KR980005321A - 애퍼처 정렬 정확도 측정방법 - Google Patents

애퍼처 정렬 정확도 측정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 리소그라피 공정에 이용되는 스테퍼의 조명광학계에 사용되는 애퍼처의 정렬 정확도 측정방법에 관한 것으로, 특히 마스크상에 90°(-90°)의 일정각도 위상 쉬프트되는 마크를 형성하여 애퍼처의 정렬오차가 웨이퍼상에서 패턴의 변위로 나타나게 하고 이를 측정 장비를 이용해서 측정함으로써 애퍼처의 중심이동정도를 측정할 수 있는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법에 관한 것이다.

Description

애퍼처 정렬 정확도 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 기술에 따라 상부에 90°위상 쉬프트(Shift)되는 마크(mark)가 형성된 마스크의 평면도.

Claims (10)

  1. 마스크의 투명기관 상부에 일정폭을 갖는 위상 쉬프트가 되는 마크를 형성하는 단계와, 상기 마스크를 이용하여 웨이퍼상 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크에 의해 웨이퍼상에 형성된 패턴의 쉬프트된 변위량을 측정수단을 통하여 측정하는 단계와, 상기 패턴의 쉬프트 변위량으로 애퍼처의 정렬 정확도를 판단하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마크는 위상을 90°혹은 270°(-90°)쉬프트 시키는 마크인 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마크의 폭은 0~10㎛ 인 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 상이 쉬프트되는 마크영역의 상이 쉬프트되는 정도를 측정하기 위해 마스크상에 크롬 패턴을 삽입하여 표준으로 이용하는 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 쉬프트되는 영역의 마크 폭을 조정하기 위해서 qz 90°qz Cr qz 90°qz 로 배치하여 Cr의 폭으로 감광막 패턴의 폭을 변화시키는 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법. (여기서 qz:마스크석영기판, 0°쉬프트)
  6. 제1항에 있어서, 상기의 애퍼처 정렬 정확도 측정방법이 투영광학(Projection optics)내의 애퍼처 정렬에 이용되는 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기의 애퍼처 정렬 정확도 측정방법이 스테퍼이의 마이크로스코퍼나 광학 시스템의 정렬에 이용되는 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기의 애퍼처 정렬 정확도 측정방법을 적용하기 위해 감광막 패턴을 이용하는 것과 단순히 검출기를 이용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 애퍼처 정렬 정확도 측정방법이 애퍼처외에 광학계 전체의 정렬정도를 측정하는데 이용되는 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 조명 광원으로 G-line, I-line DUV(248nm, 193nm) VUV 등을 이용하는 것을 특징으로 하는 애퍼처 정렬 정확도 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR102401179B1 (ko) 2017-12-12 2022-05-24 삼성전자주식회사 전자빔 장치의 어퍼처 시스템, 전자빔 노광 장치 및 전자빔 노광 장치 시스템

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