JPH042689A - ヘテロエピタキシャル液相成長方法 - Google Patents

ヘテロエピタキシャル液相成長方法

Info

Publication number
JPH042689A
JPH042689A JP2104037A JP10403790A JPH042689A JP H042689 A JPH042689 A JP H042689A JP 2104037 A JP2104037 A JP 2104037A JP 10403790 A JP10403790 A JP 10403790A JP H042689 A JPH042689 A JP H042689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
melt
boat
substrate
thin film
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2104037A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Kobayashi
正俊 小林
Yoshiharu Komine
小峰　義治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2104037A priority Critical patent/JPH042689A/ja
Priority to US07/567,109 priority patent/US5130270A/en
Priority to GB9017847A priority patent/GB2243242B/en
Priority to FR9104303A priority patent/FR2661195A1/fr
Publication of JPH042689A publication Critical patent/JPH042689A/ja
Priority to US07/866,489 priority patent/US5264190A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/024—Group 12/16 materials
    • H01L21/02411—Tellurides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02469—Group 12/16 materials
    • H01L21/0248—Tellurides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02562—Tellurides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/101—Liquid Phase Epitaxy, LPE

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、化合物半導体を液相エピタキシャル成長に
より成長してヘテロエピタキシャル層を形成するヘテロ
エピタキシャル液相成長方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第４図は従来のへテロエピタキシャル液相成長方法に用
いる液相結晶成長装置を示す図であり、図において、１
はメルト用ボート、２は蓋、３は化合物半導体の第１の
メルト、４は第１のメルト３と異なる組成を持つ化合物
半導体の第２のメルト、５は基板、６はマザーボート、
９は石英管、１０はヒータである。１１はマザーボート
６およびメルト用ボート１を移動させるための移動相棒
である。
次に工程について説明する。
第５図は従来のへテロエピタキシャル液相成長方法の工
程を示す図であり、第４図と同一符号は同−又は相当部
分である。
第５図（ａ）は温度調整状態を示している。メルト用ボ
ート１と蓋２によって密閉された第１のメルト３と第２
のメルト４はマザーボート６上の、基板５の手前の位置
にあり、一定時間溶融状態に保たれる。
次にボート全体、即ちメルト用ボート１とマザーボート
６を一定の速度で降温し、所定の温度になったところで
移動用環１１でメルト用ボート１をスライドさせ、第５
図（ｂ）に示す状態にし、第１のメルト３を基板５に接
触させ、基板５上に第１層目のエピタキシャル薄膜を成
長する。
次に移動用環１１でメルト用ボート１を更にスライドさ
せ、第５図（Ｃ）に示す状態にし、第２のメルト４を第
１層目のエピタキシャル薄膜が成長された基板５に接触
させ、第１層目のエピタキシャル薄膜上に第２層目のエ
ピタキシャル薄膜を成長する。
最後に移動用環１１でメルト用ボート１を更にスライド
させ、第５図（ｄ）に示す状態にし、基板５を第１．第
２のメルト３．４から分離して成長が完了する。
このように本従来例では、第１のメルト３により第１層
目の薄膜が、第２のメルト４により第２層目の薄膜がそ
れぞれエピタキシャル成長する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のへテロエピタキシャル液相成長方法は以上のよう
に構成されているので、ヘテロエピタキシャル成長する
のに異なった組成の複数のメルトを用意しなければなら
ず、メルトの製造に手間がかかる上、材料費もかかると
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、一つのメルトでヘテロエピタキシャル成長で
きるヘテロエピタキシャル液相成長方法を得ることを目
的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るヘテロエピタキシャル液相成長方法は、
基板上にメルトを乗せて第１Ｎ目薄膜をエピタキシャル
成長させた後、該メルトを溶融状態に保ちながら一定時
間上記メルトの入ったメルト用ボートの蓋を開けた状態
としてメルト中の易蒸発性成分を所定量蒸発させ、この
後、上記メルトを再び上記基板上に乗せて第２Ｎ目薄膜
をエピタキシャル成長させるようにしたものである。
〔１作用〕 この発明においては、第１層目薄膜をエピタキシャル成
長させた後、メルト中の易蒸発性成分を所定量蒸発させ
、この後、上記メルトを再び上記基板上に乗せて第２層
目薄膜をエピタキシャル成長させるようにしたから、メ
ルト中の易蒸発性成分を所定量蒸発させることによりメ
ルトの組成が変化するため、一つのメルトで異なった組
成の薄膜をヘテロエピタキシャル成長できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるヘテロエピタキシャル
液相成長方法に用いる液相結晶成長装置を示す断面図で
あり、図において、第４図と同一符号は同−又は相当部
分である。
また７はメルト用ボート１のみ通過可能でＭ２がストッ
プされるようなゲート状の蓋ストッパ、８は蓋２および
メルト用ボート１の両方がストップされるメルト用ボー
ト及び蓋ストッパである。
次に工程について説明する。
第２図は本実施例によるヘテロエピタキシャル液相成長
方法の工程を示す図であり、第１図と同一符号は同−又
は相当部分である。
第２図（ａ）は温度調整状態を示している。メルト用ボ
ート１と蓋２によって密閉されたメルト３はマザーボー
ト６上の、基板５の手前の位置にあり、一定時間溶融状
態に保たれる。
次にボート全体、即ちメルト用ボート１とマザーボート
６を一定の速度で降温し、所定の温度になったところで
移動用環１１でメルト用ボート１をスライドさせ、第２
図（ｂ）に示す状態にし、メルト３を基板５に接触させ
、基板５上に第１層目のエピタキシャル薄膜を成長する
。
次に移動用環１１でメルト用ボート１をスライドさせ、
第２図（Ｃ）に示す状態にする。この時、基板５とメル
ト３は分離され第１層目の成長は完了する。またこの時
、蓋２は蓋ストッパ７により止められて、図に示すよう
に１２が開いた状態となり、メルト３からは易蒸発性成
分が蒸発する。この状態で一定時間保持した後、移動相
棒１１でメルト用ボート１をスライドさせ、第２図（ｄ
ｉに示す状態にする。
第２図（ｄ）においては、蓋２がメルト用ボート及び蓋
ストッパ８によって止められるため、蓋２は再びメルト
３を蔽い、メルトは密閉される。この状態で更に温度を
下げ、易蒸発性成分が蒸発したメルト３が第１層目薄膜
と固液平衡状態となったときに移動相棒１１でメルト用
ボート１を更にスライドさせ、第２図（ｅ）に示す状態
にする。
第２図（ｅ）においては、メルト３が再び基板５上に置
かれ、第１層目薄膜上に第２層目薄膜がエピタキシャル
成長する。
最後に移動相棒１１でメルト用ボート１を更にスライド
させ、第２図（ｆ）に示す状態にし、基板５をメルト３
から分離して成長が完了する。
このように本実施例では第２図（Ｃ）の状態でメルト３
中の成分中、易蒸発性成分が蒸発するため、メルト３の
組成が変化し、これにより、第１層目薄膜と第２層目薄
膜との組成を異なるものとでき、ヘテロエピタキシャル
成長が可能である。
例えば、半絶縁性ＣｄＴｅ基板上に、水銀：カドミウム
のモル比が０．８：０．２のｐ復水銀カドミウムチルラ
イドを結晶成長させ、さらにその上層に水銀：カドミウ
ムのモル比が０．７８：０．２２のｐ復水銀カドミウム
チルライドを結晶成長させたウェハを用いて赤外線検出
器を作成する場合、水銀：カドミウムのモル比が０．８
：０．２の水銀カドミウムチルライドのメルトを用い、
上述のようにして易蒸発性成分である水銀を蒸発させる
ことにより、メルトの水銀：カドミウムのモル比を０．
７８：０．２２とすることが可能である。このとき、第
１層目は４８０°Ｃ程度の温度で約３０分成長すること
により２０μｍ程度の水銀カドミウムチルライドの薄膜
が形成され、蓋を数分間開けて水銀を蒸発させた後、再
びメルトを上記２０μｍ程度のＣｄｏ、ｚ　Ｈｇｏ、ｓ
　Ｔ　ｅが結晶成長されたＣｄＴｅ基板に接触させ約１
５分間成長させることによりＣｄｏ、ｚ　Ｈｇｏ、ｓ　
Ｔ　ｅ”ａ膜上に５μｍ程度のＣｄｏ、ｚｚＨｇｏ、ｔ
ｅＴ　ｅ薄膜が成長される。
なお、上記実施例では蓋ストッパ７とメルト用ボート及
び蓋ストッパ８を用いて蓋２を開閉するようにしたもの
について説明したが、第３図に示すように、蓋２を移動
相棒１１によりスライドさせて蓋２を開閉するようにし
てもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、ヘテロエピタキシャ
ル液相成長方法において、第１層目薄膜をエピタキシャ
ル成長させた後、メルト中の易蒸発性成分を所定量蒸発
させ、この後、上記メルトを再び上記基板上に乗せて第
２層目薄膜をエピタキシャル成長させるようにしたから
、メルト中の易蒸発性成分を所定量蒸発させることによ
りメルトの組成が変化するため、一つのメルトで異なっ
た組成の薄膜をヘテロエピタキシャル成長でき、メルト
作製の手間が省けるとともに、材料費が安価となる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例によるヘテロエピタキシャル
液相成長方法に用いる液相結晶成長装置を示す断面図、
第２図は本発明の一実施例によるヘテロエピタキシャル
液相成長方法の工程を示す断面図、第３図は本発明の実
施例によるヘテロエピタキシャル液相成長方法に用いる
液相結晶成長装置の変形例を示す断面図、第４図は従来
のへテロエピタキシャル液相成長方法に用いる液相結晶
成長装置を示す断面図、第５図は従来のへテロエピタキ
シャル液相成長方法の工程を示す断面図である。 １はメルト用ボート、２は蓋、３はメルト、５は基板、
６はマザーボート、７は蓋ストッパ、８はメルト用ボー
ト及び蓋ストッパ、９は石英管、１０はヒータ、１１は
移動相棒。 なお図中同一符号は同−又は相当部分である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）易蒸発性の成分を含んだ化合物半導体を液相エピ
    タキシャル成長により成長して、ヘテロエピタキシャル
    層を形成するヘテロエピタキシャル液相成長方法におい
    て、 基板上にメルトを乗せて第１層目薄膜をエピタキシャル
    成長させる第１の工程と、 該メルトを溶融状態に保ちながら一定時間上記メルトの
    入ったメルト用ボートの蓋を開けた状態とする第２の工
    程と、 この後、上記メルトを再び上記基板上に乗せて第２層目
    薄膜をエピタキシャル成長させる第３の工程とを含むこ
    とを特徴とするヘテロエピタキシャル液相成長方法。
JP2104037A 1990-04-19 1990-04-19 ヘテロエピタキシャル液相成長方法 Pending JPH042689A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2104037A JPH042689A (ja) 1990-04-19 1990-04-19 ヘテロエピタキシャル液相成長方法
US07/567,109 US5130270A (en) 1990-04-19 1990-08-14 Hetero-epitaxial liquid phase growth method
GB9017847A GB2243242B (en) 1990-04-19 1990-08-14 Hetero-epitaxial liquid phase growth method and apparatus therefor
FR9104303A FR2661195A1 (fr) 1990-04-19 1991-04-09 Procede et appareil de croissance hetero-epitaxiale en phase liquide.
US07/866,489 US5264190A (en) 1990-04-19 1992-04-10 Liquid phase epitaxial film growth apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2104037A JPH042689A (ja) 1990-04-19 1990-04-19 ヘテロエピタキシャル液相成長方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH042689A true JPH042689A (ja) 1992-01-07

Family

ID=14370030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2104037A Pending JPH042689A (ja) 1990-04-19 1990-04-19 ヘテロエピタキシャル液相成長方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5130270A (ja)
JP (1) JPH042689A (ja)
FR (1) FR2661195A1 (ja)
GB (1) GB2243242B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112251814A (zh) * 2020-09-02 2021-01-22 中国电子科技集团公司第十一研究所 多片式衬底装舟模具、多片式衬底装载装置及方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2763608B1 (fr) * 1997-05-21 1999-06-18 Commissariat Energie Atomique Nacelle d'epitaxie pour depot d'une couche de cdhgte par epitaxie en phase liquide sur un heterosubstrat et procede de depot de cdhgte sur un heterosubstrat utilisant cette nacelle
CN102732952A (zh) * 2012-06-25 2012-10-17 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法
CN111876825A (zh) * 2020-07-28 2020-11-03 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种用于液相外延工艺的可调式石墨舟

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2251369B1 (ja) * 1973-11-15 1978-02-10 Radiotechnique Compelec
JPS5596629A (en) * 1979-01-17 1980-07-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of epitaxially growing in liquid phase
US4315477A (en) * 1980-03-24 1982-02-16 Rockwell International Corporation Semi-open liquid phase epitaxial growth system
US4317689A (en) * 1980-07-18 1982-03-02 Honeywell Inc. Mercury containment for liquid phase growth of mercury cadmium telluride from tellurium-rich solution
US4401487A (en) * 1980-11-14 1983-08-30 Hughes Aircraft Company Liquid phase epitaxy of mercury cadmium telluride layer
JPS58131737A (ja) * 1982-01-29 1983-08-05 Fujitsu Ltd 液相エピタキシヤル成長方法
US4470368A (en) * 1982-03-10 1984-09-11 At&T Bell Laboratories LPE Apparatus with improved thermal geometry
US4642142A (en) * 1982-05-19 1987-02-10 Massachusetts Institute Of Technology Process for making mercury cadmium telluride
GB2132228B (en) * 1982-12-22 1985-09-04 Philips Electronic Associated Producing a controlled unsaturated vapour pressure of a volatile liquid in a heat treatment chamber
GB2138697A (en) * 1983-04-27 1984-10-31 Philips Electronic Associated Liquid phase epitaxy apparatus
FR2588884B1 (fr) * 1985-10-22 1987-11-27 Labo Electronique Physique Creuset pour l'epitaxie en phase liquide de couches semiconductrices
US4706604A (en) * 1986-06-09 1987-11-17 Honeywell Inc. Wipe-off apparatus of liquid phase epitaxy of mercury cadmium telluride
JPS63307199A (ja) * 1987-06-05 1988-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液相エピタキシャル成長方法
IT1210812B (it) * 1987-06-16 1989-09-29 Selenia Ind Elettroniche Procedimento per la fabbricazione di strati monocristallini di tellururo di cadmio e mercurio
US4798812A (en) * 1987-08-07 1989-01-17 Lytel Corporation Method for liquid phase epitaxial growth
IT1211385B (it) * 1987-10-06 1989-10-18 Selenia Ind Elettroniche Metodo per la fabbricazione di strati monocristallini di tellururo di cadmio e mercurio

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112251814A (zh) * 2020-09-02 2021-01-22 中国电子科技集团公司第十一研究所 多片式衬底装舟模具、多片式衬底装载装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2661195A1 (fr) 1991-10-25
GB2243242A (en) 1991-10-23
GB9017847D0 (en) 1990-09-26
GB2243242B (en) 1994-04-13
US5130270A (en) 1992-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4642142A (en) Process for making mercury cadmium telluride
JPH042689A (ja) ヘテロエピタキシャル液相成長方法
US4906325A (en) Method of making single-crystal mercury cadmium telluride layers
US5891244A (en) Apparatus for the manufacture of SOI wafer and process for preparing SOI wafer therewith
US4765863A (en) Method of preparing a crystalline ingot of Hg1-x.sbsb.o Cdx.sbsb.o Te
US5264190A (en) Liquid phase epitaxial film growth apparatus
JPS5834925A (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JP2556159B2 (ja) 半導体結晶の製造方法
JP2700123B2 (ja) ＨｇＣｄＴｅの液相エピタキシヤル成長方法及びその装置
JPS582036A (ja) 半導体結晶の製造方法
JPH0527500Y2 (ja)
JPH0341740A (ja) 液相エピタキシャル成長方法
JPH04320327A (ja) 化合物半導体結晶の製造方法
JPH0348431A (ja) 液相エピタキシャル結晶成長装置
JP2596122B2 (ja) 液相エピタキシャル成長方法
JP2922039B2 (ja) 単結晶の成長方法
JPH02308521A (ja) 液相エピタキシャル結晶成長方法
JPH04130098A (ja) 液相エピタキシャル成長方法
JPH02102191A (ja) 半導体結晶成長方法
JPS57196521A (en) Growing method of crystal
JPS58185497A (ja) 液相エピタキシヤル成長方法
JPH04324927A (ja) 化合物半導体結晶の製造方法
SNODDY A study of recrystallization in cadmium telluride[M. S. Thesis]
JPS61146783A (ja) 化合物半導体単結晶の成長方法
JPH08217590A (ja) 単結晶の成長方法