NL7609176A - Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling.

Info

Publication number
NL7609176A
NL7609176A NL7609176A NL7609176A NL7609176A NL 7609176 A NL7609176 A NL 7609176A NL 7609176 A NL7609176 A NL 7609176A NL 7609176 A NL7609176 A NL 7609176A NL 7609176 A NL7609176 A NL 7609176A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
integrated circuit
fet
procedure
manufacture
manufactured according
Prior art date
Application number
NL7609176A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NL7609176A publication Critical patent/NL7609176A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H01L21/2652—Through-implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
    • H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
    • H10D84/0165—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs the components including complementary IGFETs, e.g. CMOS devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/82—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
NL7609176A 1975-08-22 1976-08-18 Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling. NL7609176A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2537559A DE2537559C3 (de) 1975-08-22 1975-08-22 Verfahren zur Herstellung einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltung mit einem Junction-Feldeffekttransistor und einem komplementären MIS-Feldeffekttransistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7609176A true NL7609176A (nl) 1977-02-24

Family

ID=5954665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7609176A NL7609176A (nl) 1975-08-22 1976-08-18 Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4035207A (enExample)
JP (1) JPS52138885A (enExample)
DE (1) DE2537559C3 (enExample)
FR (1) FR2321772A1 (enExample)
GB (1) GB1509486A (enExample)
IT (1) IT1066949B (enExample)
NL (1) NL7609176A (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4217149A (en) * 1976-09-08 1980-08-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing complementary insulated gate field effect semiconductor device by multiple implantations and diffusion
FR3003687B1 (fr) * 2013-03-20 2015-07-17 Mpo Energy Procede de dopage de plaques de silicium

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1345818A (en) * 1971-07-27 1974-02-06 Mullard Ltd Semiconductor devices
US3806371A (en) * 1971-07-28 1974-04-23 Motorola Inc Method of making complementary monolithic insulated gate field effect transistors having low threshold voltage and low leakage current
US3793088A (en) * 1972-11-15 1974-02-19 Bell Telephone Labor Inc Compatible pnp and npn devices in an integrated circuit
JPS5633864B2 (enExample) * 1972-12-06 1981-08-06
US3898105A (en) * 1973-10-25 1975-08-05 Mostek Corp Method for making FET circuits
GB1503017A (en) * 1974-02-28 1978-03-08 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
FR2321772A1 (fr) 1977-03-18
DE2537559B2 (de) 1977-09-01
GB1509486A (en) 1978-05-04
JPS52138885A (en) 1977-11-19
FR2321772B1 (enExample) 1980-03-28
IT1066949B (it) 1985-03-12
DE2537559C3 (de) 1978-05-03
US4035207A (en) 1977-07-12
DE2537559A1 (de) 1977-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7605657A (nl) Helicopterrotor en werkwijze voor het ver- vaardigen van een constructiedeel hiervan.
NL7713724A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektri- sche inrichting en elektrische inrichting ver- vaardigd volgens deze werkwijze.
NL7612458A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een interconnector.
NL7604632A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting en een halfgeleiderinrich- ting volgens deze werkwijze verkregen.
NL7607285A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipo- laire geintegreerde schakeling, en volgens deze werkwijze vervaardigde, bipolaire gein- tegreerde schakeling.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7611530A (nl) Werkwijze voor het bekleden van een kopersubstraat, alsmede kopersubstraat bekleed volgens deze werkwijze.
NL7609034A (nl) Halfgeleider en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL7606639A (nl) Geintegreerde logische schakeling en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke schake- ling.
NL7612006A (nl) Werkwijze voor het laten groeien van een monokris- tal van een halfgeleiderverbinding.
NL7602012A (nl) Elektrisch weerstandelement en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL7701519A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elek- trische verbindingsinrichting en elektrische verbindingsinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7611330A (nl) Inrichting en werkwijze voor het overdragen van een substantie.
NL169120C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch element en element verkregen volgens deze werkwijze.
NL7515250A (nl) Inrichting voor de vervaardiging van kunststof- foelies.
NL185044C (nl) Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7614594A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en een halfgeleiderinrichting op deze wijze verkregen.
NL7609856A (nl) Ritssluiting en werkwijze en inrichting voor de vervaardiging daarvan.
NL7609176A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling.
NL7607126A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van meervoudig getinte tabletten.
NL7604708A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling.
NL7612257A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting alsmede een volgens deze werk- wijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL169283C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van thermoplastische foelies.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed