FR2763608B1 - Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle - Google Patents
Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelleInfo
- Publication number
- FR2763608B1 FR2763608B1 FR9706175A FR9706175A FR2763608B1 FR 2763608 B1 FR2763608 B1 FR 2763608B1 FR 9706175 A FR9706175 A FR 9706175A FR 9706175 A FR9706175 A FR 9706175A FR 2763608 B1 FR2763608 B1 FR 2763608B1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- heterosubstrat
- nacelle
- depositing
- cdhgte
- epitaxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
- C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9706175A FR2763608B1 (fr) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle |
EP98925759A EP0983395A1 (fr) | 1997-05-21 | 1998-05-20 | Nacelle d'epitaxie et procede pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide |
PCT/FR1998/001013 WO1998053123A1 (fr) | 1997-05-21 | 1998-05-20 | NACELLE D'EPITAXIE ET PROCEDE POUR DEPOT D'UNE COUCHE DE CdHgTe PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9706175A FR2763608B1 (fr) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2763608A1 FR2763608A1 (fr) | 1998-11-27 |
FR2763608B1 true FR2763608B1 (fr) | 1999-06-18 |
Family
ID=9507060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR9706175A Expired - Lifetime FR2763608B1 (fr) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0983395A1 (fr) |
FR (1) | FR2763608B1 (fr) |
WO (1) | WO1998053123A1 (fr) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0407804D0 (en) | 2004-04-06 | 2004-05-12 | Qinetiq Ltd | Manufacture of cadmium mercury telluride |
WO2006013344A1 (fr) | 2004-08-02 | 2006-02-09 | Qinetiq Limited | Fabrication de cadmium, mercure, tellurure sur du silicium grave |
CN111118597B (zh) * | 2018-10-31 | 2022-03-29 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于水平液相外延生长的石墨舟 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL185375C (nl) * | 1980-01-16 | 1990-03-16 | Philips Nv | Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal. |
CA1201220A (fr) * | 1984-02-23 | 1986-02-25 | Mikelis N. Svilans | Cuvette double d'epitaxie a partir d'une phase liquide |
FR2588885B1 (fr) * | 1985-10-22 | 1987-11-27 | Labo Electronique Physique | Creuset pour l'epitaxie en phase liquide de couches semiconductrices de composition controlee |
JPH042689A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | ヘテロエピタキシャル液相成長方法 |
-
1997
- 1997-05-21 FR FR9706175A patent/FR2763608B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-20 WO PCT/FR1998/001013 patent/WO1998053123A1/fr not_active Application Discontinuation
- 1998-05-20 EP EP98925759A patent/EP0983395A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2763608A1 (fr) | 1998-11-27 |
WO1998053123A1 (fr) | 1998-11-26 |
EP0983395A1 (fr) | 2000-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2763343B1 (fr) | Procede de depot d'une couche de matiere sur un substrat a l'aide d'un systeme de placage | |
FR2708924B1 (fr) | Procédé de dépôt d'une couche de nitrure métallique sur un substrat transparent. | |
FR2703970B1 (fr) | Structure de sous-chassis pour vehicule sur chemins de roulement, et vehicule equipe d'une telle structure. | |
FR2730775B1 (fr) | Procede de fabrication d'un manchon coulissant pour le dispositif de synchronisation d'une boite de vitesses a engrenage | |
FR2753567B1 (fr) | Procede de depot d'un film ferromagnetique sur un guide d'onde, et un composant magneto-optique comprenant un film mince ferromagnetique depose selon le procede | |
FR2677998B1 (fr) | Procede et appareillage pour realiser une couche par diffusion de gaz, a travers un puits d'aluminium. | |
FR2696279B1 (fr) | Procédé pour permettre le montage d'une puce sur un substrat et puce préparée selon le procédé. | |
FR2700325B1 (fr) | Dispositif et procede pour former un revetement par pyrolyse. | |
FR2774511B1 (fr) | Substrat compliant en particulier pour un depot par hetero-epitaxie | |
FR2599558B1 (fr) | Procede de realisation d'un dispositif semi-conducteur, incluant le depot en phase vapeur de couches sur un substrat | |
FR2698882B1 (fr) | Procédé pour former un revêtement protecteur sur un substrat. | |
FR2752893B1 (fr) | Procede pour actionner un vehicule et vehicule mettant en oeuvre le procede | |
FR2734643B1 (fr) | Procede et dispositif pour l'implantation precise de points a la surface de la terre par localisation radio-satellitaire | |
FR2763608B1 (fr) | Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle | |
NO983854D0 (no) | Ikke-fange substrat vµskefase-immunoassay | |
FR2726484B1 (fr) | Procede pour eviter la formation d'une phase solide a partir d'hydrocarbures dans un fluide | |
FR2697108B1 (fr) | Procede de depot d'un semiconducteur composite formant un dispositif a semiconducteur. | |
FR2779831B1 (fr) | Procede d'augmentation de la couverture angulaire de radars a formation de faisceaux, et radar le mettant en oeuvre | |
FR2777878B1 (fr) | Procede de recuperation de vapeurs emises au cours d'une distribution de liquide | |
FR2766211B1 (fr) | PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE DIELECTRIQUE DE Ta2O5 | |
FR2755297B1 (fr) | Procede de formation d'un cablage multicouche dans un composant a semiconducteur | |
FR2523480B1 (fr) | Procede de depot d'une couche de protection metallique et/ou ceramique sur un substrat | |
FR2782814B1 (fr) | Procede et dispositif pour la mise en relation d'une offre de service de transport avec une demande d'un tel service | |
FR2687947B1 (fr) | Procede de localisation d'un point et d'un axe de forage optimaux dans un substrat heterogene et installation pour la mise en óoeuvre de ce procede. | |
FR2764732B1 (fr) | Procede de depot d'une couche d'un materiau polycristallin sur un substrat a base de silicium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
CL | Concession to grant licences |