NL159536B - Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents
Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.Info
- Publication number
- NL159536B NL159536B NL7303449.A NL7303449A NL159536B NL 159536 B NL159536 B NL 159536B NL 7303449 A NL7303449 A NL 7303449A NL 159536 B NL159536 B NL 159536B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- manufacturing
- same
- semiconductor laser
- laser
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2564472A JPS5321275B2 (nl) | 1972-03-13 | 1972-03-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7303449A NL7303449A (nl) | 1973-09-17 |
NL159536B true NL159536B (nl) | 1979-02-15 |
Family
ID=12171529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7303449.A NL159536B (nl) | 1972-03-13 | 1973-03-12 | Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5321275B2 (nl) |
DE (1) | DE2312162C3 (nl) |
GB (1) | GB1419695A (nl) |
NL (1) | NL159536B (nl) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1531238A (en) * | 1975-01-09 | 1978-11-08 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection lasers |
NL176323C (nl) * | 1975-03-11 | 1985-03-18 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van incoherente straling. |
JPS606118B2 (ja) * | 1975-03-12 | 1985-02-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体レーザ装置 |
JPS5215280A (en) * | 1975-07-28 | 1977-02-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Cleavage semiconductor laser equipped with side surface light take-out waveguide |
JPS5245296A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductive phototransmission pass and semiconductor emission devic e used it |
DE2760112C2 (nl) * | 1976-07-02 | 1989-05-18 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Nl | |
NL7607299A (nl) * | 1976-07-02 | 1978-01-04 | Philips Nv | Injektielaser. |
JPS5842283A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 埋込み型半導体レ−ザの製法 |
JPS62157339A (ja) * | 1986-11-28 | 1987-07-13 | Hitachi Ltd | 情報再生装置 |
US5250471A (en) * | 1988-12-26 | 1993-10-05 | The Furukawa Electric Co. | Method for manufacturing compound semiconductor devices including a step where the semiconductor is etched without exposure to light |
US5359619A (en) * | 1992-02-20 | 1994-10-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Multi-beam semiconductor laser and method for producing the same |
JP4189610B2 (ja) * | 1998-05-08 | 2008-12-03 | ソニー株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
-
1972
- 1972-03-13 JP JP2564472A patent/JPS5321275B2/ja not_active Expired
-
1973
- 1973-03-12 NL NL7303449.A patent/NL159536B/nl not_active IP Right Cessation
- 1973-03-12 GB GB1184073A patent/GB1419695A/en not_active Expired
- 1973-03-12 DE DE2312162A patent/DE2312162C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS4894378A (nl) | 1973-12-05 |
DE2312162C3 (de) | 1978-03-09 |
DE2312162A1 (de) | 1973-10-04 |
DE2312162B2 (de) | 1977-07-14 |
GB1419695A (nl) | 1975-12-31 |
NL7303449A (nl) | 1973-09-17 |
JPS5321275B2 (nl) | 1978-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL7412121A (nl) | Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting. | |
NL172710C (nl) | Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser. | |
NL181671C (nl) | Mat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
DK139208B (da) | LSI-kredsløb samt fremgangsmåde til fremstilling af samme. | |
NL7509266A (nl) | Verpakking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL7413225A (nl) | Geribde tijk en werkwijze voor het vervaardigen an. | |
BE796989A (nl) | Stootstrip en werkwijze voor het vervaardigen daarvan | |
NL171010C (nl) | Werkwijze voor het conserveren van champignons. | |
NL182354C (nl) | Dynamisch geheugen en werkwijze voor het functioneren ervan. | |
NL158026B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL7401037A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het tuften. | |
NL159536B (nl) | Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL161301B (nl) | Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan. | |
NL151209B (nl) | Smeltveiligheid en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke smeltveiligheid. | |
NL164157C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling. | |
NL185044B (nl) | Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL7415809A (nl) | Meerlagenfolie en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan. | |
NL155685B (nl) | Gasontladingslaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL7415206A (nl) | Inslagbreisel en werkwijze voor het vervaardi- gen ervan. | |
NL160989C (nl) | Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan. | |
NL7416907A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen itssluitingen. | |
NL7512828A (nl) | Halfgeleidergeheugeninrichting en werkwijze voor het vervaardigen ervan. | |
NL7311226A (nl) | Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
BE755553A (nl) | Verpakking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan | |
NL170504C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van gietvormen of gietkernen. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
NL80 | Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent |
Owner name: HITACHI |