KR980006920A - The coefficient circuit of the semiconductor device - Google Patents

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박근영
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김주용
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Abstract

본 발명은 초기 입력된 어드레스 신호를 인터리브 모드 및 리니어 모드로 증가시키기 위한 반도체 장치의 계수 회로에 있어서, 상기 인터리브 모드 및 리니어 모드 중 하나의 모드를 선택하기 위해 상기 초기 어드레스 신호와 모드선택신호를 입력으로 하는 복수의 부정논곱수단과; 상기 복수의 부정논리곱수단 출력신호의 반전시호를 입력으로 하여 상기 초기 어드레스 신호를 증가시키기 위한 복수의 계수수단과; 상기 초기 어드레스 신호와 상기 복수의 계수 수단 출력을 입력으로 하는 복수의 배타적논리합수단과; 상기 모드선택신호에 따라 상기 배타적논리합수단과 상기 계수수단의 출력중 어느 하나를 선택적으로 출력하기 위한 다수의 선택수단을 포함해서 이루어진 반도체장치의 계수회로에 관한 것으로, 양모드의 계수회로를 별도로 설계하여 반도체장치에 집적할 필요없이 하나의 계수회로에서 모드선택신호를 통해 양모드의 선택이 가능하게 하여 반도체장치의 집적도 향상을 기할 수 있으며, 금속배선을 위한 추가마스크 사용이 불필요하게 되어 제조비용을 크게 절감할 수 있게 된다.The present invention relates to a coefficient circuit of a semiconductor device for increasing an initially input address signal to an interleaved mode and a linear mode, the method comprising: inputting the initial address signal and a mode selection signal to select one of the interleaved mode and the linear mode; A plurality of negative non-inverting means; A plurality of counting means for incrementing the initial address signal by taking an inverted signal of the output signal of the plurality of NAND devices as an input; A plurality of exclusive OR gates receiving the initial address signal and the plurality of counting means outputs; And a plurality of selection means for selectively outputting either one of the exclusive-OR means and the output of the count means in accordance with the mode selection signal, wherein the coefficient circuits in both modes are separately designed It is possible to select both modes through a mode selection signal in one counting circuit without needing to integrate them in a semiconductor device, thereby making it possible to improve the degree of integration of the semiconductor device and to eliminate the necessity of using an additional mask for metal wiring, It can be greatly reduced.

Description

반도체장치의 계수회로The coefficient circuit of the semiconductor device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.

제1도는 본 발명에 따른 반도체장치의 계수회로도.FIG. 1 is a coefficient circuit diagram of a semiconductor device according to the present invention. FIG.

제5도는 본 발명에 따른 계수회로도의 리니어 계수모드를 시뮬레이션한 결과의 각부 신호파형도이다.FIG. 5 is a signal waveform diagram of each part obtained by simulation of a linear coefficient mode of a coefficient circuit diagram according to the present invention. FIG.

Claims (6)

초기 입력된 어드레스 신호를 인터리브 모드 및 리니어 모드로 증가시키기 위한 반도체 장치의 계수 회로에 있어서, 상기 인터리브 모드 및 리니어 모드 중 하나의 모드를 선택하기 위해 상기 초리 어드레스신호와 모드선택신호를 입력으로 하는 복수의 부정논리곱수단과; 상기 복수의 부정논리곱수단과 출력신호의 반전신호를 입력으로 하여 상기 초기 어드레스 신호를 증가시키기 위한 복수의 계수수단과; 상기 초기 어드레스 신호와 상기 복수의 계수수단 출력을 입력으로 하는 복수의 배타적논리합수단과; 상기 모드선택신호에 따라 상기 배타적논리합수단과 상기 계수수단의 출력중 어느 하나를 선택적으로 출력하기 위한 다수의 선택수단을 포함해서 이루어진 반도체장치의 계수회로A coefficient circuit of a semiconductor device for increasing an initially input address signal to an interleaved mode and a linear mode, the coefficient circuit comprising: a plurality of input terminals for selecting either the interleaved mode or the linear mode; A negative logical product of; A plurality of counting means for incrementing the initial address signal by inputting the inverted signals of the plurality of NAND devices and an output signal; A plurality of exclusive OR gates receiving the initial address signal and the plurality of counting means outputs; And a plurality of selection means for selectively outputting either the exclusive OR means or the output of the count means in accordance with the mode selection signal. 제1항에 있어서, 상기 선택수단은 복수의 전송게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 계수회로2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the selecting means comprises a plurality of transfer gates, 제1항에 있어서, 상기 복수의 계수수단은 입력된 어드레스신호를 순차로 1비트 계수하기 위한 1비트 계수수단인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 계수회로2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the plurality of counting means is a 1-bit counting means for sequentially counting the input address signal by one bit, 제3항에 있어서, 상기 계수수단에는 초기 어드레스가 계수될 수 있게 이 계수수단을 외부로부터 차단하는 로드신호(LOAD)가 외부로 부터 각각 인가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 계수회로The counting circuit according to claim 3, characterized in that the counting means is applied with a load signal (LOAD) from the outside for blocking the counting means from the outside so that the initial address can be counted, 제3항에 있어서, 상기 하나의 계수수단에는 외부의 동기신호인 클럭신호(CLQB)가 클럭단에 인가되고, 또 하나의 계수수단 클럭단에는 상기 하나의 계수수단 출력신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 계수회로The apparatus of claim 3, wherein the one counting means is applied with a clock signal (CLQB), which is an external synchronizing signal, at the clock terminal, and the one counting means output signal is applied to another counting means clock terminal Of the semiconductor device 제2항에 있어서, 상기 전송게이트는 상기 모드선택신호와 이 모드선택신호와 이 모드선택신호의 반전신호조합에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 계수회로3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the transfer gate is controlled by a combination of the mode selection signal, the mode selection signal, and an inverted signal of the mode selection signal. ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.
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