NL193868C - Mondstuksamenstel voor een inrichting voor het onder gelocaliseerd vacu³m behandelen van werkstukken. - Google Patents

Mondstuksamenstel voor een inrichting voor het onder gelocaliseerd vacu³m behandelen van werkstukken. Download PDF

Info

Publication number
NL193868C
NL193868C NL8402861A NL8402861A NL193868C NL 193868 C NL193868 C NL 193868C NL 8402861 A NL8402861 A NL 8402861A NL 8402861 A NL8402861 A NL 8402861A NL 193868 C NL193868 C NL 193868C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
vacuum
nozzle
central
insert plate
space
Prior art date
Application number
NL8402861A
Other languages
English (en)
Other versions
NL8402861A (nl
NL193868B (nl
Original Assignee
Varian Semiconductor Equipment
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Varian Semiconductor Equipment filed Critical Varian Semiconductor Equipment
Publication of NL8402861A publication Critical patent/NL8402861A/nl
Publication of NL193868B publication Critical patent/NL193868B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL193868C publication Critical patent/NL193868C/nl

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02Details
    • H01J2237/026Shields
    • H01J2237/0264Shields magnetic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/16Vessels
    • H01J2237/162Open vessel, i.e. one end sealed by object or workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18Vacuum control means
    • H01J2237/188Differential pressure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2005Seal mechanisms
    • H01J2237/2006Vacuum seals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

1 193868 * Mondstuksamenstel voor een inrichting voor het onder behandelen van werkstukken gelokaliseerd vacuüm
De uitvinding heeft betrekking op een mondstuksamenstel voor een inrichting voor het onder gelokaliseerd 5 vacuüm behandelen van werkstukken, omvattende een centraal busvormig mondstuk in verbinding met de vacuümbehandelingsinrichting en met aansluiting op een hoogvacuümbron en een tweede, concentrisch rond het centrale mondstuk geplaatst mondstuk, dat een ringvormige ruimte rond het centrale mondstuk begrenst, welke ruimte een aansluiting op een tweede vacuümbron heeft. Een 10 dergelijk mondstuksamenstel is bekend uit het Amerikaanse octrooischrift 3.368.235, waarvan figuur 1 een uitvoering met twee mondstukken toont.
Voorts heeft de uitvinding betrekking op een mondstuksamenstel voor een inrichting voor onder gelokaliseerd vacuüm behandelen van werkstukken, omvattende een centraal busvormig mondstuk in verbinding met de vacuümbehandelingsinrichting en met aansluiting op 15 een hoogvacuümbron, een tweede concentrisch rond het centrale mondstuk gelegen mondstuk, dat een ringvormige ruimte rond het centrale mondstuk begrenst, welke een aansluiting op de tweede vacuümbron heeft, waarbij de kopse eind(rand)en van de beide mondstukken nagenoeg in één vlak liggen, terwijl rond het tweede mondstuk een derde, buitenste mondstuk is aangebracht. Een dergelijk mondstuk-20 samenstel is eveneens bekend uit het Amerikaanse octrooischrift 3.388.235, waarvan figuur 2 en 3 een uitvoering met drie mondstukken tonen.
Zowel voor de bekende tweevoudige uitvoering als voor de bekende drievoudige uitvoering geldt, dat het centrale busvormige mondstuk één geheel vormt met de vacuümbehandelingsinrichting (die in het geval van het Amerikaanse octrooischrift bestaat uit een hoogvacuümkamer, waarin de door de beoogde vacuüm-25 behandeling toegepaste deeltjesbundel wordt gegenereerd) en dat het buitenste mondstuk wordt gevormd door een holle ring met in de binnenomtrekswand daarvan aangebrachte, tangentiaal gerichte uittree-openingen voor een aan de holle mondstukring toegevoerd drukmedium. De tangentiaal gerichte druk-mediumstralen vormen daarbij tezamen een ringwe'rvel langs genoemde omtrekswand, welke ringwervel de erbinnen gelegen ringvormige, op de tweede vacuümbron aangesloten ruimte rond het centraal gelegen 30 mondstuk afschermt en het mondstuksamenstel in hoofdzaak langs de onderzijde daarvan radiaal naar buiten verlaat. Daarbij wordt de ringwervel in de drievoudige uitvoering door een tussenliggend mondstuk met in stroomafwaartse richting wigvormig afnemende wanddikte gescheiden van de ringvormige vacuüm-ruimte rond het centraal gelegen mondstuk.
Het bezwaar van het bekende mondstuksamenstel in beide uitvoeringen is, dat de constructie ervan een 35 naar verhouding grote diameter vergt en dat een relatief grote spleetruimte ten opzichte van het te behandelen werkstuk moet worden aangehouden.
De uitvinding nu beoogt dit bezwaar te ondervangen.
Volgens de uitvinding wordt dit doel bereikt, doordat - in de tweevoudige uitvoering - het tweede buitenste mondstuk busvormig is en uitsteekt van de bodem van een de afsluiting van de vacuüm-40 behandelingsinrichting vormend plat huis met een van de bodem opstaande omtreksflens, waarin ten minste twee aansluitpoorten voor verschillende vacuümbronnen zijn aangebracht, terwijl het centrale busvormige mondstuk met zijn kopse eindrand in één vlak met die van het buitenste mondstuk ligt en uitsteekt van een op de bodem van het huis aanliggende inlegplaat met althans één uitsparing, die de ringvormige ruimte tussen de beide mondstukken verbindt met een aansluitpoort voor de tweede vacuümbron, waarbij de 45 ruimte boven de inlegplaat en daarmede de centrale mondstukruimte in verbinding staat met de aansluit· poort voor de hoogvacuümbron en doordat - in de drievoudige uitvoering - het derde, buitenste mondstuk busvormig is uitgevoerd en uitsteekt van de bodem van een de afsluiting van de vacuümbehandelingsinrichting vormend plat huis met een van de bodem opstaande omtreksflens waarin ten minste drie aansluitpoorten voor verschillende vacuüm-50 bronnen zijn aangebracht, waarbij het tweede, eveneens busvormig uitgevoerde mondstuk uitsteekt van een op de bodem van het huis aanliggende onderste inlegplaat met althans een uitsparing die de ringvormige ruimte tussen het buitenste en het tweede mondstuk met een aansluitpoort voor een laagvacuümbron verbindt, terwijl het centrale mondstuk uitsteekt van een tweede, bovenste inlegplaat, die op de eerste inlegplaat aanligt en 55 tezamen met die eerste inlegplaat een verbindingskanaal begrenst, dat de ringvormige ruimte tussen het tweede mondstuk en het centrale mondstuk verbindt met een aansluitpoort voor een middelhoogvacuüm-bron, en 193868 2 waarbij de ruimte boven de tweede inlegplaat en daarmede de centrale mondstukruimte in verbinding staat met de aansluitpoort voor de hoogvacuümbron.
Het mondstuksamenstel volgens de uitvinding is zowel in de tweevoudige, als in de drievoudige uitvoering wezenlijk compacter dan het bekend mondstuksamenstel, waardoor het behandelen van 5 werkstukken, zoals halfgeleiderplaatjes, tot dicht nabij de randen ervan kan plaatsvinden, terwijl bovendien veel kleinere spleetruimten kunnen worden toegepast en daardoor nauwkeuriger behandelingen met bijvoorbeeld een geladen-deeltjesbundel mogelijk zijn. Het mondstuksamenstel biedt daarbij een effectieve en compacte, getrapte vacuümring rond de centrale vacuümbehandelingszone.
Het mondstuksamenstel volgens de uitvinding is meer in het bijzonder geschikt voor toepassing bij een 10 elektronenbundelkolom voor lithografiesystemen, die een hoog vacuüm vereisen.
Opgemerkt dient te worden, dat in de Europese octrooipublicaties 0106510, 0106511 en 0109147, waarin Nederland is aangewezen en die van oudere rang zijn, een voor toepassing bij een inrichting voor het onder plaatselijk vacuüm behandelen van werkstukken bestemd mondstuksamenstel is beschreven, dat eveneens als een afzonderlijke, op de vacuümbehandelingsinrichting te monteren eenheid is uitgevoerd. Het 15 mondstuksamenstel bevat daarbij eveneens een aantal concentrisch geplaatste mondstukbussen, die concentrisch gelegen, elk op een afzonderlijke vacuümbron aangesloten mondstukopeningen begrenzen. De concentrisch geplaatste mondstukbussen liggen daarbij met hun tapse randen in één vla, zodat in beginsel betrekkelijk kleine spleetruimten ten opzichte van de te behandelen werkstukken kunnen worden aangehouden. Het mondstuksamenstel is echter van een wezenlijk andere en minder compacte opbouw dan het door 20 de onderhavige uitvinding voorgestelde mondstuksamenstel.
Het mondstuksamenstel volgens de uitvinding kan in beide uitvoeringen eenvoudig en doeltreffend ter afsluiting van de vacuümbehandelingsinrichting met deze laatste worden samengebouwd doordat, volgens een verder kenmerk van de uitvinding, de omtreksflens aan het huis is voorzien van middelen voor het vacuümdicht monteren van de samenstel in de behandelingskamer van de vacuümbehandelingsinrichting.
25 Gebruik makende van de omstandigheid, dat het mondstuksamenstel volgens de uitvinding in het | algemeen symmetrisch rond de as van de geladen-deeltjesbundel in de behandelingskamer komt te liggen, verdient het aanbeveling het huis te vervaardigen uit ferromagnetisch materiaal ter magnetische afscherming tussen de vacuümbehandelingskamer en het te behandelen werkstuk. De symmetrische opstelling van het samenstel vormt daarbij een waarborg tegen ongewenste afbuigingen van de behandelde deeltjes-30 bundel.
Een voorkeursuitvoeringsvorm bestaat daarin, dat de bovenste inlegplaat is vervaardigd uit ferromagnetisch materiaal en de onderste inlegplaat uit materiaal met een lage permeabiliteit is vervaardigd, zulks ter verschaffing van een dubbele schermwerking tussen de behandelingskamer en het werkstuk.
35 Verdere kenmerken en voordelen van de uitvinding worden hieronder aan de hand van uitvoerings-voorbeelden van een tweevoudig en drievoudig mondstuksamenstel nader toegelicht
Figuur 1 is een blokschema van een elektronenbundelblootstellingssysteem, waarin een inrichting volgens de onderhavige uitvinding is ingebouwd; figuur 2 geeft op vergrote schaal een doorsnede van de plaatselijke vacuüm-omhullingsinrichting 40 (hierboven mondstuksamenstel genoemd) geïllustreerd in figuur 1; figuren 3A en 3B stellen een bovenaanzicht respectievelijk dwarsdoorsnede voor van de omhullingsin-richting volgens de onderhavige uitvinding; figuren 4A en 4B stellen een bovenaanzicht respectievelijk dwarsdoorsnede voor van het huis van de omhullingsinrichting; 45 figuren 5A en 5B stellen een bovenaanzicht respectievelijk dwarsdoorsnede voor van de onderplaat van de omhullingsinrichting; en figuren 6A en 6B stellen een bovenaanzicht respectievelijk dwarsdoorsnede voor van de bovenplaat van de omhullingsinrichting.
50 Een deeltjesbundelinrichting met ingebouwd een plaatselijke vacuümbehandeling van een werkstuk, wordt geïllustreerd in het blokschema van figuur 1. Een elektronenbundellithografiesysteem omvat een plaatselijke vacuüm-omhullingsinrichting 10 gemonteerd aan de uitgang van een elektronenbundelkolom 12, die een elektronenbron omvat, focusseringsoptica en projectie- en afbuigoptica. De kolom 12 omvat eveneens belichtings- en vormgevingsoptica, wanneer een gevormde bundel wordt toegepast. De uitgang van de 55 kolom 12 is een fijn gefocusseerde elektronenbundel 14 (figuur 2) die loopt door de omhullingsinrichting 10 en op een werkstuk valt zoals een halfgeleiderplaatje 16. Het gehele door de elektronenbundel 14 tussen de elektronenbron en het plaatje doorlopen gebied wordt gehandhaafd op een hoog vacuüm in de orde van 3 193868 10"6 Torr door een hoogvacuümpomp 17 gekoppeld met de kolom 12. In een praktisch systeem zijn de elektronen optische elementen gelegen buiten het vacuümgebied terwijl een centrale buis doorlopen door de elektronenbundel 14, wordt gehandhaafd onder hoogvacuüm. De omhullingsinrichting 10 is gekoppeld met een eerste trap-vacuümpomp 20 en met een tweede trap-vacuümpomp 22 en met de hoogvacuümpomp 17.
5 Het plaatje 16 wordt ondersteund en gehouden in positie door een vacuüm klemplaat 18 gemonteerd op een plateau 24. Het plateau 24 wordt ondersteund boven een x-y tafel door aandrijforganen 28 en omvat spiegeloppervlakken 30, waartegen de vacuüm klemplaat 18 star gekoppeld wordt, voor nauwkeurige meting van de x-y positie van het plaatje 16. Dergelijke plaatjes worden geplaatst op de vacuüm klemplaat 18 en daarvan verwijderd door een (niet-weergegeven) geautomatiseerd plaatjeshanteringssysteem. De x-y 10 tafel 26 wordt getranslateerd in het x-y vlak door een x-y aandrijfsysteem 34. De nauwkeurige x-y positie van het plaatje 16 wordt afgetast door een laser interferometersysteem 36, dat optische signalen dirigeert naar spiegelvlakken 30. De z-as 37 valt in het algemeen samen met de baan van de elektronenbundel 14, terwijl de x-y assen een vlak vormen loodrecht op de z-as 37, waarin het plaatje 16 wordt bewogen. Het volledige elektronenbundellithografiesysteem omvat voorts een regelaar of computer en bijbehorend 15 elektronisch systeem (niet-weergegeven in figuur 1), dat de kolom 12, het aandrijfsysteem 34, het vacuümsysteem en het plaatje hanteringssysteem bestuurt en dat patroongegevens opslaat en bundelstuursignalen levert.
De punt van de omhullingsinrichting 10 en het oppervlak van het plaatje 16 worden geïllustreerd in een doorsnede op grote schaal in figuur 2. De omhullingsinrichting 10 omvat concentrische hulslichamen 40a, 20 40b, 40c, die elk een afgeknot kegelvormige gedaante kunnen hebben en een punt 42 omvat, gevormd door het coplanair plaatsen van de punten van de hulslichamen 40a, 40b, 40c. De punt 42 is tijdens de bewerking iets boven het plaatje 16 geplaatst. Een spleet G, in een typerend geval 30 micrometer, is gedefinieerd tussen de punt 42 en het oppervlak van het plaatje 16. Het hulslichaam 40a definieert een hoog-vacuümbewerkingszone 44. Tijdens zijn bedrijf vormt een differentiële pompinstallatie een gegra-25 deerde vacuümafdichting in het spleetgebied tussen de vacuümzone 44 en het omgevingsmilieu. Een ringvormige opening 46, concentrisch met de hoogvacuümzone 44, is gedefinieerd tussen de hulslichamen 40a en 40b; een ringvormige opening 48, eveneens concentrisch met de hoogvacuümzone 44, is gedefinieerd tussen de lichamen 40b en 40c. De ringvormige opening 48 is. gekoppeld met de eerste trap van de vacuümpomp 20, die de druk rondom de hoogvacuümzone 44 verlaagt tot een laagvacuümniveau en een 30 eerste vacuümzone produceert. De ringvormige opening 46 is gekoppeld met de tweede trap van de vacuümpomp 22, die de druk verlaagt rondom de hoogvacuümzone 44 tot een middenvacuümniveau en een tweede vacuümzone produceert. De hoogvacuümzone 44 is gekoppeld met de hoogvacuümpomp 17. Afhankelijk van de in een speciaal proces vereiste druk, kunnen meer of minder vacuüm pomptrappen worden toegepast voor het vormen van een gegradeerde afdichting. In een typerend geval is de buiten-35 diameter van de punt 42 voor rechtstreekse schrijfelektronenbundellithografie 10-15 millimeter, terwijl de diameter van de hoogvacuümzone 44 3-5 millimeter is. Wanneer de punt 42 van de omhullingsinrichting 10 geplaatst is zeer dicht bij het oppervlak van het plaatje 16, wordt een hoog vacuüm gehandhaafd in de hoogvacuümzone 44. Als het plaatje 16 wordt bewogen beneden de omhullingsinrichting 10, wordt de elektronenbundel 14 aftastend gezwenkt over een gebied van het oppervlak van het plaatje binnen de 40 hoogvacuümzone 44.
De constructie van de plaatselijke vacuüm-omhullingsinrichting 10 in overeenstemming met de onderhavige uitvinding, wordt in detail weergegeven in figuur 3-6. De samengestelde omhullingsinrichting 10 wordt weergegeven in figuur 3, terwijl individuele elementen van de omhullingsinrichting worden weergegeven in figuur 4-6. Een bovenaanzicht van de samengestelde omhullingsinrichting wordt weergegeven in figuur 3A: 45 figuur 3B is een doorsnede over de lijn 3B-3B van figuur 3A. De omhullingsinrichting 10 omvat een huis 60, waarin een onderplaat 62, een bovenplaat 64 en een afscherm-(”blankoff”)plaat 66 zijn gemonteerd. Een bovenoppervlak 68 van de omhullingsinrichting 10 is ingericht voor bevestiging aan de elektronenbundel-kolom 12 zodanig dat de elektronenbundel 14 door de punt 42 loopt. De punt 42 van de omhullingsinrichting 10 strekt zich naar beneden toe uit vanaf het hoofdgedeelte ervan en vormt een niet-contactmakende 50 afdichting met het werkstuk. Verbindingen met vacuümpompen 17, 20 en 22 zijn gemaakt naar de omhullingsinrichting 10 rondom de omtrek ervan, zoals hierna beschreven zal worden.
Onder verwijzing thans naar figuur 4A en 4B omvat het huis 60 in het algemeen een vlakke bodemplaat 70 en een naar boven toe uitstrekkende flens 72 rondom de omtrek van de bodemplaat 70. De flens 72 is voorzien van een aantal poorten 74-77 ingericht voor verbinding via geschikte leidingen met vacuüm-55 pompen 17, 20, 22. De flens 72 is voorts voorzien van een aantal montagegaten 78 en een voor een O-ring bestemde groef 80 om het huis 60 vacuümdicht te monteren aan de elektronenbundelkolom 12. De gedeelten van de flens 72 nabij de poorten 74-77 zijn omlaag en naar binnen toe gehoekt, zoals weergege- 193868 4 ven in figuur 4B om montage en demontage van de omhullingsinrichting 10 aan het vacuümpompsysteem te vergemakkelijken. De bodemplaat 70 en de flens 72 in combinatie bepalen een cilindrisch inwendig gebied 82 van het huis 60. De huls 40c, met afgeknot kegelvormige gedaante, strekt zich omlaag uit vanaf het midden van de bodemplaat 70. De huls 40c definieert een opening 84 door het bodemgedeelte van het huis 5 60.
De onderplaat 62 is gemonteerd in het onderste gedeelte van het huis 60, zoals weergegeven in figuur 3B. Onder verwijzing thans naar figuur 5A en 5B heeft de onderste plaat 62 in het algemeen een cirkelvor-mige omtrek geschikt voor montage in het inwendige gebied 82 en omvat de zich omlaag uitstrekkende huls 40b met half afgeknot kegelvormige gedaante en geplaatst om te passen binnen de huls 40c. De onderplaat 10 62 omvat voorts een aantal uitsnijdingen 84, die in radiale richting uitgericht zijn met en niet-hinderende gebieden verschaffen rondom de poorten 74-77 in het huis 60. Het huis 60 en de platen 62-64 zijn op geschikte wijze uitgericht, wanneer de uitrichtingsgaten 86 aan elk van de elementen radiaal uitgericht zijn. Een kanaal 88 is uitgesneden in het bodemoppervlak van de onderste plaat 62 tussen het uitwendige van de huls 40b en één van de uitsnijdingen 84 aan de omtrek van de onderplaat 62. Een kanaal 90 is 15 gesneden in het bovenoppervlak van de onderplaat 62 tussen het inwendige van de huls 40b en een andere van de uitsnijdingen 84.
Onder verwijzing naar figuur 6A en 6B omvat de bovenplaat 64 een in het algemeen platte bodemplaat 92 en de naar omlaag uitstrekkende huls 40a, die een afgeknot kegelvormige gedaante heeft. De bovenplaat 64 omvat voorts een zich naar boven toe uitstrekkende flens 94 rondom de omtrek van de bodemplaat 20 92 en een aantal uitsnijdingen 96, die uitgericht zijn op de uitsnijdingen 84 op de onderplaat 62. De huls 40a is geplaatst om te passen binnen de huls 40b van de onderplaat 62.
De afschermplaat 66, zoals weergegeven in figuur 3A en 3B, is een platte halfcirkelvormige schijf met een halfcirkelvormige uitsnijding 100 in het midden ervan. De afscherm-(”blankoff”)plaat 66 dicht twee van de uitsnijdingen 96 in de bovenplaat 64 vacuümdicht af. De niet-ferromagnetische afschermplaat 66 is 25 vereist, wanneer de bovenplaat 64 van ferromagnetisch materiaal is, zodat axiaal symmetrische magnetische eigenschappen kunnen worden verkregen.
De omhullingsinrichting 10 wordt samengesteld uit de onderplaat 62, de bovenplaat 64 en de afscherm-plaat 66 geplaatst in het huis 60 zoals weergegeven in figuur 3A en 3B waarbij de uitrichtgaten 86 in radiale richting uitgericht zijn. Een hardsoldeerfoelie wordt geplaatst tussen contactmakende oppervlakken. Het 30 samenstel wordt dan verhit tot een temperatuur die voldoende is om het hardsoldeerfoelie te doen smelten en te maken dat alle contactmakende oppervlakken aan elkaar hardgesoldeerd worden. Het hardsolderen verzekert dat de diverse vacuüm doorlaten en kanalen vacuümdicht afgedicht zijn. In een alternatieve samenstellingstechniek wordt een hechtmiddel zoals epoxyhars gebruikt tussen contactmakende oppervlakken om vacuümdichte afdichtingen te verschaffen. De hulzen 40a, 40b, 40c zijn concentrisch; en de punten 35 ervan zijn geplaatst in een vlak om de punt 42 van de omhullingsinrichting 10 vormen. De vacuümzone 44 wordt gedefinieerd door de huls 40a. De ringvormige opening 46, of tweede vacuümzone, is concentrisch met de vacuümzone 44 en wordt gedefinieerd door de hulzen 40a en 40b. De ringvormige opening 48, of eerste vacuümzone, is concentrisch met de vacuümzone 44 en wordt gedefinieerd door de sleuven 40b en 40c.
40 In bedrijf wordt de eerste trapvacuümpomp 20 gekoppeld door een geschikte leiding met de poort 74 (figuur 4A). De ringvormige opening 48 wordt gekoppeld via het kanaal 88 (figuur 5A en 5B) tussen de onderplaat 62 en het huis 60 met de poort 74. De tweede trap van de vacuümpomp 22 wordt gekoppeld met de poort 75 (figuur 4A). De ring 46 wordt gekoppeld via het kanaal 90 (figuur 5A en 5B) tussen de onderplaat 62 en de bovenplaat 64 naar de poort 75. De hoogvacuümpomp 17 wordt gekoppeld door een 45 geschikte leiding met de poort 76 (figuur 4A). De vacuümzone 44 is gekoppeld via het inwendige gebied 82 van het huis 60 boven de bovenplaat 64 met de poort 76, zoals het beste te zien is in figuur 3B. Aldus is er tijdens bedrijf, wanneer de punt 42 geplaatst is juist boven een werkstuk, een gegradeerde vacuüm-afdichting verschaft in het spleetgebied tussen de vacuümzone 44 en het omgevende milieu. Zoals hierboven opgemerkt kunnen meer of minder vacuüm-pomptrappen worden toegepast afhankelijk van het 50 vereiste vacuümniveau in de zone 44. Een extra trap kan worden gekoppeld met een vacuümpomp via de poort 77. Anderzijds kan de hoogvacuümpomp 17 worden gekoppeld met de poort 77, waardoor aanvullende geleidbaarheid verschaft wordt tussen de vacuümzone 44 en de vacuümpomp 17.
Het huis 60 is in een typerend geval gefabriceerd uit ferromagnetisch materiaal zoals ijzer en voert een magnetische schermfunctie uit tussen de magnetische elementen van de elektronenbundelkolom 12 en het 55 werkstuk 16. Bij voorkeur is de onderplaat 62 van titaan, een niet-magnetisch materiaal, en de bovenplaat 64 van ijzer. De omhullingsinrichting 10 verschaft daardoor dubbele magnetische schermwerking. De magnetische schermelementen 60, 64 zijn in het algemeen symmetrisch om de as van de elektronenbundel,

Claims (5)

5 193868 om te vermijden dat de bundel aangetast wordt wanneer deze loopt door de omhullingsinrichting 10. Twee van de uitsnijdingen 96 aan de bovenplaat 64 hebben geen andere functie dan een symmetrische vormgeving te waarborgen. De afschermplaat 66 is van niet-magnetisch materiaal en dicht de niet* functionele uitsnijdingen 96 af. 5 Zoals hierboven opgemerkt, wanneer het vacuümproces een lager vacuümniveau toestaat, of wanneer de ruimte een hoger geleidsbaarheidsvacuümpompen toestaat, kan het aantal vacuümpomptrappen in de omhullingsinrichting worden gereduceerd. Onder verwijzing naar figuur 3A en 3B kan de geopenbaarde omhullingsinrichting worden gereduceerd tot twee trappen door de bovenplaat 64 weg te laten, waardoor een geschikte afschermplaat verkregen wordt om de ongebruikte poorten af te dichten, terwijl de overblij-10 vende hulzen 40b, 40c geschaald worden op de gewenste afmeting. Ofschoon de hulzen 40a, 40b, 40c zijn weergegeven en beschreven als te zijn van een afgeknot kegelvormige gedaante, zal het duidelijk zijn dat andere vormen, zoals bijvoorbeeld cilindrische hulzen kunnen worden toegepast. Voorts is de vacuümzone 44 niet noodzakelijkerwijze cirkelvormig, maar kan langwerpig zijn of op een andere willekeurige wijze gevormd zijn, zoals vereist door een speciaal vacuüm-15 proces. In een voorbeeld van een plaatselijke vacuüm-omhullingsinrichting volgens de onderhavige uitvinding, is de afmeting van de omhullingsinrichting langs de as van de elektronenbundel ongeveer 3,18 cm. De buitendiameter van de punt is ongeveer 1,27 cm. Het verkregen vacuüm in de hoogvacuümzone 44 is ongeveer 1.10's Torr met een spleet tussen de punt en het werkstuk van ongeveer 20 micrometer. 20 Conclusies !
1. Mondstuksamenstel voor een inrichting voor het onder gelokaliseerd vacuüm behandelen van werkstuk· 25 ken, omvattende een centraal busvormig mondstuk in verbinding met de vacuümbehandelingsinrichting en met aansluiting op een hoogvacuümbron en een tweede, concentrisch rond het centrale mondstuk geplaatst mondstuk, dat een ringvormige ruimte rond het centrale mondstuk begrenst, welke ruimte een aansluiting op een tweede vacuümbron heeft, 30 met het kenmerk, dat het tweede, buitenste mondstuk busvormig is en uitsteekt van de bodem van een de afsluiting van de vacuümbehandelingsinrichting vormend plat huis met een van de bodem opstaande omtreksflens, waarin ten minste twee aansluitpoorten voor verschillende vacuümbronnen zijn aangebracht, terwijl het centrale busvormige mondstuk met zijn kopse eindrand in één vlak met die van het buitenste mondstuk ligt en uitsteekt van een op de bodem van het huis aanliggende inlegplaat met 35 althans één uitsparing, die de ringvormige ruimte tussen de beide mondstukken verbindt met een aansluitpoort voor de tweede vacuümbron, waarbij de ruimte boven de inlegplaat en daarmede de centrale mondstukruimte in verbinding staat met de aansluitpoort voor de hoogvacuümbron.
2. Mondstuksamenstel voor een inrichting voor onder gelokaliseerd vacuüm behandelen van werkstukken, omvattende 40 een centraal busvormig mondstuk in verbinding met de vacuümbehandelingsinrichting en met aansluiting op een hoogvacuümbron, een tweede concentrisch rond het centrale mondstuk gelegen mondstuk, dat een ringvormige ruimte rond het centrale mondstuk begrenst, welke een aansluiting op de tweede vacuümbron heeft, waarbij de kopse eind(rand)en van de beide mondstukken nagenoeg in één vlak liggen, terwijl 45 rond het tweede mondstuk een derde, buitenste mondstuk is aangebracht, met het kenmerk, dat het derde, buitenste mondstuk busvormig is uitgevoerd en uitsteekt van de bodem van een de afsluiting van de vacuümbehandelingsinrichting vormend plat huis met een van de bodem opstaande omtreksflens waarin ten minste drie aansluitpoorten voor verschillende vacuümbronnen zijn aangebracht, waarbij het tweede, eveneens busvormig uitgevoerde mondstuk uitsteekt van een op de bodem van het 50 huis aanliggende onderste inlegplaat met althans een uitsparing die de ringvormige ruimte tussen het buitenste en het tweede mondstuk met een aansluitpoort voor een laagvacuümbron verbindt, terwijl het centrale mondstuk uitsteekt van een tweede, bovenste inlegplaat, die op de eerste inlegplaat aanligt en tezamen met die eerste inlegplaat een verbindingskanaal begrenst, dat de ringvormige ruimte tussen het tweede mondstuk en het centrale mondstuk verbindt met een aansluitpoort voor een middelhoóg-55 vacuümbron, en waarbij de ruimte boven de tweede inlegplaat en daarmede de centrale mondstukruimte in verbinding staat met de aansluitpoort voor de hoogvacuümbron. 193868 6
3. Mondstuksamenstel volgens conclusies 1 en 2, met het kenmerk, dat de omtreksflens aan het huis is voorzien van middelen voor het vacuümdicht monteren van het samenstel in de behandelingskamer van de vacuümbehandelingsinrichting.
4. Mondstuksamenstel volgens conclusies 1-3, met het kenmerk, dat het huis is vervaardigd uit ferromag-5 netisch materiaal ter magnetische afscherming tussen de vacuümbehandelingskamer en het te behandelen werkstuk.
5. Mondstuksamenstel volgens conclusie 4, voorzover terug verwijzend naar conclusie 2, met het kenmerk, dat de bovenste inlegplaat is vervaardigd uit ferromagnetisch materiaal en de onderste inlegplaat is vervaardigd uit materiaal met een lage permeabiliteit ter verschaffing van een dubbele magnetische 10 schermwerking tussen de behandelingskamer en het werkstuk. Hierbij 5 bladen tekening
NL8402861A 1983-09-19 1984-09-18 Mondstuksamenstel voor een inrichting voor het onder gelocaliseerd vacu³m behandelen van werkstukken. NL193868C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US53382283 1983-09-19
US06/533,822 US4524261A (en) 1983-09-19 1983-09-19 Localized vacuum processing apparatus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8402861A NL8402861A (nl) 1985-04-16
NL193868B NL193868B (nl) 2000-09-01
NL193868C true NL193868C (nl) 2001-01-03

Family

ID=24127575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8402861A NL193868C (nl) 1983-09-19 1984-09-18 Mondstuksamenstel voor een inrichting voor het onder gelocaliseerd vacu³m behandelen van werkstukken.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4524261A (nl)
JP (1) JPS6071038A (nl)
CH (1) CH665307A5 (nl)
DE (1) DE3433491A1 (nl)
FR (1) FR2552932B1 (nl)
GB (1) GB2146838B (nl)
NL (1) NL193868C (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900005610Y1 (ko) * 1987-04-16 1990-06-28 이형곤 차압 2중 진공 씨스템
US4792688A (en) * 1987-06-15 1988-12-20 The Perkin-Elmer Corporation Differentially pumped seal apparatus
US5103102A (en) * 1989-02-24 1992-04-07 Micrion Corporation Localized vacuum apparatus and method
JPH0719554B2 (ja) * 1993-03-25 1995-03-06 工業技術院長 荷電ビーム装置
US5838006A (en) * 1996-10-17 1998-11-17 Etec Systems, Inc. Conical baffle for reducing charging drift in a particle beam system
US6300630B1 (en) 1999-12-09 2001-10-09 Etec Systems, Inc. Annular differential seal for electron beam apparatus using isolation valve and additional differential pumping
JP2007019033A (ja) * 2001-01-10 2007-01-25 Ebara Corp 電子線による検査装置、検査方法、及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
US6746566B1 (en) 2001-12-11 2004-06-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Transverse magnetic field voltage isolator
US6710354B1 (en) 2001-12-11 2004-03-23 Kla-Tencor Corporation Scanning electron microscope architecture and related material handling system
US7394339B1 (en) 2004-06-30 2008-07-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Transverse magnetic field voltage isolator
US7550744B1 (en) 2007-03-23 2009-06-23 Kla-Tencor Corporation Chamberless substrate handling
JP6271852B2 (ja) * 2013-03-29 2018-01-31 株式会社荏原製作所 電子線応用装置の鏡筒部へ真空ポンプを接続する真空ポンプ用接続装置、及び該接続装置の設置方法
JP7473195B2 (ja) * 2020-09-14 2024-04-23 株式会社ブイ・テクノロジー 集束荷電粒子ビーム装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2899556A (en) * 1952-10-17 1959-08-11 Apparatus for the treatment of substances
NL299874A (nl) * 1962-11-05
US3401249A (en) * 1963-07-09 1968-09-10 United Aircraft Corp Apparatus for the machining of material by means of a beam of charge carriers
DE1515201B2 (de) * 1964-08-08 1973-04-05 Steigerwald Strahltechnik GmbH, 8000 München Vorrichtung zur materialbearbeitung mittels eines korpuskularstrahles
US3388235A (en) * 1965-12-01 1968-06-11 United Aircraft Corp Vortex pressure control device
GB1604654A (en) * 1977-05-27 1981-12-16 Steigerwald Strahltech Sealing system for a vacuum chamber of a charged particle beam machine
NL7903453A (nl) * 1978-05-08 1979-11-12 Hell Rudolf Dr Ing Gmbh Mondstuk voor het koppelen van een elektronenstraal- kanon aan een drukvormcilinder.
DE2834458A1 (de) * 1978-08-05 1980-02-14 Hell Rudolf Dr Ing Gmbh Mundstueck zur ankopplung einer elektronenstrahlkanone an druckformoberflaechen
US4191385A (en) * 1979-05-15 1980-03-04 Fox Wayne L Vacuum-sealed gas-bearing assembly
US4342900A (en) * 1979-11-13 1982-08-03 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Vacuum shield device of an electron beam welding apparatus
WO1982002235A1 (en) * 1979-12-26 1982-07-08 Associates Varian Planar vacuum seal for isolating an air bearing

Also Published As

Publication number Publication date
CH665307A5 (de) 1988-04-29
NL8402861A (nl) 1985-04-16
JPH0554377B2 (nl) 1993-08-12
GB8423466D0 (en) 1984-10-24
GB2146838B (en) 1986-12-10
FR2552932A1 (fr) 1985-04-05
US4524261A (en) 1985-06-18
DE3433491A1 (de) 1985-04-11
GB2146838A (en) 1985-04-24
JPS6071038A (ja) 1985-04-22
FR2552932B1 (fr) 1988-08-12
NL193868B (nl) 2000-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL193868C (nl) Mondstuksamenstel voor een inrichting voor het onder gelocaliseerd vacu³m behandelen van werkstukken.
US4837443A (en) Guard ring for a differentially pumped seal apparatus
EP0384754B1 (en) Localized vacuum apparatus and method
JPH06122086A (ja) レーザ加工装置
US20230211343A1 (en) Apparatus and method for sorting microfluidic particles
US7065034B2 (en) Optical disc and apparatus for manufacturing a master disc therefor
KR20040015373A (ko) 레이저 모듈 및 그를 이용한 광헤드, 광학적 정보 기록재생 장치
US4606620A (en) Device for cooling reflecting mirror
CN110383416A (zh) 多柱扫描式电子显微镜系统
US4792688A (en) Differentially pumped seal apparatus
JP7257317B2 (ja) 高度に位置決めされたレーザ処理ノズル
ATE123571T1 (de) Differential-fluoreszenz-lidar und damit verbundenes nachweisverfahren.
US4918929A (en) Multi-detector dewar
GB1537478A (en) Electron beam apparatus
NL7906633A (nl) Anti-contaminatie diafragma voor elektronen- straalapparaat.
JP2637618B2 (ja) 定電流回路及び該回路を含む半導体集積回路装置及び該装置を搭載した装置
JPH0329376A (ja) 光感応半導体装置
US5212708A (en) Axial flow gas laser particularly high-power CO2 laser with DC excitation
US6704389B1 (en) Support device for a polycapillary optic
KR20240095241A (ko) 하전 입자 평가 시스템 및 방법
GB2278495A (en) Electron beam tubes
JPH02294016A (ja) 荷電ビーム描画装置用ビームブランキング構造体
JPS62134544A (ja) ダスト検出装置及びその組立方法
US4516010A (en) Method of manufacturing a radiation receiver
KR20200094334A (ko) 레이저 홀 가공장치

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.