NL7610696A - Informatiegeheugen voor het opbergen van infor- matie in de vorm van elektrische ladingsdragers en een werkwijze voor het bedrijf ervan. - Google Patents

Informatiegeheugen voor het opbergen van infor- matie in de vorm van elektrische ladingsdragers en een werkwijze voor het bedrijf ervan.

Info

Publication number
NL7610696A
NL7610696A NL7610696A NL7610696A NL7610696A NL 7610696 A NL7610696 A NL 7610696A NL 7610696 A NL7610696 A NL 7610696A NL 7610696 A NL7610696 A NL 7610696A NL 7610696 A NL7610696 A NL 7610696A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
information
company
storage
electrical load
load carrier
Prior art date
Application number
NL7610696A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19752543628 external-priority patent/DE2543628A1/de
Priority claimed from DE2543677A external-priority patent/DE2543677C3/de
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NL7610696A publication Critical patent/NL7610696A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors having potential barriers
    • H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
    • G11C11/404—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
    • H01L29/1062—Channel region of field-effect devices of charge coupled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42396—Gate electrodes for field effect devices for charge coupled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
NL7610696A 1975-09-30 1976-09-27 Informatiegeheugen voor het opbergen van infor- matie in de vorm van elektrische ladingsdragers en een werkwijze voor het bedrijf ervan. NL7610696A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752543628 DE2543628A1 (de) 1975-09-30 1975-09-30 Informationsspeicher zum speichern von information in form von elektrischen ladungstraegern und verfahren zu seinem betrieb
DE2543677A DE2543677C3 (de) 1975-09-30 1975-09-30 Dynamisches Halbleiterspeicherelement und Verfahren zu dessen Betrieb

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7610696A true NL7610696A (nl) 1977-04-01

Family

ID=25769458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7610696A NL7610696A (nl) 1975-09-30 1976-09-27 Informatiegeheugen voor het opbergen van infor- matie in de vorm van elektrische ladingsdragers en een werkwijze voor het bedrijf ervan.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5243381A (ja)
FR (1) FR2326761A1 (ja)
GB (1) GB1564617A (ja)
IT (1) IT1072548B (ja)
NL (1) NL7610696A (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2095901B (en) * 1977-10-13 1983-02-23 Mohsen Amr Mohamed An mos transistor
DE2842588A1 (de) * 1978-09-29 1980-04-17 Siemens Ag Hochintegrierbares, dynamisches speicherelement
NL8003874A (nl) * 1980-07-04 1982-02-01 Philips Nv Veldeffektcapaciteit.
JPS57162458A (en) * 1981-03-31 1982-10-06 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JPS59154077A (ja) * 1983-02-23 1984-09-03 Clarion Co Ltd 可変容量素子
JPH0661465A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Mitsubishi Electric Corp 赤外線撮像素子
CN105953975A (zh) * 2016-07-19 2016-09-21 农业部南京农业机械化研究所 砝码杠杆式可移动静标定装置及标定方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES404184A1 (es) * 1971-07-06 1975-06-01 Ibm Una disposicion de celula de memoria de acceso casual para calculadoras digitales.

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5243381A (en) 1977-04-05
FR2326761A1 (fr) 1977-04-29
JPS6348187B2 (ja) 1988-09-28
IT1072548B (it) 1985-04-10
GB1564617A (en) 1980-04-10
FR2326761B1 (ja) 1978-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL179688C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een magnetische informatiedrager.
NL7507642A (nl) Informatiedrager en werkwijze voor het uitlezen daarvan.
NL7605713A (nl) Inrichting voor het reproduceren van informatie.
NL183099C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van georienteerd polyetheen en daaruit gevormd voorwerp.
NL7512125A (nl) Magnetische inrichting voor het verankeren van werkstukken.
NL7611422A (nl) Schakeling voor het herstellen van een geheugen.
NL7501994A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een magnetische legering en daaruit gevormde voorwerpen.
NL7713724A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektri- sche inrichting en elektrische inrichting ver- vaardigd volgens deze werkwijze.
NL7606164A (nl) Werkwijze en inrichting voor het schakelen van een dienstinformatie.
NL7810580A (nl) Voortbrengsel voor het opslaan van informatie.
NL7612165A (nl) Elektronisch stelsel voor het aflezen van tekens.
NL180622C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een primaire cel en een batterij die een dergelijke cel bevat.
NL7514558A (nl) Geheugensysteem voor elektrische informatie.
NL176875C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp uit een magnetische legering.
NL7713852A (nl) Origineel van een informatiedrager en werkwijze voor het vervaardigen van het origineel.
NL7501732A (nl) Hechtlaag voor het vasthouden van kleine deeltjes in een gas-geisoleerde elektrische inrichting.
NL7416697A (nl) Werkwijze voor het laden van accumulatoren.
NL7605369A (nl) Machine en werkwijze voor het toevoeren van voorwerpdragers.
NL7704307A (nl) Werkwijze en inrichting voor het klinken van voorwerpen.
NL7415966A (nl) Werkwijze en inrichting voor het opslaan van binaire informatie-elementen.
NL7612070A (nl) Inrichting voor het uitlezen van informatie.
NL180017C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van met lak geisoleerde wikkeldraden.
NL7610696A (nl) Informatiegeheugen voor het opbergen van infor- matie in de vorm van elektrische ladingsdragers en een werkwijze voor het bedrijf ervan.
NL169752C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van briketten.
NL7508183A (nl) Inrichting en werkwijze voor het verpakken van elek- trische componenten in een dragerstrook.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed