KR980005962A - 확대/축소 크기 측정용 마크 - Google Patents

확대/축소 크기 측정용 마크 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조시 패턴 형성시 확대/축소 크기 측정용 마크에 관한것으로, DRAM, SRAM, LCD등 제조시 사용되는 측정 마크를 제조하되 축소 노광 장치를 사용하여 위에퍼 상부에 패턴을 사영 시킬때 패턴의 확대/축소 크기, A는 a위치에 있는 X축 사영거리, B는 b위치에 있는 X축 사영거리를 의미하고, X는 확대 축소 크기 (magnifi-cation)를 측정하는데 이용되는 측정 마크에 관한 것이다.

Description

확대/축소 크기 측정용 마크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 의해 확대/축소 크기 측정용 마크를 형성하는 원리를 설명하기 위해 하나의 층(Layer)으로 이루어지는 패턴을 형성한 도면.

Claims (5)

  1. 다이의 사각 모서리부의 스크라이브라인에 위치하고 정렬키로 이용되는 안쪽박스와, 상기 안쪽박스의 외측에 ㄱ 형태 또는 ㄴ 형태의 제1패턴이 구비되되, 상기 다이의 중앙부를 기준으로 X, Y축으로 대칭 구조로 이루어진 제1패턴과, 상기 안쪽박스의 외측에 ㄴ 형태 또는 ㄱ 형태의 제2패턴이 구비되되, 상기 안쪽박스를 기준으로 제1 패턴과 대응되는 위치에 대칭구조로 이루어진 제2 패턴을 포함하는 확대/축소 크기 측정용 마크.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1패턴은 상기 다이에 형성하고자 하는 제1패턴을 형성하는 과정에서 스크라이브 라인에 형성된 것을 특징으로 하는 확대/축소 크기 측정용 마크.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 패턴은 다이에 형성하고자 하는 제2패턴을 형성할때 마스크로 사용되는 감광막패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 확대/축소 크기 측정용 마크.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 다이 모서리부의 좌측 과 우측에 있는 제1패턴과 정렬키 사이의 간격과 모서리부의 상측 과 하측에 있는 제1패턴과 정렬키 사이의 간격을 측정하여 미스얼라인 값x,y를 측정하는 것을 특징으로 하는 확대/축소 크기 측정용 마크.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1패턴과 제2패턴을 이용하여 확대/축소 크기를 측정하는 것은=A(M1 - M2)+B(M2 - M1)=(M1 - M2)(A-B), M = 1 -[/(｜A｜+ ｜B｜)] 여기서 M1은 제1패턴의 확대/축소 크기, M2은 제2패턴의 확대/축소 크기 A는 a위치에 있는 X축 사영거리, B는 b위치에 있는 X축 사영거리를 의미하고,M은 확대 축소크기를 의미하고, Y축 확대/축소 크기를 구하는 경우 A, B는 각각 Y축 사영거리를 의미함.
    의 식으로 산출되는 것을 특징으로 하는 확대/축소 크기 측정용 마크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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