MD1308G2 - Procedeu de obtinere a heterostructurilor cu straturi subţiri - Google Patents
Procedeu de obtinere a heterostructurilor cu straturi subţiriInfo
- Publication number
- MD1308G2 MD1308G2 MD97-0252A MD970252A MD1308G2 MD 1308 G2 MD1308 G2 MD 1308G2 MD 970252 A MD970252 A MD 970252A MD 1308 G2 MD1308 G2 MD 1308G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- component layer
- band component
- heterostructures
- deposited
- narrow
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la domeniul tehnicii radioelectronice şi poate fi utilizată pentru fabricarea fotoreceptoarelor şi aparatelor optoelectronice pe baza lor.Esenţa invenţiei constă în aceea că în procedeul de obţinere a heterostructurilor în strat subţire pe baza compuşilor A2B5, ce include depunerea straturilor în vacuum în prezenţa gradientului de temperatură între vaporizator şi substrat, mai întâi se depune un strat de componentă cu bandă îngustă, se prelucrează în soluţie de sare, se arde şi se corodează, apoi se depune un strat de componentă cu bandă largă.Rezultatul tehnic al invenţiei constă în majorarea numărului de purtători de sarcină.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD97-0252A MD1308G2 (ro) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Procedeu de obtinere a heterostructurilor cu straturi subţiri |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD97-0252A MD1308G2 (ro) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Procedeu de obtinere a heterostructurilor cu straturi subţiri |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD970252A MD970252A (ro) | 1999-06-30 |
| MD1308F2 MD1308F2 (ro) | 1999-08-30 |
| MD1308G2 true MD1308G2 (ro) | 2000-02-29 |
Family
ID=19739057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD97-0252A MD1308G2 (ro) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Procedeu de obtinere a heterostructurilor cu straturi subţiri |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1308G2 (ro) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD1653G2 (ro) * | 1999-10-12 | 2001-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de obţinere a heterostructurilor cu straturi subţiri |
-
1997
- 1997-07-17 MD MD97-0252A patent/MD1308G2/ro unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1308F2 (ro) | 1999-08-30 |
| MD970252A (ro) | 1999-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0403293A3 (en) | Method of manufacturing iii-v group compound semiconductor device | |
| EP0845804A3 (en) | Pre-treatment of substrate before deposition of an insulating film | |
| MD1308G2 (ro) | Procedeu de obtinere a heterostructurilor cu straturi subţiri | |
| JPS5496386A (en) | Manufacture of buried optical semiconductor device | |
| KR960016231B1 (en) | Semiconductor metal wire forming method | |
| CA2088800A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor light-receiving elements | |
| JPS56137683A (en) | Solar cell | |
| JPS5331964A (en) | Production of semiconductor substrates | |
| JPS57183052A (en) | Semiconductor | |
| GB1431572A (en) | Semiconductor devices | |
| JPS546793A (en) | Photo detector of semiconductor | |
| JPS54128667A (en) | Liquid phase epitaxial growth unit | |
| JPS6425555A (en) | Trench forming method | |
| JPS5389365A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS5282087A (en) | Production of solar cell | |
| JPS5434767A (en) | Formation method of n-type layer | |
| JPS5534470A (en) | Production for solar battery | |
| JPS6442180A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5588325A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5367353A (en) | Manufacturing device of semiconductor crystal | |
| JPS538081A (en) | Production of semiconductor device | |
| TW324839B (en) | Process to grow different thickness oxide layers | |
| JPS543470A (en) | Etching method | |
| JPS5799736A (en) | Fabrication of semiconductor substrate | |
| JPS6468976A (en) | Manufacture of semiconductor radiation detector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD99 | Pending application |