NL7607298A - Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.

Info

Publication number
NL7607298A
NL7607298A NL7607298A NL7607298A NL7607298A NL 7607298 A NL7607298 A NL 7607298A NL 7607298 A NL7607298 A NL 7607298A NL 7607298 A NL7607298 A NL 7607298A NL 7607298 A NL7607298 A NL 7607298A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
manufactured according
device manufactured
manufactured
Prior art date
Application number
NL7607298A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7607298A priority Critical patent/NL7607298A/xx
Priority to DE2727788A priority patent/DE2727788C2/de
Priority to CH800477A priority patent/CH630961A5/de
Priority to JP52076682A priority patent/JPS6031100B2/ja
Priority to CA281,727A priority patent/CA1097434A/en
Priority to GB27194/77A priority patent/GB1571034A/en
Priority to IT25218/77A priority patent/IT1081122B/it
Priority to FR7720247A priority patent/FR2356739A1/fr
Publication of NL7607298A publication Critical patent/NL7607298A/xx
Priority to US06/047,979 priority patent/US4293375A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32131—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by physical means only
    • H01L21/32132—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by physical means only of silicon-containing layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
NL7607298A 1976-02-07 1976-07-02 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. NL7607298A (nl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7607298A NL7607298A (nl) 1976-07-02 1976-07-02 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
DE2727788A DE2727788C2 (de) 1976-07-02 1977-06-21 Verfahren zum Herstellen eines Musters in einer Oberflächenschicht eines scheibenförmigen Körpers
CH800477A CH630961A5 (de) 1976-07-02 1977-06-29 Verfahren zur aetzbehandlung eines koerpers mittels eines plasmas und nach dem verfahren hergestellte vorrichtung.
JP52076682A JPS6031100B2 (ja) 1976-07-02 1977-06-29 装置の製造方法
CA281,727A CA1097434A (en) 1976-07-02 1977-06-29 Semiconductor etching process
GB27194/77A GB1571034A (en) 1976-07-02 1977-06-29 Method of plasma-etching a body
IT25218/77A IT1081122B (it) 1976-07-02 1977-06-29 Metodo di fabbricazione di un dispositivo,e dispositivo fabbricato con l'ausilio di tale metodo
FR7720247A FR2356739A1 (fr) 1976-07-02 1977-07-01 Procede de decapage a l'aide d'un plasma et dispositif obtenu
US06/047,979 US4293375A (en) 1976-02-07 1979-06-13 Method of manufacturing a device and device manufactured according to the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7607298A NL7607298A (nl) 1976-07-02 1976-07-02 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7607298A true NL7607298A (nl) 1978-01-04

Family

ID=19826508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7607298A NL7607298A (nl) 1976-02-07 1976-07-02 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4293375A (de)
JP (1) JPS6031100B2 (de)
CA (1) CA1097434A (de)
CH (1) CH630961A5 (de)
DE (1) DE2727788C2 (de)
FR (1) FR2356739A1 (de)
GB (1) GB1571034A (de)
IT (1) IT1081122B (de)
NL (1) NL7607298A (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4183780A (en) * 1978-08-21 1980-01-15 International Business Machines Corporation Photon enhanced reactive ion etching
EP0050973B1 (de) * 1980-10-28 1986-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Maskierung von Halbleiteranordnungen unter Verwendung einer Polymerschicht
JPS5775429A (en) * 1980-10-28 1982-05-12 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
DE3175488D1 (en) * 1981-02-07 1986-11-20 Ibm Deutschland Process for the formation and the filling of holes in a layer applied to a substrate
JPS57170535A (en) * 1981-04-15 1982-10-20 Toshiba Corp Etching method for thin silicon film
DE3215410A1 (de) * 1982-04-24 1983-10-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen von oeffnungen mit hilfe einer maske in einer auf einer unterlage befindlichen schicht
US4461672A (en) * 1982-11-18 1984-07-24 Texas Instruments, Inc. Process for etching tapered vias in silicon dioxide
US4522681A (en) * 1984-04-23 1985-06-11 General Electric Company Method for tapered dry etching
DE3903699A1 (de) * 1988-02-08 1989-08-17 Ricoh Kk Bildsensor
US4978420A (en) * 1990-01-03 1990-12-18 Hewlett-Packard Company Single chamber via etch through a dual-layer dielectric
JPH0964366A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Corp 薄膜トランジスタ
JP2016219452A (ja) * 2015-05-14 2016-12-22 富士通株式会社 多層基板及び多層基板の製造方法
CN111725063B (zh) * 2020-06-19 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体衬底的刻蚀方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3483108A (en) * 1967-05-29 1969-12-09 Gen Electric Method of chemically etching a non-conductive material using an electrolytically controlled mask
DE2117199C3 (de) * 1971-04-08 1974-08-22 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur Herstellung geätzter Muster in dünnen Schichten mit definierten Kantenprofilen
US3767490A (en) * 1971-06-29 1973-10-23 Ibm Process for etching organic coating layers
US3795557A (en) * 1972-05-12 1974-03-05 Lfe Corp Process and material for manufacturing semiconductor devices
NL7213625A (de) * 1972-10-07 1974-04-09
US3880684A (en) * 1973-08-03 1975-04-29 Mitsubishi Electric Corp Process for preparing semiconductor
US3839111A (en) * 1973-08-20 1974-10-01 Rca Corp Method of etching silicon oxide to produce a tapered edge thereon
IT1040004B (it) * 1974-08-21 1979-12-20 Rca Corp Metodo per la creazione del con torno marginale di una lastrina di materiale semiconduttore
JPS51117136A (en) * 1975-04-09 1976-10-15 Tokyo Shibaura Electric Co Plasma etching process
US3986912A (en) * 1975-09-04 1976-10-19 International Business Machines Corporation Process for controlling the wall inclination of a plasma etched via hole

Also Published As

Publication number Publication date
US4293375A (en) 1981-10-06
DE2727788A1 (de) 1978-01-05
IT1081122B (it) 1985-05-16
DE2727788C2 (de) 1982-08-19
CH630961A5 (de) 1982-07-15
FR2356739A1 (fr) 1978-01-27
JPS6031100B2 (ja) 1985-07-20
FR2356739B1 (de) 1982-06-18
JPS535974A (en) 1978-01-19
GB1571034A (en) 1980-07-09
CA1097434A (en) 1981-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7700521A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een con- servenblik en inrichting voor de uitvoering van deze werkwijze.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL7614599A (nl) Lijstsamenstel voor het vormen van een raamwerk.
NL183869C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een semipermeabel membraan.
NL7713519A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van banden.
NL7706000A (nl) Werkwijze voor het hydrolyseren van een glyce- rolester.
NL7712358A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een zeef en de zeef op zichzelf.
NL7713004A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgelei- derinrichtingen.
NL7706856A (nl) Inrichting voor het omzetten van vermogen.
NL7605535A (nl) Werkwijze voor het polymeriseren van alkenen.
NL7804793A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een ritssluiting.
NL7607298A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7703779A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een voor gas ondoordringbare verpakking en verpakking verkregen volgens deze werkwijze.
NL7607558A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van soft-ice.
NL7711617A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een beschermingshandschoen.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7709833A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van zakkettingen.
NL7703826A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een samengestelde houder.
NL7901569A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een doek.
NL7706802A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7709411A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed