NL7609176A - Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling.

Info

Publication number
NL7609176A
NL7609176A NL7609176A NL7609176A NL7609176A NL 7609176 A NL7609176 A NL 7609176A NL 7609176 A NL7609176 A NL 7609176A NL 7609176 A NL7609176 A NL 7609176A NL 7609176 A NL7609176 A NL 7609176A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
integrated circuit
fet
procedure
manufacture
manufactured according
Prior art date
Application number
NL7609176A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NL7609176A publication Critical patent/NL7609176A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H01L21/2652—Through-implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
NL7609176A 1975-08-22 1976-08-18 Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling. NL7609176A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2537559A DE2537559C3 (de) 1975-08-22 1975-08-22 Verfahren zur Herstellung einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltung mit einem Junction-Feldeffekttransistor und einem komplementären MIS-Feldeffekttransistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7609176A true NL7609176A (nl) 1977-02-24

Family

ID=5954665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7609176A NL7609176A (nl) 1975-08-22 1976-08-18 Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4035207A (xx)
JP (1) JPS52138885A (xx)
DE (1) DE2537559C3 (xx)
FR (1) FR2321772A1 (xx)
GB (1) GB1509486A (xx)
IT (1) IT1066949B (xx)
NL (1) NL7609176A (xx)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4217149A (en) * 1976-09-08 1980-08-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing complementary insulated gate field effect semiconductor device by multiple implantations and diffusion
FR3003687B1 (fr) * 2013-03-20 2015-07-17 Mpo Energy Procede de dopage de plaques de silicium

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1345818A (en) * 1971-07-27 1974-02-06 Mullard Ltd Semiconductor devices
US3806371A (en) * 1971-07-28 1974-04-23 Motorola Inc Method of making complementary monolithic insulated gate field effect transistors having low threshold voltage and low leakage current
US3793088A (en) * 1972-11-15 1974-02-19 Bell Telephone Labor Inc Compatible pnp and npn devices in an integrated circuit
JPS5633864B2 (xx) * 1972-12-06 1981-08-06
US3898105A (en) * 1973-10-25 1975-08-05 Mostek Corp Method for making FET circuits
US3986896A (en) * 1974-02-28 1976-10-19 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
DE2537559A1 (de) 1977-02-24
FR2321772B1 (xx) 1980-03-28
DE2537559B2 (de) 1977-09-01
FR2321772A1 (fr) 1977-03-18
GB1509486A (en) 1978-05-04
JPS52138885A (en) 1977-11-19
US4035207A (en) 1977-07-12
IT1066949B (it) 1985-03-12
DE2537559C3 (de) 1978-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7605657A (nl) Helicopterrotor en werkwijze voor het ver- vaardigen van een constructiedeel hiervan.
NL7612458A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een interconnector.
NL7607285A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipo- laire geintegreerde schakeling, en volgens deze werkwijze vervaardigde, bipolaire gein- tegreerde schakeling.
NL7604632A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting en een halfgeleiderinrich- ting volgens deze werkwijze verkregen.
NL7513161A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL185483B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL7609034A (nl) Halfgeleider en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL7606639A (nl) Geintegreerde logische schakeling en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke schake- ling.
NL7612006A (nl) Werkwijze voor het laten groeien van een monokris- tal van een halfgeleiderverbinding.
NL7602012A (nl) Elektrisch weerstandelement en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL180264B (nl) Bipolaire transistor voor een geintegreerde halfgeleiderschakeling en werkwijzen voor het vervaardigen daarvan.
NL169120B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch element en element verkregen volgens deze werkwijze.
NL7611330A (nl) Inrichting en werkwijze voor het overdragen van een substantie.
NL7515250A (nl) Inrichting voor de vervaardiging van kunststof- foelies.
NL185044C (nl) Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7614594A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en een halfgeleiderinrichting op deze wijze verkregen.
NL7609856A (nl) Ritssluiting en werkwijze en inrichting voor de vervaardiging daarvan.
NL7604099A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een condensa- tor.
NL7609176A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling met een junctie-fet en een complementaire mis-fet, en een volgens deze werkwijze vervaardigde, geintegreerde schake- ling.
NL7607126A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van meervoudig getinte tabletten.
NL7612257A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting alsmede een volgens deze werk- wijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL7609600A (nl) Zalffoelie, werkwijze voor het vervaardigen daarvan en werkwijze voor het toepassen daar- van.
NL169283C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van thermoplastische foelies.
NL7500492A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgelei- derinrichtingen, waarbij een glazen bedekking wordt aangebracht, en halfgeleiderinrichtingen, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7600395A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vijl.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed