MD1891Y - Procedeu de recristalizare a filmelor monocristaline de Bi sau Bi-Sb - Google Patents
Procedeu de recristalizare a filmelor monocristaline de Bi sau Bi-SbInfo
- Publication number
- MD1891Y MD1891Y MDS20240067A MDS20240067A MD1891Y MD 1891 Y MD1891 Y MD 1891Y MD S20240067 A MDS20240067 A MD S20240067A MD S20240067 A MDS20240067 A MD S20240067A MD 1891 Y MD1891 Y MD 1891Y
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- capacitor
- films
- film
- recrystallizing
- electric field
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la domeniul materialelor termoelectrice, şi anume la procedee de recristalizare a filmelor monocristaline din materiale anizotrope de Bi sau Bi-Sb.Procedeul de recristalizare a filmelor monocristaline de Bi sau Bi-Sb constă în mişcarea printr-un condensator a unui suport de mică cu filmul de Bi sau Bi-Sb depus, condensatorul fiind format dintr-o placă de cupru şi o placă de sticlă cu un strat conductiv translucid pe partea interioară, care generează un câmp electric puternic; încălzirea unei părţi a filmului cu un fascicul laser până la temperatura de topire cu formarea unei mici zone topite, care în direcţia de mişcare a suportului de mică în interiorul condensatorului este imediat recristalizată de un flux de aer, cu direcţia axei cristalografice С3a filmului în direcţia câmpului electric.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20240067A MD1891Y (ro) | 2024-06-24 | 2024-06-24 | Procedeu de recristalizare a filmelor monocristaline de Bi sau Bi-Sb |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20240067A MD1891Y (ro) | 2024-06-24 | 2024-06-24 | Procedeu de recristalizare a filmelor monocristaline de Bi sau Bi-Sb |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1891Y true MD1891Y (ro) | 2025-10-31 |
Family
ID=97493436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20240067A MD1891Y (ro) | 2024-06-24 | 2024-06-24 | Procedeu de recristalizare a filmelor monocristaline de Bi sau Bi-Sb |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1891Y (ro) |
-
2024
- 2024-06-24 MD MDS20240067A patent/MD1891Y/ro unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20050028136A (ko) | 엑시머 레이저를 이용한 비정질 실리콘 박막 결정화 방법 | |
| JP2007535275A (ja) | Ｍｅｍ共振器の周波数を調整するための方法 | |
| KR860009480A (ko) | 평탄성 박막의 제조방법 | |
| MD1891Y (ro) | Procedeu de recristalizare a filmelor monocristaline de Bi sau Bi-Sb | |
| JPS59205711A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0521340A (ja) | 薄膜半導体装置、その製法および製造装置 | |
| TW200415708A (en) | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof | |
| WO2019029535A1 (zh) | 一种利用脉冲激光制备非晶合金的装置、方法及应用 | |
| JPS6221209A (ja) | 高周波アニ−ル方法 | |
| FR3095779B1 (fr) | Procede de fabrication d’un module electronique de puissance | |
| JP5545033B2 (ja) | 積層体およびその製造方法 | |
| US8129215B1 (en) | Method for producing high temperature thin film silicon layer on glass | |
| Furukawa et al. | In-situ measurement of temperature variation in Si wafer during millisecond rapid thermal annealing induced by thermal plasma jet irradiation | |
| US10707077B2 (en) | Method and device for manufacturing low temperature poly-silicon, and laser assembly | |
| MD1680Y (ro) | Procedeu de recristalizare a microfirului pe bază de bismut în izolaţie de sticlă | |
| JPS6144785A (ja) | 半導体単結晶薄膜の製造方法 | |
| RU2736449C1 (ru) | Способ формирования среды заданной температуры в рабочей камере 3d-принтера | |
| KR20200051657A (ko) | 표적 재료의 가공 방법 | |
| EP3500692A1 (en) | Method of depositing a film | |
| RU2569642C1 (ru) | Способ уменьшения остаточных термомеханических напряжений на границе подложка-металлическое покрытие | |
| Gierczak et al. | Fabrication and characterization of mixed thin-/thick-film thermoelectric microgenerator based on constantan/chromium and silver arms | |
| RU2813613C1 (ru) | Способ изготовления термомеханического актюатора для защиты электронного блока космического аппарата от перегрева и термомеханический актюатор, изготовленный по данному способу | |
| JPS61266387A (ja) | 半導体薄膜のレ−ザ再結晶化法 | |
| KR100502336B1 (ko) | 실리콘 막의 결정화 방법 | |
| JPS61102723A (ja) | 半導体装置の製造方法 |