NL159536B - Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number
NL159536B
NL159536B NL7303449.A NL7303449A NL159536B NL 159536 B NL159536 B NL 159536B NL 7303449 A NL7303449 A NL 7303449A NL 159536 B NL159536 B NL 159536B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
same
semiconductor laser
laser
semiconductor
Prior art date
Application number
NL7303449.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7303449A (enExample
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7303449A publication Critical patent/NL7303449A/xx
Publication of NL159536B publication Critical patent/NL159536B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10P50/646—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
NL7303449.A 1972-03-13 1973-03-12 Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. NL159536B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2564472A JPS5321275B2 (enExample) 1972-03-13 1972-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7303449A NL7303449A (enExample) 1973-09-17
NL159536B true NL159536B (nl) 1979-02-15

Family

ID=12171529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7303449.A NL159536B (nl) 1972-03-13 1973-03-12 Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS5321275B2 (enExample)
DE (1) DE2312162C3 (enExample)
GB (1) GB1419695A (enExample)
NL (1) NL159536B (enExample)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1531238A (en) * 1975-01-09 1978-11-08 Standard Telephones Cables Ltd Injection lasers
NL176323C (nl) * 1975-03-11 1985-03-18 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van incoherente straling.
JPS606118B2 (ja) * 1975-03-12 1985-02-15 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置
JPS5215280A (en) * 1975-07-28 1977-02-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Cleavage semiconductor laser equipped with side surface light take-out waveguide
JPS5245296A (en) * 1975-10-07 1977-04-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductive phototransmission pass and semiconductor emission devic e used it
NL7607299A (nl) * 1976-07-02 1978-01-04 Philips Nv Injektielaser.
DE2760112C2 (enExample) * 1976-07-02 1989-05-18 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Nl
US4328508A (en) 1979-04-02 1982-05-04 Rca Corporation III-V Quaternary alloy photodiode
JPS5842283A (ja) * 1981-09-04 1983-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 埋込み型半導体レ−ザの製法
JPS62157339A (ja) * 1986-11-28 1987-07-13 Hitachi Ltd 情報再生装置
CA2006597A1 (en) * 1988-12-26 1990-06-26 Kazuo Kogure Method for manufacturing compound semiconductor devices and a compound semiconductor device
US5359619A (en) * 1992-02-20 1994-10-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multi-beam semiconductor laser and method for producing the same
JP4189610B2 (ja) * 1998-05-08 2008-12-03 ソニー株式会社 光電変換素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE2312162B2 (de) 1977-07-14
DE2312162C3 (de) 1978-03-09
JPS5321275B2 (enExample) 1978-07-01
NL7303449A (enExample) 1973-09-17
JPS4894378A (enExample) 1973-12-05
DE2312162A1 (de) 1973-10-04
GB1419695A (enExample) 1975-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7412121A (nl) Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting.
NL172710C (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
NL181671C (nl) Mat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
DK139208B (da) LSI-kredsløb samt fremgangsmåde til fremstilling af samme.
NL7509266A (nl) Verpakking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7413225A (nl) Geribde tijk en werkwijze voor het vervaardigen an.
BE796989A (nl) Stootstrip en werkwijze voor het vervaardigen daarvan
NL171010C (nl) Werkwijze voor het conserveren van champignons.
NL182354C (nl) Dynamisch geheugen en werkwijze voor het functioneren ervan.
NL7401037A (nl) Werkwijze en inrichting voor het tuften.
NL159536B (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL161301B (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
NL151209B (nl) Smeltveiligheid en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke smeltveiligheid.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL185044B (nl) Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7415809A (nl) Meerlagenfolie en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL7415206A (nl) Inslagbreisel en werkwijze voor het vervaardi- gen ervan.
NL155685B (nl) Gasontladingslaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL160989C (nl) Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL7416907A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen itssluitingen.
NL7512828A (nl) Halfgeleidergeheugeninrichting en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7311226A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen van de halfgeleiderinrichting.
BE755553A (nl) Verpakking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan
NL149263B (nl) Leirol en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: HITACHI