NL159536B - Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number
NL159536B
NL159536B NL7303449.A NL7303449A NL159536B NL 159536 B NL159536 B NL 159536B NL 7303449 A NL7303449 A NL 7303449A NL 159536 B NL159536 B NL 159536B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
same
semiconductor laser
laser
semiconductor
Prior art date
Application number
NL7303449.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7303449A (nl
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7303449A publication Critical patent/NL7303449A/xx
Publication of NL159536B publication Critical patent/NL159536B/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • H01L21/30612Etching of AIIIBV compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
NL7303449.A 1972-03-13 1973-03-12 Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. NL159536B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2564472A JPS5321275B2 (nl) 1972-03-13 1972-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7303449A NL7303449A (nl) 1973-09-17
NL159536B true NL159536B (nl) 1979-02-15

Family

ID=12171529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7303449.A NL159536B (nl) 1972-03-13 1973-03-12 Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS5321275B2 (nl)
DE (1) DE2312162C3 (nl)
GB (1) GB1419695A (nl)
NL (1) NL159536B (nl)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1531238A (en) * 1975-01-09 1978-11-08 Standard Telephones Cables Ltd Injection lasers
NL176323C (nl) * 1975-03-11 1985-03-18 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van incoherente straling.
JPS606118B2 (ja) * 1975-03-12 1985-02-15 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置
JPS5215280A (en) * 1975-07-28 1977-02-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Cleavage semiconductor laser equipped with side surface light take-out waveguide
JPS5245296A (en) * 1975-10-07 1977-04-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductive phototransmission pass and semiconductor emission devic e used it
DE2760112C2 (nl) * 1976-07-02 1989-05-18 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Nl
NL7607299A (nl) * 1976-07-02 1978-01-04 Philips Nv Injektielaser.
JPS5842283A (ja) * 1981-09-04 1983-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 埋込み型半導体レ−ザの製法
JPS62157339A (ja) * 1986-11-28 1987-07-13 Hitachi Ltd 情報再生装置
US5250471A (en) * 1988-12-26 1993-10-05 The Furukawa Electric Co. Method for manufacturing compound semiconductor devices including a step where the semiconductor is etched without exposure to light
US5359619A (en) * 1992-02-20 1994-10-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multi-beam semiconductor laser and method for producing the same
JP4189610B2 (ja) * 1998-05-08 2008-12-03 ソニー株式会社 光電変換素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4894378A (nl) 1973-12-05
DE2312162C3 (de) 1978-03-09
DE2312162A1 (de) 1973-10-04
DE2312162B2 (de) 1977-07-14
GB1419695A (nl) 1975-12-31
NL7303449A (nl) 1973-09-17
JPS5321275B2 (nl) 1978-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7412121A (nl) Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting.
NL172710C (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
NL181671C (nl) Mat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
DK139208B (da) LSI-kredsløb samt fremgangsmåde til fremstilling af samme.
NL7509266A (nl) Verpakking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7413225A (nl) Geribde tijk en werkwijze voor het vervaardigen an.
BE796989A (nl) Stootstrip en werkwijze voor het vervaardigen daarvan
NL171010C (nl) Werkwijze voor het conserveren van champignons.
NL182354C (nl) Dynamisch geheugen en werkwijze voor het functioneren ervan.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL7401037A (nl) Werkwijze en inrichting voor het tuften.
NL159536B (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL161301B (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
NL151209B (nl) Smeltveiligheid en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke smeltveiligheid.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL185044B (nl) Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7415809A (nl) Meerlagenfolie en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL155685B (nl) Gasontladingslaser en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7415206A (nl) Inslagbreisel en werkwijze voor het vervaardi- gen ervan.
NL160989C (nl) Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL7416907A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen itssluitingen.
NL7512828A (nl) Halfgeleidergeheugeninrichting en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7311226A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen van de halfgeleiderinrichting.
BE755553A (nl) Verpakking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan
NL170504C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gietvormen of gietkernen.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: HITACHI