MD1308G2 - Способ получения тонкопленочных гетероструктур - Google Patents
Способ получения тонкопленочных гетероструктур Download PDFInfo
- Publication number
- MD1308G2 MD1308G2 MD97-0252A MD970252A MD1308G2 MD 1308 G2 MD1308 G2 MD 1308G2 MD 970252 A MD970252 A MD 970252A MD 1308 G2 MD1308 G2 MD 1308G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- component layer
- band component
- heterostructures
- deposited
- narrow
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 2
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано при изготовлении фотоприемников и оптоэлектронных устройств на их основе.Сущность изобретения заключается в том, что в способе получения тонкопленочных гетероструктур на основе соединения А2В6, включающем осаждение слоев в вакууме при наличии градиента температур между испарителем и подложкой, сначала осаждают слой с узкозонной компонентой, сенсибилизиpуют насыщенным водным раствором хлористого кадмия, отжигают и травят, а затем осаждают слой с широкозонной компонентой.Технический результат изобретения заключается в увеличении количества носителей заряда за счет легирования слоя с узкозонной компонентой.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD97-0252A MD1308G2 (ru) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Способ получения тонкопленочных гетероструктур |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD97-0252A MD1308G2 (ru) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Способ получения тонкопленочных гетероструктур |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD970252A MD970252A (en) | 1999-06-30 |
| MD1308F2 MD1308F2 (en) | 1999-08-30 |
| MD1308G2 true MD1308G2 (ru) | 2000-02-29 |
Family
ID=19739057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD97-0252A MD1308G2 (ru) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Способ получения тонкопленочных гетероструктур |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1308G2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD1653G2 (ru) * | 1999-10-12 | 2001-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения тонкопленочных гетероструктур |
-
1997
- 1997-07-17 MD MD97-0252A patent/MD1308G2/ru unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1308F2 (en) | 1999-08-30 |
| MD970252A (en) | 1999-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW355845B (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
| EP0403293A3 (en) | Method of manufacturing iii-v group compound semiconductor device | |
| EP0992610A3 (en) | Barrier coating on plastic substrates and process for its deposition | |
| JPS6490524A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| EP0845804A3 (en) | Pre-treatment of substrate before deposition of an insulating film | |
| MD1308G2 (ru) | Способ получения тонкопленочных гетероструктур | |
| EP1220306A4 (en) | SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD | |
| CA2088800A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor light-receiving elements | |
| JPS5737886A (en) | Semiconductor device | |
| JPS56137683A (en) | Solar cell | |
| JPS5331964A (en) | Production of semiconductor substrates | |
| JPS54128667A (en) | Liquid phase epitaxial growth unit | |
| JPS6425555A (en) | Trench forming method | |
| GB1431572A (en) | Semiconductor devices | |
| JPS546793A (en) | Photo detector of semiconductor | |
| EP0994504A3 (en) | Surface preparation method and semiconductor device | |
| JPS5389365A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS5434767A (en) | Formation method of n-type layer | |
| EP1114210A4 (en) | LOW TEMPERATURE PROCESS FOR FORMING AN EPITAXIAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE | |
| JPS5534470A (en) | Production for solar battery | |
| JPS6442180A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5588325A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5367353A (en) | Manufacturing device of semiconductor crystal | |
| TW324839B (en) | Process to grow different thickness oxide layers | |
| JPS53131765A (en) | Production of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD99 | Pending application |