NL174684C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende het op een deel van een lichaam van halfgeleidermateriaal aanbrengen in een patroon van een laag van een metaal dat is gedoteerd met tenminste een de elektrische geleidingseigenschappen van het halfgeleidermateriaal wijzigende activator, het met handhaving van de maskerlaag aan een warmtebehandeling blootstellen van het halfgeleiderlichaam en de metaallaag, teneinde activatoratomen in het aan de metaallaag grenzende deel van het halfgeleiderlichaam te diffunderen en het aan de metaallaag bevestigen van een uitwendige aansluitgeleider. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende het op een deel van een lichaam van halfgeleidermateriaal aanbrengen in een patroon van een laag van een metaal dat is gedoteerd met tenminste een de elektrische geleidingseigenschappen van het halfgeleidermateriaal wijzigende activator, het met handhaving van de maskerlaag aan een warmtebehandeling blootstellen van het halfgeleiderlichaam en de metaallaag, teneinde activatoratomen in het aan de metaallaag grenzende deel van het halfgeleiderlichaam te diffunderen en het aan de metaallaag bevestigen van een uitwendige aansluitgeleider.

Info

Publication number
NL174684C
NL174684C NLAANVRAGE7005888,A NL7005888A NL174684C NL 174684 C NL174684 C NL 174684C NL 7005888 A NL7005888 A NL 7005888A NL 174684 C NL174684 C NL 174684C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
metal layer
semi
layer
conductor body
metal
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7005888,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7005888A (enExample
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Publication of NL7005888A publication Critical patent/NL7005888A/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL174684C publication Critical patent/NL174684C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00—
    • H10W20/484—
    • H10W72/019—
    • H10W72/536—
    • H10W72/59—
    • H10W72/934—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/043—Dual dielectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/106—Masks, special
NLAANVRAGE7005888,A 1969-04-25 1970-04-23 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende het op een deel van een lichaam van halfgeleidermateriaal aanbrengen in een patroon van een laag van een metaal dat is gedoteerd met tenminste een de elektrische geleidingseigenschappen van het halfgeleidermateriaal wijzigende activator, het met handhaving van de maskerlaag aan een warmtebehandeling blootstellen van het halfgeleiderlichaam en de metaallaag, teneinde activatoratomen in het aan de metaallaag grenzende deel van het halfgeleiderlichaam te diffunderen en het aan de metaallaag bevestigen van een uitwendige aansluitgeleider. NL174684C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81918669A 1969-04-25 1969-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7005888A NL7005888A (enExample) 1970-10-27
NL174684C true NL174684C (nl) 1984-07-16

Family

ID=25227434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7005888,A NL174684C (nl) 1969-04-25 1970-04-23 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende het op een deel van een lichaam van halfgeleidermateriaal aanbrengen in een patroon van een laag van een metaal dat is gedoteerd met tenminste een de elektrische geleidingseigenschappen van het halfgeleidermateriaal wijzigende activator, het met handhaving van de maskerlaag aan een warmtebehandeling blootstellen van het halfgeleiderlichaam en de metaallaag, teneinde activatoratomen in het aan de metaallaag grenzende deel van het halfgeleiderlichaam te diffunderen en het aan de metaallaag bevestigen van een uitwendige aansluitgeleider.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3601888A (enExample)
JP (1) JPS5443352B1 (enExample)
BE (1) BE749485A (enExample)
DE (2) DE2019655C2 (enExample)
FR (1) FR2049078B1 (enExample)
GB (1) GB1317583A (enExample)
IE (1) IE33752B1 (enExample)
NL (1) NL174684C (enExample)
SE (1) SE365343B (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4050966A (en) * 1968-12-20 1977-09-27 Siemens Aktiengesellschaft Method for the preparation of diffused silicon semiconductor components
US3919007A (en) * 1969-08-12 1975-11-11 Kogyo Gijutsuin Method of manufacturing a field-effect transistor
US3604986A (en) * 1970-03-17 1971-09-14 Bell Telephone Labor Inc High frequency transistors with shallow emitters
US3863334A (en) * 1971-03-08 1975-02-04 Motorola Inc Aluminum-zinc metallization
JPS567304B2 (enExample) * 1972-08-28 1981-02-17
US3909926A (en) * 1973-11-07 1975-10-07 Jearld L Hutson Method of fabricating a semiconductor diode having high voltage characteristics
JPS593421Y2 (ja) * 1979-05-31 1984-01-30 ソニー株式会社 テ−プカセツト
IE52791B1 (en) * 1980-11-05 1988-03-02 Fujitsu Ltd Semiconductor devices
US4490193A (en) * 1983-09-29 1984-12-25 International Business Machines Corporation Method for making diffusions into a substrate and electrical connections thereto using rare earth boride materials
US4481046A (en) * 1983-09-29 1984-11-06 International Business Machines Corporation Method for making diffusions into a substrate and electrical connections thereto using silicon containing rare earth hexaboride materials
JPS60220975A (ja) * 1984-04-18 1985-11-05 Toshiba Corp ＧａＡｓ電界効果トランジスタ及びその製造方法
US5075756A (en) * 1990-02-12 1991-12-24 At&T Bell Laboratories Low resistance contacts to semiconductor materials
US6225218B1 (en) * 1995-12-20 2001-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
US6885275B1 (en) * 1998-11-12 2005-04-26 Broadcom Corporation Multi-track integrated spiral inductor
KR100366046B1 (ko) * 2000-06-29 2002-12-27 삼성전자 주식회사 에벌란치 포토다이오드 제조방법
DE10315897B4 (de) * 2003-04-08 2005-03-10 Karlsruhe Forschzent Verfahren und Verwendung einer Vorrichtung zur Trennung von metallischen und halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhren
ATE451165T1 (de) * 2005-05-17 2009-12-15 Max Planck Gesellschaft Reinigung von materialien durch behandlung mit wasserstoffbasiertem plasma
US20080029854A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 United Microelectronics Corp. Conductive shielding pattern and semiconductor structure with inductor device
US20140361407A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 SCHMID Group Silicon material substrate doping method, structure and applications

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2817607A (en) * 1953-08-24 1957-12-24 Rca Corp Method of making semi-conductor bodies
US3169304A (en) * 1961-06-22 1965-02-16 Giannini Controls Corp Method of forming an ohmic semiconductor contact
US3206827A (en) * 1962-07-06 1965-09-21 Gen Instrument Corp Method of producing a semiconductor device
DE1514807B2 (de) * 1964-04-15 1971-09-02 Texas Instruments Inc., Dallas. Tex. (V.St.A.) Verfahren zum herstellen einer planaren halbleiteranordnung
US3382568A (en) * 1965-07-22 1968-05-14 Ibm Method for providing electrical connections to semiconductor devices
US3391035A (en) * 1965-08-20 1968-07-02 Westinghouse Electric Corp Method of making p-nu-junction devices by diffusion
DE1544273A1 (de) * 1965-12-13 1969-09-04 Siemens Ag Verfahren zum Eindiffundieren von aus der Gasphase dargebotenem Dotierungsmaterial in einen Halbleitergrundkristall
JPS556287B1 (enExample) * 1966-04-27 1980-02-15
FR1531539A (fr) * 1966-05-23 1968-07-05 Siemens Ag Procédé de fabrication d'un transistor
DE1564608B2 (de) * 1966-05-23 1976-11-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen eines transistors
US3403284A (en) * 1966-12-29 1968-09-24 Bell Telephone Labor Inc Target structure storage device using diode array

Also Published As

Publication number Publication date
DE7015061U (de) 1972-01-05
FR2049078A1 (enExample) 1971-03-26
US3601888A (en) 1971-08-31
IE33752B1 (en) 1974-10-16
DE2019655C2 (de) 1982-05-06
FR2049078B1 (enExample) 1974-05-03
IE33752L (en) 1970-10-25
GB1317583A (en) 1973-05-23
JPS5443352B1 (enExample) 1979-12-19
NL7005888A (enExample) 1970-10-27
DE2019655A1 (de) 1970-11-12
BE749485A (fr) 1970-10-26
SE365343B (enExample) 1974-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL174684C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende het op een deel van een lichaam van halfgeleidermateriaal aanbrengen in een patroon van een laag van een metaal dat is gedoteerd met tenminste een de elektrische geleidingseigenschappen van het halfgeleidermateriaal wijzigende activator, het met handhaving van de maskerlaag aan een warmtebehandeling blootstellen van het halfgeleiderlichaam en de metaallaag, teneinde activatoratomen in het aan de metaallaag grenzende deel van het halfgeleiderlichaam te diffunderen en het aan de metaallaag bevestigen van een uitwendige aansluitgeleider.
NL7713724A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektri- sche inrichting en elektrische inrichting ver- vaardigd volgens deze werkwijze.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL7613464A (nl) Halfgeleiderinrichting, bestand tegen hoge spanningen, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL167049C (nl) Microschakelelement of geintegreerde schakeling met dunne geleiders en werkwijze ter vervaardiging van deze inrichtingen.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL185249C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrische geleiders op een isolerend substraat.
BR7605354A (pt) Conjunto semicondutor encapsulado e passivado e processo de fabrica-lo
NL7701519A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elek- trische verbindingsinrichting en elektrische verbindingsinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7510327A (nl) Halfgeleiderinrichting met ohms kontakt en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7507416A (nl) Elektrische inrichting van het elektrolytische type en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
BR7401204D0 (pt) Aperfeicoamento em dispositivo semicondutor de circuito integrado
NL168654B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype.
NL161304C (nl) Halfgeleiderinrichting met een laagvormig gebied en een door een isolerendelaag van het laagvormig gebied gescheiden elektrodelaag, zodat bij het aanleggen van een geschikte potentiaal op de elektrodelaag in het laagvormig gebied een uitputtingszone wordt gevormd.
NL163674C (nl) Halfgeleiderinrichting van het in glas ingesmolten type.
NL7511259A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van microbedradingen voor het contacteren van halfgeleiderschakelkringen.
NL7509590A (nl) Contactinrichting aan een electrisch geleidend planair samenstel, en werkwijze voor vervaardi- ging van de contactinrichting.
BE618081A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van elektrische halfgeleiderinrichtingen
NL177863C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van perslichamen voor elektrische contacten met laagsgewijs verschillende samenstelling en werkwijze voor het vervaardigen van dergelijke lichamen onder gebruikmaking van de inrichting.
NL165005C (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL174684B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende het op een deel van een lichaam van halfgeleidermateriaal aanbrengen in een patroon van een laag van een metaal dat is gedoteerd met tenminste een de elektrische geleidingseigenschappen van het halfgeleidermateriaal wijzigende activator, het met handhaving van de maskerlaag aan een warmtebehandeling blootstellen van het halfgeleiderlichaam en de metaallaag, teneinde activatoratomen in het aan de metaallaag grenzende deel van het halfgeleiderlichaam te diffunderen en het aan de metaallaag bevestigen van een uitwendige aansluitgeleider.
NL180466C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.
NL163378C (nl) Zelfklemmende contactplaat voor het monteren van elektrische en elektronische componenten.
NL7502537A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrische contactonderdelen en een aantal vingers en onder- deel vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7613313A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een basis van een halfgeleiderinrichting, extrusie-inrichting voor toepassing bij de werkwijze en halfgeleider- inrichting vervaardigd onder toepassing van de werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee