NL169802C - Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling.

Info

Publication number
NL169802C
NL169802C NLAANVRAGE7113629,A NL7113629A NL169802C NL 169802 C NL169802 C NL 169802C NL 7113629 A NL7113629 A NL 7113629A NL 169802 C NL169802 C NL 169802C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
dielectric material
semiconductor circuit
integrated semiconductor
circuit isolated
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7113629,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7113629A (nl
NL169802B (nl
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8658670A external-priority patent/JPS4945035B1/ja
Priority claimed from JP4925071A external-priority patent/JPS5521461B1/ja
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co
Publication of NL7113629A publication Critical patent/NL7113629A/xx
Publication of NL169802B publication Critical patent/NL169802B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL169802C publication Critical patent/NL169802C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/019—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using epitaxial passivated integrated circuit [EPIC] processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/026—Deposition thru hole in mask
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
NLAANVRAGE7113629,A 1970-10-05 1971-10-05 Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling. NL169802C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8658670A JPS4945035B1 (nl) 1970-10-05 1970-10-05
JP4925071A JPS5521461B1 (nl) 1971-07-06 1971-07-06

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7113629A NL7113629A (nl) 1972-04-07
NL169802B NL169802B (nl) 1982-03-16
NL169802C true NL169802C (nl) 1982-08-16

Family

ID=26389625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7113629,A NL169802C (nl) 1970-10-05 1971-10-05 Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3756877A (nl)
CA (1) CA924026A (nl)
DE (1) DE2149566C3 (nl)
FR (1) FR2110235B1 (nl)
GB (1) GB1345752A (nl)
NL (1) NL169802C (nl)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111019659A (zh) * 2019-12-06 2020-04-17 湖北兴福电子材料有限公司 一种选择性硅蚀刻液

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2294549A1 (fr) * 1974-12-09 1976-07-09 Radiotechnique Compelec Procede de realisation de dispositifs optoelectroniques
US3997381A (en) * 1975-01-10 1976-12-14 Intel Corporation Method of manufacture of an epitaxial semiconductor layer on an insulating substrate
JPS5215262A (en) * 1975-07-28 1977-02-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor device and its manufacturing method
EP0534474B1 (en) * 1991-09-27 2002-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Method of processing a silicon substrate
EP0536790B1 (en) * 1991-10-11 2004-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing semiconductor articles
US5843322A (en) * 1996-12-23 1998-12-01 Memc Electronic Materials, Inc. Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3372063A (en) * 1964-12-22 1968-03-05 Hitachi Ltd Method for manufacturing at least one electrically isolated region of a semiconductive material
FR1483068A (fr) * 1965-05-10 1967-06-02 Ibm Montage de dispositif à semi-conducteur et procédé de fabrication

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111019659A (zh) * 2019-12-06 2020-04-17 湖北兴福电子材料有限公司 一种选择性硅蚀刻液
CN111019659B (zh) * 2019-12-06 2021-06-08 湖北兴福电子材料有限公司 一种选择性硅蚀刻液

Also Published As

Publication number Publication date
NL7113629A (nl) 1972-04-07
GB1345752A (en) 1974-02-06
FR2110235B1 (nl) 1977-03-18
FR2110235A1 (nl) 1972-06-02
DE2149566B2 (de) 1980-11-27
DE2149566A1 (de) 1972-04-06
CA924026A (en) 1973-04-03
DE2149566C3 (de) 1981-07-23
US3756877A (en) 1973-09-04
NL169802B (nl) 1982-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL145087B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch contactmateriaal, alsmede elektrisch contact vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL161620C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL160512C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een van uitsteeksels voorziene plaat.
NL166583C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo- -elektrische eenheid.
NL159534B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistoren.
NL161302C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7508658A (nl) Werkwijze voor het stabiliseren van gemodificeerd polyfenyleenoxyde, alsmede daaruit vervaardigde voorwerpen.
NL172710C (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
NL169018C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch verwarmbare glasruit.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL169802C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een door dielektrisch materiaal geisoleerde, geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL161919C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat.
NL143073B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL7410215A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL163854C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een isolerende profielstaaf.
NL149711B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van pillen, alsmede de aldus vervaardigde pillen.
NL148761B (nl) Schakeling voor het verminderen van een wisselspanning, die een nuttige spanning stoort.
NL179248C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met complementaire transistoren.
NL162231B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch isolerende elementen, geschikt voor de vervaardiging van gedrukte schakelingen.
NL156539B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een wolfraamhalogeengloeilamp en wolfraamhalogeengloeilamp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL146630B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een hoogspanningsgeleider en hoogspanningsgeleider verkregen door toepassing van de werkwijze.
NL162247C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolaire transistor voor een geintegreerde halfgeleider- schakeling.

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent