NL7811440A - Uit een smelt gevormd polykristallijn keramisch li- chaam, dragers met doteermiddel, werkwijze voor het doteren van halfgeleiderplaatjes en halfgeleider- plaatjes of inrichting. - Google Patents

Uit een smelt gevormd polykristallijn keramisch li- chaam, dragers met doteermiddel, werkwijze voor het doteren van halfgeleiderplaatjes en halfgeleider- plaatjes of inrichting.

Info

Publication number
NL7811440A
NL7811440A NL7811440A NL7811440A NL7811440A NL 7811440 A NL7811440 A NL 7811440A NL 7811440 A NL7811440 A NL 7811440A NL 7811440 A NL7811440 A NL 7811440A NL 7811440 A NL7811440 A NL 7811440A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor plates
dutant
dotting
carriers
ceramic body
Prior art date
Application number
NL7811440A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Owens Illinois Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Owens Illinois Inc filed Critical Owens Illinois Inc
Publication of NL7811440A publication Critical patent/NL7811440A/xx

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/12Silica-free oxide glass compositions
    • C03C3/16Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus
    • C03C3/17Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus containing aluminium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0009Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/2225Diffusion sources

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
NL7811440A 1978-03-16 1978-11-21 Uit een smelt gevormd polykristallijn keramisch li- chaam, dragers met doteermiddel, werkwijze voor het doteren van halfgeleiderplaatjes en halfgeleider- plaatjes of inrichting. NL7811440A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/887,264 US4141738A (en) 1978-03-16 1978-03-16 Melt-formed polycrystalline ceramics and dopant hosts containing phosphorus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7811440A true NL7811440A (nl) 1979-09-18

Family

ID=25390790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7811440A NL7811440A (nl) 1978-03-16 1978-11-21 Uit een smelt gevormd polykristallijn keramisch li- chaam, dragers met doteermiddel, werkwijze voor het doteren van halfgeleiderplaatjes en halfgeleider- plaatjes of inrichting.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4141738A (de)
JP (2) JPS54125212A (de)
DE (3) DE2857639C2 (de)
FR (1) FR2419922A1 (de)
GB (1) GB2016440B (de)
IT (1) IT1116828B (de)
NL (1) NL7811440A (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4239560A (en) * 1979-05-21 1980-12-16 General Electric Company Open tube aluminum oxide disc diffusion
US4523591A (en) * 1982-10-22 1985-06-18 Kaplan Donald S Polymers for injection molding of absorbable surgical devices
JPS60210546A (ja) * 1984-04-02 1985-10-23 Ngk Spark Plug Co Ltd 歯冠用結晶化ガラス
US4588455A (en) * 1984-08-15 1986-05-13 Emulsitone Company Planar diffusion source
NZ224209A (en) * 1987-05-18 1990-10-26 Mobil Oil Corp Amorphous refractory composition as support for catalyst and its use in upgrading feedstock of petroleum residues
US4800175A (en) * 1987-05-29 1989-01-24 Owens-Illinois Television Products Inc. Phosphorous planar dopant source for low temperature applications
JPS63195842U (de) * 1987-06-04 1988-12-16
US4846902A (en) * 1988-05-19 1989-07-11 Owens-Illinois Television Products Inc. Solid diffusion source of GD oxide/P205 compound and method of making silicon wafer
US5350461A (en) * 1992-12-08 1994-09-27 Techneglas, Inc. Low temperature P2 O5 oxide diffusion source
US5350460A (en) * 1992-12-08 1994-09-27 Techneglas, Inc. High temperature phosphorus oxide diffusion source
US6716932B2 (en) 2000-08-16 2004-04-06 Tyco Healthcare Group Lp High consistency absorbable polymeric resin
WO2019160712A1 (en) * 2018-02-14 2019-08-22 Corning Incorporated Transparent tantalum oxide glass-ceramics and transparent aluminum tantalate glass-ceramics

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1177799A (fr) * 1956-06-04 1959-04-29 Corning Glass Works Procédé de fabrication de produits céramiques
DE1263236B (de) * 1960-02-13 1968-03-14 Leitz Ernst Gmbh Glas, insbesondere als Werkstoff fuer optische Bauelemente
US3519445A (en) * 1967-11-06 1970-07-07 Corning Glass Works Al2o3-p2o5-b2o3 glass-ceramic articles and methods
FR2087352A5 (en) * 1970-05-15 1971-12-31 Corning Glass Works Transparent glass ceramic - based on alumina phosphorus pentoxide with boric oxide nucleating agent
US3998668A (en) * 1973-12-21 1976-12-21 Owens-Illinois, Inc. Aluminum metaphosphate dopant sources
US3961969A (en) * 1974-01-07 1976-06-08 Owens-Illinois, Inc. Glass-ceramics for semiconductor doping
US3997351A (en) * 1974-01-07 1976-12-14 Owens-Illinois, Inc. Glass-ceramic dopant host for vapor phase transport of B2 O3
US3907618A (en) * 1974-01-07 1975-09-23 Owens Illinois Inc Process for doping semiconductor employing glass-ceramic dopant
JPS51118960A (en) * 1975-04-11 1976-10-19 Denki Kagaku Kogyo Kk Wafer form semiconductor doping material
US4047960A (en) * 1976-06-18 1977-09-13 Corning Glass Works Refractory partially crystalline materials with good visible transparency

Also Published As

Publication number Publication date
US4141738A (en) 1979-02-27
JPS5732026B2 (de) 1982-07-08
JPS57103315A (en) 1982-06-26
DE2853331C2 (de) 1983-05-26
JPS54125212A (en) 1979-09-28
GB2016440A (en) 1979-09-26
DE2857640C2 (de) 1983-03-17
FR2419922A1 (fr) 1979-10-12
DE2853331A1 (de) 1979-10-04
IT7948159A0 (it) 1979-02-28
JPS6227726B2 (de) 1987-06-16
GB2016440B (en) 1982-12-22
IT1116828B (it) 1986-02-10
DE2857639C2 (de) 1983-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7508940A (nl) Silicon-catheter en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL182999C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij in een halfgeleiderlichaam een begraven laag van isolerend materiaal wordt gevormd.
NL7510336A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL7902556A (nl) Inrichting en werkwijze voor het trekken van zeer zuivere halfgeleiderstaven uit een smelt.
NL7609638A (nl) Kanvormige verpakking, openingsinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL190255B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met ten minste een uit het oppervlak van het halfgeleiderlichaam uitstekend elektrodelichaam van polykristallijn silicium.
NL7806563A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van isolatoren en zo verkregen isolatoren.
NL7613464A (nl) Halfgeleiderinrichting, bestand tegen hoge spanningen, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL171454C (nl) Werkwijze voor het bereiden van statistische copolymeren van propeen en buteen-1, alsmede voorwerpen, geheel of ten dele vervaardigd uit deze copolymeren.
NL186482C (nl) Werkwijze voor het inkapselen van een halfgeleiderinrichting alsmede een vormsamenstelling geschikt voor toepassing van de werkwijze.
NL7602783A (nl) Inrichting en werkwijze voor het vervaardigen van hechtomslagen.
NL7602731A (nl) Inrichting voor het groeien van kristallijne lichamen uit de smelt.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7807687A (nl) Werkwijze en inrichting voor het verwijderen van ge- deelten uit vlak materiaal.
NL186664C (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL189102B (nl) Transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7811440A (nl) Uit een smelt gevormd polykristallijn keramisch li- chaam, dragers met doteermiddel, werkwijze voor het doteren van halfgeleiderplaatjes en halfgeleider- plaatjes of inrichting.
NL7803234A (nl) Werkwijze voor het bereiden van geente silicon- copolymeren en hieruit vervaardigde voorwerpen.
NL7701497A (nl) Werkwijze voor het sinteren van keramisch mate- riaal.
NL7606674A (nl) Cultuurfles, werkwijze voor het voorbereiden daar- van, en werkwijze voor het kweken daarmede.
NL7707699A (nl) Werkwijze en inrichting voor het "deeltjes-arm" steriliseren van vaatwerk.
NL7605369A (nl) Machine en werkwijze voor het toevoeren van voorwerpdragers.
NL188669C (nl) Werkwijze voor het doteren van halfgeleidermaterialen.

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed