NL139414B - Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze.Info
- Publication number
- NL139414B NL139414B NL63292671A NL292671A NL139414B NL 139414 B NL139414 B NL 139414B NL 63292671 A NL63292671 A NL 63292671A NL 292671 A NL292671 A NL 292671A NL 139414 B NL139414 B NL 139414B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- procedure
- semi
- rectangular
- applying
- device provided
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/061—Tipping system, e.g. by rotation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/107—Melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/915—Amphoteric doping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US194466A US3158512A (en) | 1962-05-14 | 1962-05-14 | Semiconductor devices and methods of making them |
DER35142A DE1260032B (de) | 1962-05-14 | 1963-05-09 | Verfahren zur Bildung einer gleichrichtenden Sperrschicht in einem Halbleiterscheibchen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL139414B true NL139414B (nl) | 1973-07-16 |
Family
ID=25991662
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL292671D NL292671A (ko) | 1962-05-14 | ||
NL63292671A NL139414B (nl) | 1962-05-14 | 1963-05-13 | Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze. |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL292671D NL292671A (ko) | 1962-05-14 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3158512A (ko) |
BE (1) | BE632279A (ko) |
DE (1) | DE1260032B (ko) |
GB (1) | GB1004950A (ko) |
NL (2) | NL139414B (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1018395A (en) * | 1963-05-21 | 1966-01-26 | Ass Elect Ind | Recrystallization of sulphides of cadmium and zin'c in thin films |
US3827399A (en) * | 1968-09-27 | 1974-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Apparatus for epitaxial growth from the liquid state |
US3791344A (en) * | 1969-09-11 | 1974-02-12 | Licentia Gmbh | Apparatus for liquid phase epitaxy |
US3665888A (en) * | 1970-03-16 | 1972-05-30 | Bell Telephone Labor Inc | Horizontal liquid phase crystal growth apparatus |
US3677228A (en) * | 1970-04-17 | 1972-07-18 | Bell Telephone Labor Inc | Crystal growth apparatus |
US3755016A (en) * | 1972-03-20 | 1973-08-28 | Motorola Inc | Diffusion process for compound semiconductors |
JPS5111472B1 (ko) * | 1974-03-12 | 1976-04-12 | ||
US4571448A (en) * | 1981-11-16 | 1986-02-18 | University Of Delaware | Thin film photovoltaic solar cell and method of making the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL91163C (ko) * | 1952-09-16 | |||
FR1103544A (fr) * | 1953-05-25 | 1955-11-03 | Rca Corp | Dispositifs semi-conducteurs, et procédé de fabrication de ceux-ci |
GB781795A (en) * | 1954-03-12 | 1957-08-28 | Gen Electric | Improvements relating to the manufacture of p-n junction devices |
US2950219A (en) * | 1955-02-23 | 1960-08-23 | Rauland Corp | Method of manufacturing semiconductor crystals |
US2817609A (en) * | 1955-06-24 | 1957-12-24 | Hughes Aircraft Co | Alkali metal alloy agents for autofluxing in junction forming |
US2977256A (en) * | 1956-08-16 | 1961-03-28 | Gen Electric | Semiconductor devices and methods of making same |
NL107669C (ko) * | 1956-10-01 | |||
NL229017A (ko) * | 1957-06-25 | 1900-01-01 | ||
FR1196024A (fr) * | 1957-11-20 | 1959-11-20 | Thomson Houston Comp Francaise | Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage et variation de ségrégation |
US2988464A (en) * | 1958-09-29 | 1961-06-13 | Texas Instruments Inc | Method of making transistor having thin base region |
-
0
- BE BE632279D patent/BE632279A/xx unknown
- NL NL292671D patent/NL292671A/xx unknown
-
1962
- 1962-05-14 US US194466A patent/US3158512A/en not_active Expired - Lifetime
-
1963
- 1963-04-22 GB GB15788/63A patent/GB1004950A/en not_active Expired
- 1963-05-09 DE DER35142A patent/DE1260032B/de active Pending
- 1963-05-13 NL NL63292671A patent/NL139414B/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL292671A (ko) | |
US3158512A (en) | 1964-11-24 |
DE1260032B (de) | 1968-02-01 |
GB1004950A (en) | 1965-09-22 |
BE632279A (ko) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL159533B (nl) | Werkwijze voor het met een tussenruimte scheiden van door verdeling van een halfgeleiderschijf gevormde halfgeleiderplaatjes, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
NL161617B (nl) | Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL162791C (nl) | Werkwijze voor het samenstellen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL151274B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een ondergrond met een polymeer materiaal. | |
NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL154870B (nl) | Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting. | |
NL142281B (nl) | Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL181696C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam. | |
NL140656B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL142283B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde. | |
NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL151213B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL161920B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd. | |
NL139414B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL168654C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL143734B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze. | |
NL141030B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL140363B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. |