LT4802B - Elektrai laidžių dangų ant akyto silicio gavimo būdas - Google Patents
Elektrai laidžių dangų ant akyto silicio gavimo būdas Download PDFInfo
- Publication number
- LT4802B LT4802B LT1999092A LT99092A LT4802B LT 4802 B LT4802 B LT 4802B LT 1999092 A LT1999092 A LT 1999092A LT 99092 A LT99092 A LT 99092A LT 4802 B LT4802 B LT 4802B
- Authority
- LT
- Lithuania
- Prior art keywords
- solution
- porous silicon
- copper
- formation
- porous
- Prior art date
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
Description
Išradimas priklauso porėtos medžiagos (akyto silicio) savybių modifikavimo sričiai ir gali būti panaudotas vario sulfido dangų ant jos * sudarymui, įgalinant sukurti dujoms jautrų rezistyvinį elementą.
Žinomas elektrai laidžių sulfidinių dangų gavimo būdas, kai polimerinės medžiagos sierinamos šarminiu sieros tirpalu, nuplaunamos parūgštintu vandeniu ir po to veikiamos vario druskos tirpalu (žiūr. buv. TSRS autor. liud. Nr. 895542, TPK B 05 D 5/12, C 23 C 3/02,1982).
Šio būdo trūkumai tame, kad sulfidinės dangos gautos ant šarmuose neyrančių polimerinių medžiagų. Šiame išradime naudojamas didelės koncentracijos (~2 mol i'1) stipriai šarminis sieros tirpalas, o tai tinka ne visiems polimerams, nes kai kurie iš jų neatsparūs šarmams ir hidrolizinasi. Be to, naudojami vario druskos tirpalai nėra stabilūs.
Artimiausias siūlomam sprendimui yra elektrai laidžių dangų ant polietileno gavimo būdas, kai pradžioje mažo tankumo polietileno plėvelė yra sierinama politionato rūgšties tirpale, nuplaunama vandeniu ir veikiama vario druskos su hidrochinonu tirpalu (Lietuvos Respublikos patentas LT 4111 B, TPK B 05 D 5/12, C 23 C 3/02, 1997).
Šio būdo trūkumas tas, kad gautos sulfidinės dangos ant lankstaus padėklo (mažo tankumo polietileno), kurio negalima kaitinti iki aukštų temperatūrų (400-500°C) ir kuris sunkiai integruojamas su elektroninėmis schemomis.
Siūlomo išradimo tikslas - gauti vario sulfido dangas ant akyto silicio, naudojant rūgštų sierinimo tirpalą - politionato rūgštis,- kadangi silicis tirpsta šarmuose.
Tikslas pasiekiamas tuo, kad akyto silicio plokštelė sierinama 0,002 mol i'1 politionato rūgšties H?SnO6, kur n - vidutinis sieros atomų skaičius molekulėje, tirpale, nuplaunama vandeniu ir veikiama vario (II) druskos su reduktoriumi (hidrochinonu) tirpalu.
PAVYZDYS:
Akyto silicio sluoksnis gaunamas (100) kristalografinės orientacijos ntipo elektrinio laidumo ir lDcm'1 specifinės varžos silicio monokristalo plokštelę ėsdinant elektrolite HF+C2H5OH (1:1), esant srovės tankiui 10-50 mA 10-60 minučių. Po to gautas akytas silicis padengiamas izoliuojančiu silicio oksido sluoksniu, centrifuguojant ant jo etoksisilano spiritinį tirpalą ir džiovinant 1 valandą 300°C temperatūroje. Taip paruošti bandiniai veikiami maišomu 60°C temperatūros 0,002 mol i'1 politionato rūgšties fįSnOč (n=33) tirpalu 120 minučių, plaunami 2-r 5 s vandeniu ir merkiami į 0,4 mol T1 vario (II) sulfato su 0,1 moli'1 hidrochinono priedu tirpalą. Šiuo 50-80°C
- temperatūros tirpalu sierinti akyto silicio su silicio oksido sluoksniu padėklai veikiami 5-10 minučių, po to 2-?5 s plaunami vandeniu. Matuojama sausų padėklų su vario sulfido danga paviršiaus varža. Paviršiaus varžos dydis yra 100 4- 550 kD/Z. Duomenys pateikti lentelėje.
lentelė
| Medžiaga | Sierinimo sąlygos | Veikimo vario druskos tirpalu sąlygos | Paviršiaus varža, kQ/Z | ||
| Tempera tūra, °C | Trukmė, min. | Tempera turą °C | Trukmė, min. | ||
| Akyto silicio su izoliuojančiu silicio oksido sluoksniu padėklas (ėsdinimo srovės tankis-30 mA, trukmė-30 min. | 60 | 120 | 80 | 10 | 100-120 |
| ςς | ςς | ςς | 5 | 180-210 | |
| a | ς; | 50 | 10 | 430-550 | |
| Mažo tankumo polietileno plėvelė | ςς | a | 80 | ii | 0,76-0,80 |
| a | a | 5 | 0,14-0,20 | ||
| a | 50 | 10 | 0,09-0,12 |
Gavus vario sulfido dangą ant akylo silicio su izoliuojančiu silicio oksido sluoksniu padėklo, pastarasis tampa laidus elektros srovei. Ši savybė įgalina panaudoti modifikuotą padėklą dujoms jautraus rezistyvinio elemento kūrimui.
Siūlomas išradimas, palyginus jį su žinomu, pasižymi šiais privalumais:
- šis padėklas yra suderinamas su silicio planarine technologija, todėl gali būti integruotas su elektroninėmis schemomis ant vieno padėklo. Jutiklių formavimui ant to paties padėklo dažnai būtina aukšta temperatūra. Akyto silicio padėklą galima kaitinti iki aukštų temperatūrų, pavyzdžiui, 400-500°C,
- akyto silicio padėkle yra smulkios poros, būtinos vario sulfido dangų formavimui sorbciniu-difuziniu metodu.
Claims (1)
- IŠRADIMO APIBRĖŽTISElektrai laidžių vario sulfido dangų ant akyto silicio gavimo būdas, - kuriame polimerines medžiagas sierina politionato rūgšties tirpale, nuplauna vandeniu, po to veikia vario (II) druskos su hidrochinonu tirpalu, b e s i ‘ skiriantis tuo, kad kaip polimerinę medžiagą naudoja kristalinio akyto silicio padėklą.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT1999092A LT4802B (lt) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | Elektrai laidžių dangų ant akyto silicio gavimo būdas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT1999092A LT4802B (lt) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | Elektrai laidžių dangų ant akyto silicio gavimo būdas |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LT99092A LT99092A (lt) | 2001-01-25 |
| LT4802B true LT4802B (lt) | 2001-06-25 |
Family
ID=19722104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LT1999092A LT4802B (lt) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | Elektrai laidžių dangų ant akyto silicio gavimo būdas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LT (1) | LT4802B (lt) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU895542A1 (ru) | 1980-05-08 | 1982-01-07 | Вильнюсский государственный университет им.В.Капсукаса | Способ получени электропроводных покрытий |
| LT4111B (en) | 1995-05-01 | 1997-02-25 | Univ Kauno Tech | Process for preparing the electrical conductive coatings on polyethylene |
-
1999
- 1999-07-23 LT LT1999092A patent/LT4802B/lt not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU895542A1 (ru) | 1980-05-08 | 1982-01-07 | Вильнюсский государственный университет им.В.Капсукаса | Способ получени электропроводных покрытий |
| LT4111B (en) | 1995-05-01 | 1997-02-25 | Univ Kauno Tech | Process for preparing the electrical conductive coatings on polyethylene |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| LT99092A (lt) | 2001-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2049365C1 (ru) | Тонкопленочный электрический элемент и способ его изготовления | |
| CA1273742A (en) | Polyphenylene sulfide containing covalently bonded chlorine in a reduced amount and process for producing the same | |
| KR101522154B1 (ko) | 미세 라인 회로의 제조 방법 | |
| US5472910A (en) | Process for making OHMIC contacts and photovoltaic cell with ohmic contact | |
| JPH077244A (ja) | はんだ回路基板及びその形成方法 | |
| WO2020226232A1 (ko) | 유기 전기화학 트랜지스터 소자 및 그 제조방법 | |
| LT4802B (lt) | Elektrai laidžių dangų ant akyto silicio gavimo būdas | |
| JP2002208768A (ja) | ポリイミド基体への金属メッキ膜形成方法 | |
| JPS583984A (ja) | クロム・エッチング用の酸性の水性エッチャント組成物 | |
| KR20220083306A (ko) | 절연기재와의 접착력 향상을 위한 동박의 표면처리방법 | |
| JPH01246894A (ja) | 無電解めっき方法 | |
| KR0144312B1 (ko) | 반도체패키지의 방열판 표면처리 방법 | |
| KR102855765B1 (ko) | 세포 특성 측정용 세포칩 및 그 제조방법 | |
| LT4235B (en) | Method for a formation of electrical conductive coatings on polycaproamidic films | |
| JPH08254520A (ja) | 化学センサー及びセンサープレートの製造方法 | |
| JP3177923B2 (ja) | プローブ構造およびその製造方法 | |
| EP0491308A1 (en) | Tetrapolyimide film containing oxydiphthalic dianhydride | |
| JPH0417211A (ja) | 絶縁体への導電性層形成法 | |
| JPS61263189A (ja) | セラミツク配線基板の製造方法 | |
| JPH1130861A5 (lt) | ||
| LT4111B (en) | Process for preparing the electrical conductive coatings on polyethylene | |
| JPH0563334A (ja) | セラミツク配線板の製法 | |
| Trul et al. | The influence of polymer dielectrics on electrical and sensory properties of organic field-effect transistors | |
| KR20040052051A (ko) | 테이프기판의 주석도금방법 | |
| RU1798379C (ru) | Способ получени висмутового покрыти на диэлектрических подложках |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9A | Lapsed patents |
Effective date: 20010723 |