NL181471B - Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleidergeheugenschakeling, omvattende een matrix van halfgeleidergeheugencellen, die bestaan uit een serieschakeling van een veldeffecttransistor en een condensator. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleidergeheugenschakeling, omvattende een matrix van halfgeleidergeheugencellen, die bestaan uit een serieschakeling van een veldeffecttransistor en een condensator.

Info

Publication number
NL181471B
NL181471B NLAANVRAGE7317292,A NL7317292A NL181471B NL 181471 B NL181471 B NL 181471B NL 7317292 A NL7317292 A NL 7317292A NL 181471 B NL181471 B NL 181471B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
capacitor
semi
matrix
manufacturing
effect transistor
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7317292,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL181471C (nl
NL7317292A (nl
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US00320394A external-priority patent/US3841926A/en
Priority claimed from US00320395A external-priority patent/US3811076A/en
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of NL7317292A publication Critical patent/NL7317292A/xx
Publication of NL181471B publication Critical patent/NL181471B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL181471C publication Critical patent/NL181471C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
    • H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
    • H01L27/0733—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors in combination with capacitors only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
NLAANVRAGE7317292,A 1973-01-02 1973-12-18 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleidergeheugenschakeling, omvattende een matrix van halfgeleidergeheugencellen, die bestaan uit een serieschakeling van een veldeffecttransistor en een condensator. NL181471C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US00320394A US3841926A (en) 1973-01-02 1973-01-02 Integrated circuit fabrication process
US00320395A US3811076A (en) 1973-01-02 1973-01-02 Field effect transistor integrated circuit and memory

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7317292A NL7317292A (nl) 1974-07-04
NL181471B true NL181471B (nl) 1987-03-16
NL181471C NL181471C (nl) 1987-08-17

Family

ID=26982472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7317292,A NL181471C (nl) 1973-01-02 1973-12-18 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleidergeheugenschakeling, omvattende een matrix van halfgeleidergeheugencellen, die bestaan uit een serieschakeling van een veldeffecttransistor en een condensator.

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH573661A5 (nl)
DE (1) DE2363466C3 (nl)
NL (1) NL181471C (nl)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL176415C (nl) * 1976-07-05 1985-04-01 Hitachi Ltd Halfgeleidergeheugeninrichting omvattende een matrix van halfgeleidergeheugencellen, die bestaan uit een veldeffekttransistor en een opslagcapaciteit.
US4190466A (en) * 1977-12-22 1980-02-26 International Business Machines Corporation Method for making a bipolar transistor structure utilizing self-passivating diffusion sources
US4222816A (en) * 1978-12-26 1980-09-16 International Business Machines Corporation Method for reducing parasitic capacitance in integrated circuit structures
EP0096096B1 (de) * 1982-06-14 1987-09-16 Ibm Deutschland Gmbh Verfahren zur Einstellung des Kantenwinkels in Polysilicium

Also Published As

Publication number Publication date
DE2363466C3 (de) 1980-10-02
AU6351973A (en) 1975-06-12
DE2363466B2 (de) 1980-01-24
NL181471C (nl) 1987-08-17
CH573661A5 (nl) 1976-03-15
NL7317292A (nl) 1974-07-04
DE2363466A1 (de) 1974-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL176415C (nl) Halfgeleidergeheugeninrichting omvattende een matrix van halfgeleidergeheugencellen, die bestaan uit een veldeffekttransistor en een opslagcapaciteit.
NL7412121A (nl) Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting.
NL186608C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinjectie-logicainrichting.
NL182604C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL161302B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL172710C (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL161619C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
JPS5298486A (en) Semiconductor memory device
NL186933C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type.
NL181471C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleidergeheugenschakeling, omvattende een matrix van halfgeleidergeheugencellen, die bestaan uit een serieschakeling van een veldeffecttransistor en een condensator.
NL161919C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat.
NL164157B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL174304C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL169802B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL179248C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met complementaire transistoren.
NL163901B (nl) Halfgeleiderschakeling van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van met een signaal overeenkomende pakketten ladingdragers, alsmede werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL181767C (nl) Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
SE390234B (sv) Sett att tillverka en integrerad halvledarkretsanordning innehallande atminstone en transistor

Legal Events

Date Code Title Description
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee