MD1891Z

MD1891Z - Process for recrystallizing single-crystal Bi or Bi-Sb films

Info

Publication number: MD1891Z
Application number: MDS20240067A
Authority: MD
Inventors: Леонид КОНОПКО; Альбина НИКОЛАЕВА; Георге ПАРА
Original assignee: Публичное Учреждение Технический Университет Молдовы
Priority date: 2024-06-24
Filing date: 2024-06-24
Publication date: 2026-02-28
Also published as: MD1891Y

Abstract

Invenţia se referă la domeniul materialelor termoelectrice, şi anume la procedee de recristalizare a filmelor monocristaline din materiale anizotrope de Bi sau Bi-Sb.Procedeul de recristalizare a filmelor monocristaline de Bi sau Bi-Sb constă în mişcarea printr-un condensator a unui suport de mică cu filmul de Bi sau Bi-Sb depus, condensatorul fiind format dintr-o placă de cupru şi o placă de sticlă cu un strat conductiv translucid pe partea interioară, care generează un câmp electric puternic; încălzirea unei părţi a filmului cu un fascicul laser până la temperatura de topire cu formarea unei mici zone topite, care în direcţia de mişcare a suportului de mică în interiorul condensatorului este imediat recristalizată de un flux de aer, cu direcţia axei cristalografice С3a filmului în direcţia câmpului electric.The invention relates to the field of thermoelectric materials, namely to processes for recrystallization of single-crystalline films of anisotropic Bi or Bi-Sb materials. The process for recrystallization of single-crystalline Bi or Bi-Sb films consists in moving a mica support with the deposited Bi or Bi-Sb film through a capacitor, the capacitor being formed of a copper plate and a glass plate with a translucent conductive layer on the inner side, which generates a strong electric field; heating a part of the film with a laser beam to the melting temperature with the formation of a small molten zone, which in the direction of movement of the mica support inside the capacitor is immediately recrystallized by an air flow, with the direction of the C3a crystallographic axis of the film in the direction of the electric field.

Description

[0001] Invenţia se referă la domeniul materialelor termoelectrice, şi anume la procedee de recristalizare a filmelor monocristaline din materiale anizotrope de Bi sau Bi-Sb.[0001] The invention relates to the field of thermoelectric materials, namely to processes for recrystallization of monocrystalline films made of anisotropic Bi or Bi-Sb materials.

[0002] În aerodinamica modernă, problema înregistrării fluxurilor de căldură în timpul mişcării unui corp la viteză hipersonică în medii gazoase este relevantă. Procesele termice nestaţionare de la suprafaţa unui corp, care transmit informaţii importante despre fizica proceselor, au loc la frecvenţe înalte, prin urmare, pentru a înregistra fluxul de căldură, sunt necesari şi senzori care funcţionează la frecvenţe înalte (de exemplu, cu o constantă de timp de 10-6s).[0002] In modern aerodynamics, the problem of recording heat fluxes during the movement of a body at hypersonic speed in gaseous media is relevant. Non-stationary thermal processes on the surface of a body, which convey important information about the physics of the processes, occur at high frequencies, therefore, to record the heat flux, sensors operating at high frequencies (for example, with a time constant of 10-6s) are also required.

[0003] Este cunoscut un procedeu de creştere a cristalelor dintr-o topitură folosind agent de cristalizare. În această metodă, este necesar să se asigure contactul iniţial al agentului de cristalizare, adică, cristal orientat special, cu o topitură (sau zonă de topire) a unui cristal recristalizat [1].[0003] A method of growing crystals from a melt using a crystallizing agent is known. In this method, it is necessary to ensure the initial contact of the crystallizing agent, i.e., specially oriented crystal, with a melt (or melting zone) of a recrystallized crystal [1].

[0004] Sunt cunoscute două procedee de creştere a filmelor de bismut monocristalin folosind recristalizarea filmului sub un strat protector [2] şi topirea zonei sub acoperire [3], care permit obţinerea unor filme monocristaline de Bi şi Bi-Sb fără agent de cristalizare şi, în aproape toate cazurile, planul de clivaj (111) a fost situat paralel cu suportul, adică, axa cristalografică principală C3a filmelor a fost situată perpendicular suportului.[0004] Two processes are known for growing single-crystalline bismuth films using recrystallization of the film under a protective layer [2] and melting of the area under the coating [3], which allow obtaining single-crystalline Bi and Bi-Sb films without a crystallization agent and, in almost all cases, the cleavage plane (111) was located parallel to the support, i.e., the main crystallographic axis C3a of the films was located perpendicular to the support.

[0005] Dezavantajul acestor procedee constă în imposibilitatea obţinerii filmelor cu orientare necesară a axei cristalografice principale C3, ceea ce este o condiţie necesară pentru utilizarea filmelor de Bi monocristalin pentru fabricarea dispozitivelor termoelectrice anizotrope, în special a senzorilor de flux de căldură.[0005] The disadvantage of these processes lies in the impossibility of obtaining films with the required orientation of the main crystallographic axis C3, which is a necessary condition for using single-crystalline Bi films for the manufacture of anisotropic thermoelectric devices, in particular heat flux sensors.

[0006] Cea mai apropiată soluţie este un procedeu de recristalizare a filmelor monocristaline din material anizotrop de Bi sau Bi-Sb, care constă în mişcarea printr-un condensator a unui suport de sticlă cu filmul monocristalin depus, condensatorul fiind format dintr-o placă de cupru şi o placă de sticlă cu un strat conductiv translucid pe partea interioară, care generează un câmp electric puternic, încălzirea unei părţi a filmului cu un fascicul laser până la temperatura de topire cu formarea unei mici zone topite, care în direcţia de mişcare a suportului de sticlă în interiorul condensatorului este imediat recristalizată de un flux de aer, cu direcţia axei cristalografice С3a filmului în direcţia câmpului electric [4].[0006] The closest solution is a process for recrystallization of monocrystalline films made of anisotropic Bi or Bi-Sb material, which consists in moving a glass support with the deposited monocrystalline film through a condenser, the condenser being formed of a copper plate and a glass plate with a translucent conductive layer on the inner side, which generates a strong electric field, heating a part of the film with a laser beam to the melting temperature with the formation of a small molten zone, which in the direction of movement of the glass support inside the condenser is immediately recrystallized by an air flow, with the direction of the crystallographic axis С3a of the film in the direction of the electric field [4].

[0007] Dezavantajul acestui procedeu constă în utilizarea în procesul tehnologic a peliculelor de Bi şi Bi-Sb depuse pe suporturi subţiri de sticlă (grosimea minimă a sticlelor de acoperire este de 130 µm), ceea ce limitează caracteristicile de frecvenţă al senzorilor de flux termic realizaţi din astfel de pelicule.[0007] The disadvantage of this process consists in the use in the technological process of Bi and Bi-Sb films deposited on thin glass supports (the minimum thickness of the cover glasses is 130 µm), which limits the frequency characteristics of the heat flux sensors made from such films.

[0008] Problema pe care o rezolvă invenţia constă în elaborarea unei tehnologii de recristalizare a peliculelor de material anizotrop (de exemplu de Bi şi aliajul de Bi-Sb), cu caracteristici de frecvenţă majore şi cu orientarea dorită a axei cristalografice С3faţă de planul filmului.[0008] The problem solved by the invention consists in developing a technology for recrystallization of films of anisotropic material (for example Bi and Bi-Sb alloy), with major frequency characteristics and with the desired orientation of the С3 crystallographic axis relative to the film plane.

[0009] Procedeul, conform invenţiei, elimină dezavantajele menţionate mai sus prin aceea că constă în mişcarea printr-un condensator a unui suport de mică cu filmul de Bi sau Bi-Sb depus pe acesta, condensatorul fiind format dintr-o placă de cupru şi o placă de sticlă cu un strat conductiv translucid pe partea interioară, care generează un câmp electric puternic, încălzirea unei părţi a filmului cu un fascicul laser până la temperatura de topire cu formarea unei mici zone topite, care în direcţia de mişcare a suportului de mică în interiorul condensatorului este imediat recristalizată de un flux de aer, cu direcţia axei cristalografice С3a filmului în direcţia câmpului electric.[0009] The method, according to the invention, eliminates the above-mentioned disadvantages by consisting in moving through a capacitor a mica support with the Bi or Bi-Sb film deposited thereon, the capacitor being formed of a copper plate and a glass plate with a translucent conductive layer on the inner side, which generates a strong electric field, heating a part of the film with a laser beam to the melting temperature with the formation of a small molten zone, which in the direction of movement of the mica support inside the capacitor is immediately recrystallized by an air flow, with the direction of the crystallographic axis С3a of the film in the direction of the electric field.

[0010] Rezultatul tehnic al invenţiei constă în obţinerea unei pelicule recristalizate monocristaline de Bi sau Bi-Sb pe un suport subţire de mică (tmica≥10 µm) cu poziţia necesară a axei cristalografice principale C3a filmului faţă de planul acestuia, ceea ce majorează caracteristicile de frecvenţă ale senzorului de flux de căldură executat dintr-o astfel de peliculă.[0010] The technical result of the invention consists in obtaining a recrystallized monocrystalline film of Bi or Bi-Sb on a thin mica support (tmica≥10 µm) with the required position of the main crystallographic axis C3a of the film relative to its plane, which increases the frequency characteristics of the heat flux sensor made of such a film.

[0011] Invenţia se explică prin desenele din fig. 1-3, care reprezintă:[0011] The invention is explained by the drawings in Fig. 1-3, which represent:

[0012] - fig.1, schema instalaţiei pentru recristalizarea filmelor de Bi sau Bi-Sb pentru a obţine un film monocristalin cu axa cristalografică principală C3orientată de-a lungul direcţiei câmpului electric, include: 1 - placa de sticlă cu un strat conductiv translucid, 2 - lentila care focalizează fasciculul laser pe suprafaţa filmului, 3 - laser semiconductor, λ=450 nm, P=2 W, 4 - cristalizator (flux de aer), 5 - film de Bi sau Bi-Sb depus pe un suport de mică, 6 - condensator format dintr-o placă de sticlă cu un strat conductor translucid şi o placă de cupru situată la o distanţă de 2,5 cm una faţă de alta, condensatorul este înclinat faţă de peliculă la un unghi θ=36°;[0012] - fig.1, diagram of the installation for recrystallization of Bi or Bi-Sb films to obtain a monocrystalline film with the main crystallographic axis C3 oriented along the direction of the electric field, includes: 1 - glass plate with a translucent conductive layer, 2 - lens focusing the laser beam on the film surface, 3 - semiconductor laser, λ=450 nm, P=2 W, 4 - crystallizer (air flow), 5 - Bi or Bi-Sb film deposited on a mica support, 6 - capacitor formed by a glass plate with a translucent conductive layer and a copper plate located at a distance of 2.5 cm from each other, the capacitor is inclined to the film at an angle θ=36°;

[0013] - fig. 2, dependenţa de timp a tensiunii U la capetele filmului de Bi recristalizat monocristalin cu grosimea b = 1 µm, depus pe un suport de mica cu grosimea de 20 µm, cu axa C3deviată de la planul filmului cu un unghi θ=36°, când este iluminat cu un flux de lumină modulată (de la iluminatorul microscopului MBS-9), fluxul de lumină este direcţionat direct către filmul de bismut;[0013] - fig. 2, time dependence of the voltage U at the ends of the monocrystalline recrystallized Bi film with thickness b = 1 µm, deposited on a mica support with a thickness of 20 µm, with the C3 axis deviated from the film plane by an angle θ=36°, when illuminated with a modulated light flux (from the MBS-9 microscope illuminator), the light flux is directed directly to the bismuth film;

[0014] - fig. 3, dependenţa de frecvenţă a tensiunii normalizate U/U10 Hzla capetele filmului de Bi monocristaline recristalizate cu grosimea b = 2 µm, a - filmul de Bi pe suportul de mică cu grosimea de 19 µm, b - filmul de Bi pe suportul de sticlă cu grosimea de 130 µm, cu iluminarea peliculelor cu flux luminos modulat, inserţiile prezintă configuraţia experimentală şi dimensiunile geometrice ale peliculelor: 7 - iluminator de la microscopul MBS-9, 8 - modulator, 9 - filmul de Bi cu grosimea de 2 µm, 10 - suport de mică (a) sau sticlă (b).[0014] - Fig. 3, frequency dependence of the normalized voltage U/U10 Hz at the ends of the recrystallized monocrystalline Bi film with a thickness of b = 2 µm, a - Bi film on the mica support with a thickness of 19 µm, b - Bi film on the glass support with a thickness of 130 µm, with the illumination of the films with modulated luminous flux, the inserts show the experimental configuration and the geometric dimensions of the films: 7 - illuminator from the MBS-9 microscope, 8 - modulator, 9 - Bi film with a thickness of 2 µm, 10 - mica support (a) or glass (b).

[0015] Exemplu de realizare a invenţiei[0015] Embodiment of the invention

[0016] Exemplul 1.Example 1.

[0017] Pe fig. 1 este prezentată schema instalaţiei pentru a demonstra metoda propusă pentru fabricarea filmului de Bi sau Bi-Sb pe suportul de mică 5 cu axa cristalografică principală C3situată în direcţia câmpului electric E. Condensatorului i se aplică o tensiune de 7,5 kV, iar în condensator apare un câmp electric E=3 kV/cm, al cărui vector este, de asemenea, înclinat faţă de peliculă la un unghi θ=36°. Filmul de Bi sau Bi-Sb de 1 µm grosime, 500 µm lăţime şi 16 mm lungime, depus în vid pe suportul de mică 5, se deplasează cu o viteză v=250 mm/min în interiorul condensatorului 6 în zona câmpului electric puternic. O mică parte a filmului este topită de un fascicul laser focalizat 3 şi imediat, atunci când filmul este deplasat, este cristalizată printr-un flux de aer 4, în timp ce axa cristalografică principală C3este situată în direcţia vectorului câmpului electric. Folosind un laser semiconductor (λ=450 nm, P=2 W), s-a obţinut un film de Bi recristalizat monocristalin cu grosimea de b=1 µm cu axa C3deviată de la planul filmului cu un unghi θ=36°. Un astfel de film posedă proprietăţi a unui termoelement anizotrop. Tensiunea E care apare la capetele filmului din cauza gradientului transversal de temperatură ΔT este egală cu:[0017] Fig. 1 shows the scheme of the installation to demonstrate the proposed method for manufacturing the Bi or Bi-Sb film on the mica support 5 with the main crystallographic axis C3located in the direction of the electric field E. A voltage of 7.5 kV is applied to the capacitor, and an electric field E=3 kV/cm appears in the capacitor, the vector of which is also inclined to the film at an angle θ=36°. The Bi or Bi-Sb film of 1 µm thickness, 500 µm width and 16 mm length, deposited in vacuum on the mica support 5, moves with a speed v=250 mm/min inside the capacitor 6 in the area of the strong electric field. A small part of the film is melted by a focused laser beam 3 and immediately, when the film is moved, it is crystallized by an air flow 4, while the main crystallographic axis C3 is located in the direction of the electric field vector. Using a semiconductor laser (λ=450 nm, P=2 W), a monocrystalline recrystallized Bi film with a thickness of b=1 µm was obtained with the C3 axis deviated from the film plane by an angle θ=36°. Such a film possesses properties of an anisotropic thermocouple. The voltage E that appears at the ends of the film due to the transverse temperature gradient ΔT is equal to:

[0018] [0018]

[0019] unde α - este lungimea filmului, b - este grosimea filmului,S12- este componenta diagonală a tensorului forţei termoelectromotoare, unde θ - este unghiul de înclinare a axei cristalografice C3faţă de planul filmului,[0019] where α - is the film length, b - is the film thickness, S12 - is the diagonal component of the thermoelectromotive force tensor, where θ - is the inclination angle of the crystallographic axis C3 relative to the film plane,

- este anizotropia forţei termoelectromotoare.- is the anisotropy of the thermoelectromotive force.

[0020] Proprietăţile filmului de Bi recristalizat, care se manifestă ca un termoelement anizotrop, au fost confirmate atunci când a fost iluminat cu un iluminator 7 de la microscopul MBS-9. La capetele filmului apare o tensiune U din cauza gradientului de temperatură transversal ΔT, iar când lumina este stinsă, apare o tensiune de polaritate inversă, datorită faptului că o parte a filmului în contact cu suportul de mică s-a răcit mai lent decât partea filmului în contact cu aerul (fig. 2). Caracteristicile dinamice atunci când lumina este pornită şi stinsă succesiv pot fi explicate pe deplin prin teoria unui termoelement anizotrop. Când iluminarea este pornită, temperatura T1 a stratului superior al filmului de Bi, se schimbă rapid, în timp ce temperatura T2 a stratului inferior al filmului de Bi în contact cu suportul de mică 5 începe să crească treptat. La tensiunea maximă U la capetele filmului, adică, la gradientul de temperatură transversal maxim pe filmul de bismut T1>T2 şi T2=T3 (T3 - este de fapt temperatura ambiantă), atunci temperatura T2 începe să crească, ceea ce conduce la o scădere a gradientului de temperatură şi, în consecinţă, la o micşorare a tensiunii de ieşire U. Când se atinge echilibrul dinamic, se stabileşte un gradient de temperatură constant la T1>T2 şi T2>T3. Când iluminarea este stinsă, temperatura T1 a stratului superior al filmului de Bi îndreptat spre emiţător revine rapid la temperatura camerei T3, în timp ce temperatura stratului inferior al filmului de Bi în contact cu suportul de mică, T2, datorită prezenţei suportului, nu se răceşte atât de repede, ceea ce duce la apariţia gradientului transversal de temperatură de semn opus (T1<T2) şi la apariţia unei tensiuni negative U la capetele filmului, care creşte treptat până la zero pe măsură ce temperaturile T1=T2=T3 se egalează.[0020] The properties of the recrystallized Bi film, which manifests itself as an anisotropic thermocouple, were confirmed when it was illuminated with an illuminator 7 of the MBS-9 microscope. At the ends of the film, a voltage U appears due to the transverse temperature gradient ΔT, and when the light is turned off, a voltage of reverse polarity appears, due to the fact that a part of the film in contact with the mica support cooled more slowly than the part of the film in contact with air (Fig. 2). The dynamic characteristics when the light is turned on and off successively can be fully explained by the theory of an anisotropic thermocouple. When the illumination is turned on, the temperature T1 of the upper layer of the Bi film changes rapidly, while the temperature T2 of the lower layer of the Bi film in contact with the mica support 5 begins to gradually increase. At the maximum voltage U at the ends of the film, i.e., at the maximum transverse temperature gradient on the bismuth film T1>T2 and T2=T3 (T3 - is actually the ambient temperature), then the temperature T2 starts to increase, which leads to a decrease in the temperature gradient and, consequently, to a decrease in the output voltage U. When dynamic equilibrium is reached, a constant temperature gradient is established at T1>T2 and T2>T3. When the illumination is turned off, the temperature T1 of the upper layer of the Bi film facing the emitter quickly returns to room temperature T3, while the temperature of the lower layer of the Bi film in contact with the mica support, T2, due to the presence of the support, does not cool down as quickly, which leads to the appearance of the opposite sign transverse temperature gradient (T1<T2) and to the appearance of a negative voltage U at the ends of the film, which gradually increases to zero as the temperatures T1=T2=T3 equalize.

[0021] Exemplul 2.Example 2.

[0022] Conform tehnologiei propuse, în condiţii identice. Condensatorul este înclinat faţă de peliculă la un unghi de θ=36°, în condensator este indus un câmp electric E = 3 kV/cm, o peliculă de bismut cu grosimea de 2 µm, lăţimea de 500 µm şi lungimea de 16 mm se mişcă cu o viteză de v=250 mm/min în interiorul condensatorului în zona de acţiune a unui câmp electric puternic, o mică parte a peliculei este topită de un fascicul laser focalizat şi imediat după mişcarea sa este cristalizată de un curent de aer. Au fost recristalizate 2 filme de Bi cu grosimea de 2 µm, depuse în vid pe un suport de mică cu grosimea de 19 µm şi pe un suport de sticlă (lamelă) cu grosimea de 130 µm. Pentru a studia caracteristicile de frecvenţă, filmele de Bi recristalizate obţinute au fost iluminate cu un iluminator 7 de la un microscop MBS-9 folosind un modulator 8 sub forma unui disc metalic rotativ cu fante. Tensiunea care apare la capetele peliculelor, este înregistrată de un detector sincron, schema experimentală şi dimensiunile geometrice ale peliculelor sunt prezentate în inserţiile din fig. 3.[0022] According to the proposed technology, under identical conditions. The capacitor is inclined to the film at an angle of θ=36°, an electric field E = 3 kV/cm is induced in the capacitor, a bismuth film with a thickness of 2 µm, a width of 500 µm and a length of 16 mm moves with a speed of v=250 mm/min inside the capacitor in the zone of action of a strong electric field, a small part of the film is melted by a focused laser beam and immediately after its movement is crystallized by an air stream. 2 Bi films with a thickness of 2 µm were recrystallized, deposited in vacuum on a mica support with a thickness of 19 µm and on a glass support (slide) with a thickness of 130 µm. To study the frequency characteristics, the obtained recrystallized Bi films were illuminated with an illuminator 7 from an MBS-9 microscope using a modulator 8 in the form of a rotating metal disk with slots. The voltage that appears at the ends of the films is recorded by a synchronous detector, the experimental scheme and the geometric dimensions of the films are presented in the insets of Fig. 3.

[0023] Pe fig. 3 este prezentată dependenţa de frecvenţă a tensiunii de ieşire normalizate la capetele peliculelor U/U10 Hziluminate cu lumină modulată. După cum se observă, pe filmul de Bi recristalizat, depus pe suportul de sticlă (b), semnalul de ieşire se atenuează mult mai rapid odată cu creşterea frecvenţei de modulaţie, în comparaţie cu filmul de Bi recristalizat, depus pe suportul de mică (a). Magnitudinea tensiunii de ieşire la capetele peliculei depinde de gradientul transversal de temperatură. Când lumina este oprită, rata de modificare a temperaturii pe suprafaţa peliculei de Bi orientată spre suport depinde de rezistenţa termică de la această suprafaţă la mediul extern. Fluxul de căldură prin materialul de Bi este acelaşi pentru cele două filme (a) şi (b), în timp ce fluxul de căldură prin suport este diferit. Rezistenţa termică de la această suprafaţă prin suport este egala cuR=l/(k·s), unde l - grosimea suportului, k - conductivitatea termică a suportului, s - secţiunea transversală perpendiculară pe propagarea căldurii (aceeaşi pentru cele două pelicule). Conductivitatea termică a micei este de kmica=0,5 W/(m K), conductivitatea termică a sticlei borosilicat, din care se fabrică sticlele de acoperire, de 1,15 W/(m K), de Rsticlă/Rmicăeste de:[0023] Fig. 3 shows the frequency dependence of the normalized output voltage at the ends of the U/U10 Hz films illuminated with modulated light. As can be seen, on the recrystallized Bi film deposited on the glass support (b), the output signal decays much faster with increasing modulation frequency, compared to the recrystallized Bi film deposited on the mica support (a). The magnitude of the output voltage at the ends of the film depends on the transverse temperature gradient. When the light is turned off, the rate of change of temperature on the surface of the Bi film facing the support depends on the thermal resistance from this surface to the external environment. The heat flux through the Bi material is the same for the two films (a) and (b), while the heat flux through the support is different. The thermal resistance from this surface through the support is equal to R=l/(k s), where l - the thickness of the support, k - the thermal conductivity of the support, s - the cross-section perpendicular to the heat propagation (the same for the two films). The thermal conductivity of mica is kmica=0.5 W/(m K), the thermal conductivity of borosilicate glass, from which the cover glasses are made, is 1.15 W/(m K), Rglass/Rmica is:

[0024] [0024]

[0025] După cum se observă, rezistenţa termică pe suportul de sticlă este de 3 ori mai mare decât rezistenţa termică pe suportul de mică. O diferenţă atât de mare în rezistenţa termică duce la o scădere semnificativ mai rapidă a tensiunii de ieşire pe filmul de Bi pe suportul de sticlă, comparativ cu filmul de Bi pe suportul de mică, observată experimental. Această diferenţă va fi şi mai mare dacă filmul de Bi este aplicat pe un suport de mică cu o grosime de 10 µm, atunci[0025] As can be seen, the thermal resistance on the glass substrate is 3 times higher than the thermal resistance on the mica substrate. Such a large difference in thermal resistance leads to a significantly faster drop in the output voltage on the Bi film on the glass substrate, compared to the Bi film on the mica substrate, observed experimentally. This difference will be even greater if the Bi film is applied on a mica substrate with a thickness of 10 µm, then

[0026] [0026]

[0027] 1. Пфанн В. Зонная плавка, Мир, Москва, 1970, р. 246-251[0027] 1. Пфанн В. Зонная плавка, Мир, Москва, 1970, р. 246-251

[0028] 2. Л. Палатник, А. Федоренко, В. Едыкин, В. Гамаюнов. Выращивание монокристаллических пленок под защитным слоем, Приборы и техника эксперимента № 6, 1975, р. 243-245[0028] 2. L. Palatnik, A. Fedorenko, V. Edykin, V. Gamayunov. Выращивание монокристальлический пленок под загрузиным слоем, Devices and experimental technique № 6, 1975, р. 243-245

[0029] 3. В. Комаров, И. Попов, А. Грозав. Продольное магнитосопротивление перекристаллизованных полуметаллических пленок Bi1-xSbx, Buletinul academiei de ştiinţe a RSS Moldova, Fizica şi tehnica nr. 2, 1991, p. 3-7[0029] 3. В. Komarov, I. Popov, A. Grozav Продолное магнитосопротивление перекристаллизованных полуметалических пленок Bi1-xSbx, Bulletin of the Academy of Sciences of the SSR Moldova, Physics and Technology no. 2, 1991, pp. 3-7

[0030] 4. Leonid Konopko, Albina Nikolaeva, Ana Kobylianskaya, Gheorge Para. Technology of oriented growth of anisotropic singlecrystal Bi films in a strong electric field, 13th Edition of European Exhibition of Creativity and Innovation, Romania 20214. Leonid Konopko, Albina Nikolaeva, Ana Kobylianskaya, Gheorge Para. Technology of oriented growth of anisotropic single crystal Bi films in a strong electric field, 13th Edition of European Exhibition of Creativity and Innovation, Romania 2021

Claims

1. Process for recrystallization of single-crystalline Bi or Bi-Sb films, which consists in moving through a condenser a mica support with the deposited Bi or Bi-Sb film, the condenser being formed of a copper plate and a glass plate with a translucent conductive layer on the inner side, which generates a strong electric field; heating a part of the film with a laser beam to the melting temperature with the formation of a small molten zone, which in the direction of movement of the mica support inside the condenser is immediately recrystallized by an air flow, with the direction of the crystallographic axis С3a of the film in the direction of the electric field.