NL191195C - Inrichting voor het aftasten van een bundel over een werkstuk voor het implanteren van ionen. - Google Patents

Inrichting voor het aftasten van een bundel over een werkstuk voor het implanteren van ionen.

Info

Publication number
NL191195C
NL191195C NL8300056A NL8300056A NL191195C NL 191195 C NL191195 C NL 191195C NL 8300056 A NL8300056 A NL 8300056A NL 8300056 A NL8300056 A NL 8300056A NL 191195 C NL191195 C NL 191195C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
workpiece
scanning
implanting ions
beam over
implanting
Prior art date
Application number
NL8300056A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL191195B (nl
NL8300056A (nl
Original Assignee
Varian Associates
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Varian Associates filed Critical Varian Associates
Publication of NL8300056A publication Critical patent/NL8300056A/nl
Publication of NL191195B publication Critical patent/NL191195B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL191195C publication Critical patent/NL191195C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
NL8300056A 1982-02-18 1983-01-07 Inrichting voor het aftasten van een bundel over een werkstuk voor het implanteren van ionen. NL191195C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US34974282 1982-02-18
US06/349,742 US4421988A (en) 1982-02-18 1982-02-18 Beam scanning method and apparatus for ion implantation

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8300056A NL8300056A (nl) 1983-09-16
NL191195B NL191195B (nl) 1994-10-03
NL191195C true NL191195C (nl) 1995-03-01

Family

ID=23373761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8300056A NL191195C (nl) 1982-02-18 1983-01-07 Inrichting voor het aftasten van een bundel over een werkstuk voor het implanteren van ionen.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4421988A (fr)
JP (1) JPS58190023A (fr)
CA (1) CA1189198A (fr)
CH (1) CH666141A5 (fr)
DE (1) DE3304773A1 (fr)
FR (1) FR2521777B1 (fr)
GB (1) GB2116357B (fr)
NL (1) NL191195C (fr)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3480449D1 (de) * 1983-08-15 1989-12-14 Applied Materials Inc Apparatus for ion implantation
US4578589A (en) * 1983-08-15 1986-03-25 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ion implantation
JPS60143630A (ja) * 1983-12-29 1985-07-29 Fujitsu Ltd イオン注入方法
GB8417040D0 (en) * 1984-07-04 1984-08-08 Salford University Of Modifying properties of material
JPH0630237B2 (ja) * 1984-09-10 1994-04-20 株式会社日立製作所 イオン打込み装置
JPS61240553A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Jeol Ltd イオンビ−ム描画装置
US4980562A (en) * 1986-04-09 1990-12-25 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for high efficiency scanning in an ion implanter
JPS62287557A (ja) * 1986-06-05 1987-12-14 Tokyo Electron Ltd イオン注入装置
US4736107A (en) * 1986-09-24 1988-04-05 Eaton Corporation Ion beam implanter scan control system
US4804852A (en) * 1987-01-29 1989-02-14 Eaton Corporation Treating work pieces with electro-magnetically scanned ion beams
GB2216714B (en) * 1988-03-11 1992-10-14 Ulvac Corp Ion implanter system
US5981961A (en) * 1996-03-15 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter
US5886356A (en) * 1997-03-17 1999-03-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automatic supervision system on the ion beam map for ion implantation process
US6020592A (en) * 1998-08-03 2000-02-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dose monitor for plasma doping system
US6300643B1 (en) 1998-08-03 2001-10-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dose monitor for plasma doping system
US6676595B1 (en) 1998-08-24 2004-01-13 Varian Medical Systems Technologies, Inc. Radioactive medical implant and method of manufacturing
JP3580254B2 (ja) * 1999-09-27 2004-10-20 株式会社日立製作所 荷電粒子ビーム照射装置及びその制御方法
US6677599B2 (en) * 2000-03-27 2004-01-13 Applied Materials, Inc. System and method for uniformly implanting a wafer with an ion beam
US6580083B2 (en) 2000-05-15 2003-06-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. High efficiency scanning in ion implanters
US6323497B1 (en) 2000-06-02 2001-11-27 Varian Semiconductor Equipment Assoc. Method and apparatus for controlling ion implantation during vacuum fluctuation
WO2001099144A2 (fr) 2000-06-22 2001-12-27 Proteros, Llc Uniformisation d'une implantation ionique par la commande du courant de faisceau
US7547460B2 (en) 2000-09-15 2009-06-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implanter optimizer scan waveform retention and recovery
US7309997B1 (en) 2000-09-15 2007-12-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Monitor system and method for semiconductor processes
KR100845635B1 (ko) * 2000-11-22 2008-07-10 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 이온 주입용 하이브리드 주사 시스템 및 방법
US6710359B2 (en) 2001-03-23 2004-03-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for scanned beam uniformity adjustment in ion implanters
US6908836B2 (en) * 2002-09-23 2005-06-21 Applied Materials, Inc. Method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method
US7049210B2 (en) * 2002-09-23 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method
US7282427B1 (en) 2006-05-04 2007-10-16 Applied Materials, Inc. Method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method
US7442944B2 (en) * 2004-10-07 2008-10-28 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion beam implant current, spot width and position tuning
US7355188B2 (en) * 2005-05-24 2008-04-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for uniformity tuning in an ion implanter system
JP4748714B2 (ja) * 2005-10-28 2011-08-17 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム走査照射方法、荷電粒子ビーム装置、試料観察方法、及び、試料加工方法
JP2007123164A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Sii Nanotechnology Inc 荷電粒子ビーム照射方法及び荷電粒子ビーム装置
US7176470B1 (en) 2005-12-22 2007-02-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for high-efficiency ion implantation
JP5143606B2 (ja) * 2008-03-28 2013-02-13 住友重機械工業株式会社 荷電粒子線照射装置
JP5448586B2 (ja) * 2009-06-05 2014-03-19 キヤノン株式会社 光学素子の製造方法
JP5701201B2 (ja) * 2011-12-19 2015-04-15 株式会社Ｓｅｎ イオン注入方法及びイオン注入装置
DE102016122791B3 (de) 2016-11-25 2018-05-30 mi2-factory GmbH Ionenimplantationsanlage, Filterkammer und Implantationsverfahren unter Einsatz eines Energiefilterelements

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900737A (en) * 1974-04-18 1975-08-19 Bell Telephone Labor Inc Electron beam exposure system
US4131487A (en) * 1977-10-26 1978-12-26 Western Electric Company, Inc. Gettering semiconductor wafers with a high energy laser beam
JPS54102934A (en) * 1978-01-31 1979-08-13 Fujitsu Ltd Communication control system between plural processors and common input/output devices
NL183553C (nl) * 1978-05-12 1988-11-16 Philips Nv Inrichting voor het richten van elektrisch geladen deeltjes naar een trefplaats.
NL182924C (nl) * 1978-05-12 1988-06-01 Philips Nv Inrichting voor het implanteren van ionen in een trefplaat.
US4283631A (en) * 1980-02-22 1981-08-11 Varian Associates, Inc. Bean scanning and method of use for ion implantation

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58190023A (ja) 1983-11-05
GB2116357B (en) 1985-07-10
US4421988A (en) 1983-12-20
NL191195B (nl) 1994-10-03
JPH0526328B2 (fr) 1993-04-15
GB2116357A (en) 1983-09-21
CA1189198A (fr) 1985-06-18
FR2521777B1 (fr) 1989-07-28
NL8300056A (nl) 1983-09-16
GB8302590D0 (en) 1983-03-02
FR2521777A1 (fr) 1983-08-19
CH666141A5 (de) 1988-06-30
DE3304773C2 (fr) 1993-05-27
DE3304773A1 (de) 1983-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL191195C (nl) Inrichting voor het aftasten van een bundel over een werkstuk voor het implanteren van ionen.
NL182924C (nl) Inrichting voor het implanteren van ionen in een trefplaat.
NL194832B (nl) Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm.
NL183897C (nl) Werkwijze voor het hydrateren van een wasmiddelversterker en werkwijze voor het bereiden van een wasmiddel.
NL177840C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een polyetheendraad.
NL169820C (nl) Inrichting voor het behandelen van een gebit.
NL190256C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een fotogevoelige inrichting.
NL192147B (nl) Aandrijfinrichting voor het verplaatsen van een objectieflens.
NL187373C (nl) Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
ES525264A0 (es) Aparato de soldadura por laser.
NL185429B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een plaatvormig lichaam.
NL192120B (nl) Werktuig voor een verrijdbare spoorbaanbouwmachine.
NL188742C (nl) Verticale verstelinrichting voor een gereedschapswerktuig.
NL188432C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
BE895928A (nl) Automatisch toevoersysteem voor vormlingen
NL193211B (nl) Werkwijze voor het bereiden van hydroxybutyraldehyde.
NL190493B (nl) Werkwijze voor het behandelen van hoekscintillatieruis in een monopulsradar.
NL188658C (nl) Automatisch besturingssysteem voor cokesoven machines.
NL190209C (nl) Inrichting voor het neutraliseren van een positieve ionenbundel.
NL191358B (nl) Werkwijze voor de plaatsinstelling van gereedschappen.
NL189425C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een spiraalvormig gewikkelde pakking.
NL193474B (nl) Werkwijze voor het bedrijven van een microprocessor.
NL184038B (nl) Inrichting voor het ondersteunen van een plant.
NL191441C (nl) Kabelhouder voor een strijkijzer.
NL189089C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een indool.

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
SNR Assignments of patents or rights arising from examined patent applications

Owner name: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20020801