MD4339C1 - Structură fotovoltaică cu o joncţiune - Google Patents
Structură fotovoltaică cu o joncţiune Download PDFInfo
- Publication number
- MD4339C1 MD4339C1 MDA20130070A MD20130070A MD4339C1 MD 4339 C1 MD4339 C1 MD 4339C1 MD A20130070 A MDA20130070 A MD A20130070A MD 20130070 A MD20130070 A MD 20130070A MD 4339 C1 MD4339 C1 MD 4339C1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- sic
- layer
- silicon carbide
- photovoltaic
- type conduction
- Prior art date
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000005504 petroleum refining Methods 0.000 abstract 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000289 photo-effect Toxicity 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la structurile fotovoltaice cu semiconductori, care se folosesc în electronică, tehnologii spaţiale şi militare, în industria minieră, de prelucrare a petrolului şi chimică, în ecologie etc., pentru conversiunea radiaţiei solare în energie electrică, utilizată pentru alimentarea dispozitivelor electronice şi a dispozitivelor şi mecanismelor de acţionare electrică.Structura fotovoltaică cu o joncţiune conţine un strat de carbură de siliciu cu conductibilitatea de tipul n, un substrat din siliciu monocristalin cu orientarea (100) şi conductibilitatea de tipul p,electrozii metalici de sus şi de jos. Structura reprezintă un component cu două straturi al heterojoncţiunii p-n a-SiC/c-Si, în care stratul de carbură de siliciu amorf cu conductibilitatea de tipul n cu grosimea filmului de 6...20 nm este depus prin dispersie magnetronică nereactivă în argon dintr-o ţintă solidă de SiC pe suprafaţa prealabil pregătită a substratului monocristalin de siliciu cu conductibilitatea de tipul p. Electrodul de sus este fabricat din argint sau cupru în formă de regletă de contact şi este amplasat nemijlocit pe stratul a-SiC. Electrodul de jos din argint sau cupru este amplasat pe partea opusă a substratului din siliciu monocristalin.
Description
Invenţia se referă la structurile fotovoltaice cu semiconductori, care se folosesc în electronică, tehnologii spaţiale şi militare, în industria minieră, de prelucrare a petrolului şi chimică, în ecologie etc., pentru conversiunea radiaţiei solare în energie electrică, utilizată pentru alimentarea dispozitivelor electronice şi a dispozitivelor şi mecanismelor de acţionare electrică.
Heterostructurile cu semiconductori nu au alternativă în funcţia de sursă de energie electrică pentru vasele spaţiale, sunt un izvor ecologic pur de obţinere a energiei electrice.
În majoritatea cazurilor siliciul este materialul principal, folosit pentru fabricarea celulelor solare: 98,2% din instalaţiile fotovoltaice în funcţiune, dintre care 38% - în baza siliciului cristalin, 52% - policristalin şi 5% - amorf. Printre alte materiale, cea mai mare parte, aproximativ 1,6%, revine structurilor în baza cadmiu - telur, iar restul - structurilor în baza compuşilor din elementele grupelor III-IV, In, Ga, As, Sb, P, celule în baza polimerilor, celule fotoelectrochimice lichide etc.
Cele mai eficiente celule solare sunt heterostructurile multistrat, aşa-numitele structuri tandem. Construcţia lor este bazată pe cuplarea consecutivă a unui rând de elemente active - celule solare sau elemente fotovoltaice elementare, care asigură conversiunea efectivă a radiaţiei solare în electricitate. De regulă, fiecare element al acestei structuri tandem este menit să absoarbă o regiune determinată a spectrului radiaţiei solare.
Selecţia materialelor semiconductoare cu banda interzisă, ce se micşorează consecutiv, asigură conversiunea efectivă a radiaţiei solare într-un dispozitiv cu semiconductori, în care are loc fotoefectul interior - generarea perechilor electron - gol la absorbţia fotonului.
Carbura de siliciu SiC îşi găseşte aplicaţie în multe domenii ale ştiinţei şi tehnicii. În cazul diferitelor modificaţii ale SiC lărgimea benzii interzise variază între 2,4 şi 3,34 eV. Valorile mari ale benzii interzise permit crearea în baza acestui material a dispozitivelor semiconductoare, ce pot funcţiona până la 600°С. Structura cristalină a carburii de siliciu depinde în mare măsură de condiţiile tehnologice de obţinere şi de aceea utilizarea materialelor amorfe duce la scăderea costului procesului de fabricare a celulelor fotovoltaice.
Sunt cunoscute celule solare cu structura complicată p-i-n, care includ un strat amorf hidrogenizat de carbură de siliciu a-SiC:H cu conductibilitatea de tipul p, depus pe electrodul frontal semitransparent în formă de o plachetă de sticlă, acoperită cu un strat SnO2, pe care ulterior este depus un strat microcristalin hidrogenizat de carbură de siliciu µc-Si:H cu conductibilitatea de tipul n, iar în calitate de strat de tipul i - un strat de siliciu amorf a-Si [1].
Dezavantajul structurilor de acest tip cu multe joncţiuni este costul lor ridicat. Utilizarea în calitate de sursă a energiei electrice a structurilor fotovoltaice cu o singură joncţiune în baza carburii de siliciu amorf duce la micşorarea costului lor.
Este cunoscută celula solară cu o singură joncţiune, care conţine în calitate de strat exterior un strat amorf hidrogenizat de carbură de siliciu a-SiC de tipul p. Ca electrod exterior şi în acest caz este folosit oxidul transparent conductiv SnO2. În această celulă heterojoncţiunea în structura p-i-n, obţinută în baza straturilor amorfe hidrogenizate de carbură de siliciu şi siliciu a-SiC:H/a-Si:H demonstrează eficienţa de conversiune a energiei solare, egală cu 7,55% [2].
Pentru depunerea straturilor hidrogenizate de a-SiC:H, a fost utilizată o variantă a tehnologiei CVD (Chemical vapor deposition - depunere chimică din vapori), şi anume, depunere chimică din vapori cu filament fierbinte HWCVD / HFCVD (Hot wire chemical vapor deposition / hot filament CVD), cunoscută de asemenea sub numele de CVD catalitică Cat-CVD (Catalitic chemical vapor deposition) [3].
Este cunoscută şi structura cu o singură joncţiune în baza straturilor microcristaline hidrogenizate 3C-SiC:H, obţinută prin metoda depunerii chimice cu filament fierbinte (HWCVD). Grosimea stratului 3C-SiC:H de tip n, depus pe suportul p-Si, este de 200 nm cu rezistivitatea de 1…10 Ω·cm. Eficienţa acestei structuri este de 14,2% [4].
Dezavantajul dispozitivului este complexitatea tehnologiei şi grosimea destul de mare a stratului de carbură de siliciu.
Este cunoscută şi structura, în care stratul microcristalin µc-SiC de tip n cu grosimea de 70 nm este obţinut pe suportul de p-Si policristalin, cu utilizarea plasmei, excitate de rezonanţa electronică ciclotronică în combinare cu depunerea chimică din starea de vapori. În calitate de electrod frontal a fost utilizat aliajul de oxizi de indiu şi staniu. Eficienţa structurii este de 15,4% [5].
Dezavantajul dispozitivului este complexitatea tehnologiei şi grosimea stratului microcristalin de carbură de siliciu.
Cea mai apropiată soluţie este structura fotovoltaică, care prezintă celula β n-SiC/p-Si, cu electrodul frontal în formă de grilă metalică şi electrodul metalic din spate. Stratul microcristalin de carbură de siliciu de tipul n din această celulă se depune prin metoda CVD pe suprafaţa (100) a plachetei cristaline de p-Si. Eficienţa acestei structuri este de 7,7% [6].
Dezavantajul acestei structuri este tehnologia complicată de fabricare, care nu permite depunerea stratului de carbură de siliciu cu grosime mai mică de 70…100 nm, nu garantează posibilitatea de obţinere a straturilor amorfe de SiC şi nu este destul de pură din punct de vedere ecologic.
Problema pe care o rezolvă invenţia constă în crearea unei structuri fotovoltaice cu o singură joncţiune, adică a unei celule solare în baza heterostructurii, compuse din p-Si cristalin, acoperit de un strat amorf de carbură de siliciu cu conductibilitatea de tipul n.
Structura fotovoltaică cu o joncţiune, conform invenţiei, înlătură dezavantajele menţionate mai sus prin aceea că conţine un strat de carbură de siliciu cu conductibilitatea de tipul n, un substrat din siliciu monocristalin cu orientarea (100) şi conductibilitatea de tipul p, electrozii metalici de sus şi de jos. Structura reprezintă un component cu două straturi al heterojoncţiunii p-n a-SiC/c-Si, în care stratul de carbură de siliciu amorf cu conductibilitatea de tipul n cu grosimea filmului de 6...20 nm este depus prin dispersie magnetronică nereactivă în argon dintr-o ţintă solidă de SiC pe suprafaţa prealabil pregătită a substratului monocristalin de siliciu cu conductibilitatea de tipul p. Electrodul de sus este fabricat din argint sau cupru în formă de regletă de contact şi este amplasat nemijlocit pe stratul a-SiC, iar electrodul de jos din argint sau cupru este amplasat pe partea opusă a substratului din siliciu monocristalin.
Rezultatul tehnic constă în eficienţa structurii fotovoltaice nu mai joasă decât a celei mai apropiate soluţii în cazul grosimii stratului amorf de carbură de siliciu de tipul n în intervalul de 6…20 nm, de asemenea, costul mai scăzut al structurii fotovoltaice şi tehnologia de fabricare mai ecologică.
Invenţia se explică prin desenele din fig. 1-4, care reprezintă:
- fig. 1, vederea laterală a secţiunii structurii fotovoltaice;
- fig. 2, vederea de sus a structurii fotovoltaice cu o singură joncţiune;
- fig. 3, imagine obţinută la microscopul electronic cu transmisie JEM 2100, care confirmă structura amorfă a stratului SiC;
- fig. 4, caracteristica volt-amper a structurii fotovoltaice cu o singură joncţiune în baza heterostructurii carbură de siliciu amorf - p-Si (a-SiC/c-Si).
Structura fotovoltaică prezintă o celulă solară din semiconductori cu o singură joncţiune p-n, anume a-SiC/c-Si, care include electrodul de sus 1, fabricat din argint sau cupru în formă de regletă de contact, stratul 2 din carbură de siliciu amorf cu conductibilitatea de tipul n cu grosimea în intervalul 6…20 nm, depus prin dispersie magnetronică nereactivă dintr-o ţintă solidă de SiC pe suprafaţa prealabil pregătită a substratului monocristalin de siliciu cu conductibilitatea de tipul p cu orientarea (100) şi electrodul de jos 4 din argint sau cupru, depus nemijlocit pe suprafaţa opusă a substratului din Si monocristalin.
Exemplu de realizare
Electrodul de sus 1, fabricat din argint sau cupru în formă de regletă de contact, este depus pe stratul 2 din carbură de siliciu amorf. Stratul 2 din carbură de siliciu amorf cu conductibilitatea de tipul n cu grosimea în intervalul de 6…20 nm, este depus prin dispersie magnetronică nereactivă în argon dintr-o ţintă solidă, obţinută prin sinteza prealabilă a SiC, pe suprafaţa prealabil pregătită a substratului monocristalin de siliciu 3 de marca КДБ2 cu conductibilitatea de tipul p cu orientarea (100), grosimea 300 µm, rezistivitatea 2 Ω·cm. Pe suprafaţa opusă, de jos a substratului 3 din siliciu monocristalin de marca КДБ2 este depus electrodul de jos 4 din argint sau cupru.
În structura propusă stratul de carbură de siliciu amorf SiC cu conductibilitatea de tipul n joacă rolul stratului exterior de absorbţie a luminii, de aceea nu este necesară depunerea straturilor suplimentare de concentrare a radiaţiei solare.
Înainte de depunerea stratului din carbură de siliciu amorf pe suprafaţa prealabil pregătită a substratului monocristalin de siliciu 3 de marca КДБ2, cu scopul de a elimina stratul natural de oxid de siliciu, suprafaţa din partea unde este depusă SiC poate fi polizată, ce are un impact pozitiv asupra calităţii stratului depus.
Pe de altă parte, utilizarea suprafeţei nepolizate a substratului poate majora absorbţia energiei solare şi, prin urmare, eficienţa structurii fotovoltaice.
Pentru ameliorarea contactului cu metalul, partea opusă a substratului 3, pe care este depus electrodul de jos 4, de asemenea poate fi polizată, dar impactul pozitiv este neînsemnat, de aceea se poate depune electrodul 4 şi pe suprafaţa nepolizată a substratului 3.
Starea amorfă a stratului de carbură de siliciu este confirmată prin rezultatele difracţiei fascicolului de electroni în microscopul electronic de transmisie JEM 2100. Cercurile de difracţie din fig. 3а demonstrează absenţa orientării predominante în stratul amorf SiC, crescut pe substrat de Si (100), în fig. 3b se vede clar structura insulară a stratului amorf SiC.
Structura fotovoltaică propusă în baza heterojoncţiunii a-SiC/c-Si, carbură de siliciu amorf - siliciu de tipul p, cu utilizarea suprafeţei polizate, nedezvoltate a substratului din siliciu monocristalin, fără folosirea concentratorilor de radiaţie solară, demonstrează eficienţa de 7,83%, care este confirmată de caracteristica volt-amper din fig. 4.
Prin urmare, problema determinată de a obţine rezultatul tehnic propus, a fost soluţionată.
1. Yoshihisa Tawada, Hideo Yamagishi, Mass-production of large size a-Si modules and future plan, Solar Energy Materials & Solar Cells 66, 2001, p. 95-105
2. Y. Hamakawa, Recent progress of the amorphous silicon solar cells and their technology, Journal de Physique, Suppl №10, V. 42, 1981, p. C4-1131
3. Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Киселев B.C., Конакова Р.В., Лебедев А.А., Миленин В В., Охрименко О.Б., Поляков В. В., Светличный A.M., Чередниченко Д.И. Карбид кремния: технология, свойства, применение. Харьков, «ИСМА», 2010, c.532
4. Banerjee C., Haga K., Miyajima S., Yamada A., Konagai M., Fabrication of µc-3C-SiC/c-Si Heterojunction Solar Cell by Hot Wire CVD System, Photovoltaic Energy Conversion, Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference, on 7-12 May 2006, V.2, p.1334 - 1337
5. Y. Matsumoto, G. Hirata, H. Takakura, H. Okamoto, and Y. Hamakawa, A new type of high efficiency with a low cost solar cell having the structure of a µc SiC/polycrystalline silicon heterojunction J. Appl. Phys. 67, 6538, 1990
6. A. Solangi, M. I. Chaudhry, Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, Springer, Proceedings in Physics, Volume 71, 1992, p. 362-367
Claims (1)
- Structură fotovoltaică cu o joncţiune, care conţine un strat de carbură de siliciu cu conductibilitatea de tipul n, un substrat din siliciu monocristalin cu orientarea (100) şi conductibilitatea de tipul p, electrozii metalici de sus şi de jos, caracterizată prin aceea că reprezintă un component cu două straturi al heterojoncţiunii p-n a-SiC/c-Si, în care stratul de carbură de siliciu amorf cu conductibilitatea de tipul n cu grosimea filmului de 6...20 nm este depus prin dispersie magnetronică nereactivă în argon dintr-o ţintă solidă de SiC pe suprafaţa prealabil pregătită a substratului monocristalin de siliciu cu conductibilitatea de tipul p, electrodul de sus este fabricat din argint sau cupru în formă de regletă de contact şi este amplasat nemijlocit pe stratul a-SiC, iar electrodul de jos din argint sau cupru este amplasat pe partea opusă a substratului din siliciu monocristalin.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013113078/28A RU2532857C1 (ru) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | Фотовольтаическая структура |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD4339B1 MD4339B1 (ro) | 2015-03-31 |
| MD4339C1 true MD4339C1 (ro) | 2016-01-31 |
Family
ID=51656430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20130070A MD4339C1 (ro) | 2013-03-22 | 2013-10-03 | Structură fotovoltaică cu o joncţiune |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4339C1 (ro) |
| RU (1) | RU2532857C1 (ro) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2577174C1 (ru) * | 2014-12-18 | 2016-03-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Энергоэкотех" | Покрытие для фотовольтаической ячейки и способ его изготовления |
| CN110993743A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-10 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种异质结光伏器件的制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289886A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Hikari Kobayashi | 半導体膜の処理方法，光起電力素子の製造方法及び光起電力素子 |
| MD3112G2 (ro) * | 2005-06-16 | 2007-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Celulă solară cu straturi subţiri |
| MD3737G2 (ro) * | 2007-03-26 | 2009-05-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Celulă solară bilaterală şi procedeu de fabricare a acesteia |
| KR20120003116A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 강민석 | 탄화규소 광전지 소자의 표면 나노 구조 조직화 방법 및 그를 이용한 다이오드 구조 |
| US20130255775A1 (en) * | 2012-04-02 | 2013-10-03 | Nusola, Inc. | Wide band gap photovoltaic device and process of manufacture |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BR9711418B1 (pt) * | 1996-09-26 | 2010-06-29 | folha fotovoltaica, e, processo para a fabricação de uma folha fotovoltaica. | |
| JP3776098B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2006-05-17 | 圭弘 浜川 | 光発電装置 |
| CN101820006B (zh) * | 2009-07-20 | 2013-10-02 | 湖南共创光伏科技有限公司 | 高转化率硅基单结多叠层pin薄膜太阳能电池及其制造方法 |
-
2013
- 2013-03-22 RU RU2013113078/28A patent/RU2532857C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-10-03 MD MDA20130070A patent/MD4339C1/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289886A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Hikari Kobayashi | 半導体膜の処理方法，光起電力素子の製造方法及び光起電力素子 |
| MD3112G2 (ro) * | 2005-06-16 | 2007-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Celulă solară cu straturi subţiri |
| MD3737G2 (ro) * | 2007-03-26 | 2009-05-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Celulă solară bilaterală şi procedeu de fabricare a acesteia |
| KR20120003116A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 강민석 | 탄화규소 광전지 소자의 표면 나노 구조 조직화 방법 및 그를 이용한 다이오드 구조 |
| US20130255775A1 (en) * | 2012-04-02 | 2013-10-03 | Nusola, Inc. | Wide band gap photovoltaic device and process of manufacture |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| A. Solangi, M. I. Chaudhry, Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, Springer, Proceedings in Physics, Volume 71, 1992, p. 362-367 * |
| Banerjee C., Haga K., Miyajima S., Yamada A., Konagai M., Fabrication of μc-3C-SiC/c-Si Heterojunction Solar Cell by Hot Wire CVD System, Photovoltaic Energy Conversion, Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference, on 7-12 May 2006, V.2, p.1334 - 1337 * |
| Y. Hamakawa, Recent progress of the amorphous silicon solar cells and their technology, Journal de Physique, Suppl №10, V. 42, 1981, p. C4-1131 * |
| Y. Matsumoto, G. Hirata, H. Takakura, H. Okamoto, and Y. Hamakawa, A new type of high efficiency with a low cost solar cell having the structure of a μc SiC/polycrystalline silicon heterojunction J. Appl. Phys. 67, 6538, 1990 * |
| Yoshihisa Tawada, Hideo Yamagishi, Mass-production of large size a-Si modules and future plan, Solar Energy Materials & Solar Cells 66, 2001, p. 95-105 * |
| Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Киселев B.C., Конакова Р.В., Лебедев А.А., Миленин В В., Охрименко О.Б., Поляков В. В., Светличный A.M., Чередниченко Д.И. Карбид кремния: технология, свойства, применение. Харьков, «ИСМА», 2010, c.532 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2532857C1 (ru) | 2014-11-10 |
| RU2013113078A (ru) | 2014-09-27 |
| MD4339B1 (ro) | 2015-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101197639B1 (ko) | 그래핀 구조, 그 제조 방법 및 그래핀 구조를 이용한 투명 전극 | |
| Wang et al. | Efficient heterojunction solar cells on p-type crystal silicon wafers | |
| JP2009503848A (ja) | 組成傾斜光起電力デバイス及び製造方法並びに関連製品 | |
| CN102064216A (zh) | 一种新型晶体硅太阳电池及其制作方法 | |
| WO2012134807A2 (en) | Graphene-based multi-junctions flexible solar cell | |
| CN103000742A (zh) | 一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法 | |
| Bertolli | Solar cell materials | |
| KR20080091655A (ko) | 박막형 광기전력 변환소자 및 그 제조방법 | |
| CN101820007A (zh) | 高转化率硅晶及薄膜复合型多结pin太阳能电池及其制造方法 | |
| US10256362B2 (en) | Flexible silicon infrared emitter | |
| CN103563091B (zh) | 具有改善的隧道结的串列太阳能电池 | |
| RU2590284C1 (ru) | Солнечный элемент | |
| CN106409961B (zh) | 一种n-Si/CdSSe叠层太阳电池及其制备方法 | |
| CN101894871B (zh) | 高转化率硅晶及薄膜复合型单结pin太阳能电池及其制造方法 | |
| WO2012057604A1 (en) | Nanostructure-based photovoltaic cell | |
| CN102157594B (zh) | 一种超晶格量子阱太阳电池及其制备方法 | |
| MD4339C1 (ro) | Structură fotovoltaică cu o joncţiune | |
| RU2632266C2 (ru) | Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния | |
| Angadi et al. | A review on different types of materials employed in solar photovoltaic panel | |
| KR20110044442A (ko) | 박막 태양전지용 투명전극 및 그의 제조방법 | |
| KR101079027B1 (ko) | 광기전력 장치의 제조 방법 | |
| CN111276550A (zh) | 具有石墨烯透明电极的柔性太阳能电池及其制作方法 | |
| CN204424275U (zh) | 具有量子阱结构的碲化镉薄膜太阳能电池 | |
| JP2014049652A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP5872877B2 (ja) | 薄膜太陽電池モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |