NL180266C - Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een toevoergebied en een afvoergebied dat met het toevoergebied is verbonden met ten minste een kanaalgebied, dat wordt begrensd door een stuurgebied met het aan het geleidingstype van het toevoer-, het afvoer- en het kanaalgebied tegengestelde geleidingstype. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een toevoergebied en een afvoergebied dat met het toevoergebied is verbonden met ten minste een kanaalgebied, dat wordt begrensd door een stuurgebied met het aan het geleidingstype van het toevoer-, het afvoer- en het kanaalgebied tegengestelde geleidingstype.

Info

Publication number
NL180266C
NL180266C NLAANVRAGE7205410,A NL7205410A NL180266C NL 180266 C NL180266 C NL 180266C NL 7205410 A NL7205410 A NL 7205410A NL 180266 C NL180266 C NL 180266C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
area
conduction
feed
device containing
semiconductor device
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7205410,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL180266B (nl
NL7205410A (nl
Original Assignee
Handotai Kenkyu Shinkokai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Handotai Kenkyu Shinkokai filed Critical Handotai Kenkyu Shinkokai
Publication of NL7205410A publication Critical patent/NL7205410A/xx
Publication of NL180266B publication Critical patent/NL180266B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL180266C publication Critical patent/NL180266C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/7722—Field effect transistors using static field induced regions, e.g. SIT, PBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1066—Gate region of field-effect devices with PN junction gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
NLAANVRAGE7205410,A 1971-04-28 1972-04-21 Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een toevoergebied en een afvoergebied dat met het toevoergebied is verbonden met ten minste een kanaalgebied, dat wordt begrensd door een stuurgebied met het aan het geleidingstype van het toevoer-, het afvoer- en het kanaalgebied tegengestelde geleidingstype. NL180266C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP46028405A JPS526076B1 (nl) 1971-04-28 1971-04-28

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7205410A NL7205410A (nl) 1972-10-31
NL180266B NL180266B (nl) 1986-08-18
NL180266C true NL180266C (nl) 1987-01-16

Family

ID=12247739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7205410,A NL180266C (nl) 1971-04-28 1972-04-21 Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een toevoergebied en een afvoergebied dat met het toevoergebied is verbonden met ten minste een kanaalgebied, dat wordt begrensd door een stuurgebied met het aan het geleidingstype van het toevoer-, het afvoer- en het kanaalgebied tegengestelde geleidingstype.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4337473A (nl)
JP (1) JPS526076B1 (nl)
DE (1) DE2220789A1 (nl)
GB (1) GB1393792A (nl)
NL (1) NL180266C (nl)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5557119A (en) * 1971-04-28 1996-09-17 Handotai Kenkyu Shinkokai Field effect transistor having unsaturated drain current characteristic
NL191525C (nl) * 1977-02-02 1995-08-21 Shinkokai Zaidan Hojin Handot Halfgeleiderinrichting omvattende een stroomkanaalgebied van een eerste geleidingstype dat wordt omsloten door een van een stuurelektrode voorzien stuurgebied van het tweede geleidingstype.
DE2858820C2 (de) * 1977-02-02 1996-09-19 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu I·2·L-Schaltungsstruktur
JPS5425175A (en) * 1977-07-27 1979-02-24 Nippon Gakki Seizo Kk Integrated circuit device
US4364072A (en) * 1978-03-17 1982-12-14 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Static induction type semiconductor device with multiple doped layers for potential modification
US4546375A (en) * 1982-06-24 1985-10-08 Rca Corporation Vertical IGFET with internal gate and method for making same
JPS5940576A (ja) * 1982-08-30 1984-03-06 Junichi Nishizawa フオトサイリスタ
JPS5941877A (ja) * 1982-08-31 1984-03-08 Junichi Nishizawa フオトトランジスタ
JPS61121369A (ja) * 1984-11-19 1986-06-09 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS62105478A (ja) * 1985-11-01 1987-05-15 新技術開発事業団 半導体装置
WO1995007548A1 (de) * 1993-09-08 1995-03-16 Siemens Aktiengesellschaft Strombegrenzer
JPH07297409A (ja) * 1994-03-02 1995-11-10 Toyota Motor Corp 電界効果型半導体装置
DE10338689B4 (de) * 2003-08-22 2007-03-29 Infineon Technologies Ag Widerstandsbauelement und Verfahren zu dessen Abgleich
US8193046B2 (en) * 2009-11-02 2012-06-05 Analog Devices, Inc. Junction field effect transistor
US8390039B2 (en) * 2009-11-02 2013-03-05 Analog Devices, Inc. Junction field effect transistor
US8462477B2 (en) 2010-09-13 2013-06-11 Analog Devices, Inc. Junction field effect transistor for voltage protection
CN106449745B (zh) * 2016-09-23 2024-01-12 兰州大学 基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL96818C (nl) * 1952-03-14
US3126505A (en) * 1959-11-18 1964-03-24 Field effect transistor having grain boundary therein
JPS5217720B1 (nl) * 1971-07-31 1977-05-17

Also Published As

Publication number Publication date
NL180266B (nl) 1986-08-18
GB1393792A (en) 1975-05-14
NL7205410A (nl) 1972-10-31
US4337473A (en) 1982-06-29
JPS526076B1 (nl) 1977-02-18
DE2220789A1 (de) 1972-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL180266C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een toevoergebied en een afvoergebied dat met het toevoergebied is verbonden met ten minste een kanaalgebied, dat wordt begrensd door een stuurgebied met het aan het geleidingstype van het toevoer-, het afvoer- en het kanaalgebied tegengestelde geleidingstype.
NL158655B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied.
NL172301C (nl) Stimulatie-inrichting bestemd voor het inplanten in het lichaam.
NL161622C (nl) Veldeffecttransistor omvattende een halfgeleider- lichaam met een kanaalgebied met nagenoeg intrinsieke geleiding.
NL167277C (nl) Halfgeleiderinrichting met een plaatvorming half- geleiderlichaam met over althans een deel van de dikte van het halfgeleiderlichaam afgeschuinde randen, dat is voorzien van een metalen elektrode die een gelijkrichtende overgang vormt met het halfgeleider- lichaam en werkwijze ter vervaardiging van de halfgeleiderinrichting.
NL163066B (nl) Veldeffecttransistor met een door een pn-overgang van het kanaalgebied gescheiden stuurgebied.
NL161922C (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen.
NL164425C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een koellichaam.
CH537574A (de) Durchfluss-Regelvorrichtung
NL167617C (nl) Inrichting voor het continu automatisch vervaardigen van wapeningsnetten.
AU6967474A (en) Flow control device
NL142018B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleidende inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL160988B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
NL152119B (nl) Veldeffecttransistor waarbij het stuurgebied door een p-n-overgang van het kanaal is gescheiden.
NL170647C (nl) Inrichting voor het behandelen van een werkstuk met een vloeistof.
BE792168A (nl) Stroomregelinrichting
NL169123C (nl) Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.
DK131586C (da) Styreorgan for vingestabiliseret granat
CH399031A (de) Registriervorrichtung zum Schreiben von Fertigungsstückzahlen, Arbeitstakten oder dergleichen
NL161303C (nl) Veldeffecttransistor voor hoge frequenties omvattende een halfgeleiderlichaam met een stuurgebied, dat door een gelijkrichtende overgang van het halfgeleiderlichaam is gescheiden.
NL165991C (nl) Inrichting voor het, bij het neerlaten van een aan ka- bels hangend lichaam, geleiden van dit lichaam.
DK139690C (da) Lukkeorgan til en daase
ZA725902B (en) Device for controlling the feeding force at rock-drilling
BE766319A (nl) Van trechtervormige geleidingselementen voorziene inrichting voor het geleiden en doorhalen van langwerpige substraten door deze inrichting.
BR7206410D0 (pt) Dispositivo de comando de orgaos de registros

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent