NL7906633A - Anti-contaminatie diafragma voor elektronen- straalapparaat. - Google Patents

Anti-contaminatie diafragma voor elektronen- straalapparaat. Download PDF

Info

Publication number
NL7906633A
NL7906633A NL7906633A NL7906633A NL7906633A NL 7906633 A NL7906633 A NL 7906633A NL 7906633 A NL7906633 A NL 7906633A NL 7906633 A NL7906633 A NL 7906633A NL 7906633 A NL7906633 A NL 7906633A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
contamination
diaphragm
electron beam
electron
paraxial
Prior art date
Application number
NL7906633A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7906633A priority Critical patent/NL7906633A/nl
Priority to US06/180,712 priority patent/US4352015A/en
Priority to EP80200811A priority patent/EP0025247A1/en
Priority to AU61922/80A priority patent/AU6192280A/en
Priority to JP12184780A priority patent/JPS5638757A/ja
Publication of NL7906633A publication Critical patent/NL7906633A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

- - ? ^ . * PHN 9564 1 N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhoven Anti-contaminatie diafragma voor elektronenstraal-apparaat
De uitvinding heeft betrekking op een elektronen-straalapparaat voorzien van een elektronenbron voor het opwekken van een elektronenbundel, een om een optische as gerangschikt elektronenoptisch lenzenstelsel en van anti-5 contaminatie middelen voor het reduceren van objectconta-minatie.
Een dergelijke elektronenstraalapparaat, in de vorm van een elektronenmikroskoop is bekend uit het Amerikaanse octrooischrift 3124680. De anti-contaminatie 10 middelen worden daar gevormd door twee, het object omsluitende, te koelen platen,. In praktische opstellingen, en inzonderheid bijvoorbeeld bij hoog oplossende STEM-mode van meten, blijkt de object-contaminatie vaak nog zo groot te zijn, dat het object slechts gedurende eèn korte tijd 15 door de elektronenbundel kan worden bestraald zonder dat afwijkingen door contaminatie van het object optreden. Overeenkomstig bezwaren treden op bij hoog oplossende elektronenstraalbewerkingsapparaten bijvoorbeeld bij het vervaardigen van microcircuits.
2° De uitvinding beoogt deze bezwaren te ondervangen en daartoe heeft een elektronenstraalapparaat van de in de aanhef genoemde soort tot kenmerk dat, van de anti-conta-minatie middelen een samengesteld diafragma deel uit maakt dat zodanig om de optische as is opgesteld, dat bij focus-25 seren van een door het diafragma doorgelaten paraxiaal gedeelte van de dektronenbundel in een trefvlek in een objectvlak, een door het diafragma doorgelaten niet paraxiaal gedeelte van de elektronenbundel het objectvlak in een ringvormig gebied rondom de paraxiale trefvlek treft.
30 Doordat in een elektronenstraalapparaat volgens de uitvinding om een te onderzoeken of te bewerken centraal objectgedeelte, een ringvormig gebied met een holle 7906633 5 1 PHN 9564 2 bundel wordt bestraald, wordt contaminatie van een daarbinnen gelegen centraal objectgedeelte in sterke mate gereduceerd. De holle bundel vormt als het ware een barrière tegen zich naar het centrale gedeelte bewegende koolwater-5 molekulen, die goeddeels verantwoordelijk zijn voor de objectcontaminatie. De diameter en de breedte van de bestraalde ring kunnen door de geometrie en de positionering van het anti-contaminatie diafragma worden geoptimaliseerd en worden bij voorkeur zo gekozen, dat de ring een af te 10 tasten of te bewerken objectgebied juist omsluit.
In een voorkeursuitvoering bestaat het anti-contaminatie diafragma uit een samengesteld ringvormig diafragma met een centrale opening voor het doorlaten van een paraxiale, object informatie vormende bundel en een 15 concentrische ringvormige opening voor het doorlaten van een niet paraxiale kegelvormige anti-contaminatie bundel. Het anti-contaminat'ie diafragma is bij voorkeur daar geplaatst waar gebruikelijk een de openingshoek van de elektronenbundel bepalend diafragma is geplaatst. Een centrale 20 opening van het anti-contaminatie diafragma vervult deze funktie. Voor het vormen van de anti-contaminatie bundel wordt gebuik gemaakt van de steeds aanwezige sferische aberratie van het condensorlenssysteem. Indien uit geometrische of elektronenoptische overwegingen gewenst, kan 25 het diafragma zodanig zijn uitgevoerd dat de centrale opening en de ringvormige opening zich niet in eenzelfde vlak bevinden.
In het onderstaande zullen aan de hand van de tekening enkele voorkeursuitvoeringen volgens de uitvinding 30 nader worden beschreven. In de tekening toont, fig. 1 schematisch in doorsnede een elektronen-mikroskoop uitgerust met een anti-contaminatie diafragma in het condensorlenssysteem, fig. 2 een anti-contaminatie diafragma in aanzicht 35 en fig. 3 een schematische voorstelling van de stra-lengang in een relevant gedeelte van een elektronenstraal- :79 0 66 3 3_______________________________________________ jr PHN 9564 3 apparaat volgens de uitvinding met de stroomdich.th.eid van de elektronenbundel ter plaatse van het object.
Een elektronenmikroskoop zoals geschetst in figuur 1 bevat een elektronenbron 1 met een anode 2, een bundel-5 richtsysteem (beam alignmen) 3 een condensorsysteem 4 een objectielens 5, een bundelaftastsysteem 6, een diffraktie-lens 7, een tussenlens 8, een projektielens 9 en een diafragma 10. De elektronenmikroskoop kan verder zijn uitgerust met een filmcamera 12 en een elektronendetektor 13 die 10 via een signaalafvoerleiding 14 met een televisiemonitor 15 is verbonden. Alle elektronenoptische elementen zijn opge nomen in een kolom 16 met hier een toevoerleiding 17 voor de elektronenbron, een kijkvenster 18, een optische kijker 20 voor bestudering van beeldvorming op een fluorescentie-15 scherm 19 en een vakuumpompinrichting 21.
Het diafragma 10 is nu volgens de uitvinding uitgevoerd als anti-contaminatie diafragma -waarvan, in aanzicht, dat wil zeggen vanuit de elektronenbron gezien, een voorkeursuitvoering is geschetst in fig 2 en dat van 20 een centrale opening 30 en een ringvormige opening 31 is voorzien.
Beide openingen zijn gescheiden door een schei-dingsring 32 en deze scheidingsring met de centrale opening 30 is met draagstrippen 33 bevestigd in een monta-25 gerand 34.
Voor een STEM elektronenmikroskoop zijn gunstige afmetingen voor een ter plaatse van het gebuikelijke diafragma geplaatst anti-contamiriatie diafragma bijvoorbeeld ; een centrale opening met een diameter van ongeveer 30 20^um, een ringvormige opening met een breedte van onge veer 75y'Um en met een straal van de buitenste begrenzing van de doorlaatring van ongeveer 450^um.
De draagstrippen 33 zijn in de geschetste uitvoeringsvorm spiraalvormig uitgevoerd waardoor thermische 35 uitzetting beter kan worden opgevangen en het vormen van kanalen in de te bestralen ring wordt voorkomen. Veelal is dit evenwel niet nodig en kan met rechte verbindings- 7906633 . d . i PHN 9564 4 strippen worden gewerkt. Het optreden van kanalen in de te bestralen ring kan ook worden voorkomen door gebruik te maken van een anti-contaminatie diafragma met twee concentrisch gelegen doorlaatringen met versprongen draag-5 strippen. Een anti-contaminatie diafragma kan bijvoorbeeld bestaan uit platina, en kan worden gevormd doojr wegnemen, bijvoorbeeld door vonkverspanen of door elektrolyse, van het materiaal ter plaatse van de doorlaatopeningen.
Indien het bestralen van een ring op het object 10 om een of andere reden niet gewenst is kan het anti-contaminatie filter worden vervangen door een gebruikelijk ter plaatse opgesteld diafragma.
In fig 3 is een stralengang in een relevant gedeelte van een elektronenstraalapparaat uitgerust met 15 een anti-contaminatie diafragma schematische weergegeven.
Een elektronenbundel 40 vormt na een eerste condensorlensveld een nauwste doorsnede 41 en een door de centrale opening van het anti-contaminatie diafragma door gelaten paraxiaal bundel gedeelte 42 vormt na opvolgende 20 lenswerking een trefvlek 43 in een objectvlak 44. Met'het in fig. 1 aangegeven aftastsysteem kan met deze trefvlek een patroon op een object worden afgetast, hetzij voor objectonderzoek waarbij informatie uit de locaal doorgelaten elektronen wordt gewonnen, hetzij voor object-25 bewerking waarbij de trefvlek een sporenpatroon in een object vormt.
Een door ringvormige opening van het anti-contaminatie diafragma doorgelaten niet paraxiaal bundelge-deelte 45 treft het objectvlak 44 in een rondom de trefr 30 vlek 43 gelegen, ringvormig gebied 46. Door sferische aberratie van de condensorlensvelden treedt voor de niét paraxiale bundel 45 een sterkere öollimatie op waardoor een nauwste doorsnede 46 van deze anti-contaminatiebundel voor het objectvlak ligt. De anti-contaminatiebundel vormt 35 aldus een holle kegel hl over de trefvlek 43 van de paraxiale, informatie vormende bundel.
In figuur 3 is tevens de stroomdichtheidsverde- -7906633 ' - ΡΗΝ 9564 5 ling van de elektronenstroom in het objectvlak 44 aangegeven. De paraxiale bundel 42 vormt in de trefvlak 43 een relatief1 scherpe piek 50 in de stroomdichtheid. De niet paraxiale bundel 45 vormt een ring 51 met een minder hoge 5 stroomdichtheid en een tussengelegan gebied 52 wordt niet door elektronen getroffen. In een aftastende elektronen-mikroskoop wordt met de piek 50 bijvoorbeeld een rechthoekig aftastpatroon op het object geschreven en vormt de binnenbegrenzing van de ring een omschrijvende cirkel om 10 deze rechthoek. Bij elektronenstraalbewerking ligt de ring bijvoorbeeld juist om het te bewerken objectgedeelte.
15 20 25 30 35 7906633

Claims (7)

1. Elektronenstraalapparaat voorzien van een elektronenbron voor het opwekken van een elektronenbundel, een, om een optische as gerangschikt elektronenoptisch g lenzenstelsel en van anti-contaminatie middelen voor het reduceren van objectcontaminatie met het kenmerk, dat van de anti-contaminatie middelen een samengesteld diafragma deel uit maakt dat zodanig om de optische as is opgesteld, dat bij focusseren van een door het diafragma doorgelaten IQ paraxiaal gedeelte van de elektronenbundel in een trefvlak in een objectvlak, een door het diafragma doorgelaten, niet paraxiaal gedeelte van de elektronen-bundel het objectvlak in een ringvormig gebied rondom de paraxiale trefvlak treft.
2. Elektronenstraalapparaat volgens conclusie 1 met het kenmerk dat het anti-contaminatie diafragma in of nabij een condensorsysteem is geplaatst.
3. Elektronenstraalapparaat volgens één der voorgaande conclusies met het kenmerk, dat het anti-contamina- 20 tie diafragma een centrale opening voor de paraxiale bundel en een concentrisch gelegen ringvormige opening voor de niet paraxiale bundel bezit.
4. Elektronenstraalapparaat volgens conclusie 3 met het kenmerk, dat de centrale opening en de ringvormige 25 opening van het anti-contaminatie diafragma niet in eenzelfde vlak zijn gelegen.
5. Elektronenstraalapparaat volgens conclusie 3 of 4 met het kenmerk, dat het anti-contaminatie diafragma twee concentrisch gelegen ringvormige doorlaatopeningen met 30 onderling versprongen draagstrippen bevat.
6. Anti-contaminatie diafragma kennelijk om te worden toegepast in een elektronenmikroskoop volgens een der voorgaande conclusies.
7. Werkwijze voor het onderzoeken dan wel bewerken 35 van een object in een elektronenstraalapparaat met een elektronenbron, een lezenstelsel en een anti-contaminatie diafragma waarbij een ringvormig gebied rondom het te onder zoeken of te bewerken gedeelte van het object wordt bestraald. 7906633
NL7906633A 1979-09-05 1979-09-05 Anti-contaminatie diafragma voor elektronen- straalapparaat. NL7906633A (nl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7906633A NL7906633A (nl) 1979-09-05 1979-09-05 Anti-contaminatie diafragma voor elektronen- straalapparaat.
US06/180,712 US4352015A (en) 1979-09-05 1980-08-25 Anti-contamination diaphragm for an electron beam apparatus
EP80200811A EP0025247A1 (en) 1979-09-05 1980-08-29 Anti-contamination diaphragm for an electron beam apparatus
AU61922/80A AU6192280A (en) 1979-09-05 1980-09-01 Anti-contamination diaphragm for an electron beam apparatus
JP12184780A JPS5638757A (en) 1979-09-05 1980-09-04 Electron beam device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7906633A NL7906633A (nl) 1979-09-05 1979-09-05 Anti-contaminatie diafragma voor elektronen- straalapparaat.
NL7906633 1979-09-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7906633A true NL7906633A (nl) 1981-03-09

Family

ID=19833785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7906633A NL7906633A (nl) 1979-09-05 1979-09-05 Anti-contaminatie diafragma voor elektronen- straalapparaat.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4352015A (nl)
EP (1) EP0025247A1 (nl)
JP (1) JPS5638757A (nl)
AU (1) AU6192280A (nl)
NL (1) NL7906633A (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838006A (en) * 1996-10-17 1998-11-17 Etec Systems, Inc. Conical baffle for reducing charging drift in a particle beam system
DE10206703A1 (de) * 2002-02-18 2003-08-28 Max Planck Gesellschaft Phasenplatte für die Elektronenmikroskopie und elektronenmikroskopische Bildgebung
US8642959B2 (en) * 2007-10-29 2014-02-04 Micron Technology, Inc. Method and system of performing three-dimensional imaging using an electron microscope
US10586625B2 (en) 2012-05-14 2020-03-10 Asml Netherlands B.V. Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator
NL2013814B1 (en) 2013-11-14 2016-05-10 Mapper Lithography Ip Bv Multi-electrode vacuum arrangement.

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3124680A (en) * 1958-09-13 1964-03-10 Agent
US3328618A (en) * 1965-09-13 1967-06-27 High Voltage Engineering Corp High-voltage acceleration tube with inserts for the electrodes
DE2256084A1 (de) * 1972-11-16 1974-05-30 Ibm Deutschland Verfahren zur fokussierung von elektronenmikroskopen
JPS5748274Y2 (nl) * 1977-07-11 1982-10-22
ZA787151B (en) * 1978-12-20 1980-08-27 Za Inventions Dev Corp The minimisation of surface originating contamination in electron microscopes

Also Published As

Publication number Publication date
US4352015A (en) 1982-09-28
JPS5638757A (en) 1981-04-14
AU6192280A (en) 1981-03-12
EP0025247A1 (en) 1981-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1439566B1 (en) Charged particle beam apparatus and method for operating the same
EP3140848B1 (en) Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams
US5629969A (en) X-ray imaging system
US5598002A (en) Electron beam apparatus
KR910007533B1 (ko) X선 마스크의 결함 수정 방법 및 그 장치
JP2004301862A (ja) 電気的に絶縁された標本表面の分析装置
EP0293924B1 (en) Direct imaging monochromatic electron microscope
JP2003503820A (ja) 帯電粒子装置
US10903042B2 (en) Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams
US6239430B1 (en) Particle beam apparatus with energy filter
US3857034A (en) Scanning charged beam particle beam microscope
NL7906633A (nl) Anti-contaminatie diafragma voor elektronen- straalapparaat.
EP0171109B1 (en) Microscope for non-differentiated phase image formation
EP0241060B1 (en) Apparatus for energy-selective visualisation
US5029222A (en) Photoelectron image projection apparatus
GB1537478A (en) Electron beam apparatus
NL8801208A (nl) Geladen deeltjes bundel apparaat.
JPH08148116A (ja) 顕微レーザ飛行時間型質量分析計
US4983864A (en) Electronic beam drawing apparatus
JPH11265675A (ja) 荷電粒子線装置
US2348031A (en) Method of focusing electron microscopes
US6995378B2 (en) Lens array with a laterally movable optical axis for corpuscular rays
USRE29500E (en) Scanning charged beam particle beam microscope
JP3643917B2 (ja) 顕微レーザ質量分析計
US6677581B1 (en) High energy electron diffraction apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed