van de oppervlaktezone van het eerste geleidingstype een aan het oppervlak en aan de groef grenzend deel van de weerstandszone bevat, waarvan de 5 doorsnede moeilijk met de vereiste precisie kan worden bepaald. Deze hangt immers af van de precisie waarmee de groeven kunnen worden geëtst. Dit in tegenstelling tot de dote-ringen, de diepten en de uitgestrektheid van de diverse halfgeleidergebieden die de weerstand verder bepalen en die 10 wél met precisie kunnen worden beheerst.
Zo bedraagt in een praktisch geval de groefbreed- Λ te aan de bovenzijde 80^um tot 10Cyum, waarbij deze breedte afwijkingen van 5yum tot 20ƒurn kan vertonen tengevolge van. afwijkingen in het etsproces, waarbij ook de tolerantie van 15 het etsmasker (ten minste 5yum) van belang is. De zich aan weerszijden van de oppervlaktezone uitstrekkende delen van de weerstandszone, die in het hier besproken praktische geval elk een breedte van 10yrum tot 15yum zouden moeten hebben, kunnen derhalve zeer grote relatieve afwijkingen ver-20 tonen. In een extreem geval kan de groef zelfs de oppervlaktezone raken waardoor althans een van de zijdelingse delen van de weerstandszone verdwijnt. De genoemde afwijkingen in de doorsnede van de zijdelingse delen van de weerstandszone kunnen tot onaanvaardbare afwijkingen in de half- 25. geleiderweerstand leiden.
De uitvinding beoogt ondermeer een gewijzigde struktuur van de beschreven halfgeleiderweerstand aan te geven, waardoor de weerstand met grote precisie en reproduceerbaar kan worden vervaardigd.
30 Een halfgeleiderinrichting van de in de aanhef be schreven soort vertoont daarom volgens de uitvinding het kenmerk, dat de weerstandszone zijdelings van de groeven gescheiden is door een gebied van het eerste geleidingstype.
Doordat de groef volgens de uitvinding niet in de 35 weerstandszone doch in het materiaal van het gebied van het eerste geleidingstype wordt aangebracht, grenst het aan weerszijden van de oppervlaktezone van het eerste geleidings-type gelegen deel van de weerstandszone niet meer aan de · 8000830 PHF 79-508 3 * wanden van de groeven, en kan het niet meer door het etspro-ces worden beïnvloed. Daardoor kunnen de eerder genoemde zijdelingse delen van de weerstand, en daarmede de gehele weerstand, met grote nauwkeurigheid en reproduceerbaarheid 5 worden vervaardigd.
Bovendien bestaat niet meer het gevaar, dat de oppervlaktezone van het eerste geleidingstype bij de rand van de groeven door het etsproces wordt blootgelegd. De uitput tings zone van de pn-overgang tussen de weerstandszone en 10 het aangrenzende halfgeleidermateriaal kan daardoor de groef niet bereiken zodat oppervlaktedoorslag wordt vermeden. De relatief hoge doteringsconcentratie van de weerstandszone vormt reeds een barrière tegen uitbreiding van genoemde uit-puttingszone. Deze zou zich wel in het genoemde gebied van 15 het eerste geleidingstype tussen de groeven en de weerstandszone kunnen uitbreiden, doch dit is niet bezwaarlijk voorzover dit gebied op zwevende potentiaal gehouden wordt.
Het gebied van het eerste geleidingstype wordt met voordeel gevormd door een deel van de tweede epitaxiale laag, 20 en strekt zich bij voorkeur langs nagenoeg de gehele lengte van de halfgeleiderweerstand uit, waardoor een optimale nauwkeurigheid en reproduceerbaarheid wordt bereikt. Verder strekt ook de oppervlaktezone van het eerste geleidingsype zich bij voorkeur over nagenoeg de gehele lengte van de 25 weerstand uit, waardoor hoge weerstandswaarden kunnen worden bereikt.
De oppervlaktezone van het eerste geleidingstype kan op zwevende potentiaal gebonden worden of verbonden worden met een ander element van de inrichting.
30 Van bijzondere interesse is de uitvinding in een
Darlingtonschakeling, waarbij de eerste epitaxiale laag de basiszones van de ingangstransistor en van de uitgangstran-sistor bevat, en de tweede epitaxiale laag deel uitmaakt van de emitterzones van deze transistors, waarbij de genoem-35 de weerstand de basiszones verbindt. De oppervlaktezone van het eerste geleidingstype kan dan met voordeel elektrisch verbonden zijn met een hooggedoteerd deel van de emitter-zone van de ingangstransistor via de tweede epitaxiale laag.
8000830 PHF 79-508 k ï
Ar
Verder kan met voordeel een geleider die op het oppervlak de emitterzone van de ingangstransistor van de Darlingtonschakeling met de basiszone van de uitgangstran-sistor verbindt aansluiten op de oppervlaktezone van het 5 eerste geleidingstype. Deze geleider kan daardoor zoals later wordt beschreven praktisch geheel op een vlak oppervlak komen te liggen waardoor breuk tengevolge van te grote de-nivelleringen wordt vermeden.
De uitvinding wordt nader beschreven aan de hand 10 van de tekening waarin: .
figuur 1 het schema toont van een Darlingtonver- sterker, figuur 2 een bovenaanzicht geeft van een realisatie van een geïntegreerde Darlingtonversterker waarvan de 15 weerstand tussen de basiselectroden der beide transistoren overeenkomstig de uitvinding is gestructureerd, figuur 3 sen doorsnede is volgens de lijn III-III in figuur 2, en figuur h op grotere schaal een gedeelte toont van 20 figuur 3» namelijk het gedeelte dat zich tussen de verticale lijnen IV-IV bevindt.
Er dient te worden opgemerkt dat in figuren 2, 3 en k, de met de werkelijkheid overeenstemmende geometrische verhoudingen tussen de. diverse elementen die samen de ver-25 sterker vormen niet werden gerespecteerd. Het gedeelte dat de weerstand bevat die aanwezig is tussen de basiselectroden der transistoren is namelijk breder weergegeven; dit werd gedaan om de figuur duidelijker te maken in het gedeelte waar de uitvinding is gerealiseerd.
30 De in figuur 1 schematisch weergegeven Darlington versterker bevat een ingangstransistor en een uitgangs-transistor T^· De figuur toont dat op bekende wijze de e-mitterzone van transistor verbonden is met de basiszone van transistor T^» dat de collectorzones der beide transis-35 toren onderling verbonden zijn, dat de basiszone van transistor T.j verbonden is met de ingangsklem E terwijl de emitterzone van transistor Tverbonden is met de uitgangsklem S van de versterker. Een eerste weerstand is parallel ge- 8000330 PHF 79-508 5 schakeld aan de emitter-basisovergang van transistor ; het is de uitvoeringswijze van genoemde weerstand die het voorwerp van de uitvinding uitmaakt. Een tweede weerstand R^ is parallel geschakeld aan de emitter-basisovergang van 5 transistor T^. In het beschouwde geval betreft het NPN-transistoren en T^.
De in figuren 2 en 3 weergegeven versterker die een ingangstransistor en een uitgangstransistor bevat, is gerealiseerd in een halfgeleiderlichaam 1; volgens 10 de dikte van genoemd lichaam 1 en gezien vanaf het benedenvlak 1A naar het bovenvlak 1B heeft het lichaam 1 allereerst een hooggedoteerd substraat 10 van een eerste geleidingstype, waarop zich een epitaxiaal substraatgebied 11 bevindt dat eveneens van het eerste geleidingstype is doch 15 lager gedoteerd is dan het substraat 10. Op het substraatgebied 11 is een eerste, relatief laaggedoteerde epitaxiale laag 12, van het tweede geleidingstype aangebracht waarop een tweede, eveneens relatief laaggedoteerde epitaxiale laag 13 van hét eerste gpleidingstype is aangebracht.
20 De gebieden 10 en 11 vormen de gemeenschappelijke collectorzone van beide transistoren.
Groeven 30A en 30B die vanaf het bovenvlak 1B zijn aangebracht en zich uitstrekken tot in het substraatgebied en wel tot in het hooggedoteerde gebied 10, dienen 25 voor het scheiden van bepaalde gedeelten van de lagen 12 en 13; gedeelten 112 en 212 van de laag 12 vormen de respectieve basiszones der transistoren en T^, en gedeelten 113 en 213 van de laag 13 vormen delen van de respectieve emitterzones van die transistoren en T^.
30 De basiszones zijn verbonden met oppervlaktege- leiders via hooggedoteerde verbindingszones van het tweede geleidingstype: de zone 14 verbindt de basiszone 112 met de geleider 15» terwijl de zone 2k de basiszone 212 verbindt met de geleider 25.
35 Verder is een oppervlaktegeleider 18 aangebracht op een hooggedoteerde oppervlaktezone 17 die gevormd is in de emitterzone 113 van transistor ; ook is een oppervlaktegeleider 28 aangebracht op een hooggedoteerde oppervlakte- - ---¾ 8000830 PHF 79-508 6 zone 27 die gevormd is in de emitterzone 213 van transistor T2 *
Zoals blijkt uit het bovenaanzicht volgens figuur 2 wordt de verbindingszone 14 van de basiszone 112 van tran-5 sistor volledig omringd door de emitterzone 113 van genoemde transistor, waarbij genoemde emitterzone 113 gedeeltelijk de aan de groef 30A grenzende verbindingszone 16 omringt. Anderzijds omringt de verbindingszone 2k van de' basiszone 212 van transistor volledig de emitterzone 213 10 van deze transistor.
De groeven 30A en 30B zijn evenwijdig over een gedeelte van hun lengte. In dit gedeelte wordt tussen genoemde groeven een mesa 32 gevormd. In de genoemde mesa wordt de weerstand van het schema volgens figuur 1 ge-15 vormd.
De weerstand wordt enerzijds gevormd door het de basiszones 112 en 212 verbindende gedeelte 312 van de epitaxiale laag, en anderzijds door een weerstandszone 33 die met genoemd gedeelte 312 parallel geschakeld is. Deze 20 weerstandszone wordt gevormd door een gebied 33 van het tweede geleidingstype dat zich vanaf het bovenvlak 1B uitstrekt tot in de eerste epitaxiale laag 12 waar de weerstandszone 33 aansluit op het epitaxiale laaggedeelte 312.
De weerstandszone 33 vormt een ohmse weerstand tussen de 25 verbindingszone 16 van transistor en de verbindingszone 2k van transistor T^.
De weerstandszone 33 omringt een oppervlaktezone 34 van het eerste geleidingstype die grenst aan het bovenvlak 1B.
30 Volgens de uitvinding is de weerstandszone 33 zijdelings van de groeven 30A en 30B gescheiden door een gebied 35 van het eerste geleidingstype.
Practisch is genoemd gebied 35 opgedeeld in twee deelgebieden 35A en 35B, waarbij elk deelgebied de weerstands-35 zone 33 zijdelings begrenst.
Het in zijn twee deelgebieden 35A en 35B opgedeelde gebied 35 vormt zelf een deel van de tweede epitaxiale laag 13· Genoemd gebied _35 is het overblijfsel van een ge- β 0 d 0 8 3 0
X
PHF 79-508 7 Λ • t* bied bestaande uit de laag 13 en uit de naastliggende zones 16 en 24 waardoorheen de groeven 3OA en 30B zijn aangebracht (zie figuur 4 waar de streeplijnen de grenzen aanduiden van de zones 16, 24 en van het gebied 35 vóór het aanbrengen 5 van de groeven) en waarvan de breedte zo groot gekozen werd dat genoemde groeven geen materiaal van de weerstandszone 33 zouden verwijderen. In de praktijk wordt op het bovenvlak 1B een afstand van ongeveer 60^um aangehouden tussen de rand van de weerstandszone en de rand van het etsmasker.
10 (20y'Um voor normale onderetsing, 20^um voor wat betreft de maximale tolerantie van het etsproces, 5yum tolerantie voor de positionering van het masker en nogmaals 15^m breedte voor de deelgebieden 35A respektievelijk 35B).
In de eerder genoemde, uit de Franse octrooiaan-15 vrage 2335957 bekende struktuur grenst de weerstandszone 33 direct aan de groeven 30A en 30®· De breedte van de aan weerszijden van de oppervlaktezone 34 gelegen delen van de zone 33 is direct afhankelijk van de breedte van de groeven en van de positie ervan. Het is duidelijk dat in deze om-20 standigheden de ohmse waarde van de weerstand onnauwkeurig en slecht reproduceerbaar is.
Met betrekking tot de struktuur volgens de uitvinding zal, in het geval dat de uitputtingszone van de over-gang J (gelegen in de mesa 32 aan het grensvlak tussen het 25 gebied 11 en van de laag 12) zich in de richting van het oppervlak 1B zou uitstrekken voorbij genoemde laag 12, de genoemde uitputtingszone enerzijds het gebied 33 en anderzijds het gebied 35 bereiken. De potentiaal van genoemd gebied 35» dat "zwevend" wordt gehouden, zou daardoor veran-30 derd worden, doch er zou geen doorslag optreden.
Alhoewel het mogelijk is de oppervlaktezone 34 en de deelgebieden 35Ά. en 35® in meerdere delen op te splitsen, wordt dit bij voorkeur niet gedaan, en worden zowel de zone 34 als de gebieden 35-A· en 35B over praktisch de gehele leng-35 te van de mesa 32 aangebracht.
De zone 34 zou zowel structureel als electrisch kunnen worden geïsoleerd. In het bovenaanzicht volgas figuur 2, welk bovenaanzicht correspondeert met een voor- 8000830 PHF 79-508 8 keursuitvoeringsvorm van de uitvinding, is de oppervlakte-zone 34 direct verbonden met de oppervlaktezone 17 (onder de geleider 18) die gevormd is in de emitterzone 113 van de transistor , via een strookvormige halfgeleiderzone 36 5 van het eerste geleidingstype. In figuur 2 wordt de strook 36 begrensd door streeplijnen om een duidelijk onderscheid te maken tussen de drie verbonden gedeelten, namelijk: de zone 17» de strook .36 en de zone 34. De oppervlaktegeleider 18 is direct in contact met de strook en met de zone 34; 10 de geleider 18 is dus vlak over zijn gehele oppervlak en bevindt zich in hetzelfde, vlak als de geleider 25 van de basiszone van transistor T^. De weerstand R^ tenslotte (zie Figuur 1) wordt, zoals in Figuur 2 aangegeven, gevormd door een verlengstuk 24A van de zone 24 in de richting van de 15 zone 27 (onder de geleider 28), op welk verlengstuk een' contact gerealiseerd is door middel van genoemde geleider 28 van de emitterzone van transistor T^·
De inrichting volgens de uitvinding kan door toepassing van in de halfgeleidertechniek algemeen bekende me-20 thoden worden vervaardigd. Zo kan de aan de hand van figuren 2,3 en 4 beschreven versterker(uitgerust bijvoorbeeld met NPN-transistoren) worden vervaardigd door middel van de volgende processtappen (uitgaande van een halfgeleider-•|* \ plaatje van N -geleidend silicium): 25 - epitaxiaal aanbrengen van het N geleidende gebied 11, (dikte: 20yum, soortelijke weerstand^ 's 10 ilcm.
- epitaxiaal aanbrengen van de P geleidende laag 12, (dikte: 10^um,^~ 6-Qcm.); - epitaxiaal aanbrengen van de N geleidende_laag 13» 30 (dikte: 5 ï 3-Ποιη.); - Diffusie van de P geleidende zones 14, 16, 24' en van de P geleidende weerstandszone 33 (dikte 6,5^um, laag weerstand (Rc) = 100,J}.per vierkant)5 - Diffusie van de N -geleidende zones 17» 27 en van he-t 35 N+ geleidend eiland 34 (dikte 2,5yum tot 3/um» = 2¾} - etsen van de groeven 30A en 30B (diepte ongeveer 40yum, breedte aan het oppervlak: 80ƒurn tot 100^um); - passiveren via aanbrengen van een oxydefilm 37 op het op- 8000830 PHF 79-508 9 * pervlak 1B en in de groeven; - aanbrengen van de contactvensters, en - metalliseren en photo-etsen van de aangebracht metaallaag voor het realiseren der verbindingen. In het bijzonder: 5 aanbrengen van een metallisering 19 op het onderoppervlak 1A voor het realiseren der verbindingen met de collector-zones der transistoren en ·
De breedte van de mesa 32 bedraagt 130yum tot 150yum. De breedte van de oppervlaktezone 3^ bedraagt 80yum 10 tot 90yum. De breedte van de deelgebieden 35A en 35B is niet belangrijk daar deze deelgebieden geen electrische functie vervullen; in de praktijk bedraagt genoemde breedte lO^um tot 15 ƒurn.
De hierboven aangehaalde numerieke waarden zouden 15 ongeveer dezelfde zijn in het geval van een door PNP-tran-sistoren gevormde versterker.
» 20 25 30 35 8000830
Claims (7)
1. Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam met een praktisch vlak oppervlak, bevattende een substraat-gebied van een eerste geleidingstype, een daarop gelegen 5 eerste epitaxiale laag van het tweede, tegengestelde geleidingstype en een daarop gelegen tweede epitaxiale laag van het eerste geleidingstype, welke inrichting een halfge-leiderweerstand bevat die een zich vanaf het oppervlak tot in de eerste epitaxiale laag uitstrekkende strookvormige 10 weerstandszone van het tweede geleidingstype bevat met een hogere doteringsconcentratie dan de eerste epitaxiale laag, welke weerstandszone gelegen is tussen twee evenwijdig lopende groeven die zich vanaf het oppervlak tot in het sub-straatgebied uitstrekken, en een in deze weerstandszone 15 aangebrachte, aan het oppervlak grenzende strookvormige op-pervlaktezone van het eerste geleidingstype die binnen het halfgeleiderlichaam geheel door de weerstandszone is omgeven, met het kenmerk, dat de weerstandszone zijdelings van de groeven gescheiden is door een gebied van het eerste gelei-20 dings type.
2. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 1 met het kenmerk, dat het gebied van het eerste geleidingstype gevormd wordt door een deel van de tweede epitaxiale laag.
3· Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 1 of 2, 25 met het kenmerk, dat het gebied van het eerste geleidingstype zich langs nagenoeg de gehele lengte van de halfge-leiderweerstand uitstrekt.
4. Halfgeleiderinrichting volgens een der voorgaande conclusies met het kenmerk, dat de oppervlaktezone van het 30 eerste geleidingstype zich over nagenoeg de gehele lengte van de halfgeleiderweerstand uitstrekt.
5· Halfgeleiderinrichting volgens een der voorgaande conclusies met het kenmerk, dat de inrichting een Darling-tonschakeling bevat waarbij de eerste epitaxiale laag de 35 basiszones van de ingangstransistor en van de uitgangstran-sistor bevat, en de tweede epitaxiale laag deel uitmaakt van de emitterzones van deze transistors, waarbij de genoemde weerstand de basiszones verbindt. 8000830 PHP 79-508 11
6. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 5 met het kenmerk, dat de oppervlaktezone van het eerste gelei-dingstype verbonden is met een hooggedoteerd deel van de emitterzone van de ingangstransistor via de tweede epitaxia- 5 le laag.
7. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 5 of 6 met het kenmerk, dat een geleider die pp het oppervlak de emitterzone van de ingangstransistor met de basiszone van de uitgangstransistor verbindt aansluit op de oppervlakte- 10 zone van het eerste geleidingstype. 15 . 20 25 30 35 3000330
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7903759 | 1979-02-14 | ||
| FR7903759A FR2449333A1 (fr) | 1979-02-14 | 1979-02-14 | Perfectionnement aux dispositifs semi-conducteurs de type darlington |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8000830A true NL8000830A (nl) | 1980-08-18 |
Family
ID=9221964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8000830A NL8000830A (nl) | 1979-02-14 | 1980-02-11 | Halfgeleiderinrichting. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4360822A (nl) |
| JP (1) | JPS55111160A (nl) |
| AU (1) | AU5536880A (nl) |
| DE (1) | DE3003911C2 (nl) |
| FR (1) | FR2449333A1 (nl) |
| GB (1) | GB2043342B (nl) |
| IE (1) | IE800257L (nl) |
| IT (1) | IT1140550B (nl) |
| NL (1) | NL8000830A (nl) |
| SE (1) | SE8001042L (nl) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112027A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| US4486770A (en) * | 1981-04-27 | 1984-12-04 | General Motors Corporation | Isolated integrated circuit transistor with transient protection |
| FR2505102B1 (fr) * | 1981-04-29 | 1986-01-24 | Radiotechnique Compelec | Amplificateur de type darlington forme d'un transistor a effet de champ et d'un transistor bipolaire, et sa realisation en structure semi-conductrice integree |
| JPS59119733A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6049649U (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | 関西日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US5343071A (en) * | 1993-04-28 | 1994-08-30 | Raytheon Company | Semiconductor structures having dual surface via holes |
| US6469882B1 (en) | 2001-10-31 | 2002-10-22 | General Electric Company | Current transformer initial condition correction |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3624454A (en) * | 1969-09-15 | 1971-11-30 | Gen Motors Corp | Mesa-type semiconductor device |
| US3659160A (en) * | 1970-02-13 | 1972-04-25 | Texas Instruments Inc | Integrated circuit process utilizing orientation dependent silicon etch |
| NL7307527A (nl) * | 1973-05-30 | 1974-12-03 | ||
| US4011580A (en) * | 1973-05-30 | 1977-03-08 | U.S. Philips Corporation | Integrated circuit |
| JPS51126775A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-05 | Iwatsu Electric Co Ltd | Semiconductor unit manufacturing process |
| FR2335957A1 (fr) * | 1975-12-17 | 1977-07-15 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semiconducteur monolithique comprenant un pont de redressement |
| JPS5925389B2 (ja) * | 1976-02-04 | 1984-06-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US4057894A (en) * | 1976-02-09 | 1977-11-15 | Rca Corporation | Controllably valued resistor |
| US4118728A (en) * | 1976-09-03 | 1978-10-03 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Integrated circuit structures utilizing conductive buried regions |
| FR2374743A1 (fr) * | 1976-12-20 | 1978-07-13 | Radiotechnique Compelec | Transistor multicouche a emetteur compose |
| FR2377706A1 (fr) * | 1977-01-12 | 1978-08-11 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semi-conducteur integre du type darlington et son procede de fabrication |
| NL184185C (nl) * | 1978-04-07 | 1989-05-01 | Philips Nv | Darlingtonschakeling met een geintegreerde halfgeleiderdiode. |
-
1979
- 1979-02-14 FR FR7903759A patent/FR2449333A1/fr active Granted
-
1980
- 1980-02-02 DE DE3003911A patent/DE3003911C2/de not_active Expired
- 1980-02-08 AU AU55368/80A patent/AU5536880A/en not_active Abandoned
- 1980-02-11 IT IT19838/80A patent/IT1140550B/it active
- 1980-02-11 SE SE8001042A patent/SE8001042L/xx unknown
- 1980-02-11 GB GB8004450A patent/GB2043342B/en not_active Expired
- 1980-02-11 IE IE800257A patent/IE800257L/xx unknown
- 1980-02-11 NL NL8000830A patent/NL8000830A/nl not_active Application Discontinuation
- 1980-02-11 US US06/120,414 patent/US4360822A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-02-13 JP JP1560880A patent/JPS55111160A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2043342A (en) | 1980-10-01 |
| FR2449333B1 (nl) | 1982-06-04 |
| SE8001042L (sv) | 1980-08-15 |
| AU5536880A (en) | 1980-08-21 |
| DE3003911A1 (de) | 1980-08-21 |
| JPH0221147B2 (nl) | 1990-05-11 |
| JPS55111160A (en) | 1980-08-27 |
| IE800257L (en) | 1980-08-14 |
| IT1140550B (it) | 1986-10-01 |
| IT8019838A0 (it) | 1980-02-11 |
| FR2449333A1 (fr) | 1980-09-12 |
| US4360822A (en) | 1982-11-23 |
| GB2043342B (en) | 1983-03-16 |
| DE3003911C2 (de) | 1985-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4738936A (en) | Method of fabrication lateral FET structure having a substrate to source contact | |
| US4219835A (en) | VMOS Mesa structure and manufacturing process | |
| US3436623A (en) | Insulated gate field effect transistor with plural overlapped gates | |
| US3293087A (en) | Method of making isolated epitaxial field-effect device | |
| US4267633A (en) | Method to make an integrated circuit with severable conductive strip | |
| NL8401983A (nl) | Halfgeleiderinrichting met verhoogde doorslagspanning. | |
| NL8000830A (nl) | Halfgeleiderinrichting. | |
| US3617822A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| US4258380A (en) | Bipolar transistor having an integrated resistive emitter zone | |
| US3918080A (en) | Multiemitter transistor with continuous ballast resistor | |
| US4151546A (en) | Semiconductor device having electrode-lead layer units of differing thicknesses | |
| US5055905A (en) | Semiconductor device | |
| US5920106A (en) | Semiconductor device and method for producing the same | |
| US5304838A (en) | Vertical resistive element for integrated circuit miniaturization | |
| US4011580A (en) | Integrated circuit | |
| US3853644A (en) | Transistor for super-high frequency and method of manufacturing it | |
| US4064527A (en) | Integrated circuit having a buried load device | |
| NL8204105A (nl) | Halfgeleiderinrichting. | |
| KR19980071353A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR920003801B1 (ko) | 프로그램가능 반도체 셀 구조 | |
| NL8003637A (nl) | Veldeffekttransistor van het overgangstype, en werkwijze voor de vervaardiging ervan. | |
| KR20070088336A (ko) | 반도체 벌크 저항소자 | |
| JPS6129559B2 (nl) | ||
| JP3041908B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58182880A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed | ||
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| BI | The patent application has been withdrawn |