KR980006042A - 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리막 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 소자분리막이 형성될 지역에 실리콘을 임플란트하여 실리콘기판에 실리콘 격자가 끊어지거나 결합에너지를 감소시킨 다음, 열산화 공정으로 소자분리산화막을 성장시킴으로써 산소기가 실리콘 기판의 실리콘과 용이하게 결합되도록 하여 소자분리막의 버즈 빅을 최소화하는 동시에 소자분리막의 두께를 증대시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제4도는 본 발명에 의해 실리콘기판에 소자분리막을 제조하는 방법을 도시한 단면도.
Claims (5)
- 실리콘기판 상부에 패드산화막과 질화막을 적층하고, 소자분리막 마스크를 이용한 식각공정으로 소자분리막이 형성될 지역의 질화막을 식각하여 질화막패턴을 형성하는 단계와, 실리콘 이온을 질화막이 제거된 실리콘기판으로 임플란트하여 실리콘 기판의 실리콘 격자의 결합 에너지를 저하시키는 단계와, 열산화공정으로 질화막이 제거된 실리콘기판을 열산화시켜 소자 분리산화막을 형성하는 단계를 포함하는 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 실리콘 격자의 결합 에너지를 저하시키기 위해 실리콘 이온을 임플란트 할때 30-200KeV의 이온 주입 에너지와1×1014-1×1020자/㎠의 도즈량으로 임플란트 하는 것을 특징으로 하는 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 실리콘 격자의 결합 에너지를 저하시키기 위해 임플란트 하는 실리콘 이온 대신에 필드 스톱 영역 형성용 불순물을 임플란트 하는 것을 특징으로 하는 소자분리막 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 필드 스톱 영역 형성을 불순물은 붕소 또는 포스포러스인 것을 특징으로 하는 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 실리콘 격자의 결합 에너지를 저하시키기 위해 임플란트 하는 실리콘 이온대신에 휘발성 물질을 임플란트 하는 것을 특징으로 하는 소자분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023215A KR980006042A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023215A KR980006042A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006042A true KR980006042A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023215A KR980006042A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006042A (ko) |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023215A patent/KR980006042A/ko not_active Application Discontinuation
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