KR980011982A - 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법 - Google Patents
씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980011982A KR980011982A KR1019960027606A KR19960027606A KR980011982A KR 980011982 A KR980011982 A KR 980011982A KR 1019960027606 A KR1019960027606 A KR 1019960027606A KR 19960027606 A KR19960027606 A KR 19960027606A KR 980011982 A KR980011982 A KR 980011982A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- semiconductor wafer
- sensing
- plate
- pressure
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 52
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 연마판 상부수평면상에 설치된 감지수단을 통하여 연마판상에서 반도체웨이퍼로부터 가해진 압력을 측정함으로써 반도체웨이퍼의 평탄화공정을 수행하기위한 반도체웨이퍼의 레벨링(leveling)감지가 간단히 이루어지도록 된 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법에 관한 것으로, 그 구성은 반도체웨이퍼를 홀딩시키는 회전가능한 홀딩수단, 다수개의 홈이 형성된 상부수평면을 가진 연마판과 상기 상부수평면을 커버하는 연마포와, 상기 반도체웨이퍼와 연마포에 접촉하는 연마액을 포함하는 연마수단, 상기 홈에 설치되어 상기 연마판상에서 상기 홀딩수단으로부터 가해지는 압력을 감지하여 그에 따른 신호를 출력하는 감지수단으로 구성된 것이다.
Description
제1도는 연마공정전의 반도체웨이퍼를 도시한 측단면도.
제2도는 연마공정후의 반도체웨이퍼를 도시한 측단면도.
제3도는 종래 씨엠피장치의 연마판과 캐리어레벨링공정을 나타낸 도면.
제4도는 연마판과 캐리어의 레벨링이 완료된 상태의 종래 씨엠피장치를 나타낸 도면,
제5도는 (가) 내지 (다)는 본 발명에 따른 반도체웨이퍼의 레벨링감지장치가 설치된 씨엠피장치의 일실시예를 나타낸 도면,
제6도는 본 발명에 따른 반도체웨이퍼의 레벨링감지장치가 설치된 씨엠피장치의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체웨이퍼 13 : 지지대
11 : 연마판 12 : 연마포
32, 44 : 압력감지센서 15 : 캐리어(carrier)
16 : 캐리어헤드 24 : 압력측정기(pressure meter)
22 : 수평측정기 17 : 연마액공급기
36, 48 : 디텍터(Detector) 38, 48 : 디스플레이유닛
본 발명은 반도체웨이퍼의 레벨링 감지장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 연마판 상부수평면상에 설치된 감지수단을 통하여 연마판상에서 반도체웨이퍼로부터 가해진 압력을 측정함으로써 반도체웨이퍼의 평탄화공정을 수행하기위한 반도체웨이퍼의 레벨링(leveling)감지가 간단히 이루어지도록 된 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법에 관한 것이다. 반도체의 제조에 있어서, 극도로 작은 전자소자(electronic devices)들이 얇고 평평한 반도체웨이퍼상의 별도의 다이(die)들내에 형성된다. 상기 반도체웨이퍼상에는 전도성(conductive), 절연성(insulating), 반도체(semiconducting)등의 다양한 재료가 사용되는데, 이들 재료들이 여러 가지 공정에 의해 패턴되고, 도핑되고, 증착되어 집적회로를 형성한다.
일반적으로 완전한 반도체를 제조하기 위하여는 제1도에 도시한 바와 같은 얇고 평평한 반도체웨이퍼의 기판상에서 집적회로(integrated circuit : IC)소자상에 형성된 산화물(oxide material)을 제거해야하는데, 이 공정을 기계화학적 평탄화(chemical mechnical planarization) 또는 기계화학적연마(chemical mechnical polishing : 이하 씨엠피라 칭함)라고 한다. 제2도는 기계화학적 평탄화공정을 수행한 후의 반도체웨이퍼를 도시한 것이다.
씨엠피장치에 있어서, 반도체웨이퍼를 평탄화하기 위하여는 연마판(polishing platen)의 레벨링(leveling)과 반도체웨이퍼의 레벨링이 이루어져야 하는데, 제3도에 도시한 바와 같이, 먼저, 연마포(25)가 커버된 연마판(11)의 상부평면에 수평측정기(22)를 올려놓고 레벨링(leveling)한다. 이후, 반도체웨이퍼를 홀딩(holding)하는 캐리어(15)를 레벨링(leveling) 해야한다. 이를 위하여 캐리어(15)에서 캐리어 헤드(16)를 분리한 후, 대신 압력측정기(24)를 설치한다. 이후, 캐리어(15)를 하방으로 이동시켜 압력측정기(24)를 상기 연마포(25)에 접촉시킨다. 이후 전원이 인가되면 연마판(11)이 일정한 속도로 회전하고, 캐리어(15)도 그 상부에 설치된 모터(15a)에 의해 회전한다. 상기 캐리어(15)는 상하로 이동가능하며, 자중에 의하여 연마포에 일정한 힘을 가하는데, 이로인해 압력측정기(24)와 연마포(12)가 서로 접촉되면서 압력측정기(24)에는 일정한 값이 나타나게 된다. 상기 압력측정기(24)에 관찰되는 값이 일정하지 않고 수시로 변할때는 전원을 오프(off)시키고, 수도으로 장치를 조정한 후 다시 상기 과정을 되풀이하여 압력측정기(24)의 측정값이 일정하게 나타날 때 캐리어(15)의 레벨링이 완료된다. 이후, 압력측정기(24)를 분리하고, 대신에 반도체웨이퍼(1)가 홀딩된(holding) 캐리어헤드(16)를 장착한 후 연마를 진행한다.
제4도는 연마판(11)과 캐리어(15)의 레벨링이 완료된 상태의 씨엠피장치를 나타낸 도면으로서, 상기 연마판(11)의 상방에서 연마액 공급기(17)로부터 연마액이 공급되며, 연마판(11)이 일정한 속도로 회전하고 지지암(14)에 설치된 캐리어(15)도 회전하면서 반도체웨이퍼가 제2도와 같이 평탄하게 연마된다. 상기한 바와 같은 종래 씨엠피장치에 있어서, 캐리어의 레벨링을 위하여 캐리어헤드의 분리 및 압력측정기의 설치등 작업준비에 많은 시간이 소요되고 번거로운 문제점이 있었다. 또한, 연마판과 캐리어의 레벨링이 완료되고, 연마공정진행중에는 연마포와 반도체웨이퍼가 수평을 유지하고 있는지 확인할 수 없는 문제점이 있었다. 분 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래 씨엠피장치에서의 문제점을 해결하기 위해 안출한것으로, 연마판상에 설치된 감지수단에 의해 반도체웨이퍼와 연마판사이의 압력을 측정함으로써 반도체웨이퍼의 레벨링감지를 쉽게 할 수 있고, 이로인해 작업준비시간이 단축된 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법을 제공함에 있다.
또한, 연마공정진행중에도 연마판상에서 반도체웨이퍼의 레벨링상태를 확인하여 장치를 조정함으로써 반도체웨이퍼를 평탄화시키는 연마공정의 신뢰성이 향상된 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 반도체웨이퍼를 홀딩시키는 회전가능한 홀딩수단, 다수개의 홈이 형성된 상부수평면을 가진 연마판과, 상기 상부수평면을 커버하는 연마포와, 상기 반도체웨이퍼와 연마포에 접촉하는 연마액을 포함하는 연마수단, 상기 홈에 설치되어 상기 연마판상에서 상기 홀딩수단으로부터 가해지는 압력을 감지하여 그에 따른 신호를 출력하는 감지수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치가 제공된다.
또한 본 발명에 따른 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링감지방법에 따르면, 상부수평면상에 감지수단이 설치되고 연마포가 커버된 연마판을 제공하는 단계, 상기 연마포와 접촉하도록 반도체웨이퍼를 홀딩하는 홀딩수단을 제공하는 단계, 상기 연마판상에 연마액을 공급하고, 동시에 상기 연마판과 홀딩수단을 회전시키는 단계, 상기 연마판상에 가해지는 홀딩수단으로부터의 압력의 변화를 상기 감지수단에 의해 감지하여 신호를 출력하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 실시예에서, 감지수단인 압력감지센서는 연마판상에서 반도체웨이퍼로부터 압력이 가해짐에 따라 그에 따른 신호를 출력하고, 이 신호는 디텍터를 지나 디스플레이유닛에 의하여 디스플레이된다. 상기 디스플레이신호에 따라 전원을 수동 또는 자동으로 오프시키고 지지대 및 캐리어를 수동 또는 자동으로 조정한 후 다시 반도체웨이퍼의 평탄화를 수해한다.
이하 본 발명에 따른 반도체웨이퍼 레벨링감지장치 및 방법을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제5도의 (가) 내지 (다)는 본 발명에 따른 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치의 제1실시예를 도시한 것으로서, 종래 도면과 동일부분에는 동일부호를 사용하여 설명한다. 상기 실시예에서, 연마장치(polishing apparatus)는 캐리어헤드(16)에 반도체웨이퍼(1)를 홀딩시키고 회전가능한 홀딩수단, 구동축(10)에 연결되고 회전가능한 연마판(polishing platen)(11)과 상기 연마판(11) 및 반도체웨이퍼(1)에 접촉되는 연마액(slurry)을 포함하는 연마수단, 상기 캐리어헤드(16)과 연마판(11) 사이의 압력의 변화를 감지하여 그에 따른 신호를 출력하는 감지수단으로 구성되어 있다. 상기 연마판(1)의 상부수평면에는 다수개의 홈(32a)이 동심원의 위치에 형성되어 있고, 각각의 홈(32a)에는 감지수단으로서, 압력감지센서(32)가 설치되어 있다. 또한 각각의 압력감지센서(32)는 디텍터(36)와 전기적으로 연결되어 있고, 상기 디텍터(36)는 디스플레이유닛(Display unit)(38)과 전기적으로 연결되었다.
상기 연마포(12)상에는 홀딩수단의 캐리어헤드(16)에 홀딩(holding)된 반도체웨이퍼(1)가 면접촉 되어있고, 상기 연마판(11)의 상방에 위치한 연마액공급기(도시안됨)로부터 연마액이 공급되면서 연마공정이 진행된다. 상기에서 반도체웨이퍼(1)의 중심은 연마판(11)상의 압력감지센서(32)상에 위치해있고, 상기 연마판(11)이 회전되면 다수개의 입력감지센서(32)가 반도체웨이퍼(1)의 중심을 계속 지나면서 압력을 감지하도록 설치되어있다.
상기 실시예에서, 반도체웨이퍼의 연마작업을 위하여 캐리어헤드에 테스트용 반도체웨이퍼 1장을 장착하고 레벨링과정을 진행한다. 먼저, 전원이 인가되면 구동축(10)에 연결된 연마판(11)이 일정한 속도로 회전한다. 캐리어헤드(16)는 자전하면서 자중에 의하여 하방으로 일정한 힘을 가하게된다. 상기 반도체웨이퍼는 연마판(11)상에서 자전 및 공전하는 효과를 갖게 된다. 작동중에 상기 연마판(11)상에 설치된 감지센서(32)에는 캐리어(15)가 하방으로 가하는 힘에 의해 일정한 압력이 감지되며 그에 따른 신호가 출력된다.
상기 감지센서(32)로부터 출력된 신호는 디텍터(36)에 의해 검출되고, 검출된 신호는 디스플레이유닛(38)에 입력되어 소정의 신호가 디스플레이된다. 상기 디스플레이유닛(38)에 나타난 결과에 따라 전원을 수동으로 오프(off)시키거나 자동으로 오프(off)되도록 하고, 씨엠피장치를 조정한다. 이후 전원을 인가하고 상기 과정을 반복하여 별도의 장비의 교체없이 반도체웨이퍼를 부착한 캐리어(15)가 레벨링(leveling)된다.
상기에서 반도체웨이퍼 레벨링방법은 상부수평면상에 감지수단이 설치되고 연마포가 커버된 연마판을 제공하는 단계, 상기 연마포와 접촉하도록 반도체웨이퍼를 홀딩하는 홀딩수단을 제공하는 단계, 상기 연마판상에 연마액을 공급하고, 동시에 상기 연마판과 홀딩수단을 회전시키는 단계, 상기 연마판상에 위치한 홀딩수단으로부터의 가해지는 압력의 변화를 상기 감지수단에 의해 감지하여 신호를 출력하는 단계로 이루어진다.
제6도는 본 발명에 따른 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치의 제2실시예를 도시한 것으로서, 제1실시예와 동일부분에는 동일부호를 사용하여 설명한다. 반도체웨이퍼(1)를 홀딩하는 캐리어헤드(16)의 하면 소정위치에는 하나 이상의 홈(44a)이 형성되어 있고, 상기 홈(44a)에는 감지수단으로서, 압력감지센서(44)가 설치되어있다. 또한 각각의 압력감지센서(44)는 디텍터(46)에 연결되고, 상기 디텍터(46)는 디스플레이유닛(Display unit)(48)과 전기적으로 연결되어있다.
반도체웨이퍼의 평탄화를 위한 캐리어의 레벨링을 위한 방법은 상기 제1실시예와 동일하다. 상기 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 반도체웨이퍼의 레벨링장치 및 방법은, 레벨링을 위한 별도의 장비를 설치하는 과정이 필요없이 감지수단에 의해 반도체웨이퍼를 레벨링할 수 있으므로 작업준비시간이 단축되는 효과가 있다. 또한, 연마공정진행중에도 감지수단에 의해 연마포와 반도체웨이퍼의 수평상태를 확인하고 조정함으로써 반도체웨이퍼 평탄화공정에 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 감지수단을 통하여 반도체웨이퍼 평탄화공정 완료검출장치로도 사용할 수 있는 효과가 있다.
Claims (7)
- 반도체웨이퍼를 홀딩시키는 회전가능한 홀딩수단, 다수개의 홈이 형성된 상부평면을 가진 연마판과, 상기 상부수평면을 커버하는 연마포와, 상기 반도체웨이퍼와 연마포에 접촉하는 연마액을 포함하는 연마수단, 상기 홈에 설치되어 상기 연마판상에서 상기 홀딩수단으로부터 가해지는 압력을 감지하여 그에 따른 신호를 출력하는 감지수단으로 구성된 것을 특징으로하는 씨엠피장치의 반도체웨이퍼의 레벨링 감지장치.
- 제1항에 있어서, 상기 홈은 상기 연마판의 상부수평면의 중심에서 동심원의 위치에 있는 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 반도체웨이퍼의 레벨링 감지장치.
- 제1항에 있어서, 상기 감지수단은 입력감지센서이고, 상기 입력감지센서는 디텍터를 거쳐 디스플레이유닛과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 반도체웨이퍼의 레벨링 감지장치.
- 다수개의 홈이 그의 하면에 형성된 캐리어헤드를 포함하며, 반도체웨이퍼를 홀딩시키는 회전가능한 홀딩수단, 상부수평면을 가진 연마판과, 상기 상부수평면을 커버하는 연마포와, 상기 반도체웨이퍼와 연마포에 접촉하는 연마액을 포함하는 연마수단, 상기 홈에 설치되어 상기 연마판상에서 상기 홀딩수단으로부터 가해지는 압력을 감지하여 그에 따른 신호를 출력하는 감지수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 반도체웨이퍼의 레벨링 감지장치 및 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 홈은 상기 캐리어헤드의 하면 중심에서 동심원의 위치에 있는 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 반도체웨이퍼의 레벨링 감지장치.
- 제1항에 있어서, 상기 감지수단은 압력감지센서이고, 상기 압력감지센서는 디텍터를 거쳐 디스플레이유닛과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 반도체웨이퍼의 레벨링 감지장치.
- 상부수평면상에 감지수단이 설치되고 연마포가 커버된 연마판을 제공하는 단계, 상기 연마포와 접촉하도록 반도체웨이퍼를 홀딩하는 홀딩수단을 제공하는 단계, 상기 연마판상에 연마액을 공급하고, 동시에 상기 연마판과 홀딩수단을 회전시키는 단계, 상기 연마판상에 가해지는 홀딩수단으로부터의 압력의 변화를 상기 감지수단에 의해 감지하여 신호를 출력하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960027606A KR100218309B1 (ko) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법 |
DE19652839A DE19652839C2 (de) | 1996-07-09 | 1996-12-18 | Nivelliersensorvorrichtung und -verfahren für Halbleiterwafer für ein chemisch-mechanisches Poliergerät |
US08/889,476 US5944580A (en) | 1996-07-09 | 1997-07-08 | Sensing device and method of leveling a semiconductor wafer |
JP18365697A JP3131769B2 (ja) | 1996-07-09 | 1997-07-09 | 半導体ウェーハの機械化学的研磨装置及びその制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960027606A KR100218309B1 (ko) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR980011982A true KR980011982A (ko) | 1998-04-30 |
KR100218309B1 KR100218309B1 (ko) | 1999-09-01 |
Family
ID=19465757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960027606A KR100218309B1 (ko) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5944580A (ko) |
JP (1) | JP3131769B2 (ko) |
KR (1) | KR100218309B1 (ko) |
DE (1) | DE19652839C2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113547437A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-10-26 | 河南科技学院 | 一种实验室用多功能研抛机 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5700180A (en) | 1993-08-25 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing |
TW377467B (en) * | 1997-04-22 | 1999-12-21 | Sony Corp | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
JP2000015570A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
US6186865B1 (en) * | 1998-10-29 | 2001-02-13 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool |
US6325706B1 (en) | 1998-10-29 | 2001-12-04 | Lam Research Corporation | Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection |
US6602109B1 (en) * | 1998-12-16 | 2003-08-05 | University Of Massachusetts | Grinding wheel system |
US6585559B1 (en) * | 1999-04-02 | 2003-07-01 | Engis Corporation | Modular controlled platen preparation system and method |
US6602108B2 (en) * | 1999-04-02 | 2003-08-05 | Engis Corporation | Modular controlled platen preparation system and method |
US6402590B1 (en) * | 2000-06-14 | 2002-06-11 | Lucent Technologies Inc. | Carrier head with controllable struts for improved wafer planarity |
US6520834B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
AU2001292994A1 (en) * | 2000-09-25 | 2002-05-21 | Center For Tribology, Inc. | A method and apparatus for controlled polishing |
US6494765B2 (en) * | 2000-09-25 | 2002-12-17 | Center For Tribology, Inc. | Method and apparatus for controlled polishing |
US6257953B1 (en) * | 2000-09-25 | 2001-07-10 | Center For Tribology, Inc. | Method and apparatus for controlled polishing |
US6790125B2 (en) | 2000-12-11 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | Backside integrated circuit die surface finishing technique and tool |
US6937915B1 (en) * | 2002-03-28 | 2005-08-30 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for detecting transitions of wafer surface properties in chemical mechanical polishing for process status and control |
US6627466B1 (en) * | 2002-05-03 | 2003-09-30 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting backside contamination during fabrication of a semiconductor wafer |
US6752693B1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-06-22 | Lam Research Corporation | Afferent-based polishing media for chemical mechanical planarization |
US6955588B1 (en) | 2004-03-31 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization |
JP4725767B2 (ja) * | 2004-08-12 | 2011-07-13 | 有限会社岡本光学加工所 | 光学材料の無歪み表面加工装置および表面加工技術 |
US7153182B1 (en) | 2004-09-30 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | System and method for in situ characterization and maintenance of polishing pad smoothness in chemical mechanical polishing |
DE102005017006A1 (de) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zum Bearbeiten von mindestens einem Werkstück mit integrierter Bearbeitungskräftemessung |
US7887392B2 (en) * | 2007-06-06 | 2011-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Platen assembly and work piece carrier head employing flexible circuit sensor |
TWM347669U (en) * | 2008-06-19 | 2008-12-21 | Bestac Advanced Material Co Ltd | Polishing pad and polishing device |
JP2010214477A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toyota Motor Corp | 表面処理方法及び表面処理装置 |
CN102221416B (zh) * | 2011-03-10 | 2012-10-10 | 清华大学 | 抛光液物理参数测量装置、测量方法和化学机械抛光设备 |
CN102513906B (zh) * | 2011-12-20 | 2013-10-09 | 元亮科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底抛光工艺 |
KR101399837B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2014-05-29 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 및 방법 |
US10328549B2 (en) * | 2013-12-11 | 2019-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing head, chemical-mechanical polishing system and method for polishing substrate |
KR102506047B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2023-03-06 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
CN110153873B (zh) * | 2018-02-14 | 2021-06-11 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法 |
CN110509178B (zh) * | 2019-09-17 | 2021-08-10 | 清华大学 | 一种用于半导体基板的化学机械抛光方法、装置 |
CN110744371B (zh) * | 2019-10-28 | 2021-08-13 | 蓝坊服装科技(广州)有限公司 | 一种柔性传感器的制备装置以及方法 |
CN114603474B (zh) * | 2020-12-03 | 2023-06-09 | 长鑫存储技术有限公司 | 压力检测系统 |
CN115716237A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-02-28 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于对硅片进行抛光的装置和方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5069002A (en) * | 1991-04-17 | 1991-12-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers |
JPH06196456A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Fujitsu Ltd | ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法 |
JPH06333891A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Sony Corp | 基板研磨装置および基板保持台 |
DE4335980C2 (de) * | 1993-10-21 | 1998-09-10 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Positionieren einer Werkstückhalterung |
US5720845A (en) * | 1996-01-17 | 1998-02-24 | Liu; Keh-Shium | Wafer polisher head used for chemical-mechanical polishing and endpoint detection |
US5733176A (en) * | 1996-05-24 | 1998-03-31 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad and method of use |
-
1996
- 1996-07-09 KR KR1019960027606A patent/KR100218309B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-18 DE DE19652839A patent/DE19652839C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-08 US US08/889,476 patent/US5944580A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-09 JP JP18365697A patent/JP3131769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113547437A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-10-26 | 河南科技学院 | 一种实验室用多功能研抛机 |
CN113547437B (zh) * | 2021-08-09 | 2022-05-27 | 河南科技学院 | 一种实验室用多功能研抛机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19652839A1 (de) | 1998-01-22 |
JPH1076461A (ja) | 1998-03-24 |
US5944580A (en) | 1999-08-31 |
DE19652839C2 (de) | 2002-04-18 |
KR100218309B1 (ko) | 1999-09-01 |
JP3131769B2 (ja) | 2001-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100218309B1 (ko) | 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법 | |
US5036015A (en) | Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers | |
US5069002A (en) | Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers | |
EP1116552B1 (en) | Polishing apparatus with thickness measuring means | |
US5196353A (en) | Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer | |
US20050173259A1 (en) | Endpoint system for electro-chemical mechanical polishing | |
US6319420B1 (en) | Method and apparatus for electrically endpointing a chemical-mechanical planarization process | |
KR101918803B1 (ko) | 푸리에 변환을 이용한 막 두께의 측정 | |
KR100255063B1 (ko) | 반도체 장치의 평탄화 방법 및 장치 | |
US20070077671A1 (en) | In-situ substrate imaging | |
US20040038624A1 (en) | Multiprobe detection system for chemical-mechanical planarization tool | |
US7137867B2 (en) | Thickness control method and double side polisher | |
US20050118839A1 (en) | Chemical mechanical polish process control method using thermal imaging of polishing pad | |
US20040166773A1 (en) | Polishing apparatus | |
KR20090031659A (ko) | 연속적 반경 측정에 의한 웨이퍼 엣지 특성화 | |
US6198294B1 (en) | In-situ backgrind wafer thickness monitor | |
US7059939B2 (en) | Polishing pad conditioner and monitoring method therefor | |
KR101134586B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 연마용 웨이퍼 캐리어 및 모니터링 장치 | |
CN111263681B (zh) | 用于晶片上准确传感器位置确定的抖动校正 | |
US6766679B1 (en) | System and method for spindle drive downforce calibration | |
KR102262800B1 (ko) | Cmp 장비용 스핀 베이스 구조체 | |
KR100714894B1 (ko) | 웨이퍼 폴리싱 장치 | |
US20240123565A1 (en) | Compensation for slurry composition in in-situ electromagnetic inductive monitoring | |
JPH08243917A (ja) | 研磨の終点検出方法及び研磨装置並びにそれを用いた半導体装置製造方法 | |
KR100809281B1 (ko) | 반도체용 패드 평탄화 측정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070518 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |