MD1891Y - Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb - Google Patents

Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb

Info

Publication number
MD1891Y
MD1891Y MDS20240067A MDS20240067A MD1891Y MD 1891 Y MD1891 Y MD 1891Y MD S20240067 A MDS20240067 A MD S20240067A MD S20240067 A MDS20240067 A MD S20240067A MD 1891 Y MD1891 Y MD 1891Y
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
capacitor
films
film
recrystallizing
electric field
Prior art date
Application number
MDS20240067A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Леонид КОНОПКО
Альбина НИКОЛАЕВА
Георге ПАРА
Original Assignee
Публичное Учреждение Технический Университет Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Публичное Учреждение Технический Университет Молдовы filed Critical Публичное Учреждение Технический Университет Молдовы
Priority to MDS20240067A priority Critical patent/MD1891Y/ru
Publication of MD1891Y publication Critical patent/MD1891Y/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области термоэлектрических материалов, а именно к способам рекристаллизации монокристаллических плёнок из анизотропных материалов Bi или Bi-Sb.Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb состоит в перемещении через конденсатор подложки из слюды с нанесённой на неё плёнкой Bi или Bi-Sb, конденсатор будучи образованный из медной пластины и стеклянной пластины с проводящим полупрозрачным слоем на внутренней стороне, создающий сильное электрическое поле; нагревании части плёнки лазерным лучом до температуры плавления с образованием небольшой зоны плавления, которая по направлению перемещения подложки из слюды внутри конденсатора немедленно рекристаллизуется потоком воздуха, с направлением кристаллографической оси С3по направлению электрического поля.
MDS20240067A 2024-06-24 2024-06-24 Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb MD1891Y (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20240067A MD1891Y (ru) 2024-06-24 2024-06-24 Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20240067A MD1891Y (ru) 2024-06-24 2024-06-24 Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb

Publications (1)

Publication Number Publication Date
MD1891Y true MD1891Y (ru) 2025-10-31

Family

ID=97493436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20240067A MD1891Y (ru) 2024-06-24 2024-06-24 Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1891Y (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050028136A (ko) 엑시머 레이저를 이용한 비정질 실리콘 박막 결정화 방법
JP2007535275A (ja) Mem共振器の周波数を調整するための方法
KR860009480A (ko) 평탄성 박막의 제조방법
MD1891Y (ru) Способ рекристаллизации монокристаллических плёнок Bi или Bi-Sb
JPS59205711A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0521340A (ja) 薄膜半導体装置、その製法および製造装置
TW200415708A (en) Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
WO2019029535A1 (zh) 一种利用脉冲激光制备非晶合金的装置、方法及应用
JPS6221209A (ja) 高周波アニ−ル方法
FR3095779B1 (fr) Procede de fabrication d’un module electronique de puissance
JP5545033B2 (ja) 積層体およびその製造方法
US8129215B1 (en) Method for producing high temperature thin film silicon layer on glass
Furukawa et al. In-situ measurement of temperature variation in Si wafer during millisecond rapid thermal annealing induced by thermal plasma jet irradiation
US10707077B2 (en) Method and device for manufacturing low temperature poly-silicon, and laser assembly
MD1680Y (ru) Способ рекристаллизации микропровода на основе висмута в стеклянной изоляции
JPS6144785A (ja) 半導体単結晶薄膜の製造方法
RU2736449C1 (ru) Способ формирования среды заданной температуры в рабочей камере 3d-принтера
KR20200051657A (ko) 표적 재료의 가공 방법
EP3500692A1 (en) Method of depositing a film
RU2569642C1 (ru) Способ уменьшения остаточных термомеханических напряжений на границе подложка-металлическое покрытие
Gierczak et al. Fabrication and characterization of mixed thin-/thick-film thermoelectric microgenerator based on constantan/chromium and silver arms
RU2813613C1 (ru) Способ изготовления термомеханического актюатора для защиты электронного блока космического аппарата от перегрева и термомеханический актюатор, изготовленный по данному способу
JPS61266387A (ja) 半導体薄膜のレ−ザ再結晶化法
KR100502336B1 (ko) 실리콘 막의 결정화 방법
JPS61102723A (ja) 半導体装置の製造方法