NL7701511A - Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.

Info

Publication number
NL7701511A
NL7701511A NL7701511A NL7701511A NL7701511A NL 7701511 A NL7701511 A NL 7701511A NL 7701511 A NL7701511 A NL 7701511A NL 7701511 A NL7701511 A NL 7701511A NL 7701511 A NL7701511 A NL 7701511A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
manufacture
applying
conductor
device manufactured
Prior art date
Application number
NL7701511A
Other languages
English (en)
Other versions
NL176622C (nl
NL176622B (nl
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL7701511A publication Critical patent/NL7701511A/nl
Publication of NL176622B publication Critical patent/NL176622B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL176622C publication Critical patent/NL176622C/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76205Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO in a region being recessed from the surface, e.g. in a recess, groove, tub or trench region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
NLAANVRAGE7701511,A 1976-02-16 1977-02-14 Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. NL176622C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7604169A FR2341201A1 (fr) 1976-02-16 1976-02-16 Procede d'isolement entre regions d'un dispositif semiconducteur et dispositif ainsi obtenu

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7701511A true NL7701511A (nl) 1977-08-18
NL176622B NL176622B (nl) 1984-12-03
NL176622C NL176622C (nl) 1985-05-01

Family

ID=9169154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7701511,A NL176622C (nl) 1976-02-16 1977-02-14 Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4113513A (nl)
JP (1) JPS5299767A (nl)
AU (1) AU505245B2 (nl)
CA (1) CA1075374A (nl)
DE (1) DE2704471C2 (nl)
FR (1) FR2341201A1 (nl)
GB (1) GB1572854A (nl)
IT (1) IT1076585B (nl)
NL (1) NL176622C (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4247862B1 (en) * 1977-08-26 1995-12-26 Intel Corp Ionzation resistant mos structure
JPS56150135A (en) * 1980-01-18 1981-11-20 British Steel Corp Binary steel
US4362574A (en) * 1980-07-09 1982-12-07 Raytheon Company Integrated circuit and manufacturing method
US4381956A (en) * 1981-04-06 1983-05-03 Motorola, Inc. Self-aligned buried channel fabrication process
US9941353B2 (en) * 2016-05-20 2018-04-10 Newport Fab, Llc Structure and method for mitigating substrate parasitics in bulk high resistivity substrate technology

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3386865A (en) * 1965-05-10 1968-06-04 Ibm Process of making planar semiconductor devices isolated by encapsulating oxide filled channels
NL7010208A (nl) * 1966-10-05 1972-01-12 Philips Nv
JPS4836598B1 (nl) * 1969-09-05 1973-11-06
NL169121C (nl) * 1970-07-10 1982-06-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon.
US3748187A (en) * 1971-08-03 1973-07-24 Hughes Aircraft Co Self-registered doped layer for preventing field inversion in mis circuits
JPS5228550B2 (nl) * 1972-10-04 1977-07-27
US3886000A (en) * 1973-11-05 1975-05-27 Ibm Method for controlling dielectric isolation of a semiconductor device
JPS5546059B2 (nl) * 1973-12-22 1980-11-21
US4023195A (en) * 1974-10-23 1977-05-10 Smc Microsystems Corporation MOS field-effect transistor structure with mesa-like contact and gate areas and selectively deeper junctions
US4011105A (en) * 1975-09-15 1977-03-08 Mos Technology, Inc. Field inversion control for n-channel device integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
FR2341201A1 (fr) 1977-09-09
JPS5439708B2 (nl) 1979-11-29
NL176622C (nl) 1985-05-01
JPS5299767A (en) 1977-08-22
AU505245B2 (en) 1979-11-15
US4113513A (en) 1978-09-12
DE2704471A1 (de) 1977-08-18
NL176622B (nl) 1984-12-03
FR2341201B1 (nl) 1980-05-09
CA1075374A (en) 1980-04-08
AU2224177A (en) 1978-08-24
GB1572854A (en) 1980-08-06
DE2704471C2 (de) 1983-08-11
IT1076585B (it) 1985-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7611773A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting vervaar- digd door toepassing van een dergelijke werk- wijze.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7705330A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektro- magnetische inrichting alsmede inrichting ver- vaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7712975A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een hol paneel.
NL7807983A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderin- richting.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7506519A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekt- transistor, en veldeffekttransistor vervaardigd vol- gens deze werkwijze.
NL7608901A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd door middel van een dergelijke werkwijze.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL7709363A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze.
NL7511160A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een foto-gal- vanisch element.
NL7604445A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7703941A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en inrichting, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7707780A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting verkregen volgens die werkwijze.
NL7507970A (nl) Werkwijze voor het bedrijven van een inrichting voor het vervaardigen van een kunststofprofiel- streng en voor de werkwijze uitgevoerde inrich- ting.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7606206A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een trilin- richting, alsmede een trilinrichting.
NL182476C (nl) Werkwijze voor de bereiding van een 4-halogeen-beta-pyron.
NL7611057A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7607298A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7611928A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting.
NL7604430A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo- -element, een volgens die werkwijze vervaardigd thermo-element en de toepassing daarvan.

Legal Events

Date Code Title Description
BC A request for examination has been filed
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
BV The patent application has lapsed