MD1829Z - Способы получения керамических мишеней и тонких проводящих пленок сплавов Fe2O3:(ZnO)k при низких температурах - Google Patents
Способы получения керамических мишеней и тонких проводящих пленок сплавов Fe2O3:(ZnO)k при низких температурахInfo
- Publication number
- MD1829Z MD1829Z MDS20240072A MDS20240072A MD1829Z MD 1829 Z MD1829 Z MD 1829Z MD S20240072 A MDS20240072 A MD S20240072A MD S20240072 A MDS20240072 A MD S20240072A MD 1829 Z MD1829 Z MD 1829Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- fe2o3
- zno
- supports
- ceramic
- temperature
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии.Способ получения керамических мишеней Fe2O3:(ZnO)kпри низких температурах заключается в спекании порошков Fe2O и kZnO в закрытом объеме при температуре 800…1200°С, спекание осуществляют химической транспортной реакцией, с использованием HCl в качестве транспортного агента с начальным давлением 0,01…10 атм и H2с начальным давлением ≤10 атм, и получение керамических мишеней Fe2O3:(ZnO)k, с примесью Cl имеющую концентрацию 1·1018…1·1020cm-3.Способ получения проводящих тонких слоев сплавов Fe2O3:(ZnO)kпри низких температурах заключается в загрузке в магнетрон керамической мишени Fe2O3:(ZnO)k, полученной вышеописанным способом, и подложек для тонких слоев; вакуумирование магнетронной камеры до давления (1…5)·10-8атм; нагрев подложек до температуры осаждения 200…500°С; нагнетание газа Ar под давлением (1…10)·10-8атм; магнетронное распыление при температуре осаждения 200…500°С керамической мишени Fe2O3:(ZnO)kна подложки; охлаждение подложек с полученными тонкими проводящими слоями Fe2O3:(ZnO)k, до комнатной температуры со скоростью ≤200°С/час; извлечение из магнетрона подложек с полученными проводящими тонкими слоями Fe2O3:(ZnO)k.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20240072A MD1829Z (ru) | 2024-07-31 | 2024-07-31 | Способы получения керамических мишеней и тонких проводящих пленок сплавов Fe2O3:(ZnO)k при низких температурах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20240072A MD1829Z (ru) | 2024-07-31 | 2024-07-31 | Способы получения керамических мишеней и тонких проводящих пленок сплавов Fe2O3:(ZnO)k при низких температурах |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1829Y MD1829Y (ru) | 2025-03-31 |
| MD1829Z true MD1829Z (ru) | 2025-10-31 |
Family
ID=95154297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20240072A MD1829Z (ru) | 2024-07-31 | 2024-07-31 | Способы получения керамических мишеней и тонких проводящих пленок сплавов Fe2O3:(ZnO)k при низких температурах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1829Z (ru) |
-
2024
- 2024-07-31 MD MDS20240072A patent/MD1829Z/ru active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1829Y (ru) | 2025-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910007382B1 (ko) | 초전도 재료 및 초전도 박막의 제조방법 | |
| US5262396A (en) | Plasma-enhanced CVD of oxide superconducting films by utilizing a magnetic field | |
| EP0039406B1 (en) | Process for plasma oxidizing substrates | |
| US20130171347A1 (en) | Process for Growth of Graphene | |
| Cheng et al. | Achieving a high energy storage density in Ag (Nb, Ta) O3 antiferroelectric films via nanograin engineering | |
| JP2003002635A (ja) | 超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜、その製造方法および製造装置 | |
| US3887451A (en) | Method for sputtering garnet compound layer | |
| Yin et al. | Progress in sintering technology of transparent polycrystalline alumina ceramics | |
| MD1829Z (ru) | Способы получения керамических мишеней и тонких проводящих пленок сплавов Fe2O3:(ZnO)k при низких температурах | |
| US4676940A (en) | Plasma arc sintering of silicon carbide | |
| US3451845A (en) | Method for producing thin films of rare earth chalcogenides | |
| CN118756316A (zh) | 一种梯度式氧化镓晶体生长装置及生长方法 | |
| CN114985737B (zh) | 一种多元六硼化物[100]单晶及其制备方法 | |
| CN116988147A (zh) | 一种具备等离子电场的碳化硅晶体生长装置及方法 | |
| Kawasaki et al. | Preparation of Multielements Mixture Thin Film by One-Step Process Sputtering Deposition Using Mixture Powder Target | |
| MD1678Z (ru) | Низкотемпературный способ получения керамики ZnO:Al | |
| CN1045658A (zh) | 一种金属氧化物超导薄膜的制备方法 | |
| EP0416545B1 (en) | Laminated film and method for producing the same | |
| Kong et al. | Fabrication of superconducting magnesium diboride thin films by electron beam annealing | |
| Kamble et al. | Development of Nanocrystalline LaB₆ Electron Emitters Processed Using Arc Thermal Plasma Route | |
| CN214244670U (zh) | 一种长晶炉结构 | |
| JPH01133971A (ja) | 超伝導材料の製造方法 | |
| US3988178A (en) | Method for preparing superconductors | |
| MD4882C1 (ru) | Способы получения керамических мишеней и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах | |
| KR20040014642A (ko) | 초전도 ＭｇＢ₂박막의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued |