NL7712708A - Werkwijze voor het aanbrengen van een diffusie- barriere op een halfgeleidersubstraat door mid- del van kathodesputteren. - Google Patents

Werkwijze voor het aanbrengen van een diffusie- barriere op een halfgeleidersubstraat door mid- del van kathodesputteren.

Info

Publication number
NL7712708A
NL7712708A NL7712708A NL7712708A NL7712708A NL 7712708 A NL7712708 A NL 7712708A NL 7712708 A NL7712708 A NL 7712708A NL 7712708 A NL7712708 A NL 7712708A NL 7712708 A NL7712708 A NL 7712708A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
applying
semiconductor substrate
diffusion barrier
cathodes
sputtering
Prior art date
Application number
NL7712708A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Loic Gustave Henry En Pierre N
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Loic Gustave Henry En Pierre N filed Critical Loic Gustave Henry En Pierre N
Publication of NL7712708A publication Critical patent/NL7712708A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
    • H01L21/3185—Inorganic layers composed of nitrides of siliconnitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
NL7712708A 1976-11-18 1977-11-18 Werkwijze voor het aanbrengen van een diffusie- barriere op een halfgeleidersubstraat door mid- del van kathodesputteren. NL7712708A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7635294A FR2371777A1 (fr) 1976-11-18 1976-11-18 Procede de fabrication d'une barriere de diffusion en nitrure de silicium sur un substrat de semiconducteur, en particulier du type iii-v

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7712708A true NL7712708A (nl) 1978-05-22

Family

ID=9180215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7712708A NL7712708A (nl) 1976-11-18 1977-11-18 Werkwijze voor het aanbrengen van een diffusie- barriere op een halfgeleidersubstraat door mid- del van kathodesputteren.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4137141A (nl)
JP (1) JPS5364471A (nl)
FR (1) FR2371777A1 (nl)
NL (1) NL7712708A (nl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2593441B2 (ja) * 1986-01-16 1997-03-26 日新電機株式会社 高硬度膜被覆工具材料とその製造方法
FR2640078B1 (fr) * 1988-10-20 1992-07-31 Alcatel Transmission Procede de depot de nitrure de silicium, dispositif de mise en oeuvre de ce procede, et application dudit procede a la fabrication de capacites hyperfrequences
US5047363A (en) * 1990-09-04 1991-09-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for reducing heterostructure acoustic charge transport device saw drive power requirements
US5217567A (en) * 1992-02-27 1993-06-08 International Business Machines Corporation Selective etching process for boron nitride films
JP4128898B2 (ja) * 2003-04-18 2008-07-30 古河電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
US20060045986A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Hochberg Arthur K Silicon nitride from aminosilane using PECVD
US7732071B2 (en) * 2006-11-10 2010-06-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording system with patterned medium and manufacturing process for the medium
US7670696B2 (en) * 2007-05-01 2010-03-02 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording medium with patterned magnetic islands and nonmagnetic trenches and manufacturing method for suppressing surface diffusion of trench material

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL257102A (nl) * 1960-10-18 1900-01-01
US3600218A (en) * 1968-05-15 1971-08-17 Ibm Method for depositing insulating films of silicon nitride and aluminum nitride
US3591477A (en) * 1968-07-17 1971-07-06 Mallory & Co Inc P R Process for growth and removal of passivating films in semiconductors
US3849276A (en) * 1971-03-19 1974-11-19 Ibm Process for forming reactive layers whose thickness is independent of time
GB1391842A (en) * 1971-08-04 1975-04-23 Elektromat Veb Apparatus for coating substrates by cathode sputtering and for cleaning by ion bombardment in the same vacuum vessel

Also Published As

Publication number Publication date
US4137141A (en) 1979-01-30
FR2371777B1 (nl) 1980-08-22
JPS5364471A (en) 1978-06-08
FR2371777A1 (fr) 1978-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL188237C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een stof uit meerdere lagen.
NL7610971A (nl) Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen.
NL7611952A (nl) Werkwijze voor het selektief galvaniseren van een gebied van een oppervlak.
NL194832B (nl) Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm.
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL184368C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een antistatische laag op een substraat.
NL173542C (nl) Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van een compositielaag op elk van een aantal substraten.
NL160421C (nl) Werkwijze voor het afzetten van een transparante, heldere metaaloxydelaag.
NL7413211A (nl) Werkwijzen voor het elektrolytisch neerslaan van m op een substraat en elektrolytoplossing oor.
NL163409C (nl) Beklede zaden, alsmede werkwijze voor het bekleden van zaden.
NL7613487A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een buig- zame lamellaire tussenlaag.
NL178088B (nl) Werkwijze voor het vormen van een hoogglanzende bekleding op een substraat.
NL7602264A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een metaalbe- kleding op een metaalsubstraat.
NL183344C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een lichtdoorlatend brandwerend paneel, en een dergelijk paneel.
NL7602706A (nl) Werkwijze en inrichting voor het door kathodever- stuiving afzetten van een materiaal op een drager.
NL162157C (nl) Werkwijze voor de bekleding van een betonnen ondergrond.
NL186478B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL172978B (nl) Afdichtende bekleding voor een ondergrond en werkwijze voor het aanbrengen van een zodanige bekleding.
NL7608397A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een polyurethanlaag op een substraat.
NL7900497A (nl) Werkwijze voor het positioneren van een substraat.
NL7712708A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een diffusie- barriere op een halfgeleidersubstraat door mid- del van kathodesputteren.
NL7609685A (nl) Beschermingslaag voor metalen substraten.
NL162124C (nl) Werkwijze voor het door etsen selectief verwijderen van een anorganisch oxyde van een substraat.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed