NL144778B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.

Info

Publication number
NL144778B
NL144778B NL676716390A NL6716390A NL144778B NL 144778 B NL144778 B NL 144778B NL 676716390 A NL676716390 A NL 676716390A NL 6716390 A NL6716390 A NL 6716390A NL 144778 B NL144778 B NL 144778B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
anisotroope
etching
manufacturing
well
semiconductor device
Prior art date
Application number
NL676716390A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6716390A (enExample
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL6716390A publication Critical patent/NL6716390A/xx
Publication of NL144778B publication Critical patent/NL144778B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/021—Manufacture or treatment of air gaps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/32—Alkaline compositions
    • C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642—Chemical etching
    • H10P50/644—Anisotropic liquid etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/69—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials
    • H10P50/691—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group IV materials or Group III-V materials
    • H10P50/693—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group IV materials or Group III-V materials characterised by their size, orientation, disposition, behaviour or shape, in horizontal or vertical plane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/20—Air gaps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
NL676716390A 1966-12-20 1967-12-01 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. NL144778B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US60329266A 1966-12-20 1966-12-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6716390A NL6716390A (enExample) 1968-06-21
NL144778B true NL144778B (nl) 1975-01-15

Family

ID=24414811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL676716390A NL144778B (nl) 1966-12-20 1967-12-01 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.

Country Status (7)

Country Link
BE (1) BE708163A (enExample)
DE (1) DE1621532B2 (enExample)
FR (1) FR1548079A (enExample)
GB (1) GB1212379A (enExample)
MY (1) MY7300447A (enExample)
NL (1) NL144778B (enExample)
SE (1) SE342526B (enExample)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3844858A (en) * 1968-12-31 1974-10-29 Texas Instruments Inc Process for controlling the thickness of a thin layer of semiconductor material and semiconductor substrate
GB1288278A (enExample) * 1968-12-31 1972-09-06
US3579057A (en) * 1969-08-18 1971-05-18 Rca Corp Method of making a semiconductor article and the article produced thereby
CA957782A (en) * 1970-01-26 1974-11-12 Theodore Kamprath Capacitor structure for integrated circuits
DE2106540A1 (de) * 1970-02-13 1971-08-19 Texas Instruments Inc Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4668333A (en) * 1985-12-13 1987-05-26 Xerox Corporation Image sensor array for assembly with like arrays to form a longer array
DE3879771D1 (de) * 1987-05-27 1993-05-06 Siemens Ag Aetzverfahren zum erzeugen von lochoeffnungen oder graeben in n-dotiertem silizium.
GB9204078D0 (en) * 1992-02-26 1992-04-08 Philips Electronics Uk Ltd Infrared detector manufacture
US5508231A (en) * 1994-03-07 1996-04-16 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for achieving mechanical and thermal isolation of portions of integrated monolithic circuits

Also Published As

Publication number Publication date
SE342526B (enExample) 1972-02-07
FR1548079A (enExample) 1968-11-29
DE1621532A1 (de) 1970-10-22
BE708163A (enExample) 1968-05-02
NL6716390A (enExample) 1968-06-21
DE1621532B2 (de) 1971-10-07
MY7300447A (en) 1973-12-31
GB1212379A (en) 1970-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL140175B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfborgend van een schroefdraadschacht voorzien bevestigingsorgaan, alsmede aldus vervaardigd zelfborgend van een schroefdraadschacht voorzien bevestigingsorgaan.
NL161616B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL159124B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan.
NL142287B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL161300C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting met een zenerdiode en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL144520B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gemetalliseerde foelies.
NL139843B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen.
NL152115B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.
NL149562B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een massieve plaat.
NL171759B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van lichtemitterende halfgeleiderinrichtingen.
NL139874B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze.
NL145442B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ritssluiting, alsmede een ritssluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL145001B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een poreuze foelie.
NL158323C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
NR80 Reference from main patent to patent of addition

Ref document number: 152115

Country of ref document: NL

Date of ref document: 19750516

Format of ref document f/p: P

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: WESTERN ELECTRI