NL185375C - Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal. - Google Patents

Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal.

Info

Publication number
NL185375C
NL185375C NLAANVRAGE8000256,A NL8000256A NL185375C NL 185375 C NL185375 C NL 185375C NL 8000256 A NL8000256 A NL 8000256A NL 185375 C NL185375 C NL 185375C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor material
low semiconductor
epitaxial application
epitaxial
application
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE8000256,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL8000256A (nl
NL185375B (nl
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NLAANVRAGE8000256,A priority Critical patent/NL185375C/xx
Priority to CA000368004A priority patent/CA1181328A/en
Priority to DE19813100330 priority patent/DE3100330A1/de
Priority to US06/224,581 priority patent/US4357897A/en
Priority to GB8100818A priority patent/GB2068257B/en
Priority to SE8100138A priority patent/SE8100138L/
Priority to IT19108/81A priority patent/IT1135014B/it
Priority to CH192/81A priority patent/CH651964A5/de
Priority to AU66197/81A priority patent/AU539832B2/en
Priority to JP397981A priority patent/JPS56105629A/ja
Priority to FR8100793A priority patent/FR2473561A1/fr
Publication of NL8000256A publication Critical patent/NL8000256A/nl
Publication of NL185375B publication Critical patent/NL185375B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL185375C publication Critical patent/NL185375C/xx

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/10—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
NLAANVRAGE8000256,A 1980-01-16 1980-01-16 Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal. NL185375C (nl)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE8000256,A NL185375C (nl) 1980-01-16 1980-01-16 Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal.
CA000368004A CA1181328A (en) 1980-01-16 1981-01-07 Device for epitaxially providing a layer of semiconductor material
DE19813100330 DE3100330A1 (de) 1980-01-16 1981-01-08 Vorrichtung zur epitaktischen ablagerung einer halbleitermaterialschicht
GB8100818A GB2068257B (en) 1980-01-16 1981-01-12 Epitaxial deposition apparatus
US06/224,581 US4357897A (en) 1980-01-16 1981-01-12 Device for epitaxially providing a layer of semiconductor material
IT19108/81A IT1135014B (it) 1980-01-16 1981-01-13 Dispositivo per la formazione epitassiale di uno strato di materiale semiconduttore
SE8100138A SE8100138L (sv) 1980-01-16 1981-01-13 Anordning for epitaxiellt anbringande av ett skikt av halvledarmaterial
CH192/81A CH651964A5 (de) 1980-01-16 1981-01-13 Vorrichtung zur epitaxialen ablagerung einer halbleitermaterialschicht.
AU66197/81A AU539832B2 (en) 1980-01-16 1981-01-14 Epitaxial deposition
JP397981A JPS56105629A (en) 1980-01-16 1981-01-16 Apparatus for forming semiconductor material epitaxial layer
FR8100793A FR2473561A1 (fr) 1980-01-16 1981-01-16 Dispositif pour l'application par croissance epitaxiale d'une couche de matiere semi-conductrice

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8000256 1980-01-16
NLAANVRAGE8000256,A NL185375C (nl) 1980-01-16 1980-01-16 Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8000256A NL8000256A (nl) 1981-08-17
NL185375B NL185375B (nl) 1989-10-16
NL185375C true NL185375C (nl) 1990-03-16

Family

ID=19834680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE8000256,A NL185375C (nl) 1980-01-16 1980-01-16 Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal.

Country Status (11)

Country Link
US (1) US4357897A (cs)
JP (1) JPS56105629A (cs)
AU (1) AU539832B2 (cs)
CA (1) CA1181328A (cs)
CH (1) CH651964A5 (cs)
DE (1) DE3100330A1 (cs)
FR (1) FR2473561A1 (cs)
GB (1) GB2068257B (cs)
IT (1) IT1135014B (cs)
NL (1) NL185375C (cs)
SE (1) SE8100138L (cs)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE443583B (sv) * 1982-11-12 1986-03-03 Ericsson Telefon Ab L M Anordning vid vetskefasepitaxi
US4594126A (en) * 1983-09-12 1986-06-10 Cook Melvin S Growth of thin epitaxial films on moving substrates from flowing solutions
US4500367A (en) * 1983-10-31 1985-02-19 At&T Bell Laboratories LPE Growth on group III-V compound semiconductor substrates containing phosphorus
KR880010481A (ko) * 1987-02-21 1988-10-10 강진구 액상 박막 결정 성장방법 및 장치
DE3834930A1 (de) * 1988-10-13 1990-04-19 Siemens Ag Schiebetiegel fuer fluessigphasenepitaxie
JPH02291116A (ja) * 1989-04-28 1990-11-30 Toshiba Corp 液層エピタキシャル成長方法
KR950006313B1 (ko) * 1991-05-16 1995-06-13 삼성전자주식회사 액상 에피택시장치 및 에피택셜층의 성장방법
FR2763608B1 (fr) * 1997-05-21 1999-06-18 Commissariat Energie Atomique Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle
TW460604B (en) 1998-10-13 2001-10-21 Winbond Electronics Corp A one-sided and mass production method of liquid phase deposition

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3665888A (en) * 1970-03-16 1972-05-30 Bell Telephone Labor Inc Horizontal liquid phase crystal growth apparatus
BE791927A (fr) * 1971-11-29 1973-03-16 Western Electric Co Procede de depot par croissance epitaxiale de couches de cristaux semi-conducteurs

Also Published As

Publication number Publication date
SE8100138L (sv) 1981-07-17
AU6619781A (en) 1982-04-22
DE3100330A1 (de) 1981-12-17
NL8000256A (nl) 1981-08-17
FR2473561A1 (fr) 1981-07-17
GB2068257B (en) 1983-11-02
FR2473561B1 (cs) 1985-02-15
JPS56105629A (en) 1981-08-22
IT8119108A0 (it) 1981-01-13
CH651964A5 (de) 1985-10-15
AU539832B2 (en) 1984-10-18
IT1135014B (it) 1986-08-20
NL185375B (nl) 1989-10-16
CA1181328A (en) 1985-01-22
US4357897A (en) 1982-11-09
GB2068257A (en) 1981-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL194832B (nl) Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm.
NL186482C (nl) Werkwijze voor het inkapselen van een halfgeleiderinrichting alsmede een vormsamenstelling geschikt voor toepassing van de werkwijze.
NL7812024A (nl) Inrichting voor het voorkomen van het terugstromen van een fluidum.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7712311A (nl) Inrichting voor het verbinden van materiaalbanen.
NL7702605A (nl) Werkwijze en inrichting voor het verpakken van stortmateriaal.
NL7902606A (nl) Transportinrichting voor dienbladen en dergelijke.
NL7810373A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL184755C (nl) Werkwijze voor de vorming van kontakten voor de verbindingsdelen van een halfgeleiderinrichting.
NL185056C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van ritssluitingen.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL187373C (nl) Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7812385A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL188432C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
NL7608852A (nl) Voedingsinrichting voor bladen of dergelijke.
IT8224468A0 (it) Dispositivo per il trasporto dimateriali.
NL7801685A (nl) Inrichting voor het scheiden van een mengsel.
NL185375C (nl) Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7610949A (nl) Inrichting voor het verspreiden van materiaal.
NL175670C (nl) Inrichting voor materiaalonderzoek.
NL190477C (nl) Inrichting voor het beperken van de dikte van een bewegende materiaalbaan.
NL181679C (nl) Spaninrichting voor kabels en dergelijke.
NL7713114A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfge- leiderinrichtingen.
NL7700962A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half- geleiderinrichting van het mis-type.

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee