MD1891Z - Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb - Google Patents

Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb

Info

Publication number
MD1891Z
MD1891Z MDS20240067A MDS20240067A MD1891Z MD 1891 Z MD1891 Z MD 1891Z MD S20240067 A MDS20240067 A MD S20240067A MD S20240067 A MDS20240067 A MD S20240067A MD 1891 Z MD1891 Z MD 1891Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
film
films
electric field
capacitor
support
Prior art date
Application number
MDS20240067A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Леонид КОНОПКО
Альбина НИКОЛАЕВА
Георге ПАРА
Original Assignee
Публичное Учреждение Технический Университет Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Публичное Учреждение Технический Университет Молдовы filed Critical Публичное Учреждение Технический Университет Молдовы
Priority to MDS20240067A priority Critical patent/MD1891Z/ru
Publication of MD1891Y publication Critical patent/MD1891Y/ru
Publication of MD1891Z publication Critical patent/MD1891Z/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области термоэлектрических материалов, а именно к способам рекристаллизации монокристаллических плёнок из анизотропных материалов Bi или Bi-Sb.Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb состоит в перемещении через конденсатор подложки из слюды с нанесённой на неё плёнкой Bi или Bi-Sb, конденсатор будучи образованный из медной пластины и стеклянной пластины с проводящим полупрозрачным слоем на внутренней стороне, создающий сильное электрическое поле; нагревании части плёнки лазерным лучом до температуры плавления с образованием небольшой зоны плавления, которая по направлению перемещения подложки из слюды внутри конденсатора немедленно рекристаллизуется потоком воздуха, с направлением кристаллографической оси С3по направлению электрического поля.
MDS20240067A 2024-06-24 2024-06-24 Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb MD1891Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20240067A MD1891Z (ru) 2024-06-24 2024-06-24 Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20240067A MD1891Z (ru) 2024-06-24 2024-06-24 Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1891Y MD1891Y (ru) 2025-10-31
MD1891Z true MD1891Z (ru) 2026-02-28

Family

ID=97493436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20240067A MD1891Z (ru) 2024-06-24 2024-06-24 Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1891Z (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
MD1891Y (ru) 2025-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3213338B2 (ja) 薄膜半導体装置の製法
US4737232A (en) Process for depositing and crystallizing a thin layer of organic material by means of a beam of energy
US4743567A (en) Method of forming thin, defect-free, monocrystalline layers of semiconductor materials on insulators
SE7602574L (sv) Nya kisel kristaller och forfarande for framstellning derav
JPWO2013157418A1 (ja) ＳｉＣ単結晶及びその製造方法
JPH0521340A (ja) 薄膜半導体装置、その製法および製造装置
MD1891Z (ru) Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb
US4871517A (en) Apparatus for parting wafer-shaped silicon bodies, useful for solar cells, from a silicon tape manufactured in a horizontal tape-drawing method
KR20070067640A (ko) 깨지기 쉬운 물질로 이루어진 디스크인 웨이퍼를 분리하는방법 및 장치
JPH0521339A (ja) 薄膜半導体装置とその製法
CA1320897C (en) Method and apparatus for making inorganic webs and structures formed thereof
JP5742119B2 (ja) 磁性半導体用基板、磁性半導体用基板の製造方法及び磁性半導体用基板の製造装置
JP2787535B2 (ja) 球状結晶の製造方法および球状結晶アレイ
JPH03263626A (ja) 光学情報記録再生消去部材
EP0431685A1 (en) Method of forming thin defect-free strips of monocrystalline silicon on insulators
JPS61232607A (ja) Ｓｏｉ結晶の形成方法
JP3484547B2 (ja) 薄膜形成方法
US20170198408A1 (en) Sic single crystal production method and production apparatus
JPH03173417A (ja) 半導体薄膜の製造方法
JP2996997B2 (ja) 半導体薄膜のレーザー溶融再結晶化方法
JPH05234885A (ja) 単結晶シリコン薄膜形成方法及びその装置
JPH0521342A (ja) 薄膜半導体装置とその製法
JPH03174718A (ja) 薄膜半導体とその製造方法
JPS58112323A (ja) 電子ビ−ムアニ−ル方法
CN115210414A (zh) 使用组合的表面冷却和熔体加热控制在熔体表面上形成的结晶板片的厚度和宽度

Legal Events

Date Code Title Description
FG9Y Short term patent issued