FR2763608B1 - Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle - Google Patents

Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle

Info

Publication number
FR2763608B1
FR2763608B1 FR9706175A FR9706175A FR2763608B1 FR 2763608 B1 FR2763608 B1 FR 2763608B1 FR 9706175 A FR9706175 A FR 9706175A FR 9706175 A FR9706175 A FR 9706175A FR 2763608 B1 FR2763608 B1 FR 2763608B1
Authority
FR
France
Prior art keywords
heterosubstrat
nacelle
depositing
cdhgte
epitaxy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
FR9706175A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2763608A1 (fr
Inventor
Bernard Pelliciari
Bernard Polge
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority to FR9706175A priority Critical patent/FR2763608B1/fr
Priority to EP98925759A priority patent/EP0983395A1/fr
Priority to PCT/FR1998/001013 priority patent/WO1998053123A1/fr
Publication of FR2763608A1 publication Critical patent/FR2763608A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2763608B1 publication Critical patent/FR2763608B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
FR9706175A 1997-05-21 1997-05-21 Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle Expired - Lifetime FR2763608B1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9706175A FR2763608B1 (fr) 1997-05-21 1997-05-21 Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle
EP98925759A EP0983395A1 (fr) 1997-05-21 1998-05-20 Nacelle d'epitaxie et procede pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide
PCT/FR1998/001013 WO1998053123A1 (fr) 1997-05-21 1998-05-20 NACELLE D'EPITAXIE ET PROCEDE POUR DEPOT D'UNE COUCHE DE CdHgTe PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9706175A FR2763608B1 (fr) 1997-05-21 1997-05-21 Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2763608A1 FR2763608A1 (fr) 1998-11-27
FR2763608B1 true FR2763608B1 (fr) 1999-06-18

Family

ID=9507060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9706175A Expired - Lifetime FR2763608B1 (fr) 1997-05-21 1997-05-21 Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0983395A1 (fr)
FR (1) FR2763608B1 (fr)
WO (1) WO1998053123A1 (fr)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0407804D0 (en) 2004-04-06 2004-05-12 Qinetiq Ltd Manufacture of cadmium mercury telluride
KR20070061531A (ko) 2004-08-02 2007-06-13 키네티큐 리미티드 패턴화된 실리콘상에 카드뮴 수은 텔루라이드의 제조
CN111118597B (zh) * 2018-10-31 2022-03-29 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于水平液相外延生长的石墨舟

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL185375C (nl) * 1980-01-16 1990-03-16 Philips Nv Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal.
CA1201220A (fr) * 1984-02-23 1986-02-25 Mikelis N. Svilans Cuvette double d'epitaxie a partir d'une phase liquide
FR2588885B1 (fr) * 1985-10-22 1987-11-27 Labo Electronique Physique Creuset pour l'epitaxie en phase liquide de couches semiconductrices de composition controlee
JPH042689A (ja) * 1990-04-19 1992-01-07 Mitsubishi Electric Corp ヘテロエピタキシャル液相成長方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO1998053123A1 (fr) 1998-11-26
EP0983395A1 (fr) 2000-03-08
FR2763608A1 (fr) 1998-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2763343B1 (fr) Procede de depot d'une couche de matiere sur un substrat a l'aide d'un systeme de placage
FR2708924B1 (fr) Procédé de dépôt d'une couche de nitrure métallique sur un substrat transparent.
FR2703970B1 (fr) Structure de sous-chassis pour vehicule sur chemins de roulement, et vehicule equipe d'une telle structure.
FR2730775B1 (fr) Procede de fabrication d'un manchon coulissant pour le dispositif de synchronisation d'une boite de vitesses a engrenage
FR2677998B1 (fr) Procede et appareillage pour realiser une couche par diffusion de gaz, a travers un puits d'aluminium.
FR2666819B1 (fr) Procede et dispositif pour fabriquer un materiau composite a partir d'un metal de base.
FR2696279B1 (fr) Procédé pour permettre le montage d'une puce sur un substrat et puce préparée selon le procédé.
FR2700325B1 (fr) Dispositif et procede pour former un revetement par pyrolyse.
FR2774511B1 (fr) Substrat compliant en particulier pour un depot par hetero-epitaxie
FR2599558B1 (fr) Procede de realisation d'un dispositif semi-conducteur, incluant le depot en phase vapeur de couches sur un substrat
FR2698882B1 (fr) Procédé pour former un revêtement protecteur sur un substrat.
FR2752893B1 (fr) Procede pour actionner un vehicule et vehicule mettant en oeuvre le procede
FR2734643B1 (fr) Procede et dispositif pour l'implantation precise de points a la surface de la terre par localisation radio-satellitaire
FR2769774B1 (fr) Procede et systeme pour rendre maximale la couverture d'une constellation de satellites
FR2763608B1 (fr) Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle
FR2663655B1 (fr) Procede de controle d'epandage de liant et moyens pour la mise en óoeuvre du procede.
FR2726484B1 (fr) Procede pour eviter la formation d'une phase solide a partir d'hydrocarbures dans un fluide
FR2737346B1 (fr) Procede de commande d'un positionneur d'antenne pour satellite a defilement
FR2691211B1 (fr) Dispositif d'actionnement hydraulique, pour actionner la capote d'un vehicule.
FR2697108B1 (fr) Procede de depot d'un semiconducteur composite formant un dispositif a semiconducteur.
FR2779831B1 (fr) Procede d'augmentation de la couverture angulaire de radars a formation de faisceaux, et radar le mettant en oeuvre
FR2766211B1 (fr) PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE DIELECTRIQUE DE Ta2O5
FR2755297B1 (fr) Procede de formation d'un cablage multicouche dans un composant a semiconducteur
FR2661758B1 (fr) Procede et systeme pour la realisation d'une surface de reference plane, definie par une equation determinee, sur un bati d'assemblage d'une structure, a partir d'une surface brute.
FR2782814B1 (fr) Procede et dispositif pour la mise en relation d'une offre de service de transport avec une demande d'un tel service

Legal Events

Date Code Title Description
CL Concession to grant licences