CUERPO DE MÚLTIPLES CAPAS CON REGIONES DIFERENTEMENTE MICROESTRUCTURADAS CON UN REVESTIMIENTO ELÉCTRICAMENTE CONDUCTOR La invención se relaciona con un cuerpo de múltiples capas con una capa de laca de réplica en la que se forma una estructura de compensación y que se proporciona con un conductor eléctricamente conductor. Los cuerpos de múltiples capas en la forma de elementos de película se usan en muchas áreas, por ejemplo como elementos de seguridad para producir efectos ópticos. También se usan como parte de una disposición de circuito eléctrico o en sí forman una disposición de circuito eléctrico, por ejemplo un circuito de conmutación. Estos circuitos se utilizan por ejemplo como llamadas etiquetas RFID (RFID = identificación de radiofrecuencia) , es decir etiquetas de artículo para la identificación de artículos por medio de frecuencias de radio. El término identificación de RF se utiliza generalmente para denotar comunicar de RF sin contactos entre un transpondedor que está asociado con un objeto o una persona y un dispositivo lector. En ese caso, el transpondedor tiene, por ejemplo, una antena que es parte de un circuito de resonancia y/o está conectado a un chip semiconductor. Para estos propósitos de uso, las estructuras conductoras se tienen que producir sobre o en el elemento
de película, con dichas estructuras siendo de dimensiones muy pequeñas. Diversos pasos de proceso se tienen que llevar a cabo para ese propósito, que son intensos en trabajo, ambientalmente contaminantes o reductores de calidad, tal como por ejemplo grabar eléctricamente las capas conductoras. Debido a la operación de grabado, por ejemplo, una capa semiconductora dispuesta debajo de las estructuras conductivas se puede contaminar, a cuyo respecto solamente cantidades muy pequeñas de átomos extraños pueden ser una fuente significativa de interferencia. Debido a la estructura de capas de circuitos, generalmente una pluralidad de ciclos de dichos pasos de proceso se requieren de modo que se tiene que incurrir a gasto adicional para la producción en relación de registro preciso. Ahora, el objeto de la invención es evitar las desventajas especificadas y proporcionar cuerpos de múltiples capas con revestimientos estructurados, eléctricamente conductores, que se pueden fabricar a bajo costo, con un nivel elevado de precisión y con un alto nivel de resolución. El objeto de la invención se logra mediante un cuerpo de múltiples capas que tiene una capa de laca de réplica, en donde una primera estructura de compensación
está configurada hacia la capa de laca de réplica en un plano definido por los ejes de coordenada x e y en una primera región del cuerpo de múltiples capas y un revestimiento eléctricamente conductor de densidad superficial constante se aplica a la capa de laca de réplica en la primera región del cuerpo de múltiples capas y en una segunda región adyacente del cuerpo de múltiples capas. La primera estructura de compensación es una estructura con una relación elevada de profundidad a anchura de los elementos de estructura individuales, en particular con una relación de profundidad a anchura > 2, y tiene cuando menos un flanco perpendicular o casi perpendicular que se extiende a través de la totalidad o una parte substancial de la profundidad de la estructura de compensación, en donde en el flanco perpendicular o casi perpendicular de la primera estructura de liberación, se encuentran regiones en las que el revestimiento conductor aplicado a la primera estructura de compensación no se deposita o se deposita solamente en un espesor de capa pequeño tal que la conductividad eléctrica del revestimiento en la región de los flancos se reduce significativamente. El objeto de la invención se logra además mediante un proceso para la producción de un cuerpo de múltiples capas, en donde en el proceso una primera
estructura de compensación está configurada hacia una capa de laca de réplica del cuerpo de múltiples capas en una primera región del cuerpo de múltiples capas y un revestimiento eléctricamente conductor de densidad superficial constante se aplica a la capa de laca de réplica en la primera región del cuerpo de múltiples capas en una segunda estructura adyacente del cuerpo de múltiples capas. La primera estructura de compensación está en la forma de una estructura con una elevada relación de profundidad a anchura de los elementos individuales de estructura, en particular con una relación de profundidad a anchura de >2, y está configurada con cuando menos un flanco perpendicular o casi perpendicular, en donde en los flancos de la primera estructura de compensación hay regiones en la que el revestimiento conductor aplicado a la primera estructura de compensación no se deposita o se deposita solamente en un espesor de capa pequeño tal que la conductividad eléctrica del revestimiento en la región de los flancos se reduce significativamente. El hecho de que la primera estructura de compensación se produzca en dicha relación elevada de profundidad a anchura y con cuando menos un flanco perpendicular o casi perpendicular significa que en los flancos la estructura de compensación hay regiones en las que el revestimiento conductor aplicado a la estructura de
compensación no se deposita o se deposita solamente en un espesor de capa pequeño tal que la conductividad eléctrica del revestimiento en la región de los flancos se reduce significativamente o el revestimiento está aún totalmente interrumpido ahí. El alto nivel de resolución que se puede lograr es de ventaja particular en ese aspecto, es decir, es posible producir estructuras de conducción muy finas, tales como no se pueden modalizar por un proceso de exposición óptica con grabado subsecuente. Además es posible por medio de la invención ajustar de manera precisa la resistencia superficial de las regiones de conducción y codificar artículos de información que se pueden leer de esa manera hacia elementos de seguridad. La relación de profundidad a anchura sin dimensiones es una particularidad característica con respecto a la caracterización de estructuras, en particular, microestructuras. Se usa de preferencia para describir estructuras periódicas, por ejemplo de una configuración de forma de diente de sierra. Aquí, el espaciamiento entre los puntos sucesivos más altos y más bajos de la estructura se identifica como la profundidad, es decir esto involucra el espaciamiento entre una "cresta" y una "depresión". El espaciamiento entre los dos puntos más elevados adyacentes, es decir entre dos "crestas", se refiere como la anchura (período) . Ahora, entre más
elevada es la relación de profundidad a anchura, lo correspondientemente más inclinados están los "flancos de cresta". El modelo de descripción también se puede aplicar a estructuras no periódicas. Por ejemplo, esto puede involucrar regiones de forma de línea discretamente distribuidas que están solamente en la forma de una "depresión", en donde el espaciamiento entre dos "depresiones" es mayor por un múltiple que la profundidad de las "depresiones". Durante la aplicación formal de la definición arriba especificada, la relación de profundidad a anchura calculada en lo que sería aproximadamente cero no reflejaría la condición física característica. Por lo tanto, en el caso de estructuras discretamente dispuestas que se forman substancialmente solo de una "depresión", la profundidad de la "depresión" debe estar relacionada con la anchura de la "depresión". A pesar de las ventajas arriba mencionadas, el proceso de producción de conformidad con la invención es económico ya que evita pasos de proceso complicados y costosos para estructuración de pistas conductoras. Se provee que la primera estructura de compensación esté en la forma de una función de las coordenadas x y/o y, que periódicamente varía la profundidad de la primera estructura de compensación en la dirección x y/o en la dirección y. En ese respecto, las
funciones preferidas son aquellas que proporcionan cuando menos un flanco o lado perpendicular. Las funciones de diente de sierra y funciones rectangulares se prefieren. Los flancos perpendiculares con bordes agudos se forman de esa manera de manera que el revestimiento conductor se interrumpa, con un contorno definido, a lo largo de los bordes. De esa manera, el revestimiento en la primera estructura de compensación es eléctricamente no conductor en una dirección perpendicular a los bordes o involucra un nivel muy elevado de resistencia eléctrica. El espesor t del revestimiento que se deposita en un flanco inclinado que está inclinado a un ángulo a con relación a la horizontal se proporciona por la relación T = t0 • cos a En esa relación t0 es el espesor del revestimiento depositado en una superficie horizontal. A ese respecto, el espesor t0 se debe ajustar dependiendo del material de revestimiento de tal manera que los flancos inclinados no se "manchen", es decir, ningún material de revestimiento o solamente un espesor de capa que es marcadamente reducido con relación a las superficies planas se deposita ahí. Con un espesor t0 aumentando, los depósitos posiblemente también se pueden formar sobre el flanco perpendicular o casi perpendicular, por ejemplo, si partículas del material de revestimiento no se mueven en la trayectoria común de la
corriente de partículas. El valor óptimo de preferencia se puede asegurar mediante una serie de experimentos. El valor óptimo del espesor t0 está dirigido a la producción en el flanco de la primera estructura de compensación, de regiones en las cuales el revestimiento conductor aplicado a la primera estructura de compensación no se deposite o se deposite solamente de modo que un espesor de capa tan pequeño que la conductividad eléctrica del revestimiento se reduce significativamente en la región del flanco. El espesor t0 de regiones no estructuradas debe ser menos de 500 nm, de preferencia menos de 50 nm. El espesor t0 óptimo se puede determinar ventajosamente mediante prueba, mediante lo cual también es posible tomar en consideración la influencia del material de revestimiento sobre las propiedades eléctricas y otras del material de revestimiento. Si la estructura de compensación que se va a revestir tiene una relación de profundidad a anchura elevada, el efecto de formar regiones sobre los flancos perpendiculares o casi perpendiculares de la primera estructura de compensación, en la que se aplica el revestimiento conductor a la primera estructura de compensación no se deposita o se deposita solamente en un espesor de capa tan pequeño que la conductividad eléctrica del revestimiento es significativamente reducida en la
región de los flancos se mejora significativamente. De preferencia se puede proveer que la relación de profundidad a anchura de la estructura de compensación sea > 2. Como lo han mostrado las pruebas, el ángulo a de los flancos puede diferir en magnitud de la perpendicular en aproximadamente 10°, sin producir duda sobre el efecto descrito. El espesor t del revestimiento en los flancos se puede ajustar mediante la selección del ángulo o. En ese aspecto, el ángulo a también puede ser el ángulo de gradiente de una porción curva que se puede determinar mediante el primero derivado de la curva. Si la primera estructura de compensación está en la forma de una función de una coordenada, la estructura de compensación es de una configuración particularmente simple. En particular, la primera estructura de compensación puede ser una estructura difractiva con pequeños períodos de enrejado, por ejemplo en una escala de entre 50 nm y 10 um. Dicha estructura de compensación puede ser un enrejado de difracción lineal. Se puede proveer que un polarizador lineal se forme de esa manera, de preferencia con una longitud de período de entre 100 nm y 800 nm. De preferencia, el revestimiento puede ser de un espesor t0 < 10 nro. En vista de la posible resolución elevada de la primera estructura
de compensación, la configuración del polarizador lineal no está limitada a la configuración para polarización en un plano de oscilación. Más bien, se puede proveer que de esa manera las regiones en relación mutuamente yuxtapuesta se pueda proporcionar, con direcciones de polarización diferentes, en cuya aspecto las regiones pueden estar en la forma de portadores de información. Por vía de ejemplo, las regiones que pueden formar un código de barras legible por máquina o pueden estar en la forma de caracteres alfanuméricos o una imagen o representación gráfica. Esas regiones pueden ser visibles en luz polarizada, por ejemplo, si están orientadas de modo que su plano de polarización esté orientado perpendicularmente a aquel de la luz que se radia hacia las mismas o a través de las mismas, mediante lo cual permanecen oscuras desde el fondo. También es posible proporcionan una película de "decripción", durante la iluminación con luz no polarizada, en conjunción con la estructura arriba descrita, ocasiona que salgan artículos de información escondida. También se puede proveer, sin embargo, que la primera estructura de compensación esté en la forma de una función de dos coordenadas, en donde los flancos perpendiculares se proporcionan en la forma de curvas que estén cerradas en sí mismas. La conductividad eléctrica del revestimiento aplicado se interrumpe en todas las
direcciones de esa manera. De preferencia se puede proveer que las curvas cerradas estén en forma de círculos, elipses, cuadrados, rectángulos y rombos. También se puede proveer, sin embargo, que la curva cerrada siga el contorno de una segunda región adyacente en la que está configurada una segunda estructura de compensación. De preferencia se provee que la segunda estructura de compensación sea de una configuración plana. De esa manera, el revestimiento eléctricamente conductor aplicado a la segunda estructura de compensación está en la forma de un conductor eléctrico de un espesor t0 completo. Debido a que una segunda región eléctricamente conductora que está configurada en cualquier forma deseada puede estar rodeada por la primera región eléctricamente no conductora, es posible de esa manera producir trayectorias de conductor mutuamente aisladas eléctricamente de cualquier geometría de un alto nivel de precisión y resolución por medio de un paso de revestimiento común. Configuraciones ventajosas adicionales se exponen en las reivindicaciones anexas. De preferencia se provee que el revestimiento eléctricamente conductor esté en la forma de una capa de metal, de preferencia formada de un buen conductor eléctrico tal como aluminio, cobre, plata u oro. Sin embargo, también se puede proveer que el revestimiento esté
en la forma de un material conductor transparente, por ejemplo una capa de óxido de indio-estaño (ITO) que se prefiere en vista de su transparencia para formar pistas conductoras "invisibles", como se usan por ejemplo en presentaciones. Las capas de electrodo para fotovoltáicos se pueden producir sobre la base del mismo principio. También se puede proveer, sin embargo, que un revestimiento metálico sea tan delgado que parece transpa ente, siendo formado, por ejemplo, con un espesor de entre 1 nm y 100 nm, de preferencia un espesor de entre 5 nm y 30 nm. Puede ser ventajoso que pistas conductoras "invisibles" para bajas corrientes, como se proporcionan por ejemplo para presentaciones de LCD, se produzcan de esa manera. Particularmente cuando se producen pistas conductoras, es importante que el revestimiento esté seguro de ser interrumpido en los bordes de las pistas conductoras. Para ese propósito, el espesor tQ de capa preferido puede ser de la escala de entre 5 nm y 50 nm. Como se describe más adelante, la conductividad de esas pistas conductoras delgadas se puede aumentar si se requiere, mediante galvanización. De preferencia el cuerpo de múltiples capas está en la forma de un elemento de película, por ejemplo una película de transferencia, en particular una película de
estampado en caliente, en la forma de una película laminada o en la forma de una película de adherente. En ese caso, el elemento de película también se puede formar por la capa de transferencia aplicada de una película de transferencia. También se puede proveer, sin embargo, que el cuerpo de múltiples capas incluya una capa de substrato rígida, por ejemplo una capa de vidrio delgada. El revestimiento eléctricamente conductor se puede aplicar con los procesos conocidos de la producción de elementos de seguridad, por ejemplo mediante chisporroteo, depósito de vapor de haz electrónico o depósito de vapor térmico con calentamiento de resistencia. Esos procesos se distinguen en que el revestimiento se aplica rociando con una densidad constante con relación al área superficial, con respecto a un plano definido por los ejes de coordenada x e y. De preferencia, los átomos o moléculas inciden en el plano, es decir, la superficie que se va a revestir, aproximadamente en el mismo ángulo. Se puede proveer ventajosamente que los átomos o moléculas incidan perpendicularmente en la superficie que se va a revestir, de manera que no se depositen en los flancos perpendiculares o casi perpendiculares. Por lo tanto, estos no involucran un proceso de revestimiento en el que los átomos o moléculas se depositan en forma no dirigida, mediante lo cual se depositan
independientemente de la inclinación de flanco, en una capa de espesor de capa aproximadamente igual. El depósito no dirigido, por ejemplo, puede involucrar deposición fuera de la fase gaseosa. Se provee de preferencia que las estructuras de compensación sean configuradas por medio de una réplica de UV en la capa de laca de réplica. El uso de las estructuras de conformidad con la invención y el proceso de conformidad con la invención es posible en muchas maneras diferentes y siempre es particularmente ventajoso cuando un elemento de película difractiva va a llevar una disposición de circuito eléctrico o es en sí parte de un circuito eléctrico. Es además posible que capas de electrodo de componentes semiconductores de electrónicos de polímero se estructure por medio de la invención. La invención hace posible alcanzar niveles elevados de resolución. Se provee además que las pistas conductoras de circuitos de polímero u otros componentes eléctricos, por ejemplo bobinas y capacitores para etiquetas RFID (RFID = identificación de radio frecuencia) se produzcan en la forma descrita. Es particularmente ventajoso en ese aspecto que la invención proporciona una tecnología de producción económica con un bajo régimen de rechazo de desperdicio para la producción de estructuras de esa clase. Debido a la estructuración
fina que se puede lograr con el proceso de conformidad con la invención, es posible de esa manera que la frecuencia límite de esos componentes semiconductores se aumente adicionalmente de manera marcada. Se puede proveer que el revestimiento conductor se refuerce galvánicamente y en que ya sea una capa superficial conductora particularmente buena se aplica o el espesor de la capa depositada se aumente a fin de reducir la resistencia eléctrica. Los procesos de deposición arriba indicados son de preferencia apropiados para la aplicación de capas delgadas. Como se ha encontrado, la estructura de compensación no se altera en la operación de galvanización, es decir, regiones eléctricamente no conductoras no se cubren. Es posible con el proceso de conformidad con la invención producir componentes adicionales tales como polarizadores lineales de manera particularmente económica en la forma de productos de película. La invención se describe por • vía de ejemplo a continuación por medio de un número de modalidades con referencia a los dibujos que se acompañan, en los cuales: La Figura 1 muestra una vista en sección diagramática de una primera modalidad de un cuerpo de múltiples capas de conformidad con la invención en la forma de un elemento de película,
La Figura 2 es una vista diagramática del revestimiento del elemento de película en la Figura 1 con una capa de metal, La Figura 3 muestra una vista diagramática en sección de una segunda modalidad de un cuerpo de múltiples capas de conformidad con la invención en la forma de un elemento de película, La Figura 4 es una vista diagramática del revestimiento del elemento de película en la Figura 3 con una capa de metal, La Figura 5 es una vista de planta diagramática de una modalidad de un cuerpo de múltiples capas en la forma de un elemento de película con una estructura de compensación unidimensional, La Figura 6 muestra una vista de planta diagramática de una modalidad de un cuerpo de múltiples capas en la forma de un elemento de película con una estructura de compensación bidimensional, y La Figura 7 muestra una vista de planta diagramática de una modalidad de un cuerpo de múltiples capas en la forma de un elemento de película con un a pista conductora eléctrica. La Figura 1 muestra un cuerpo de múltiples capas en la forma de un elemento de película, mencionado a continuación como el elemento 11 de película. El elemento
11 de película comprende una película 10 portadora, una capa 20 de liberación, una capa 21 de laca protectora, una capa 22 de laca de réplica con estructuras 25 y 26 de compensación, revestimientos 231, 23n dispuestos sobre las estructuras 25 y 26 de compensación y una capa 24 adhesiva. La estructura 62 de compensación está en la forma de una estructura de compensación plana. La estructura 25 de compensación es una estructura con una relación de anchura de profundidad elevada y de esta manera esa estructura de compensación tiene una área superficial efectiva que es un múltiplo superior a las estructuras de compensación usuales que están configuradas, por ejemplo, para la producción de efectos ópticos en elementos de seguridad. La estructura 25 de compensación es una configuración en forma de meandro con flancos perpendiculares a la superficie de la estructura 26 de compensación plana. En la modalidad ilustrada se extiende en una dirección de coordenada. De esta manera, el revestimiento 23n que se aplica con relación de área se dispone solamente sobre las porciones de la estructura 25 de compensación, que están paralelas a la superficie de la estructura 26 de compensación plana, es decir, el revestimiento es un revestimiento que se interrumpe en la dirección de coordenada. Dicha estructura de compensación que está interrumpida en una dirección de coordenada se denomina a continuación como una estructura
de compensación unidimensional. Como se muestra en la Figura 1, la interrupción es continua a través de la misma. En contraste, el revestimiento 231 dispuesto sobre la estructura 26 de compensación plana es de una configuración cerrada. En la modalidad ilustrada, se pueden producir efectos diferentes en vista de la selección del material y por la configuración de la estructura de compensación. Si por ejemplo, los revestimientos 231 , 23n están en la forma de capas de metal, el revestimiento 23n es una capa de metal no conductor debido a que está interrumpida a través en los flancos perpendiculares de la estructura de compensación. En contraste, la capa de metal aplicada a la estructura 26 de compensación plana es eléctricamente conductora ya que no está interrumpida. El revestimiento 23n se puede aplicar por ejemplo mediante chisporroteo, es decir, mediante un proceso de revestimiento en el que partículas de aproximadamente la misma dirección de revestimiento inciden sobre la estructura de compensación. Por lo tanto, ningunas partículas o significativamente pocas partículas inciden en los flancos perpendiculares que están dispuestos paralelos a la dirección de revestimiento, de modo que ahí el revestimiento 23n está interrumpido o tiene una resistencia significativamente superior por unidad de área superficial, que por ejemplo es superior por
cuando menos un factor de 10, de preferencia superior por un factor de 1000, que la resistencia por unidad de área superficial del revestimiento 231 conductor fuera de los flancos perpendiculares. Dicho proceso de revestimiento se distingue además en que aplica el revestimiento con una densidad constante con relación al área superficial, con respecto a un plano definido por los ejes de coordenada x e y, en donde ventajosamente la dirección de revestimiento se puede oriental paralela a los flancos de la estructura de compensación, que están perpendiculares u orientados de manera aproximadamente perpendicular al plano. La elevada relación de profundidad a anchura de la estructura 25 de compensación, que es ventajosamente > 2, tiene una parte substancial en el efecto descrito de la provisión del espesor del revestimiento, que depende del ángulo de flanco. Por una parte, la elevada relación de profundidad a anchura provee flancos inclinados, mientras que por otra parte el depósito aleatorio de partículas que se desvían de la dirección de revestimiento ajustada se hace de esta manera más difícil. Un factor adicional con influencia es el espesor del revestimiento que se produce sobre la estructura 26 de compensación plana. Como las pruebas lo han mostrado, el efecto arriba descrito ocurre para espesores de < 500 nm.
De preferencia, el espesor del revestimiento conductor que se produce sobre la estructura 26 de compensación plata puede ser > 50 nm a fin de obtener flancos perpendiculares o aproximadamente perpendiculares en la estructura 26 de compensación, sobre la que no se forma revestimiento conductor cuando menos en forma en sentido de región. Se puede proveer que dicha capa sea transparente, por ejemplo de un espesor de aproximadamente 10 nm. De esa manera es posible formar pistas conductoras que visualmente no cubren las estructuras dispuestas debajo de las mismas, por ejemplo, elementos de presentación de LCD. El elemento 11 de película es una película de estampado o relieve, en particular una película de estampado en caliente. Sin embargo, también es posible que el elemento 11 de película esté en la forma de una película de laminación o película de adherente o en la forma de un portador para un circuito, en particular un circuito de polímero. La capa 10 portadora comprende por ejemplo una película de PET o POPP de un espesor de capa de entre 10 um h 50 um, de preferencia de un espesor de entre 19 um y 23 um. La capa 20 de liberación y la capa 21 de laca protectora luego se aplican a la película portadora por media de un cilindro de estarcido de impresión de talla
dulce. En ese caso las capas 20 y 21 de liberación y de laca protectora son de preferencia de un espesor de entre 0.2 y 1.2 um. También sería posible eliminar esas capas. La capa 22 de laca de réplica se aplica luego. La capa 22 de laca de réplica de preferencia comprende una laca de réplica reticulable por radiación. De preferencia un proceso de réplica de UV se usa para configurar las estructuras 25 y 26 de compensación en la capa 22 de laca de réplica. En ese caso, se usa una laca endurecible por UV como la laca de réplica. En esa situación, la introducción de las estructuras 25 y 26 de compensación hacia la capa de laca de réplica reticulable por UV se efectúa, por ejemplo, mediante irradiación UV cuando se configura la estructura de compensación en la capa de laca cuando todavía esta suave o fluida, o mediante irradiación parcial y endurecimiento de la capa de laca reticulable por UV. En ese caso, en lugar de una laca reticulable por UV, también es posible usar otra laca reticulable por radiación. Además también es posible que la capa 22 de laca de réplica comprenda un material termoplástico transparente. Una estructura de compensación o una pluralidad de estructuras de compensación, por ejemplo las estructuras 25 y 26 de compensación, es o son luego estampadas en la capa 22 de laca de réplica por medio de
una herramienta de estampado. El espesor que se va a seleccionar para la capa 22 de laca de réplica se determina mediante la profundidad de perfil seleccionada para la estructura 25 de compensación. Es necesario asegurar que la capa 22 de laca de réplica sea de una profundidad suficiente para permitir que las estructuras 25 y 26 de compensación que se van a configurar. De preferencia en ese caso la capa 22 de laca de réplica es de un espesor de entre 0.1 y 10 um. Por vía de ejemplo, la capa 22 de laca de réplica se aplica sobre el área superficial completa involucrada a la capa 21 de laca protectora con un peso de aplicación de 2.2 g/m2 antes de secarse, por medio de un cilindro de impresión de talla dulce de trama de línea. En ese caso, una laca de la siguiente composición se selecciona como la laca de réplica: Componente Proporción en peso Resina de PMMA molecular elevada 2000 Alquido de silicona libre de aceite 300 Agente humectante no iónico 50 Nitrocelulosa de baja viscosidad 12000 Tolueno 2000 Alcohol de diacetona 2500 La capa 22 de laca de réplica luego se seca en un pasaje de secado a una temperatura de entre 100 y 120°C.
Las estructuras 25 y 26 de compensación luego se estampan hacia la capa 22 de laca de réplica, por ejemplo por medio de un troquel que comprende níquel, a alrededor de 130°C. Para estampar las estructuras 25 y 26 de compensación hacia la capa de laca de réplica, el troquel de preferencia se calienta eléctricamente. Antes de que el troquel se levante fuera de la capas 22 de laca de réplica después de la operación de estampado, el troquel, en ese caso, se puede enfriar nuevamente. Después de que las estructuras 25 y 26 de compensación se han estampado hacia la capa 22 de laca de réplica, la laca de réplica de la capa 22 de laca de réplica se endurece mediante reticulación o de alguna otra manera. Además también es posible que las estructuras 25 y 26 de compensación se introduzcan hacia la capa 22 de laca de réplica mediante un proceso de ablación. A ese respecto, las estructuras 25 y 26 de compensación involucran estructuras de compensación que están revestidas con los revestimientos 231, 23n en un proceso de revestimiento común, por ejemplo chisporroteo. Como se puede ver de la Figura 2, la dirección de revestimiento para deposición de los revestimientos 231, 23n está n orientados perpendicularmente a la superficie de la estructura 16 de compensación plana. La dirección de orientación se identifica por flechas 30 en la Figura 2. A
ese respecto, el aparato de revestimiento está diseñado de tal manera que el material se deposita sobre las estructuras 25 y 26 de compensación con una densidad constante de área superficial de modo que como resultado de ese paso de proceso, la densidad de área superficial de los revestimientos 231, 23n en las estructuras 25 y 26 de compensación es igual y constante. De esa manera, por lo tanto, no son necesarias precauciones que sean a fin de, por ejemplo, hacer la conductividad de revestimientos 231, 23n diferentes y/o para producir la geometría de los revestimientos 231, 23n. A ese respecto es particularmente ventajoso que la estructuración de los revestimientos 231, 23n diferentes y/o producir la geometría de los revestimientos 231, 23n. A ese respecto, es particularmente ventajoso que la estructuración de los revestimientos 231, 23n se puede efectuar en relación de registro preciso en un paso de producción y que, debido a la micro estructuración de las estructuras de compensación, particularmente niveles elevados de resolución se logran, como son necesarios por ejemplo cuando se producen circuitos. La capa 24 adhesiva luego se aplica a los revestimientos 231, 23n. La capa 24 adhesiva es de preferencia una capa que comprende un adhesivo térmicamente activable. Dependiendo del uso respectivo del elemento 11
de seguridad, sin embargo, también es posible eliminar la capa 24 de adhesivo. La Figura 3 ahora muestra una segunda modalidad de un cuerpo de múltiples capas en la forma de un elemento 12 de película, con una estructura de compensación unidimensional, esta disposición difiriendo de la modalidad arriba descrita solamente con respecto a la configuración de la estructura de compensación. Elementos idénticos, por lo tanto, se denotan por las mismas referencias. En lugar de la estructura 25 de compensación de forma de meandro en la Figura 1, el elemento 12 de película está diseñado con una estructura 125 de compensación de forma de diente de sierra. La estructura 125 de compensación tiene un primer flanco dispuesto perpendicularmente a la superficie de la estructura 26 de compensación plana y un segundo flanco dispuesto en relación angular con el primer flanco. Esa configuración provee que el revestimiento 23n se disponga solamente sobre los segundos flancos de la estructura 125 de compensación, es decir, es de una configuración interrumpida. La Figura 4 ahora muestra el revestimiento de las estructuras 125 y 26 de compensación en la Figura 3 con revestimientos 123n y 231. Como ya se describió en lo que antecede con referencia a la Figura 2, los revestimientos 123n y 231 se aplican a las estructuras 125 y 26 de
compensación respectivamente en un paso de producción común, por ejemplo mediante chisporroteo. Como se puede ver claramente de la Figura 4, en este caso el revestimiento 123n se produce sobre los segundos flancos inclinados de la estructura 125 de compensación, de un espesor menor que sobre la estructura 26 de compensación dispuesta perpendicularmente a la dirección de aplicación. Debido a que el revestimiento 123n está interrumpido por los primeros flancos perpendiculares de la estructura 125 de compensación, que no están revestidos con material, por ejemplo, una capa de metal aplicada de esa manera es eléctricamente no conductor. La Figura 5a ahora muestra una vista de planta diagramática de un cuerpo de múltiples capas en la forma de un elemento 50 de película con una estructura de compensación unidimensional, que en la modalidad ilustrada está revestida con metal. En este caso, una región 55 eléctricamente no conductora con una estructura de compensación unidimensional con una relación elevada de profundidad a anchura se proporciona, como se muestra en las Figuras 1 y 3 (referencias 25 y 125, respectivamente) , en las que las regiones 56 planas conductoras que se muestran negras en la Figura 5 están encerradas. Estas involucran pistas conductoras con componentes eléctricos juntos que no se muestran aquí.
Aún cuando la región 55 eléctricamente no conductora está interrumpido por flancos perpendiculares no revestidos solamente en la dirección de coordenada identificada por x, y está localmente electrocircuiteada eléctricamente en porciones 55k en donde adjunta las regiones 56 eléctricamente conductoras en la dirección y, es sobre todo una conductividad eléctrica que es de órdenes de magnitud menor que la conductividad de las regiones 56. La Figura 5b ahora muestran como es posible evitar el cortocircuito local arriba descrito por las regiones 56 conductoras. Para ese propósito, la región 55 está subdividida en regiones 55x y regiones 55y, la estructura de compensación de la cual varía en la dirección x y en la dirección y, respectivamente. Esta disposición se puede proporcionar cuando las regiones 56 conductoras no se disponen en relación mutuamente paralela o son de una configuración curva. Sin embargo, también se puede proveer que las regiones 56 aplicadas con el proceso de conformidad con la invención están galvánicamente reforzadas. Debido a que las regiones 55, 55x y 55y son eléctricamente no conductoras, ningún metal se deposita ahí en la operación de galvanización. Por lo tanto, ningunas precauciones adicionales se tienen que tomar a fin de reforzar galvánicamente solo las regiones 56 conductoras. De esa
forma, las regiones 56 planas conductoras están en la forma de pistas conductoras con un nivel inferior de resistencia específica, que antes de la operación de galvanización. Por lo tanto es posible eliminar la formación de la región 55 (ver la Figura 5a) en la forma de regiones 55x y 55y diferentemente orientadas (ver la Figura 5b) debido a que la conductividad eléctrica de las regiones 56 es significativamente mayor en comparación con la conductividad eléctrica de la región 55. Las regiones 56 mostradas en las Figuras 5a y 5b pueden ser transparentes, por ejemplo, si una capa de metal muy delgada de un orden de magnitud de 10 nm se aplica ahí, difiriendo de conformidad con la clase respectiva de metal involucrada. La Figura 6 muestra ahora una vista de planta diagramática de un cuerpo de múltiples capas en la forma de un elemento 60 de película con elementos 62 de pantalla de trama que tienen estructuras 65 de compensación con una relación elevada de profundidad a anchura y flancos perpendiculares que forman curvas 65p de perfil que están cerradas en sí mismas. En la modalidad ilustrada, las curvas de perfil están en la forma de círculos y rombos. El elemento 60 de película está revestido con una capa de metal (no mostrada) que es no conductor debido a las estructuras 65 de compensación. Esto involucra estructuras
de compensación bidimensionales que ' evitan la desventaja arriba discutida de un posible corto circuito por regiones eléctricamente conductoras. Como se puede ver claramente de la Figura 6, las estructuras 65 de compensación se forman de círculos concéntricamente dispuestos que se inscriben en los elementos 62 de trama cuadrada. De esa manera, los segmentos de círculos se forman en las regiones de esquina de los elementos 62 de trama. De esa manera, los segmentos de un círculo en una región de esquina forman curvas de perfil de rombo, con los segmentos de los círculos de los tres elementos 62 de trama adicionales que están adyacentes en esa región de esquina. Se puede proveer que los elementos 62 de trama se produzcan en la misma configuración y del mismo tamaño, es decir en la forma de triángulo isósceles, cuadrados o hexágonos. También se puede proveer que los elementos 62 de trama sean de una configuración irregular, es decir, llenan el área del elemento 60 de película con los elementos 62 de trama de configuraciones y tamaños diferentes. La única consideración importante es aquella que los flancos perpendiculares de la estructura 65 de compensación formen curvas cerradas. La Figura 7 ahora muestra un cuerpo de múltiples capas que está revestido con metal, en la forma de un elemento 870 de película con un conductor 76 estructurado
rodeado por regiones que se proporcionan con estructuras de compensación con una elevada relación de profundidad a anchura. Las estructuras de compensación pueden estar en la forma de estructuras de compensación unidimensionales (ver la Figura 5) o estructuras de compensación bidimensionales (ver la Figura 6) con una elevada relación de profundidad a anchura. Una disposición preferida es una estructura de compensación bidimensional y una relación de profundidad a anchura de > 2. El elemento 70 de película puede estar en la forma de parte de un circuito micro electrónico, por ejemplo parte de un circuito de polímero en la forma de un sistema de película. A ese respecto, el circuito puede ser transparente, como se describe en lo que antecede (ver la Figura 5) . Se puede proveer en relación a dicho uso que una o más porciones del conductor 76 estructurado se formen con una estructura de compensación con una relación elevada de profundidad a anchura de modo que la conductividad eléctrica del conductor 76 se reduzca en dicha porción. Es posible de esta manera, por ejemplo, formar resistores eléctricos en el conductor. 76.