MXPA00008370A - Diseño de bastidor vertical sin deslizamiento con brazos horizontales redondeados - Google Patents

Abstract

La invención se refiere a un bastidor vertical para el procesamiento de obleas para semiconductores que tiene brazos colocados estrictamente en posición horizontal, en cada braza tiene una punta redondeada y una superiro suave (Ra<1µm).

Description

DISEÑO DE BASTIDOR VERTICAL SIN DESLIZAMIENTO CON BRAZOS HORIZONTALES REDONDEADOS MEMORIA DESCRIPTIVA La fabricación de dispositivos semiconductores, tales como los circuitos integrados, casi siempre requiere obleas de silicio tratadas en caliente en presencia de gases reactivos. Durante este procedimiento, las temperaturas y concentraciones de gas a las que se exponen los dispositivos deben controlarse con todo cuidado, ya que los dispositivos a menudo incluyen elementos de circuitería menores a 1 um en tamaño, los cuales son sensibles a variaciones diminutas en el ambiente de procesamiento. Por lo regular, la industria de fabricación de semiconductores procesa estas obleas en soportes horizontales o verticales. El soporte horizontal, a menudo denominado "gamella", tiene tres o cuatro barras colocadas en posición horizontal en un diseño de semicírculo; cada barra tiene hendiduras que dan hacia adentro en la misma a intervalos regulares. Cada conjunto de hendiduras define un espacio vertical para llevar una oblea colocada en posición vertical. El soporte vertical, a menudo denominado "bastidor vertical", tiene tres o cuatro varillas (o postes) colocadas en posición vertical en un diseño de semicírculo; cada poste tiene ranuras en el mismo a intervalos regulares para definir un espacio para soportar una oblea colocada en posición horizontal. Para garantizar la precisión geométrica necesaria en este campo, las tres o cuatro varillas se encuentran fijas a una placa superior y una placa inferior. Las porciones del poste entre cada ranura, denominadas "dientes", tienen separaciones idénticas para soportar las obleas a intervalos regulares desde y en posición paralela a la placa inferior. Entonces, el bastidor completo se coloca dentro de un horno vertical para procesar las obleas. Ya que una oblea procesada en un bastidor vertical experimenta menos de un gradiente de temperatura sobre su superficie (en comparación con una oblea procesada en una gamella horizontal), los fabricantes de semiconductores recurren cada vez más a hornos verticales. Sin embargo, existe una desventaja en el horneado vertical. Las obleas colocadas en un bastidor vertical convencional sólo quedan soportadas por el borde exterior. En consecuencia, las áreas de la oblea que descansan sobre esos dientes experimentan mayor tensión que el resto de la oblea. Cuando las temperaturas en el horno exceden alrededor de 1000°C, estas tensiones a menudo llegan a ser significativas, y las porciones de la oblea de cristal aislada se mueven relativamente una con otra por las placas cristalográficas en respuesta a esa tensión. Este fenómeno, denominado "deslizamiento", destruye con eficacia el valor de los dispositivos semiconductores ubicados en el área de la oblea donde ocurre el deslizamiento. En respuesta al problema de deslizamiento, la técnica ha desarrollado un alojamiento de bastidores verticales que tienen dientes extendidos inclinados en posición vertical sobre los cuales queda soportada una oblea en posición horizontal sólo en una región cercana a su centro.

Véase por ejemplo la patente de E.U.A. No. 5,492,229 ("Tanaka"), figura 2b de WO 96/35228 ("Tomanovich") y figuras 5-7 de la patente de E.U.A. No. 5,586,880 ("Ohsawa"). Estas configuraciones proveen lo que la técnica ha designado "soporte cerca del centro". Aunque el bastidor que produce "soporte cerca del centro" ha eliminado el deslizamiento en muchas aplicaciones de procesamiento de obleas, es ineficaz de alguna manera, ya que la porción del brazo que se eleva desde el plano horizontal para producir el soporte cerca del centro aumenta por necesidad el periodo de separación vertical del bastidor, es decir, la distancia de oblea a oblea. Por ejemplo, Tanaka explica en forma específica que su elevador se extiende en forma vertical al menos 0.3 mm aproximadamente desde la porción plana del diente. Por ende, el estilo de soporte cerca del centro del bastidor vertical casi siempre puede acomodar sólo alrededor del 90% de las obleas usualmente acomodadas mediante el bastidor vertical convencional. La figura 3(b) de Tomanovich describe un bastidor vertical, en donde los brazos son estrictamente horizontales y no se elevan. Aunque se ha descubierto que este bastidor elimina el deslizamiento en algunas aplicaciones de procesamiento de obleas para semiconductores a alta temperatura, tiene un desempeño menor en aplicaciones de mayor exigencia. EP 0807961 A1 describe un bastidor vertical en el que los brazos horizontales tienen bordes redondeados; sin embargo, Nakajima no reconoce la necesidad de hacer la aspereza de la superficie de la porción horizontal menor a 1 um con el objeto de evitar el deslizamiento bajo condiciones extremas. De hecho, ya que el ejemplo 1 de Nakajima muestra que una aspereza de superficie de 5-58 um está totalmente bien, él no provee un bastidor en donde los brazos horizontales tengan una aspereza de superficie no mayor a 1 um. Por lo tanto, existe la necesidad de un bastidor vertical que sea tan eficaz como el bastidor de estilo convencional e incluso elimine el deslizamiento en aplicaciones más exigentes del procesamiento de obleas. El solicitante descubrió un brazo horizontal que tiene una superficie superior muy suave, y era necesario un borde redondeado para evitar el deslizamiento en condiciones extremas. El entendimiento de que ambas características son necesarias no se reconoce del todo en la técnica mencionada. El bastidor de la presente invención incluye un brazo que primero se extiende en posición horizontal estrictamente desde la varilla vertical y después se inclina con delicadeza hacia abajo, y tiene una superficie superior suave. Los experimentos preliminares que comprenden el bastidor de la presente invención han demostrado que el deslizamiento se elimina esencialmente en obleas de silicio de 200 mm en una aplicación de procesamiento de obleas a 1200°C. Por el contrario, un bastidor vertical con dimensiones similares que tiene brazos estrictamente horizontales (es decir, la figura 3b de Tomanovich) produjo deslizamiento en aproximadamente 50% de las obleas en la misma aplicación de procesamiento. Por lo tanto, el bastidor de la presente invención es más compacto y eficaz que los bastidores de soporte cerca del centro (ya que no tiene elevador) y es más eficaz para evitar el deslizamiento que el bastidor con brazo estrictamente horizontal. El desempeño excepcional de este bastidor es sorprendente porque parece que su diseño provoca deslizamiento, pero en realidad lo evita. De manera específica, los bastidores de soporte cerca del centro buscan prevenir el deslizamiento evitando demasiado hundimiento en las porciones interiores de la oblea. Al proveer una porción con borde ligeramente descendente (o "redondeado"), el bastidor de la presente invención parece fomentar el hundimiento en las porciones interiores de la oblea. No obstante, este diseño ha demostrado eficacia en la prevención del deslizamiento. Sin el deseo de apegarse a la teoría, se cree que el diseño de la presente invención aprovecha la naturaleza monocristalina de la oblea de silicio. De manera específica, la oblea de silicio responde con elasticidad en el procesamiento de obleas para semiconductores hundiéndose ligeramente cuando es expuesta a temperaturas elevadas, para después recuperar su forma plana inicial al enfriarse. Parece que sólo cuando la oblea hundida también se confronta con una región de concentración de tensión (es decir, el hundimiento se ve interrumpido por un borde agudo de soporte) sí produce deslizamiento. Ya que el borde del brazo de soporte de la presente invención está redondeado, la oblea ligeramente hundida queda soportada en un área de superficie en aumento cuyo paso elimina en esencia (o reduce de manera sustancial) la concentración de tensión. Se cree que el aumento en el área de superficie (que provee mayor soporte para la oblea hundida) y la naturaleza redondeada del borde (que evita la concentración de tensión) desempeñan un papel en la aplicación exitosa de este bastidor. Aunque las figuras 5-6 de Ohsawa describen un bastidor cuyos brazos tienen un borde de inclinación descendente, el texto anexo aclara que el bastidor sólo provee soporte cerca del centro; es decir, el texto explica que la construcción del brazo prosigue haciendo primero un orificio transversal a través de la varilla y después haciendo una plataforma horizontal que se conecta al orificio, pero así lo hace por encima la base del orificio para producir un elevador. Este elevador provoca la ineficacia por las razones ya expuestas. Ohsawa no habla ni sugiere la eliminación del primer paso de hacer el orificio para eliminar el elevador. Por lo tanto, de conformidad con la presente invención, se provee un bastidor vertical hecho de cerámica que tiene una concentración de fierro no mayor a 50 ppm aproximadamente, y comprende: a) un medio de soporte vertical que incluye una base horizontal en general y una porción vertical que se extiende a partir de la misma en posición vertical, b) una pluralidad de medios de soporte horizontales separados verticalmente que se extienden en dirección horizontal desde la porción vertical, en donde al menos un medio de soporte horizontal incluye: i) una porción de superficie superior horizontal que se extiende en forma continua y horizontal desde la porción vertical y tiene una aspereza de superficie Ra no mayor a 1 miera (µm), y ii) una porción de superficie superior redondeada que se inclina hacia abajo desde la porción de la superficie superior horizontal. De preferencia, la porción vertical del bastidor vertical además incluye una sección transversal horizontal arqueada que define un radio máximo Rmax que tiene un punto central, la pluralidad de medios de soporte horizontales separados en posición vertical se extiende en dirección horizontal desde la porción vertical sustancialmente hacia el punto central, la porción de superficie superior horizontal se extiende en forma continua y horizontal desde la porción vertical hacia el punto central para una distancia de al menos 20% de Rmax, y la porción de superficie superior redondeada se inclina hacia abajo desde la porción de superficie superior horizontal hacia el punto central. También de conformidad con la presente invención, se provee una combinación que comprende: a) el bastidor mencionado, y b) una pluralidad de obleas que tienen un radio de oblea no mayor a Rmax, en donde cada oblea queda soportada en posición horizontal mediante uno de la pluralidad de medios de soporte horizontales. También conforme a la presente invención, se provee un procedimiento para tratar obleas para semiconductores, el cual comprende los pasos de: a) proveer la combinación mencionada, en donde cada oblea tiene un Rmax de al menos 200 mm, y b) elevar la temperatura de las obleas para semiconductores a por lo menos 1000°C durante 15 minutos por lo menos. La figura 1 es una vista lateral del bastidor vertical de la presente invención que soporta una oblea colocada en posición horizontal. La figura 2 es una vista superior de la combinación de oblea/bastidor vertical preferido de la figura 1. La figura 3 presenta las áreas de sombra producidas por el bastidor vertical preferido de la presente invención, como lo describe la figura 2. Respecto a la figura 1 , se provee una combinación preferida de bastidor vertical 11 /oblea W, el bastidor vertical incluye: a) una placa superior 12, b) una placa inferior 13, y c) una pluralidad de varillas verticales 14, el extremo superior 15 de cada varilla que está fija en la periferia de la placa superior 12 y el extremo inferior 16 de cada varilla que está fijo en la periferia de la placa inferior 13, cada una de las varillas verticales tiene una pluralidad de brazos horizontales 17 separados de manera equidistante desde la placa inferior 13 para definir una pluralidad de niveles de soporte para soportar en posición horizontal las obleas W, cada oblea tiene un punto central C, en donde cada brazo incluye: a) una porción de superficie superior horizontal 18 que se extiende de manera continua y horizontal desde la varilla y hace contacto continuo con la oblea W desde el borde de la oblea, de manera que el contacto más inferior 19 entre el brazo y la oblea es en la región entre 20% y 80% del radio de la oblea, que se mide desde el radio de la oblea y b) una porción de superficie superior redondeada 20 que se inclina hacia abajo desde la porción de superficie superior horizontal 18 hacia el punto central de la oblea C. La figura 2 muestra cómo están orientadas las varillas 14 para formar una sección transversal horizontal que define un radio máximo Rma? (como lo muestra la línea punteada) que tiene un punto central C. En esta figura, la línea punteada también corresponde a la oblea más grande que podría acomodar el bastidor. En una modalidad preferida, el contacto más interior entre por lo menos uno y de preferencia cada uno de al menos tres de brazos y la oblea soportada correspondiente es en la región entre 33% y 66% del radio de la oblea. Además, el área de contacto total entre los brazos de un nivel de soporte y la oblea soportada correspondiente casi siempre está entre aproximadamente 1 % y alrededor de 5% del área de superficie de la oblea que hace contacto con los brazos. Para reducir al mínimo la tensión inducida por deslizamiento, las superficies de los brazos sobre los que se encuentran soportadas las obleas (es decir, la porción horizontal del brazo y el borde de inclinación descendente) tienen una aspereza de superficie Ra no mayor a 1 um, como lo define la sección 3.9.1 de la norma nacional ANSI/ASME B46.1-1985. Si la suavidad de la porción horizontal es alrededor de 2 um, entonces cuando la oblea se expande durante el calentamiento, las porciones de picos de los brazos evitarán la expansión suave de la oblea y este fenómeno provocará el deslizamiento. Ya que la frecuencia del deslizamiento aumenta en general, porque la industria tiende a obleas de diámetro mayor, las ventajas de recurrir al bastidor de la presente invención se demuestran con mayor claridad en aplicaciones que tienen dicha obleas de diámetro mayor. Por ende, el bastidor de la presente invención se utiliza de manera conveniente al procesar obleas que tienen un diámetro de por lo menos 200 mm, por mayor conveniencia con obleas que tienen un diámetro de por lo menos 250 mm, y por mayor conveniencia aún con obleas que tienen un diámetro de por lo menos 300 mm. En consecuencia, los bastidores verticales de la presente invención cuyas varillas verticales definen un diámetro de soporte para obleas de por lo menos 200 mm proveen una ventaja especial. Se provee mayor ventaja cuando las varillas verticales definen un diámetro de soporte para obleas de por lo menos 250 mm, y se ofrece mayor conveniencia aún cuando las varillas verticales definen un diámetro de soporte para obleas de al menos 300 mm. De manera similar, ya que la frecuencia de deslizamiento aumenta en general, porque la industria tiende a temperaturas de procesamiento mayores, las ventajas de recurrir al bastidor de la presente invención se demuestran con mayor claridad en las aplicaciones que tienen las temperaturas de procesamiento mayores. Por ende, el bastidor de la presente invención se utiliza con mayor conveniencia cuando la temperatura de la oblea llega a por lo menos 1000°C aproximadamente durante 15 minutos por lo menos. Se provee mayor ventaja cuando la temperatura de la oblea llega a por lo menos 1100°C aproximadamente, y se provee aún mayor conveniencia cuando la temperatura de la oblea llega a por lo menos 1200°C aproximadamente durante 30 minutos por lo menos. Aunque es deseable que el brazo se extienda desde la varilla en un ángulo perfectamente horizontal, dicha perfección se logra en el mercado rara vez. En consecuencia, el ángulo de desviación de la porción de superficie superior horizontal del brazo desde la posición horizontal (como lo define la base) casi siempre está entre 0o y 0.2°grados aproximadamente. Al estar dentro de esta tolerancia, se conserva la eficiencia del brazo plano. El borde redondeado del brazo no sólo provee un área de soporte en aumento para la oblea durante su estado crítico de hundimiento, pero tampoco tiene características de concentración de tensión. La curvatura del borde redondeado de preferencia es hemisférica sustancialmente y define un radio R entre 3 mm y 50 mm, con mayor preferencia entre 5 mm y 20 mm. La aspereza de superficie Ra en general no es mayor a alrededor de 2 um, de preferencia no mayor a 1 um. En una modalidad preferida, el borde redondeado provee una superficie de soporte de inclinación descendente que tiene un grado de aproximadamente 1/10 (es decir, se inclina hacia abajo alrededor de 0.5 mm sobre los últimos 5 mm del brazo). En general, el borde redondeado provee una superficie de soporte en inclinación descendente que tiene un grado entre 1/30 y 1/3 aproximadamente. En algunas modalidades, como se ilustra en la figura 2, los bordes laterales 21 de los brazos están redondeados. La distancia por la que casi siempre se extiende la porción de la superficie superior horizontal desde la varilla vertical (hallada con la medición de la distancia más corta entre el extremo de la proyección y la varilla, e ilustrada como "A" en la figura 2) depende en general del tamaño de la oblea que va a procesarse. Por ejemplo, cuando la oblea que va a procesarse tiene un diámetro de 15.24 cm, la porción de la superficie superior horizontal casi siempre termina a 15 mm por lo menos del borde de la varilla por lo regular entre aproximadamente 20mm y alrededor de 40 mm desde la varilla, y de preferencia alrededor de 27 mm desde el borde de la varilla. Cuando la oblea que va a procesarse tiene un diámetro de 20.32 cm, la porción de la superficie superior horizontal casi siempre termina a 22 mm por lo menos desde el borde de la varilla, por lo regular entre aproximadamente 30 mm y alrededor de 50 mm desde la varilla, y de preferencia alrededor de 36 mm desde el borde de la varilla. Cuando la oblea que va a procesarse tiene un diámetro de 30.48 cm, la porción de la superficie superior horizontal casi siempre termina a 30 mm por lo menos del borde de la varilla, por lo común entre aproximadamente 40 mm y alrededor de 70 mm desde la varilla, y de preferencia alrededor de 54 mm desde el borde de la varilla. Casi siempre, la porción de la superficie superior horizontal del brazo soporta la oblea desde su periferia a una distancia correspondiente entre 20% y 80% del radio de la oblea soportada, con mayor regularidad entre 33% y 66% del radio de la oblea. El bastidor vertical de la presente invención puede elaborarse a partir de cualquier material de cerámica que tenga una pureza de fierro que permita su uso en la producción de bastidores verticales a altas temperaturas para procesamiento de semiconductores. De preferencia, el material es carburo de silicio recristalizado. Con mayor preferencia, el componente de carburo de silicio recristalizado tiene menos de 10 ppm de fierro. El material de bastidor también puede ser CVD revestido con materiales refractarios, tales como carburo de silicio, nitruro de silicio o diamante. De preferencia, el bastidor comprende CRYSTAR, un carburo de silicio recristalizado disponible de Norton Company of Worcester, MA. En modalidades preferidas, el material de bastidor comprende carburo de silicio siliconado. En modalidades preferidas, el material de bastidor tiene una resistencia a la flexión de 1200°C (punto 4) de por lo menos 150 MPa. Se ha observado que los brazos de bastidores verticales casi siempre protegen o "ensombrecen", gases reactivos y/o calor radiante (los cuales entran de la periferia del horno vertical) de las porciones de la oblea dentro de y adyacente a los postes. En consecuencia se producen variaciones significativas en la temperatura y/o concentración de gas entre la porción "ensombrecida" de la oblea y el resto de la oblea. Estas variaciones contribuyen a la tensión inducida por deslizamiento. Por lo tanto, en algunas modalidades, los brazos están orientados de manera radial, de modo que producen una sombra en menos del 30% de la oblea, de preferencia menos del 10% de la oblea. Para los propósitos de la presente invención, el porcentaje de sombras se calcula determinando el porcentaje de la superficie de la oblea sobre la que pueden proseguir, de manera radial y directa, el calor y/o los gases de reacción desde la periferia del bastidor en una trayectoria desbloqueada por los brazos. La porción sombreada de la figura 3 representa la sombra producida por las varillas de la figura 2 sobre la oblea.

Claims (14)

NOVEDAD DE LA INVENCIÓN REIVINDICACIONES

1.- Un bastidor vertical elaborado de cerámica que tiene una concentración de fierro no mayor a alrededor de 50 ppm y que comprende: a) un medio de soporte vertical que incluye una base en general horizontal y una porción vertical que se extiende en dirección vertical desde la misma, b) una pluralidad de medios horizontales separados verticalmente que se extienden desde la porción vertical, en donde al menos un medio de soporte horizontal incluye: i) una porción de superficie superior horizontal que se extiende de manera horizontal y continua desde la porción vertical y tiene una aspereza de superficie Ra no mayor a 1 miera (µm), y ii) una porción de superficie superior redondeada inclinada hacia abajo desde la porción de superficie superior horizontal.

2.- Un bastidor vertical de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque la porción vertical comprende una sección transversal horizontal arqueada que define un radio máximo Rmax que tiene un punto central, en donde la pluralidad de medios de soporte horizontales separados verticalmente se extiende en dirección horizontal desde la porción vertical sustancialmente hacia el punto central, en donde la porción de superficie superior horizontal se extiende de manera continua y horizontal desde la porción vertical hacia el punto central por una distancia de por lo menos 20% de Rmax, y en donde la porción de superficie superior redondeada se inclina hacia abajo desde la porción de superficie superior horizontal hacia el punto central.

3.- El bastidor de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado además porque la base es una placa, y el medio de soporte vertical incluye al menos tres varillas verticales.

4.- El bastidor de conformidad con la reivindicación 3, caracterizado además porque cada medio de soporte horizontal separado verticalmente comprende una pluralidad de brazos, en donde un brazo se extiende en dirección horizontal desde una sola varilla correspondiente.

5.- El bastidor de conformidad con la reivindicación 4, caracterizado además porque el medio de soporte vertical comprende no más de tres varillas verticales.

6.- El bastidor de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque cada medio de soporte horizontal separado verticalmente comprende una pluralidad de brazos, en donde un brazo se extiende de manera continua y horizontal desde cada una de al menos tres varillas verticales, y al menos un brazo tiene bordes laterales redondeados.

7.- El bastidor de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque Rma? es por lo menos 200 mm aproximadamente y la cerámica tiene una resistencia a la flexión de cuatro puntos de al menos 150 MPa a 1200°C.

8.- El bastidor de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque la porción de superficie superior redondeada define un radio entre 3mm y 50 mm.

9.- Una combinación que comprende: a) un bastidor vertical elaborado de cerámica que tiene una concentración de fierro no mayor a alrededor de 50 ppm y comprende: i) un medio de soporte vertical que comprende una base en general horizontal y una porción vertical que se extiende en dirección vertical a partir de la misma, ii) una pluralidad de medios de soporte horizontales separados verticalmente que se extienden desde la porción vertical, en donde al menos un medio de soporte horizontal incluye: -) una porción de superficie superior horizontal que se extiende de manera continua y horizontal desde la porción vertical y tiene una aspereza de superficie Ra no mayor a 1 um, y -) una porción de superficie superior redondeada que se inclina hacia abajo desde la porción de superficie superior horizontal, b) una pluralidad de obleas que tienen un radio de oblea ligeramente menor a Rmax; en donde cada oblea está soportada en posición horizontal mediante uno de la pluralidad de medios de soporte horizontal.

10.- La combinación de conformidad con la reivindicación 9, caracterizada además porque la porción vertical del bastidor incluye una sección transversal horizontal arqueada que define un radio máximo Rmax que tiene un punto central, en donde la pluralidad de medios de soporte horizontales separados verticalmente se extiende desde la porción vertical sustancialmente hacia el punto central, en donde la porción de superficie superior horizontal se extiende en forma continua y horizontal desde la porción vertical hacia el punto central por una distancia de al menos 20% de Rmax, y en donde la porción de superficie superior redondeada se inclina hacia abajo desde la porción de superficie superior horizontal hacia el punto central, el soporte horizontal de cada oblea define un punto de contacto más interior entre cada medio de soporte horizontal y la oblea soportada, y en donde el punto de contacto más interior está en la región entre 20% de 80% del radio de la oblea.

11.- La combinación de conformidad con la reivindicación 10, caracterizada además porque cada oblea tiene un radio de al menos 200 mm.

12.- La combinación de conformidad con la reivindicación 9, caracterizada además porque el bastidor está hecho de cerámica que tiene resistencia a la flexión de cuatro puntos de por lo menos 150 Mpa a 1200°C.

13.- Un procedimiento para tratar obleas para semiconductores, que comprende los pasos de: proveer la combinación que comprende: a) un bastidor vertical hecho de cerámica que tiene una concentración de fierro no mayor a 50 ppm y que comprende: i) un medio de soporte vertical que incluye una base en general horizontal y una porción vertical que se extiende en dirección vertical desde la misma, ii) una pluralidad de medios de soporte horizontales separados verticalmente que se extienden desde la porción vertical, en donde al menos un medio de soporte horizontal incluye: -) una porción de superficie superior horizontal que se extiende en forma continua y horizontal desde la porción vertical y tiene una aspereza de superficie Ra no mayor a 1 µm, y -) una porción de superficie superior redondeada que se inclina hacia abajo desde la porción de superficie superior horizontal, y b) una pluralidad de obleas que tienen un radio de oblea ligeramente menor a Rmax, en donde cada oblea está soportada en posición horizontal por uno de la pluralidad de medios de soporte horizontales, en donde cada oblea tiene un diámetro de por lo menos 200 mm; y elevar la temperatura de las obleas para semiconductores a por lo menos 1000°C durante 15 minutos por lo menos.

14.- El procedimiento de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque la temperatura de las obleas se eleva a por lo menos 1200°C durante 30 minutos por lo menos.