JPH01246894A - 無電解めっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、耐電食性に優れた無電解めっき方法に関する
ものである。

（従来の技術） 配線板として、経済的に優れた製造方法として無電解め
っきを析出させるためにパラジウム等の無電解めっき用
触媒を含有する接着剤層を表面に形成しその中にも同様
の無電解めっき用触媒を含有する絶縁板に回路部となる
べき箇所以外の部分に無電解めっき用レジストを設けク
ロム酸等の化学粗化液に浸漬してレジストが形成されて
いない箇所の表面を選択的に粗化し無電解めっき液に浸
漬して回路パターンを形成するいわゆるアディティブ法
がある。

（発明が解決しようとする課題） 近年、電子機器の小型化、軽量化に伴い、配線板には配
線の高密度化が要求され、そのために配線板の両面の回
路導体を接続するためのスルーホールを設ける間隔を狭
めたり配線のための導体の幅を狭めたりしている。この
ような高密度の配線板においては、異なった電位の導体
が近接し、長時間の間にその導体を支持している絶縁板
の表面で異なった電位の導体の間にある領域で、イオン
性不純物による銅の移行（マイグレーション）のためか
あるいはアディティブ法による配線板の製造工程の各種
処理液による影響を受けるためか、多湿の条件下におい
てデンドライトと呼ばれる樹枝状の銅化合物が形成され
ることがある。このデンドライトは、同様の条件下にお
いて次第に成長し、最終的には導体間を短絡させるに至
る。

したがって、従来のアディティブ法においては、導体の
間隔を０．１５ｍｍ以下にすることができず、配線の高
密度化を行うには導体の幅のみを狭めなければならない
ので、配線密度を高める上で障害となっていた。

本発明は、この電食による絶縁劣化の抑制に優れた無電
解めっき方法を提供するものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、無電解めっきを析出させるための接着剤層を
表面に形成した絶縁板に回路部となるべき箇所以外の部
分に無電解めっき用レジストを設け化学粗化液に浸漬し
てレジストが形成されていない箇所の表面を選択的に粗
化した後であって、無電解めっき液に浸漬して回路パタ
ーンを形成する前にトリアゾール化合物、トリアジン化
合物、イミダゾール化合物、テトラゾール化合物、芳香
族第２アミン化合物、又はオキシン化合物のうちから１
種を選択し又は２種以上を組み合わせ、水又は有機溶媒
に溶解又は懸濁させた溶液に浸漬処理することを特徴と
する無電解めっき方法である。

本発明に使用できる処理液は、トリアゾール化合物とし
ては、１，２．３　１−リアゾール、１，２．４　　ト
リアゾール、又はこれらの誘導体、例えば１フェニル−
１，２，３トリアゾール、２フェニル−１，２，３トリ
アゾール、ｌフェニル−１，２，４）リアゾール、４フ
ェニル−１，２，４１−リアゾール、３オキシ−１゜２
．４トリアゾール、３アミノ−１，２，４）リアゾール
、３−（Ｎサリチロイル）アミノ−１，２，４トリアゾ
ール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、トリ
ルトリアゾールに塩、ベンゾトリアゾールに塩、ヘンシ
トリアゾール−２メチルイミダゾールアダクト等である
。

トリアジン化合物としては、１，２．３　　）リアジン
、１．２．４　１−リアジン、１，３．５　　）リアジ
ン又はこれらの誘導体、例えば２ジブチルアミノ４，６
ジメルカブト１，３．５　　）リアジン、２ビニル−４
，６ジアミノーＬ３，５　　）リアジン、２．４　ジア
ミノ６（２°メ・チルイミダゾリル＋１１’　）エチル
１，３．５　）リアジン・イソシアヌル酸付加物等であ
る。

イミダゾール化合物としては、２メチルイミダゾール、
２エチル４メチルイミダゾール、１ベンジル２メチルイ
ミダゾール、２フエニル４メチルイミダゾール、ウンデ
シルイミダゾール又はこれらの誘導体、例えば２メルカ
プトベンツイミダゾール、２メルカプトベンツイミダゾ
ール等である。

テトラゾール化合物としては、テトラゾール又はその誘
導体、例えばフェニルテトラゾール、メルカプトテトラ
ゾール、〔ビス（２エチルヘキシル）アミノメチレン）
　１，２．３．４テトラゾール、〔ビス（ｎブチル）ア
ミノメチレン）　１，２，３．４テトラゾール、〔ビス
（ｎヘキシル）アミノメチレン〕１．２，３．４テトラ
ゾール、〔ビス（ｎオクチル）アミノメチレン）　１，
２．３．４テトラゾール等がある。

芳香族第２アミン化合物としては、オクチル化ジフェニ
ルアミン、Ｐ−（ｐ）ルエンスルホニルアミド）ジフェ
ニレンジアミン、ＮＮ’　ジ２ナフチルＰ−フェニレン
ジアミン、ＮフェニルＮ°イソプロピルＰ−フェニレン
ジアミン、ＮＮ”；フェニルＰ−フェニレンジアミン等
である。

オキシン化合物としては、オキシン（８オキシキノリン
）、７ビス（２エチルヘキシル）アミノメチレン８ヒド
ロキシキノリン、７ビス（ｎブチル）アミノメチレン８
ヒドロキシキノリン、７ビス（ｎヘキシル）アミノメチ
レン８ヒドロキシキノリン等である。

これらの化合物のうちから１種を選択し又は２種以上を
組み合わせ、溶媒として、水又はメチルエチルケトン、
トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプ
ロパツール、セロソルブ、酢酸セロソルブ、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルフオキシド等の有機溶媒に溶
解し又は懸濁させ、無電解めっき前処理液とする。

そして、従来のアディティブ法による製造方法において
、無電解めっきを析出させるためにパラジウム等の無電
解めっき用触媒を含有する接着剤層を表面に形成しその
中にも同様の無電解めっき用触媒を含有する絶縁板に回
路部となるべき箇所以外の部分に無電解めっき用レジス
トを設けクロム酸等の化学粗化液に浸漬してレジストが
形成されていない箇所の表面を選択的に相化し無電解め
っき液に浸漬して回路パターンを形成する工程中、無電
解めっき液に浸漬する前にこの前処理液に浸漬する。

このときに、この前処理液の濃度は、０．１％以下であ
るとデンドライト抑制の効果が少なく、３０％以上であ
ると処理が不均一になり好ましくない。最適条件は、１
〜１０％である。

（作用） 銅のデンドライトは、電位差のある導体間において電位
の高い方の銅導体の溶解及び電位に低い方へのイオン移
動と電位の低い方の導体における析出現象であり、本発
明の前処理は、銅と接着剤界面の銅の溶解や溶出の抑制
又は溶出したイオンを捕捉して不活性化するものと推定
される。

実施例１ 無電解めっき用触媒として塩化パラジウムを含有するガ
ラスクロス基材エポキシ樹脂積層板ＬＥ−１６８（日立
化成工業株式会社、商品名）に、同じ塩化パラジウムを
含有する接着剤でアクリロニトリルブタジェンゴムを主
成分としアルキルフェノール樹脂、エポキシ樹脂、無機
充填剤としてのシリカ、珪酸ジルコニウムを溶媒中で配
合した接着剤を塗布、乾燥し、加熱硬化して接着剤層を
形成した。

次いで、パンチプレスにより所定の位置に穴をあけた後
、無電解めっき用フォトレジストフィルムであるフォテ
フク５Ｒ−３０００（日立化成工業株式会社、商品名）
を真空ラミネータによってラミネートし、回路とならな
い箇所に露光し露光されなかった部分を現像して除去し
レジストを形成した。このとき、回路幅と導体間の間隔
は、いずれもＯ，１５ｍｍとした。

レジストを形成した絶縁板を、Ｃｒ０２５５ｇと濃硫酸
２１０ｍｌとを水で希釈し１ｅとしたクロム酸混液の温
度５５℃の溶液の中に１０分間浸漬し、回路部となる部
分を選択的に化学粗化して、水洗、中和した。

この絶縁板を、７％の濃度の３アミノ１，２．４　　ト
リアゾール水溶液に、室温で３分間浸漬した後、水洗し
た。

次いで、無電解めっき液としてＣＣ−４１めっき液（日
立化成工業株式会社、商品名）に７０℃で浸漬し、約２
０μｍの銅めっきを析出させた後、スルーホール以外の
基板表面にソルダレジストをスクリーン印刷法によって
印刷塗布し加熱硬化して試験用配線板とした。

実施例２ 前処理液として、２ビニル４，６ジアミノｌ。

３．５トリアジンであるＶＴ（四国化成工業株式会社、
商品名）を７０℃の熱水に約２％溶解懸濁させた溶液を
用い、温度７０℃で３分間浸漬処理した後、さらに、活
性化するために、塩化パラジウム０．１ｇと塩酸１００
ｍｌと水１０００ｍ１からなる水溶液に室温で３分間浸
漬し７％の塩酸水溶液で洗浄し次亜りん酸ソーダ１０％
水溶液で中和し、無電解めっきを行った。他は、実施例
１と同様とした。

実施例３ 前処理として、２エチル４メチルイミダゾールの５％水
溶液に室温で５分間浸漬し、さらに、トリルトリアゾー
ルの２％メタノール水溶液（メタノールと水の容量比を
１：ｌにした水溶液）に、室温で５分間浸漬した他は実
施例Ｉと同様とした。

実施例４ 前処理液として、〔ビス（２ｎヘキシル）アミノメチレ
：／）１．２，３．４テトラゾール及び３−（Ｎサリチ
ロイル）アミノ１，２．４）リアゾールとを同量で濃度
を１％としたｇ４液を用い、処理条件及びその他は実施
例１と同様とした。

比較例１ 実施例！において、前処理液への浸漬を行わない他は同
様とした。

このようにして得られた試験用配線板の隣接する導体間
に連続して直流５０Ｖを印加した状態で、雰囲気を６５
℃でＲｈ９５％に保ち、一定時間毎に取り出して、導体
間の絶縁抵抗を測定し、また、デンドライトの発生の有
無を顕微鏡で観察して調べた。その結果を第１表に示す
。

ただし、この第１表においてデンドライトの発生の評価
は、以下とする。

Ｏ：デンドライトが認められない △：デンドライトの発生が僅かに認められる×：デンド
ライトの発生が著しい 第１表 （発明の効果）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．無電解めっきを析出させるための接着剤層を表面に
   形成した絶縁板に回路部となるべき箇所以外の部分に無
   電解めっき用レジストを設け化学粗化液に浸漬してレジ
   ストが形成されていない箇所の表面を選択的に粗化した
   後であって、無電解めっき液に浸漬して回路パターンを
   形成する前にトリアゾール化合物、トリアジン化合物、
   イミダゾール化合物、テトラゾール化合物、芳香族第２
   アミン化合物、又はオキシン化合物のうちから１種を選
   択し又は２種以上を組み合わせ、水又は有機溶媒に溶解
   又は懸濁させた溶液に浸漬処理することを特徴とする無
   電解めっき方法。