KR980006323A - 커패시터 제조공정 - Google Patents
커패시터 제조공정 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980006323A KR980006323A KR1019960023025A KR19960023025A KR980006323A KR 980006323 A KR980006323 A KR 980006323A KR 1019960023025 A KR1019960023025 A KR 1019960023025A KR 19960023025 A KR19960023025 A KR 19960023025A KR 980006323 A KR980006323 A KR 980006323A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- manufacturing process
- present
- growing
- capacitor manufacturing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
이 발명은 바이폴라 제조 공정 중에서 이미터를 형성할 때 성장되는 산화막을 유전체로 이용하는 커패시터 제조 공정에 관한 것이다. 이 발명의 구성은 반도체 기판 위에 제1산화막을 성장시킨 후에 일정부위를 식각하는 단계와; 상기의 식각 부위에 불순물을 주입하여 확산영역을 형성하고, 제2산화막을 성장시키는 단계와; 상기의 제2산화막의 상부에 메탈을 증착시키는 단계로 일워진다. 이 발명의 효과는, 추가적으로 유전체용 산화막 마스크를 사용하지 않과 제조함으로써 공수 단축 뿐만 아니라 내압을 증가시킬 수 있는 용량성 디바이스를 제공할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 2c는 이 발명의 실시예에 따른 커패시터 제조공정을 도시.
Claims (1)
- 커패시터 제조공정에 있어서, 반도체 기판 위에 제1산화막을 성장시킨 후에 일정 부위를 식각하는 단계와; 상기의 식각 부위에 불순물을 주입하여 확산 영역을 형성하고, 제2산화막을 성장시키는 단계와; 상기의 제2 산화막의 상부에 메탈을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조공정.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023025A KR980006323A (ko) | 1996-06-22 | 1996-06-22 | 커패시터 제조공정 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023025A KR980006323A (ko) | 1996-06-22 | 1996-06-22 | 커패시터 제조공정 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006323A true KR980006323A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023025A KR980006323A (ko) | 1996-06-22 | 1996-06-22 | 커패시터 제조공정 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006323A (ko) |
-
1996
- 1996-06-22 KR KR1019960023025A patent/KR980006323A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4939099A (en) | Process for fabricating isolated vertical bipolar and JFET transistors | |
| KR910005446A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| JPH03201474A (ja) | 単一集積回路チップにおける垂直バイポーラトランジスタと高圧ｃｍｏｓの形成方法 | |
| ATE206558T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungsanordnung mit mindestens einem mos- transistor | |
| KR980006323A (ko) | 커패시터 제조공정 | |
| EP0348626B1 (en) | Process for fabricating isolated vertical bipolar and JFET transistors and corresponding IC | |
| EP0757391A3 (en) | Method for production of semiconductor integrated circuit device provided with a high voltage transistor | |
| KR970017994A (ko) | 다수의 마이크로 전자 회로를 soi상에 제작하기 위한 방법 | |
| KR950004548A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR900019255A (ko) | 질화막을 이용한 자기정렬 바이폴라 트랜지스터 제조방법 | |
| KR890002990A (ko) | 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960036142A (ko) | 박막트랜지스터 구조 및 제조방법 | |
| KR940010308A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR900001030A (ko) | 고전압용 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR930015047A (ko) | 저내늄을 컬렉터로 사용하는 규소 이종접합 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법 | |
| KR930014948A (ko) | 트랜지스터의 아이소레이션 방법 | |
| KR920005279A (ko) | 반전 주입물을 분리시키는 방법 | |
| KR960035902A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| JPH02105442A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| KR910013590A (ko) | 고압 반도체소자의 제조방법 | |
| KR970023808A (ko) | 포토레지스터 에치 백 스텝의 안정화 방법 | |
| KR970030905A (ko) | 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960002703A (ko) | 반도체 제조 방법 | |
| KR970008812B1 (en) | Method for manufacturing a capacitor for semiconductor device | |
| KR980006232A (ko) | 굴곡형 커패시터의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |